藍(lán)寶石單晶襯底拋光片編制說明

國家標(biāo)準(zhǔn)《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》編制說明（預(yù)審稿）一、工作簡況1、立項(xiàng)目的與意義藍(lán)寶石晶體作為電子信息產(chǎn)業(yè)及特殊光電設(shè)備領(lǐng)域的重要材料，隸屬于國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域第四大類“新材料”中光電子、光子晶體信息材料技術(shù)?！爸袊圃?025”中明確提出重點(diǎn)發(fā)展新材料領(lǐng)域中的關(guān)鍵戰(zhàn)略材料如電子陶瓷和人工晶體材料?！懂a(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）》明確支持“信息、新能源、國防、航天航空等領(lǐng)域用高品質(zhì)人工晶體材料、制品和器件生產(chǎn)裝備技術(shù)開發(fā)”和“半導(dǎo)體、光電子器件、新型電子元器件等電子產(chǎn)品用材料”、“半導(dǎo)體照明襯底、外延、芯片、封裝及材料”等領(lǐng)域發(fā)展。隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展，尤其是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，藍(lán)寶石襯底的市場需求越來越強(qiáng)烈。由于在透紅外光、介電性能和抗劃傷等方面的突出優(yōu)勢，藍(lán)寶石不僅可以使觸摸屏的敏感度和反應(yīng)速度更高，且硬度大可以抵擋刀劃等各種磨損，因此被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，主要包括智能手機(jī)攝像頭的保護(hù)蓋板、指紋識別HOME鍵蓋板、智能手表屏幕蓋板以及未來可能推廣的智能手機(jī)屏幕蓋板等。藍(lán)寶石的應(yīng)用領(lǐng)域主要涉及LED襯底材料、消費(fèi)電子和軍事等應(yīng)用，其中，襯底為藍(lán)寶石最主要的應(yīng)用，占據(jù)了約80%的份額，消費(fèi)電子行業(yè)占據(jù)約20%。在LED襯底領(lǐng)域藍(lán)寶石襯底相對其他襯底材料占90%以上的市場份額。隨著Mini/Micro-LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速，對藍(lán)寶石襯底需求量也與日俱增，有報(bào)道對藍(lán)寶石襯底需求量進(jìn)行測算：每片4英寸芯片可量產(chǎn)1700萬Micro-LED，約可供1臺60英寸4K電視/3臺手機(jī)（2K）/2臺平板（2K）。預(yù)計(jì)2025年芯片/襯底需求量達(dá)到3500萬片，如果蘋果全部采用Micro-LED，則需要6300萬片。截至2021年12月，藍(lán)寶石出口單價(jià)為762.12美元每千克。據(jù)行家說Research預(yù)測，到2026年MircoLED將能帶來1.96億美金的芯片產(chǎn)值?；贚ED芯片技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)品的快速迭代，帶動藍(lán)寶石襯底向更大尺寸方向發(fā)展。同時(shí)，Mini/Micro-LED對波長均勻性和缺陷控制有更高要求，對襯底材料的平坦度、表面微觀缺陷以及潔凈度等有提出更高品質(zhì)技術(shù)要求。因此，原有的標(biāo)準(zhǔn)GB/T30858-2014所規(guī)定的技術(shù)要求已遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了藍(lán)寶石襯底目前實(shí)際的市場需求，鑒于藍(lán)寶石襯底近幾年的迅速發(fā)展，需要對GB/T30858-2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行修訂，以引導(dǎo)藍(lán)寶石行業(yè)發(fā)展，滿足市場需求和促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。2、任務(wù)來源根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2024年第一批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計(jì)劃的通知》（國標(biāo)委發(fā)[2024]16號）的要求，由天通銀廈新材料有限公司等單位負(fù)責(zé)修訂《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》，計(jì)劃編號20240142-T-469，項(xiàng)目周期16個(gè)月，要求完成時(shí)間2025年7月。3、任務(wù)承擔(dān)單位概況天通銀廈新材料有限公司成立于2014年，注冊資本8.85億元，是專業(yè)從事大尺寸藍(lán)寶石晶體、晶棒及襯底晶圓研發(fā)、制造和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司歷經(jīng)10年的發(fā)展，已成長為國內(nèi)大尺寸藍(lán)寶石晶體生長、大尺寸晶棒加工以及襯底晶圓超精密加工技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)藥業(yè)、集成電路及智能手機(jī)終端、新一代MicroLED顯示技術(shù)和5G通信等行業(yè)。公司生產(chǎn)區(qū)域包括已建成的老廠區(qū)和正在規(guī)劃建設(shè)的新廠區(qū)。其中，老廠區(qū)已建成160kg~400kg級藍(lán)寶石晶體的量產(chǎn)項(xiàng)目、晶體掏棒和襯底加工等延鏈補(bǔ)鏈項(xiàng)目，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)藍(lán)寶石晶體2000噸。綜合老廠區(qū)的已建成項(xiàng)目和新廠區(qū)正在規(guī)劃建設(shè)的所有項(xiàng)目，公司在藍(lán)寶石材料產(chǎn)業(yè)上的總投資已接近40億元，可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶體綜合年產(chǎn)能約4700噸、藍(lán)寶石晶棒年產(chǎn)能超過5400萬毫米、藍(lán)寶石襯底片年產(chǎn)能480萬片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。公司作為高新技術(shù)企業(yè)，一直致力于產(chǎn)品創(chuàng)新與技術(shù)提升，潛心研究和開發(fā)新產(chǎn)品、新工藝、新技術(shù)。公司自主立項(xiàng)并開展研發(fā)創(chuàng)新活動超過20項(xiàng)，近年來研發(fā)投入超過1.6億元。公司先后研發(fā)出不同（100~720kg）公斤級藍(lán)寶石晶體、高端顯示領(lǐng)域所需的藍(lán)寶石襯底晶片（2~8英寸），其中720kg級晶體是目前國內(nèi)最大規(guī)格藍(lán)寶石晶體。經(jīng)過幾年的創(chuàng)新突破，目前已形成了企業(yè)自有的大尺寸藍(lán)寶石生長工藝技術(shù)和切磨拋技術(shù)，獲得了多項(xiàng)自主研發(fā)和創(chuàng)新的技術(shù)、工藝，其中授權(quán)專利51項(xiàng)、計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)15項(xiàng)，科技成果12項(xiàng)。公司主持修訂了國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T31092—2022《藍(lán)寶石單晶晶錠》，編制組負(fù)責(zé)人康森曾負(fù)責(zé)起草了GB/T34504—2017《藍(lán)寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素測量方法》。4、主要工作過程4.1、起草階段本項(xiàng)目編制單位天通銀廈新材料有限公司、徐州凱成科技有限公司、徐州美興光電科技有限公司、中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所通過調(diào)研國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢，考慮用戶的當(dāng)前使用要求及以后技術(shù)發(fā)展的潛在使用要求，于2024年10月形成了討論稿。2024年10月15日，由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會組織，在云南省昆明市組織召開了國家標(biāo)準(zhǔn)《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》第一次工作會議（討論會），與會專家對討論稿進(jìn)行了逐條評審，對技術(shù)內(nèi)容和文本質(zhì)量進(jìn)行了充分討論，并對范圍、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則等具體內(nèi)容提出了寶貴意見和建議。4.2、征求意見階段第1次工作會議結(jié)束后，編制組逐項(xiàng)落實(shí)會議確定的19項(xiàng)專家意見，對標(biāo)準(zhǔn)稿件進(jìn)行修改，于2024年11月形成了征求意見稿，通過郵件發(fā)送行業(yè)內(nèi)多家生產(chǎn)、使用等相關(guān)單位征求意見。根據(jù)各相關(guān)單位的修改建議，對標(biāo)準(zhǔn)稿件進(jìn)行修改和完善，于2024年12月形成了預(yù)審稿，并于2024年12月在蘇州市參加《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》標(biāo)準(zhǔn)第2次工作會議。二、標(biāo)準(zhǔn)編制的原則及確定主要內(nèi)容的依據(jù)1、編制原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制工作組，負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場需求及客戶要求等信息。以國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T30858—2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》為基礎(chǔ)，初步確定了《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：1）標(biāo)準(zhǔn)的編寫格式按國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的統(tǒng)一規(guī)定和要求進(jìn)行編寫。考慮用戶的當(dāng)前使用要求及以后技術(shù)發(fā)展的潛在使用要求。考慮國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢。2、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的確定依據(jù)及主要試驗(yàn)驗(yàn)證情況分析本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T30858—2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》。相比于GB/T30858—2014，本次的主要技術(shù)變動內(nèi)容如下。2.1、更改了適用范圍。討論稿中基于目前的市場需求和技術(shù)發(fā)展，將2014版原文件中“1范圍”由“適用于單面拋光藍(lán)寶石襯底片”修改為“適用于外延生長半導(dǎo)體薄膜用藍(lán)寶石襯底片”。在第一次工作會議（討論會）中，與會專家提出僅“適用于外延生長半導(dǎo)體薄膜”不能全面描述藍(lán)寶石拋光片的應(yīng)用范圍，故在預(yù)審稿中將適用范圍完善為“適用于外延生長半導(dǎo)體薄膜、生產(chǎn)藍(lán)寶石圖形化襯底、藍(lán)寶石鍵合襯底等用途的藍(lán)寶石拋光片”。此外，根據(jù)討論會中的專家意見，將藍(lán)寶石單晶襯底拋光片的簡稱由“藍(lán)寶石襯底片”更改為“藍(lán)寶石拋光片”，更符合本文件中的產(chǎn)品屬性。2.2、更改了規(guī)范性引用文件。隨著藍(lán)寶石晶體材料品質(zhì)的提升以及檢測技術(shù)的不斷完善，目前已有藍(lán)寶石單晶晶向、襯底片彎曲度、襯底片翹曲度、位錯(cuò)密度、半峰寬值的檢測標(biāo)準(zhǔn)，并且目前已有更適用的總雜質(zhì)含量和表面粗糙度的檢測標(biāo)準(zhǔn)。因此，本文件將原文件中規(guī)范性引用文件GB/T1555、GB/T6619、GB/T6620、附錄A、附錄B、附錄C、附錄D分別用GB/T34210、GB/T31353、GB/T31352、GB/T33236、GB/T33763、GB/T34612、GB/T29505替代。根據(jù)相關(guān)術(shù)語和定義界定的需要，增加了規(guī)范性引用文件GB/T31092。由于本文件新增了參考槽的尺寸及允許偏差、邊緣寬度的技術(shù)要求，所以新增了規(guī)范性引用文件GB/T1958和YS/T26作為試驗(yàn)方法。根據(jù)討論會專家意見，出于對7.2中包裝環(huán)境潔凈度的規(guī)范表述的需要，增加了規(guī)范性引用文件GB/T25915.1。2.3、刪除了“藍(lán)寶石”、“襯底”、“局部厚度變化”、“藍(lán)寶石晶棒”、“亮點(diǎn)”的定義。根據(jù)需要，增加了規(guī)范性引用文件GB/T31092，GB/T14264和GB/T31092界定的術(shù)語和定義可以滿足本文件的要求，不再單獨(dú)列出藍(lán)寶石、襯底、亮點(diǎn)的定義。此外，修訂后的文件中無“藍(lán)寶石晶棒”的術(shù)語，并且“局部厚度變化”的術(shù)語在全文中只出現(xiàn)了一次，因此，刪除藍(lán)寶石晶棒和局部厚度變化的術(shù)語和定義。2.4、增加了總則。根據(jù)市場需求和產(chǎn)品特點(diǎn)，在第4章技術(shù)要求中增加總則“藍(lán)寶石拋光片的技術(shù)參數(shù)是指在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的要求”，使表述更加規(guī)范、嚴(yán)謹(jǐn)。根據(jù)GB/T14264—2024《半導(dǎo)體材料術(shù)語》中合格質(zhì)量區(qū)的定義“邊緣去除后所限定的各參數(shù)值均符合規(guī)定的晶片表面中心區(qū)域”，在總則中規(guī)定了各規(guī)格藍(lán)寶石拋光片的邊緣去除區(qū)，從而明確了各規(guī)格藍(lán)寶石拋光片的合格質(zhì)量區(qū)。2.5、更改了化學(xué)組成的要求。由于GB/T31092中藍(lán)寶石單晶的定義為“人工生長的有確定晶向的型氧化鋁單晶”，因此刪除4.1中“藍(lán)寶石單晶的化學(xué)組成為高純的α-Al2O3”的冗余表達(dá)，并將條標(biāo)題修改為“總雜質(zhì)含量”。根據(jù)討論會中的專家意見，明確了主要雜質(zhì)元素類型，將總雜質(zhì)含量的技術(shù)要求修改為“藍(lán)寶石拋光片中雜質(zhì)元素Li、Na、Mg、Si、Ca、Ti、V、Cr、Fe、Co、Nb、Cu、Ga、Mo、W的總含量應(yīng)小于100mg/kg”，與GB/T31092—2022《藍(lán)寶石單晶晶棒》中的總雜質(zhì)含量的要求相統(tǒng)一。2.6、更改了結(jié)晶完整性的要求。在實(shí)際的藍(lán)寶石晶體生長過程中，若受到雜質(zhì)、溫度變化或震動產(chǎn)生的應(yīng)力作用，或者受到打擊、切削、研磨等機(jī)械應(yīng)力作用，會使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列變形，原子行列相互滑移，不再符合理想晶體的有序排列，形成線狀缺陷，即位錯(cuò)。大量的位錯(cuò)會影響藍(lán)寶石晶體的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)性能，在LED襯底應(yīng)用方面，位錯(cuò)的存在會降低襯底外延層的質(zhì)量，進(jìn)而降低LED照明的發(fā)光效率。隨著新型顯示技術(shù)的發(fā)展，對藍(lán)寶石襯底材料的品質(zhì)要求不斷提升。低位錯(cuò)密度的襯底片是制作高質(zhì)量外延片的基礎(chǔ)，因此，基于目前的市場需求和技術(shù)水平，結(jié)合相關(guān)單位的征集意見，對藍(lán)寶石拋光片的位錯(cuò)密度的技術(shù)要求進(jìn)行修改。具體的修改內(nèi)容是：將位錯(cuò)密度“應(yīng)小于104個(gè)/cm2”修改為“應(yīng)符合表2的規(guī)定”。位錯(cuò)密度單位為個(gè)每平方厘米等級位錯(cuò)密度Ⅰ＜?500Ⅱ500?~?1?000X射線雙晶搖擺曲線的半峰全寬也是表征晶體材料結(jié)構(gòu)完整性的重要參數(shù)。因此，基于目前的市場需求和技術(shù)水平，對藍(lán)寶石拋光片的雙晶搖擺曲線半峰全寬的技術(shù)要求進(jìn)行修改。具體的修改內(nèi)容是：將雙晶搖擺曲線的半峰全寬“應(yīng)小于30?arcsec”修改為“應(yīng)小于20?arcsec”。2.7、刪除了生長方法的要求。本文件修訂過程中，凡是“按雙方合同的規(guī)定”的未定技術(shù)要求，均包含在本文件的4.10“如需方對藍(lán)寶石拋光片有特殊技術(shù)要求，由供需雙方協(xié)商確定，并在訂貨單中注明”的表述中，不再單獨(dú)列出。因此，刪除了原文件中生長方法的要求。2.8、更改了表面取向及主參考面取向或主參考槽取向，刪除了圖1、圖2。為提升表述的清晰性和格式的規(guī)范性，本文件對原文件的表1進(jìn)行了格式上的更改和完善。同時(shí)，表3中的內(nèi)容能夠清楚說明表面取向及參考面取向的關(guān)系，不需要圖示解釋，因此刪除原文件中的圖1和圖2。2.9、更改了尺寸及允許偏差的要求，增加了邊緣寬度的要求。隨著Micro-LED、Mini-LED的快速發(fā)展，其工藝與LED工藝雖有部分相同，但尺寸相差10倍以上，亮度更高，壽命更長。這要求Micro-LED具有良好的一致性和均勻性，因此對其襯底材料的直徑、加工精度、表面粗糙度、亞表面損傷等的要求更加嚴(yán)格。原文件所規(guī)定的技術(shù)要求已滿足不了藍(lán)寶石拋光片實(shí)際的市場需求，因此本文件提高了原文件中外形尺寸及允許偏差的技術(shù)要求。此外，LED芯片技術(shù)的發(fā)展及產(chǎn)品的快速迭代，帶動藍(lán)寶石襯底向更大尺寸方向發(fā)展。與小尺寸襯底相比，大尺寸襯底的芯片產(chǎn)量大幅提高，邊緣濾除損失比例大幅降低。在技術(shù)成熟度和成本降低的綜合驅(qū)動下，6、8英寸藍(lán)寶石襯底的市場需求開始快速增加。因此，本文件中增加了8英寸襯底的尺寸及允許偏差。根據(jù)討論會的專家意見，結(jié)合本文件中產(chǎn)品的市場需求和制程特點(diǎn)，增加了倒角工藝相關(guān)的邊緣寬度（即倒角面幅）的技術(shù)要求，規(guī)定了各規(guī)格藍(lán)寶石拋光片的邊緣寬度。2.10、增加了參考槽的尺寸及允許偏差的要求，增加了參考槽的結(jié)構(gòu)圖。為提高材料利用率，藍(lán)寶石襯底客戶對6、8英寸大尺寸藍(lán)寶石襯底的參考面采用參考槽替代，因此，本文件增加了參考槽尺寸及允許偏差的要求，并增加了參考槽的結(jié)構(gòu)圖。2.11、更改了正表面缺陷的要求。在LED襯底領(lǐng)域，為實(shí)現(xiàn)更高亮度LED以及提升LED芯片加工合格率，對藍(lán)寶石襯底的面型質(zhì)量、表面缺陷等提出更高的要求。因此，本文件修訂過程中，為適應(yīng)目前市場發(fā)展的需要，基于藍(lán)寶石拋光片實(shí)際制程及產(chǎn)品特點(diǎn)，更改并提高了拋光片正表面缺陷的技術(shù)要求。具體修訂內(nèi)容如下：減小了劃傷的數(shù)量及尺寸限度；減小了崩邊的尺寸限度；刪除了裂紋、線切痕、亮點(diǎn)三項(xiàng)內(nèi)容。此外，由于本文件增加了8英寸襯底的尺寸，所以在以襯底尺寸分類的劃傷項(xiàng)目中，增加了8英寸襯底的劃傷技術(shù)要求。根據(jù)討論會的專家意見，為提升表述的規(guī)范性（依據(jù)GB/T14264—2024《半導(dǎo)體材料術(shù)語》中的相關(guān)定義），并強(qiáng)調(diào)藍(lán)寶石拋光片的拋光面，將文本中的“表面”統(tǒng)一修改為“正表面”，“背面”統(tǒng)一修改為“背表面”。2.12、更改了背表面缺陷的要求。原文件中將對藍(lán)寶石拋光片背表面的亮點(diǎn)等缺陷的要求寫入正表面缺陷的技術(shù)要求表中，導(dǎo)致正表面缺陷與背表面缺陷的要求不明晰、易混淆。因此，本文件將正表面缺陷和背表面缺陷的要求進(jìn)行細(xì)分，根據(jù)GB/T1.1—2020中對表的相關(guān)規(guī)定，結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)制程和產(chǎn)品特點(diǎn)，將裂紋、線切痕、亮點(diǎn)劃分進(jìn)背表面缺陷，形成了背表面缺陷的技術(shù)要求表，以便更全面、準(zhǔn)確、直觀地體現(xiàn)正表面缺陷和背表面缺陷的技術(shù)要求。并且，根據(jù)市場發(fā)展的需要及目前國內(nèi)外各生產(chǎn)廠家藍(lán)寶石襯底的制造水平，提高了拋光片背表面缺陷的技術(shù)要求，減小了崩邊的尺寸限度。此外，為提高文件用詞的一致性，將條標(biāo)題“背面質(zhì)量”修改為“背表面缺陷”。根據(jù)討論會的專家意見，為避免產(chǎn)生歧義，將正、背表面缺陷要求表（見表6、表7）中的“無”改為“不允許存在”。2.13、更改了顆粒度的要求?？萍疾俊丁笆奈濉眹抑攸c(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)》中明確指出，“研究大尺寸襯底上低缺陷密度、高波長均勻性、Micro-LED外延生長技術(shù)，解決Micro-LED尺寸效應(yīng)、邊緣效應(yīng)以及低損傷刻蝕和鈍化修復(fù)技術(shù)難題，開發(fā)高均勻性、高效率的Micro-LED外延片和Micro-LED芯片”。受益于行業(yè)景氣度及產(chǎn)能擴(kuò)張，LED產(chǎn)值將實(shí)現(xiàn)高速增長，預(yù)計(jì)到2026年Mirco-LED將帶來1.96億美金的芯片產(chǎn)值。Micro-LED對波長均勻性和缺陷控制有更高要求，對襯底材料的平坦度、表面微觀缺陷以及潔凈度等提出更高品質(zhì)技術(shù)要求。因此，根據(jù)市場發(fā)展的需要及目前國內(nèi)外各生產(chǎn)廠家藍(lán)寶石襯底的制造水平，結(jié)合討論會的專家意見以及相關(guān)單位的征集意見，提高了顆粒度的尺寸和數(shù)量要求。具體修改內(nèi)容如下：將2英寸產(chǎn)品顆粒度要求“＞0.3μm＜200個(gè)”改為“＜5μm＜50顆”；將4英寸產(chǎn)品顆粒度要求“＞0.3μm＜1000個(gè)”改為“＜5μm＜100顆”；將6英寸產(chǎn)品顆粒度要求“＞0.3μm＜1000個(gè)”改為“＜5μm＜200顆”。此外，由于本文件增加了8英寸產(chǎn)品的尺寸，所以在顆粒度要求中，增加了8英寸產(chǎn)品的顆粒度技術(shù)要求“＜5μm＜500顆”。2.14、更改了總雜質(zhì)含量、結(jié)晶完整性、表面取向及主參考面取向或主參考槽取向、尺寸及允許偏差、表面粗糙度的試驗(yàn)方法。隨著藍(lán)寶石晶體材料品質(zhì)的提升以及檢測技術(shù)的不斷完善，目前已有藍(lán)寶石單晶晶向、襯底片彎曲度、襯底片翹曲度、位錯(cuò)密度、半峰寬值的檢測標(biāo)準(zhǔn)，并且目前已有適用的總雜志含量和表面粗糙度的檢測標(biāo)準(zhǔn)。因此，本文件將原文件中檢測標(biāo)準(zhǔn)GB/T1555、GB/T6619、GB/T6620、附錄A、附錄B、附錄C、附錄D分別用GB/T34210、GB/T31353、GB/T31352、GB/T33236、GB/T33763、GB/T34612、GB/T29515替代。同時(shí)，由于第4章中增加了參考槽和邊緣寬度的技術(shù)要求，故增加了GB/T1958和YS/T26作為試驗(yàn)方法。2.15、更改了檢查和驗(yàn)收的要求。根據(jù)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的最新要求，將檢查和驗(yàn)收的要求更改為“產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方質(zhì)檢部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書”。2.16、更改了組批的要求。在實(shí)際生產(chǎn)過程中，相同長晶工藝生產(chǎn)、并以相同加工工藝加工成的同規(guī)格藍(lán)寶石襯底片在客戶生長外延制程中無差別，可視為一批。因此，為提高組批合理性和實(shí)際生產(chǎn)效率，將組批要求由“同一晶錠切割的襯底片為一個(gè)檢驗(yàn)批”更改為“每批應(yīng)由相同長晶工藝生產(chǎn)的藍(lán)寶石晶體，并以相同加工工藝加工成的同規(guī)格的藍(lán)寶石拋光片組成”。2.17、更改了檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣的要求。為提升表述的清晰性和格式的規(guī)范性，本文件將原文件中的表6劃分為兩個(gè)表：抽檢項(xiàng)目（表11）和供需雙方協(xié)商的檢驗(yàn)項(xiàng)目（表12）。根據(jù)藍(lán)寶石拋光片實(shí)際生產(chǎn)制程特點(diǎn)，更改了表面缺陷和背面缺陷檢驗(yàn)方法具體要求。根據(jù)當(dāng)前市場供需雙方需求，以及目前日常出貨檢驗(yàn)要求，將表面粗糙度的檢驗(yàn)規(guī)則更改為由供需雙方協(xié)商是否檢驗(yàn)。2.18、更改了檢驗(yàn)結(jié)果的判定方法。根據(jù)當(dāng)前市場實(shí)際需求，并使文本邏輯更加清晰無歧義，結(jié)合討論會的專家意見，本文件將檢驗(yàn)結(jié)果的判定方法修改為“若表10中的檢驗(yàn)項(xiàng)目中有任何一項(xiàng)檢驗(yàn)不合格，則判定該藍(lán)寶石拋光片不合格。除去不合格品后，合格品可以重新組批。各抽檢項(xiàng)目檢驗(yàn)結(jié)果的接收質(zhì)量限應(yīng)符合表11中的規(guī)定。若表12中的檢驗(yàn)項(xiàng)目中有任何一項(xiàng)檢驗(yàn)不合格，則另取雙倍數(shù)量的試樣對不合格項(xiàng)目進(jìn)行重復(fù)檢驗(yàn)，若重復(fù)檢驗(yàn)結(jié)果仍有一試樣不合格，則判定該批產(chǎn)品不合格”。2.19、更改了標(biāo)志的內(nèi)容。根據(jù)市場需求和產(chǎn)品特點(diǎn)，更改了標(biāo)志的內(nèi)容。由于客戶對產(chǎn)品打標(biāo)的要求不一致，因此刪除了原文件中“襯底片的正面/背面應(yīng)有激光打標(biāo)的產(chǎn)品標(biāo)號，具體位置按照附錄E規(guī)定的方法或由供需雙方商定”的規(guī)定，客戶對打標(biāo)的特殊要求，包含在7.4“如需方對藍(lán)寶石拋光片的標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存由特殊要求，由供需雙方商定”的表述中。2.20、更改了包裝的內(nèi)容。根據(jù)討論會的專家意見，為提升文本的規(guī)范性，將原文件中包裝的“百級環(huán)境”表述為“不低于GB/T25915.1中4級潔凈環(huán)境”。根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)