專題07 電場（含解析）

B.在P點(diǎn)的電勢能大于在N點(diǎn)的電勢能C.在M點(diǎn)的機(jī)械能等于在N點(diǎn)的機(jī)械能 A.M、N兩點(diǎn)電場強(qiáng)度相同B.M、N兩點(diǎn)電勢相同 A.P點(diǎn)電勢比M點(diǎn)的低C.M點(diǎn)電場強(qiáng)度方向沿z軸正方向B.P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小比M點(diǎn)的大 A.F/點(diǎn)與C/點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小相等B.B/點(diǎn)與E/點(diǎn)的電場強(qiáng)度方向相同C.A/點(diǎn)與F/點(diǎn)的電勢差小于O/點(diǎn)與D/點(diǎn)的電勢差 A.N點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小比M點(diǎn)的大B.Q為正電荷C.M點(diǎn)的電場方向沿x軸負(fù)方向D.P點(diǎn)與M點(diǎn)的電勢差為12V φAA.EA>EBB.EA<EBC.φA>φBD.φA<φB A.帶負(fù)電 t1t2A.t1<t2B.t1>t2C.Ek1<Ek2D.Ek1>Ek2A.軌道半徑r小的粒子角速度一定小C.粒子的速度大小與軌道半徑r一定無關(guān) r2(R<r1<r2<R+d(；粒子344 A.L和N兩點(diǎn)處的電場方向相互垂直 A.電場強(qiáng)度的大小E=200V/m A.M帶正電荷B.N帶正電荷 A.兩點(diǎn)電荷可能是異種點(diǎn)電荷C.A點(diǎn)的電勢高于B點(diǎn)的電勢B.A點(diǎn)的電場強(qiáng)度比B點(diǎn)的大 A.B.C.D. 標(biāo)分別為(4l,0(、(-4l,0(、(0,y0(和(0,-y0(，其中x軸上的兩個(gè)點(diǎn)電荷位置固定，y軸上的兩個(gè)點(diǎn)電荷可C.當(dāng)y0=8l時(shí)，將一帶負(fù)電的試探電荷由點(diǎn)(4l,5l(移至點(diǎn)(0,-3l(，靜電力做正功 A.電場E中A點(diǎn)電勢低于B點(diǎn) 固定在P點(diǎn)。下列說法正確的是()C.正電荷在M點(diǎn)的電勢能比其在N點(diǎn)的電勢能大 () WqWqD.Q2在移到C點(diǎn)后的電勢能為-4W C.粒子在M點(diǎn)的電勢能不低于其在N點(diǎn)的電勢能D.粒子在N點(diǎn)所受電場力的方向一定與粒子軌跡在該點(diǎn)的切線平行 A.C.B.D. A.2n2233 A.做勻加速直線運(yùn)動D.由E到F的過程中電勢能先增大后減小 -4kg的小球用長為5cm的絕緣細(xì)線懸掛于A×10-4J×10-4J4 C.Q1=-q，Q2=2q，Q3=-q A.若φM>φN，則M點(diǎn)到電荷Q的距離比N點(diǎn)的遠(yuǎn)B.若EM<EN，則M點(diǎn)到電荷Q的距離比N點(diǎn)的近D.若把帶正電的試探電荷從M點(diǎn)移到N點(diǎn)，電場力做負(fù)功，則EM>EN A.在XX′極板間的加速度大小為mC.在XX′極板間受到電場力的沖量大小為、2meU ()A.M點(diǎn)和N點(diǎn)電勢相同B.M點(diǎn)和N點(diǎn)電場強(qiáng)度相同 A.材料豎直方向尺度減小B.極板間電場強(qiáng)度不變 A.M板電勢高于N板電勢B.兩個(gè)粒子的電勢能都增加D.粒子從N板下端射出的時(shí)間 B.T點(diǎn)電場強(qiáng)度方向指向O點(diǎn) A.正電荷B.正電荷 A.電容變小B.極板間電壓變大 C.沿直線從A到B電勢先升高后降低B.A點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于B點(diǎn)D.沿直線從A到B電場強(qiáng)度逐漸增大 A.1.5×10-7AB.2×10-7AC.3.5×10-7AD.5×10-7A 面M，已知最大靜摩擦力等于滑動摩擦力。則P與M間的動摩擦因數(shù)至少為()1A.D.B.C.A.D.2 A.Epa>Epb，F(xiàn)a>FbB.Epa>Epb，F(xiàn)a<FbC.Epa<Epb，F(xiàn)a>FbD.Epa<Epb，F(xiàn)a<FbA.M點(diǎn)的場強(qiáng)比P點(diǎn)的場強(qiáng)大B.M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的電勢高C.N點(diǎn)的場強(qiáng)與P點(diǎn)的場強(qiáng)相同D.電子在M點(diǎn)的電勢能比在P點(diǎn)的電勢能大 A.Q=釋放后P將向右運(yùn)動C.Q=釋放后P將向右運(yùn)動B.Q=釋放后P將向左運(yùn)動D.Q=釋放后P將向左運(yùn)動 A.探測發(fā)射臺周圍風(fēng)力的大小B.發(fā)射與航天器聯(lián)系的電磁波 A.1.40×1015VB.2.24×10-4CC.2.24×10-4WD.2.24×10-4J 勢能分別為EpM和EpN，則()A.FM<FN,EpM>EpNB.FM>FN,EpM>EpNC.FM<FN,EpM<EpND.FM>FN,EpM<EpN A.導(dǎo)體內(nèi)部的場強(qiáng)左端大于右端C.B點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于A點(diǎn)的電場強(qiáng)度 C.P點(diǎn)電勢一定比Q點(diǎn)電勢低D.正檢驗(yàn)電荷在P點(diǎn)比在 () A.所用時(shí)間為C.與P點(diǎn)的距離為 A.qC=B.彈簧伸長量為C.A球受到的庫侖力大小為2MgD.相鄰兩小球間距為 ()A.偏轉(zhuǎn)電壓B.偏轉(zhuǎn)的角度C.射出電場速度D.電場中運(yùn)動的時(shí)間 ()A.M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的低B.M點(diǎn)的場強(qiáng)大小一定比N點(diǎn)的大C.電子在M點(diǎn)的電勢能比在N點(diǎn)的低D.電子在M點(diǎn)受到的電場力大小一定比在N點(diǎn)的大A.B.C.D. ()A.動能增加mυ2C.重力勢能增加mυ2 A.加速過程中質(zhì)子電勢能增加B.質(zhì)子所受到的電場力約為2×10-15NA.C.B.D. C.在M點(diǎn)的機(jī)械能等于在N點(diǎn)的機(jī)械能D.從M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)的過程中，電場力始終不做功φM=φN>φPEpP>EpM=EpN故選BC。 A.M、N兩點(diǎn)電場強(qiáng)度相同B.M、N兩點(diǎn)電勢相同C.負(fù)電荷在M點(diǎn)電勢能比在O點(diǎn)時(shí)要小D.負(fù)電荷在NB．因在AB處的正電荷在MN兩點(diǎn)的合電勢相等，在C點(diǎn)的負(fù)電荷在MN兩點(diǎn)的電勢也相等，則MN兩故選BC。 A.P點(diǎn)電勢比M點(diǎn)的低B.P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小比M點(diǎn)的大 A.F/點(diǎn)與C/點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小相等B.B/點(diǎn)與E/點(diǎn)的電場強(qiáng)度方向相同C.A/點(diǎn)與F/點(diǎn)的電勢差小于O/點(diǎn)與D/點(diǎn)的電勢差D=-φ<0，φO=0，φF>0φA-φF=φ-φF<φO-φD=φ故選ACD。 A.氙離子的加速電壓約為175VB.氙離子的加速電壓約為700VC.氙離子向外噴射形成的電流約為37AD.每秒進(jìn)入放電通道的氙氣質(zhì)量約為5.3×FΔt=Δmv-0故D正確；故選AD。 A.N點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小比M點(diǎn)的大B.Q為正電荷C.M點(diǎn)的電場方向沿x軸負(fù)方向D.P點(diǎn)與M點(diǎn)的電勢差為12V44故選AD。 φAA.EA>EBB.EA<EBC.φA>φBD.φA<φBEA<EBφA<φB故選BD。 f=μmg=2xqEx-mgx-?fx=0x=2mqEx/-mgx/-?fx/=?2mv2mv2=-(x/-1)2+1/=1mx=0.2m或1.8mqEx=2.4JEpO=-21.6JqE-f-mg=2maa=0.8m/s2對B有T-mg=maT=10.8Na=-0.8m/s2對B分析可得T=9.2N故D正確。故選ACD。 A.帶負(fù)電mgLsinθ=mv2v=gL故B正確；a=2g故選BCD。 t1t2A.t1<t2B.t1>t2C.Ek1<Ek2D.Ek1>Ek2t=t1<t2Ek=mv2Ek1>Ek2故選AD。 A.軌道半徑r小的粒子角速度一定小B.電荷量大的粒子的動能一定大Ek=故選BC。 Eq=mgv=gtWG+WEq=0故選BD。 r2(R<r1<r2<R+d(；粒子3Er=kmv==qE2>mmv<=mv故選BD。 A.L和N兩點(diǎn)處的電場方向相互垂直故A正確；故選AB。 A.電場強(qiáng)度的大小E=200V/mB.b點(diǎn)的電勢比d點(diǎn)的低5V選項(xiàng)A正確；故選AD。 A.M帶正電荷B.N帶正電荷C.q=LD.q=3Lr=2Lmgtan45°=Eq-k故選BC。 故選AD。 A.兩點(diǎn)電荷可能是異種點(diǎn)電荷B.A點(diǎn)的電場強(qiáng)度比B點(diǎn)的大C.A點(diǎn)的電勢高于B點(diǎn)的電勢D.電子運(yùn)動到P點(diǎn)時(shí)動能最小 A.B.C.D.a=mt=tanθ===故選AD。a=3V，φd=7VW=Epa-Epd=(φa-φd)×(-e)=4eV故選BD。 標(biāo)分別為(4l,0(、(-4l,0(、(0,y0(和(0,-y0(，其中x軸上的兩個(gè)點(diǎn)電荷位置固定，y軸上的兩個(gè)點(diǎn)電荷可C.當(dāng)y0=8l時(shí)，將一帶負(fù)電的試探電荷由點(diǎn)(4l,5l(移至點(diǎn)(0,-3l(，靜電力做正功l=kql=kql-2E1=2?9l2+l22+l29l2+l22+l22+l2)2、25l2+l2=<E1故選ACD。 W=Exq2R在y方向有2W=Eyq、3R+ExqR故選AB。故選AD。 A.電場E中A點(diǎn)電勢低于B點(diǎn)φA=-φBEpA=EpB故選AB。 故選BD。 固定在P點(diǎn)。下列說法正確的是()C.正電荷在M點(diǎn)的電勢能比其在N點(diǎn)的電勢能大∠M是最大內(nèi)角，所以PN>PM，根據(jù)點(diǎn)電荷的場強(qiáng)公式E=k(或者根據(jù)電場線的疏密程度)可知從M故選BC。 ()c>φd故選ABC。 WqD.Q2在移到C點(diǎn)后的電勢能為-4W故A正確；Ep=-4W故D正確. C.粒子在M點(diǎn)的電勢能不低于其在N點(diǎn)的電勢能D.粒子在N點(diǎn)所受電場力的方向一定與粒子軌跡在該點(diǎn)的切線平行故選AC。 A.B.C.D.故選A。 A.2n2233 =sin∠CPHsin∠CHP∠CPH=∠OPB，∠CHP=∠HPD=∠APO其中△APO中 故選A。 C.由E到O的時(shí)間等于由O到F的時(shí)間D.由E到F的過程中電勢能先增大后減小 -4kg的小球用長為5cm的絕緣細(xì)線懸掛于AT=qET=qE=、3×10-3N故A錯誤；x=(10-5sin30°)=7.5cm4故選B。 3=qC.Q1=-q，Q2=2q，Q3=-qAB錯誤；E=E=4r2E=4r2故選D。 A.若φM>φN，則M點(diǎn)到電荷Q的距離比N點(diǎn)的遠(yuǎn)B.若EM<EN，則M點(diǎn)到電荷Q的距離比N點(diǎn)的近D.若把帶正電的試探電荷從M點(diǎn)移到N點(diǎn)，電場力做負(fù)功，則EM>ENφM>φNEM<ENφM<φNEM<EN A.在XX′極板間的加速度大小為mC.在XX′極板間受到電場力的沖量大小為、2meUA錯誤；vx=axt電子離開電極XX′時(shí)的動能為C．在XX′極板間受到電場力的沖量大小tanα==故選D。 ()A.M點(diǎn)和N點(diǎn)電勢相同B.M點(diǎn)和N點(diǎn)電場強(qiáng)度相同故選A。 bc=200V-300V=-100V故A錯誤；UdE=d故選B。 A.材料豎直方向尺度減小B.極板間電場強(qiáng)度不變故選A。 CD．電容器放電的I-t圖像如圖所示故選B。 故選D。 Eq=mgAB錯誤；q/=4q故選D。 A.M板電勢高于N板電勢B.兩個(gè)粒子的電勢能都增加C.粒子在兩板間的加速度D.粒子從N板下端射出的時(shí)間d=at2(、2v0(2-v=2adt=，a= B.T點(diǎn)電場強(qiáng)度方向指向O點(diǎn) =2 =L-xx =L+2R-x2R-xx=R=φT>φO故選B。 電荷在距其r處的電勢為故選A。 A.正電荷B.正電荷 A.電容變小B.極板間電壓變大 A.O、C兩點(diǎn)電勢相等B.A點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于B點(diǎn)C.沿直線從A到B電勢先升高后降低D.沿直線從A到B電場強(qiáng)度逐漸增大和E2E1=E2E1=E2故選A。 A.1.5×10-7AB.2×10-7AC.3.5×10-7AD.5×10-7AQ=CU?Q=C?U=10-8×(30+70)×10-3C=10-9C故選D。 面M，已知最大靜摩擦力等于滑動摩擦力。則P與M間的動摩擦因數(shù)至少為()1A.D.B.C.A.D.2F=mg而對P物體動摩擦因數(shù)最小時(shí)有N2=F+mgsin30°f=μN(yùn)2f=mgcos30°故選D。 A.Epa>Epb，F(xiàn)a>FbB.Epa>Epb，F(xiàn)a<FbC.Epa<Epb，F(xiàn)a>FbD.Epa<Epb，F(xiàn)a<Fbqφ可知負(fù)電荷Epb>Epa。故選D。 A.M點(diǎn)的場強(qiáng)比P點(diǎn)的場強(qiáng)大B.M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的電勢高C.N點(diǎn)的場強(qiáng)與P點(diǎn)的場強(qiáng)相同D.電子在M點(diǎn)的電勢能比在P點(diǎn)的電勢能大 A.Q=釋放后P將向右運(yùn)動C.Q=釋放后P將向右運(yùn)動B.Q=釋放后P將向左運(yùn)動D.Q=釋放后P將向左運(yùn)動2+kq=k2+kq=k(2a)2、 4Q=q4Q=q A.探測發(fā)射臺周圍風(fēng)力的大小B.發(fā)射與航天器聯(lián)系的電磁波 A.1.40×1015VB.2.24×10-4CC.2.24×10-4WD.2.24×10-4J1.6×10-19J=2.24×10-4J故選D。 a>φb故A錯誤；Ea>Eb故B錯誤；aa>abEPa>EPb故選D。 勢能分別為EpM和EpN，則()A.FM<FN,EpM>EpNB.FM>FN,EpM>EpNC.FM<FN,EpM<EpND.FM>FN,EpM<EpNEM<ENF=qEFM<FNEpM>EpN故選A。 方向如圖所示2E1=2E0=2E1=2E0=2E2=E2=k=2E1=E2故選B。 A.導(dǎo)體內(nèi)部的場強(qiáng)左端大于右端C.B點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于A點(diǎn)的電場強(qiáng)度故選D。