《特高壓直流可控自恢復(fù)消能裝置快速控制用等離子體噴射觸發(fā)間隙技術(shù)規(guī)范》

ICS

CCS

CES

團體標(biāo)準

T/CES—202×

特高壓直流工程消能裝置用

等離子體噴射觸發(fā)間隙技術(shù)規(guī)范

TechnicalspecificationforplasmajettriggergapforfastcontrolofUHVDCcontrollable

andadaptiveenergyabsorptiondevice

征求意見稿

××××-××-××發(fā)布××××-××-××實施

中國電工技術(shù)學(xué)會發(fā)布

T/CES××××—××××

特高壓直流工程消能裝置用等離子體噴射觸發(fā)間隙技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件中規(guī)范的等離子體噴射觸發(fā)間隙（以下簡稱觸發(fā)間隙）用于特高壓直流工程可控自恢復(fù)消

能裝置的快速控制。特高壓混合直流工程中，受端交流電網(wǎng)故障容易導(dǎo)致功率冗余，在柔直母線上出

現(xiàn)過電壓，需要快速泄放能量抑制過電壓。需要在柔直母線上加裝可控自恢復(fù)消能裝置，本質(zhì)為大容

量可控避雷器。觸發(fā)間隙與可控部分并聯(lián)，接到命令后快速觸發(fā)導(dǎo)通將可控部分旁路，僅投入固定部

分深度抑制過電壓并吸收冗余能量，保護柔直閥組。觸發(fā)間隙通過產(chǎn)生等離子體噴射的觸發(fā)方式實現(xiàn)

主電極氣體間隙在極低電壓下的快速觸發(fā)導(dǎo)通，短時通過大電流直至并聯(lián)的快速斷路器關(guān)合或系統(tǒng)故

障開斷，觸發(fā)間隙快速熄弧并絕緣恢復(fù)，具備下一次觸發(fā)導(dǎo)通的能力。其他等級可以參考使用。

本文件適用于觸發(fā)間隙，規(guī)范了標(biāo)志、正常運行條件、額定值、關(guān)鍵技術(shù)要求和設(shè)計實現(xiàn)、型式

試驗、出廠試驗、現(xiàn)場驗收試驗、運輸和運行維護規(guī)則等內(nèi)容。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文

件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適

用于本文件。

GB/T38328—2019柔性直流系統(tǒng)用高壓直流斷路器的共用技術(shù)要求

GB/T11022—2020高壓交流開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備標(biāo)準的共用技術(shù)要求

GB/T12022工業(yè)六氟化硫

GB/T8979純氮、高純氮和超純氮

GB/T8320銅鎢及銀鎢電觸頭

GB/T21429戶外和戶內(nèi)電氣設(shè)備用空心復(fù)合絕緣子定義、試驗方法、接收準則和設(shè)計推薦

GB/T16927.1高電壓試驗技術(shù)第1部分：一般定義及試驗要求

GB/T11023高壓開關(guān)設(shè)備六氟化硫氣體密封試驗方法

GB/T4208外殼防護等級（IP等級）

GB/T7261繼電保護和安全自動裝置基本試驗方法

GB/T17626電磁兼容試驗和測量技術(shù)系列標(biāo)準

GB/T2434電力電子產(chǎn)品環(huán)境試驗系列標(biāo)準

GB/T15972光纖試驗方法規(guī)范系列標(biāo)準

3術(shù)語和定義

3.1

觸發(fā)間隙型可控自恢復(fù)消能裝置TriggergapControlledadaptiveenergyabsorptiondevice

通過觸發(fā)間隙實現(xiàn)快速控制的可控自恢復(fù)消能裝置，簡稱消能裝置。核心是觸發(fā)間隙控制的可控

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避雷器，接線及工作原理詳見附錄A。當(dāng)混合直流輸電系統(tǒng)受端交流側(cè)故障，能量無法送出時，柔直

閥組上會出現(xiàn)過電壓，消能裝置控制系統(tǒng)檢測到過電壓，命令觸發(fā)間隙快速導(dǎo)通將避雷器可控部分旁

路，深度抑制過電壓，提高冗余能量吸收能力，保護柔直閥組并實現(xiàn)故障穿越。然后與觸發(fā)間隙并聯(lián)

的斷路器關(guān)合轉(zhuǎn)移間隙電流或系統(tǒng)故障電流開斷，觸發(fā)間隙熄弧恢復(fù)絕緣，斷路器在故障清除后開斷

避雷器直流泄漏電流，將消能裝置再次投入運行。

3.2

等離子體噴射觸發(fā)間隙Plasmajettriggergap

簡稱觸發(fā)間隙（GAP），通過產(chǎn)生和噴射等離子體引起間隙導(dǎo)通的裝置。包含氣體絕緣的間隙本

體、觸發(fā)器、控制系統(tǒng)，及控制箱、供能變、絕緣平臺（包含支撐平臺、光纖絕緣子、充氣絕緣子）

等輔助系統(tǒng)，工作原理詳見附錄B。間隙本體內(nèi)置主電極及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，主電極內(nèi)嵌等離子體噴射觸發(fā)

腔。當(dāng)控制系統(tǒng)接收到消能裝置控制保護發(fā)出的觸發(fā)指令后，能夠控制觸發(fā)器快速輸出觸發(fā)能量，燒

蝕觸發(fā)腔產(chǎn)生大量等離子體噴入主間隙，使主間隙電場畸變引起放電，實現(xiàn)主間隙在極低電壓下的觸

發(fā)導(dǎo)通，短時通過大電流直至并聯(lián)的斷路器關(guān)合，快速熄弧并絕緣恢復(fù)，具備下一次觸發(fā)導(dǎo)通的能力。

間隙本體、觸發(fā)器和控制系統(tǒng)的全部或部分模塊安裝于中性線高電位，需要絕緣平臺提供對地絕緣支

撐，供能變提供高電位隔離供能，光纖絕緣子提供高電位通訊、充氣絕緣子提供高電位充補氣。

3.3

最低可觸發(fā)電壓triggerpermissionvoltageofagap

觸發(fā)間隙能夠受控觸發(fā)的最低端間直流電壓。

3.4

觸發(fā)導(dǎo)通時延triggereddischargedelayofagap

觸發(fā)間隙從接收到觸發(fā)指令時刻至主間隙導(dǎo)通時刻的時間差。

4標(biāo)志

4.1觸發(fā)間隙型號

觸發(fā)間隙型號中各數(shù)字和字母代表的意義如圖1所示。

圖1觸發(fā)間隙型號定義規(guī)則

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4.2觸發(fā)間隙銘牌

觸發(fā)間隙的銘牌應(yīng)固定在間隙外殼上，且應(yīng)以下述最少資料永久地標(biāo)示在觸發(fā)間隙銘牌上。

—研發(fā)/制造廠名或商標(biāo)。

—型號。

—絕緣氣體種類及混合比（必要時）。

—額定氣壓。

—額定電壓。

—額定雷電沖擊耐受電壓。

—最低可觸發(fā)電壓。

—觸發(fā)導(dǎo)通時延。

—額定短路電流峰值、持續(xù)時間和次數(shù)。

—重量。

—制造年、月。

—出廠編號。

5正常運行條件

觸發(fā)間隙通常戶內(nèi)使用，運行環(huán)境條件包括以下幾個方面：

——環(huán)境溫度：-5℃~40℃，24h內(nèi)平均溫度不超過35℃。

——陽光輻射的影響可以忽略。

——海拔不超過1000m。

——相對濕度最大值為60%。

——爬電比距建議20mm/kV。

——地震烈度按實際工程要求。

若在戶外使用時，應(yīng)在以下環(huán)境條件下可靠工作：

——環(huán)境溫度：-40℃~+40℃。

——太陽最大輻射不超過1kW/m2。

——海拔不超過1000m。

——相對濕度最大值95%。

——風(fēng)速不大于34m/s。

——污穢度等級d級。

——地震烈度按實際工程要求。

6額定值

6.1概述

觸發(fā)間隙的通用額定值應(yīng)從下列各項中選?。ㄟm用的）：

a）額定電壓；

b）額定絕緣水平；

c）額定短路電流；

d）最低可觸發(fā)電壓；

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e）觸發(fā)導(dǎo)通時延；

f）觸發(fā)器和控制系統(tǒng)的額定電源電壓和頻率；

g）絕緣氣體種類、額定混合比；

6.2額定電壓

在規(guī)定的運行條件下，觸發(fā)間隙的連續(xù)運行直流電壓，等于可控消能裝置可控部分額定工作電壓

（柔直母線額定電壓*消能裝置可控部分參考電壓/整體參考電壓），單位為kV。柔直母線額定電壓從

下列值中選?。?/p>

100kV、160kV、200kV、320kV、400kV、535kV

注1：以上額定值是參考GB/T38328-2019給出的。

注2：對于額定電壓有特殊要求時，由供需雙方協(xié)商確定。

6.3額定絕緣水平

觸發(fā)間隙的額定絕緣水平由消能裝置設(shè)計確定，可取柔直母線額定絕緣水平*消能裝置可控部分參

考電壓/整體參考電壓。

絕緣水平應(yīng)包括直流耐受電壓（1min直流耐受電壓、2h直流耐受電壓）、額定雷電沖擊耐受電壓

和額定操作沖擊耐受電壓（如有）。

6.4額定短路電流

觸發(fā)間隙的額定短路電流峰值、通流時間、通流次數(shù)及通流后絕緣恢復(fù)要求由消能裝置設(shè)計確定。

額定短路電流峰值由受端交流系統(tǒng)故障時、消能裝置可控部分被旁路后，流過固定部分的最大短

路電流波形決定；通流時間由并聯(lián)的斷路器最長關(guān)合時間或系統(tǒng)故障最大清除時間決定。消能裝置無

明確要求時，通流時間按30ms考慮，通流次數(shù)按20次考慮，通流后100ms恢復(fù)耐受額定電壓。

6.5最低可觸發(fā)電壓

觸發(fā)間隙的最低可觸發(fā)電壓由消能裝置需要投入的可控部分長期工作電壓確定，并留有一定裕度，

建議可按可控部分受諧波影響后最低工作電壓的90%。

6.6觸發(fā)導(dǎo)通時延

觸發(fā)間隙的觸發(fā)導(dǎo)通時延應(yīng)＜1ms。

6.7觸發(fā)器和控制系統(tǒng)的額定電源電壓和頻率

GB/T11022-2020的5.9適用，建議AC220V、50Hz。

6.8絕緣氣體種類、額定混合比（適用時）

觸發(fā)間隙可采用SF6或30±1%（體積比）SF6/N2混合氣體絕緣。

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7關(guān)鍵技術(shù)要求及設(shè)計實現(xiàn)參考

7.1基本結(jié)構(gòu)設(shè)計

7.1.1成套裝置

觸發(fā)間隙成套裝置整體結(jié)構(gòu)詳見附圖B-2，由間隙本體、控制箱（內(nèi)置觸發(fā)器）、控制系統(tǒng)（可與

觸發(fā)器一體設(shè)計，也可部分模塊放置于觸發(fā)器內(nèi)、部分模塊放置于繼保室內(nèi)）、供能變和絕緣平臺組成。

間隙本體和控制箱安裝于中性線高電位的絕緣平臺上。供能變從地電位給控制箱中控制系統(tǒng)設(shè)備隔離

供電。絕緣平臺包括安裝平臺、支撐絕緣子、光纖絕緣子和充氣絕緣子等，用于給間隙本體及控制箱

中設(shè)備提供絕緣支撐、光纖通訊及充氣通道。

為提高觸發(fā)可靠性可考慮冗余設(shè)計，在復(fù)合外套內(nèi)安裝兩對主電極，相應(yīng)的觸發(fā)器和控制系統(tǒng)均

為獨立的兩套。兩對主電極可以同時觸發(fā)也可以相繼觸發(fā)。

7.1.2間隙本體

觸發(fā)間隙應(yīng)采用氣體絕緣的復(fù)合外套結(jié)構(gòu)，包括復(fù)合絕緣筒、上下蓋板和過渡桶，復(fù)合絕緣筒內(nèi)

部安主電極和導(dǎo)電桿。高壓引線連接上蓋板，經(jīng)高壓導(dǎo)電桿引入間隙連接高壓電極，低壓電極放置于

低壓導(dǎo)電桿上與下蓋板相連，經(jīng)接線端子連接可控避雷器低壓引線。過渡桶安裝在復(fù)合絕緣筒下方，

設(shè)計有充氣孔、觸發(fā)接線端子用絕緣法蘭和防爆膜（如有），觸發(fā)接線端子用于將觸發(fā)器輸出的觸發(fā)高

壓引入間隙本體連接觸發(fā)電極。

主電極采用平行平板電極形成稍不均勻電場，主電極內(nèi)嵌觸發(fā)腔，觸發(fā)腔內(nèi)包含觸發(fā)電極。燒蝕

觸發(fā)腔可產(chǎn)生等離子體噴入氣體間隙，實現(xiàn)可靠導(dǎo)通。

主電極為螺旋槽自磁場電極結(jié)構(gòu)，觸發(fā)間隙導(dǎo)通后電極間燃弧維持通流。在自磁場電動力作用下

電弧會沿間隙邊緣高速旋轉(zhuǎn)，避免電極局部燒蝕。

高、低壓主電極平行度、同軸度和旋弧槽方向?qū)﹂g隙性能有重要影響。應(yīng)保證加工精度，并出廠

前在工裝上進行預(yù)裝配，確認滿足平行度、同軸度、同一間隙上下電極旋弧瓣旋向一致且槽口相對、

兩對間隙旋弧瓣方向相反等控制因素后，再正式安裝。

7.1.3觸發(fā)器

觸發(fā)器包括儲能電容、晶閘管組件、充電裝置、放電回路和其他元件。晶閘管組件用于控制儲能

電容放電，輸出觸發(fā)高壓；充電裝置用于對儲能電容快速充電，并實時監(jiān)測儲能電容電壓；放電回路

用于觸發(fā)器斷電時泄放儲能電容能量，保證運維人員安全；其他元件包含脈沖變壓器、電阻和小電容

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等，依據(jù)不同觸發(fā)需求配置。

7.1.4控制箱

控制箱為觸發(fā)器和控制系統(tǒng)提供外殼防護。

觸發(fā)間隙在戶內(nèi)運行時，控制箱防護等級應(yīng)滿足IP44。

觸發(fā)間隙在戶外運行時，控制箱防護等級應(yīng)滿足IP55，還應(yīng)考慮防寒、防腐、防雨、防風(fēng)、防潮、

的性能。

7.2絕緣氣體

7.2.1技術(shù)要求

觸發(fā)間隙建議采用絕緣和滅弧性能較好的SF6或SF6/N2混合氣體（以下簡稱混合氣體），并規(guī)定額

定壓力、最高壓力和最低壓力，并保證在氣壓范圍內(nèi)可實現(xiàn)可靠絕緣、觸發(fā)、大電流通流及快速絕緣

恢復(fù)。

最高壓力建議不超過額定壓力1.05倍，以免影響觸發(fā)性能。

考慮氣體泄漏及合理充氣間隔后設(shè)置最低壓力，要保證絕緣性能并提前預(yù)警，最低壓力和報警壓

力建議按照額定壓力的0.95、0.97。

制造方應(yīng)提供混合氣體的氣室容積和氣體質(zhì)量要求，并為用戶提供充入氣體、氣體監(jiān)測、及回收

氣體的必要說明。

7.2.2成分及參數(shù)要求

若采用SF6氣體絕緣，應(yīng)滿足如下要求：SF6應(yīng)使用符合GB/T12022的新的氣體，氣體中水分含

量允許值，交接驗收時≤150μL/L，運行時≤300μL/L，年漏氣率≤0.5%。

若采用混合氣體絕緣，應(yīng)滿足如下要求：

a)SF6應(yīng)使用符合GB/T12022的新的氣體，N2氣體應(yīng)符合GB/T8979的要求。SF6/N2混合氣體

應(yīng)控制混合比、成分、水分。

b)混合氣體混合比偏差不超過±1%。

c)使用混合氣體壓力表（帶繼電器）進行本體氣體壓力監(jiān)測。

d)混合氣體中水分含量允許值，交接驗收時≤120μL/L，運行時≤250μL/L。

e)SF6年漏氣率≤0.15%。

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7.3絕緣

7.3.1技術(shù)要求

觸發(fā)間隙應(yīng)保證在氣體最低工作壓力下滿足內(nèi)絕緣要求。

在1.1倍額定電壓下外部無電暈，1.2倍額定電壓下內(nèi)部無局放。

7.3.2內(nèi)絕緣設(shè)計

觸發(fā)間隙內(nèi)部應(yīng)為稍不均勻電場，要嚴格控制雷電沖擊絕緣下最高設(shè)計場強，混合氣體中的場強

控制值可參考附錄C。

觸發(fā)間隙本體用復(fù)合絕緣筒在1.2倍額定電壓下應(yīng)無局放。

7.3.3外絕緣設(shè)計

觸發(fā)間隙本體高、低壓接線端子和絕緣平臺邊緣應(yīng)圓角防止電暈，必要時安裝均壓環(huán)。

7.4觸發(fā)

7.4.1觸發(fā)方式

觸發(fā)間隙通過觸發(fā)電極與主電極間放電燃弧，燒蝕觸發(fā)腔產(chǎn)生等離子體噴射的觸發(fā)方式實現(xiàn)在間

隙兩端極低電壓下快速觸發(fā)導(dǎo)通。

7.4.2可靠觸發(fā)氣壓

觸發(fā)間隙在氣體壓力范圍內(nèi)均能可靠觸通，尤其是在超出額定運行壓力的最高壓力下也能保證觸

發(fā)可靠。

7.4.3觸發(fā)導(dǎo)通時延

間隙觸發(fā)設(shè)計應(yīng)保證正/負最低可觸發(fā)電壓下均能在1ms內(nèi)能可靠觸通。

7.4.4配合系統(tǒng)重合閘的觸發(fā)設(shè)計

間隙應(yīng)具備“觸發(fā)→300ms后再次觸發(fā)”的觸發(fā)能力，以滿足系統(tǒng)重合閘需求。觸發(fā)器內(nèi)可設(shè)計兩

套獨立的觸發(fā)回路，即可相繼放電實現(xiàn)間隔300ms連續(xù)放電，也可作為冗余提高觸發(fā)可靠性。

7.4.5觸發(fā)腔

觸發(fā)電極應(yīng)為耐燒蝕材料，建議選擇銅鎢合金。

觸發(fā)腔所用絕緣材料在電弧燒蝕下應(yīng)可以產(chǎn)生足夠等離子體噴出，滿足間隙導(dǎo)通需求，同時兼顧

電弧燒蝕形變量小并與SF6及其分解產(chǎn)物相容的特性，建議采用聚四氟乙烯。應(yīng)避免在聚四氟乙烯等

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質(zhì)地較軟的沿面放電材料上打螺紋孔用于限位或與其他部件固定。

觸發(fā)腔屬于精密零件，設(shè)計時通過加工公差的配合確保各部分緊密壓接不存在寄生容積。在產(chǎn)品

裝配前應(yīng)先將觸發(fā)腔與產(chǎn)品化下電極裝配為一體后，進行出廠觸發(fā)測試，確認觸發(fā)性能良好后再整體

安裝在產(chǎn)品上，避免現(xiàn)場散件裝配。

7.4.6觸發(fā)器

觸發(fā)器電壓、電流輸出特性應(yīng)與觸發(fā)腔結(jié)構(gòu)匹配，即能產(chǎn)生足量等離子體保證觸發(fā)可靠性，也要

避免單次能量過大，過度燒蝕觸發(fā)腔降低觸發(fā)壽命。

觸發(fā)器內(nèi)儲能電容應(yīng)選擇干式自愈式電容，避免選擇油絕緣電容。

觸發(fā)器額定工作電壓應(yīng)低于10kV，保證長期運行可靠性，出廠前應(yīng)進行絕緣試驗檢查，各元件絕

緣水平不低于額定工作電壓的1.5倍。

觸發(fā)器內(nèi)電容電壓正常是觸發(fā)成功的最關(guān)鍵因素，觸發(fā)過程中電容電壓的變化可反應(yīng)觸發(fā)腔狀態(tài)。

因此，可以實時監(jiān)測觸發(fā)器內(nèi)電容電壓用于現(xiàn)場運行監(jiān)測。

觸發(fā)器內(nèi)元件接地端匯聚一點與間隙本體低壓端單點連接，觸發(fā)器外殼通過控制箱外殼和間隙本

體低壓端等電位連接，由此實現(xiàn)觸發(fā)器內(nèi)元件與觸發(fā)器外殼單點連接，防止觸發(fā)過程中地電位浮動導(dǎo)

致觸發(fā)器殼體通流。

7.5通流及絕緣恢復(fù)

7.5.1基本要求

觸發(fā)間隙應(yīng)按技術(shù)要求具備大容量通流能力，通流后應(yīng)能快速絕緣恢復(fù)，以便消能裝置可控部分

再次投入運行。絕緣恢復(fù)要求由消能裝置提出，若無明確要求可按100ms后恢復(fù)耐受額定電壓設(shè)計。

觸發(fā)間隙通過高、低壓主電極間燃弧維持電流導(dǎo)通，主電極應(yīng)具備足夠抗電弧燒蝕性能。通流后

主電極表面燒蝕均勻，無龜裂、開裂、掉渣等。通流中應(yīng)避免電弧擴散到主電極背面或?qū)щ姉U等部位，

產(chǎn)生大量金屬蒸汽影響控弧。

7.5.2導(dǎo)體通流要求

觸發(fā)間隙導(dǎo)體為懸臂結(jié)構(gòu)，應(yīng)開展電動力校核，確認通流不會破壞間隙高、低壓電極平行度及同

軸度。

間隙高、低壓導(dǎo)電桿應(yīng)滿足額定短路峰值電流、3s的通流能力。

7.5.3主電極材料及結(jié)構(gòu)

主電極板應(yīng)采用耐燒蝕的CuW80材料，整體燒結(jié)溶滲工藝，特性需滿足GB/T8320中4.1和4.3

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T/CES××××—××××

銅鎢觸頭相關(guān)規(guī)定。燒結(jié)溶滲后應(yīng)將銅基座完全去除只留銅鎢材料，避免通流過程中燒蝕銅基座產(chǎn)生

大量銅蒸汽影響控弧。

主電極由電極板和電極座構(gòu)成。電極板開螺旋槽形成自磁場旋弧結(jié)構(gòu)，電弧在電極中央產(chǎn)生后很

快受電流偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生的電動力移動到電極邊緣快速旋轉(zhuǎn)，減輕電弧對主電極燒蝕。電極板應(yīng)保證足夠的

機械強度，避免旋弧過程中電動力引起旋弧瓣輕微變形，影響通流后絕緣性能。旋弧槽旋向設(shè)計時應(yīng)

保證安裝后，同間隙上下電極旋弧槽旋向一致，雙間隙結(jié)構(gòu)中兩個間隙旋弧槽旋向相反。電極座中空

內(nèi)置觸發(fā)腔，不宜過短，防止通流時電弧燒蝕電極座；也不宜過長，給觸發(fā)腔加工增加困難。

7.5.4復(fù)合絕緣筒

復(fù)合絕緣筒選型需考慮燃弧過程中高溫的影響，絕緣筒內(nèi)壁應(yīng)附著耐SF6分解產(chǎn)物涂層，防止

SF6分解產(chǎn)物的腐蝕以及電弧分解物的附著導(dǎo)致絕緣強度降低。

間隙通流過程中電弧高溫可能烘烤復(fù)合絕緣筒內(nèi)壁，導(dǎo)致表面變色、發(fā)黑，是允許出現(xiàn)的。但電

弧不應(yīng)燒蝕內(nèi)壁造成復(fù)合絕緣筒機械或絕緣性能下降。

觸發(fā)間隙通流及絕緣恢復(fù)型式試驗后，應(yīng)按觸發(fā)間隙額定絕緣水平的80%開展絕緣試驗，試驗中

不再測量局放。若發(fā)現(xiàn)復(fù)合絕緣筒有燒蝕，應(yīng)酌情開展例行水壓試驗和破壞水壓試驗。

7.5.5防弧罩

必要時可在主電極周圍增加耐電弧燒蝕的防弧罩防止電弧過于擴散，防弧罩可采用斷路器噴口材

料。

7.6內(nèi)部燃弧壓力承受設(shè)計

7.6.1需耐受的正常燃弧工況

觸發(fā)間隙導(dǎo)通后電極間燃弧，直至并聯(lián)斷路器關(guān)合后間隙熄弧。連續(xù)兩次通流后，間隙應(yīng)能耐受

燃弧導(dǎo)致壓力升高。

7.6.2允許壓力釋放的異常燃弧工況

觸發(fā)間隙導(dǎo)通后電極間燃弧，并聯(lián)斷路器拒合，在電網(wǎng)最嚴重短路電流下燃弧超過100ms，允許

間隙壓力釋放。壓力釋放應(yīng)不影響人員及其他設(shè)備安全。

7.6.3設(shè)計校核

上述工況需要開展內(nèi)部燃弧壓力升高仿真結(jié)合防爆膜參數(shù)進行校核?；旌蠚怏w中燃弧壓力升高計

算方法可參考附錄D。

9

T/CES××××—××××

7.7測量控制

7.7.1關(guān)鍵測量參量

觸發(fā)器內(nèi)儲能電容電壓可反應(yīng)間隙觸發(fā)性能，間隙電壓和間隙電流可以用于判斷間隙能否導(dǎo)通，

均應(yīng)實時監(jiān)測。

若消能裝置測控系統(tǒng)中設(shè)計了間隙電壓和間隙電流測量設(shè)備，可以直接引用。

7.7.2控制功能

（1）間隙觸發(fā)

觸發(fā)間隙控制系統(tǒng)接收觸發(fā)指令后，在觸發(fā)回路儲能電容電壓和間隙電壓判斷滿足觸發(fā)條件時，

控制晶閘管導(dǎo)通使儲能電容放電，從而使間隙導(dǎo)通，并自動累計間隙觸發(fā)次數(shù)，間隙觸發(fā)后可發(fā)出電

信號用于與斷路器等聯(lián)動（需要時）?？梢越邮账姆N觸發(fā)信號：

①光纖觸發(fā)：控制系統(tǒng)光纖口接收控保裝置下發(fā)的觸發(fā)命令。

②電控觸發(fā)：控制系統(tǒng)電控口接收無源/DC220V電信號的觸發(fā)命令。

③以太網(wǎng)口觸發(fā)：控制系統(tǒng)以太網(wǎng)口接收后臺調(diào)試軟件發(fā)送的觸發(fā)命令。

④自觸發(fā)：控制系統(tǒng)通過模擬量采集端口監(jiān)測電壓/電流，判斷達到設(shè)定觸發(fā)閾值時自行觸發(fā)。

（2）控制系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測

間隙控制系統(tǒng)實時監(jiān)測控制系統(tǒng)自身工作狀態(tài)、與上級控保系統(tǒng)的通信狀態(tài)，并將自檢狀態(tài)實時

報送給控保系統(tǒng)?？刂葡到y(tǒng)可完成三種狀態(tài)監(jiān)測目標(biāo)：

①通過光纖接至上級控保裝置，將控制系統(tǒng)的實時狀態(tài)上傳至上級控保裝置。

②檢測接收到上級控保下行信號的光功率，異常時上報。

③（調(diào)試用）通過以太網(wǎng)在上位機測試軟件顯示間隙觸發(fā)控制系統(tǒng)的狀態(tài)以及模擬量數(shù)據(jù)。

（3）電壓電流模擬量采集及保護監(jiān)控

控制系統(tǒng)實現(xiàn)對觸發(fā)回路儲能電容電壓、間隙電壓和間隙電流模擬量的采樣和錄波，間隙電壓和

電流信號也可共用系統(tǒng)測量裝置信號。

（4）間隙狀態(tài)監(jiān)測

控制系統(tǒng)在未接到間隙觸發(fā)命令時，實時判斷間隙是否觸發(fā)就緒、是否存在異常放電；在發(fā)出觸

發(fā)回路晶閘管導(dǎo)通命令后，判斷晶閘管是否導(dǎo)通成功、間隙是否觸發(fā)成功。

（5）觸發(fā)回路儲能電容充電控制及保護

10

T/CES××××—××××

控制充電裝置對觸發(fā)電容快速充電，可根據(jù)觸發(fā)需求控制儲能電容充電電壓。實時監(jiān)測儲能電容

狀態(tài)，異常時將該觸發(fā)回路退出。

（6）掉電保護

間隙控制系統(tǒng)應(yīng)具備在系統(tǒng)電源短時（200ms以內(nèi)）掉電后正常工作的功能（實現(xiàn)正常觸發(fā)和信

息上送等）。

7.7.3控制系統(tǒng)端子對殼絕緣要求

絕緣電阻：不低于100MΩ；

工頻耐壓：2kV，1min。

7.7.4控制系統(tǒng)電磁兼容水平

按特高壓直流工程中控制保護系統(tǒng)電磁兼容水平要求，觸發(fā)間隙控制系統(tǒng)的電磁兼容水平如表1所

示：

表1控制系統(tǒng)的額定電磁兼容水平

序號項目等級

1靜電放電抗擾度4級

2射頻電磁場輻射抗擾度4級

3電快速瞬變脈沖群抗擾度4級

4浪涌（沖擊）抗擾度4級

5射頻場感應(yīng)傳導(dǎo)騷擾抗擾度3級

6工頻磁場抗擾度5級

7脈沖磁場抗擾度5級

8阻尼振蕩磁場抗擾度5級

9阻尼振蕩波抗擾度3級

7.8供能變

7.8.1結(jié)構(gòu)

采用單相雙繞組，一次繞組和鐵芯接地，二次繞組對地（一次繞組和鐵芯）絕緣，一、二次繞組

間設(shè)置接地屏蔽。

7.8.2絕緣形式及要求

二次繞組對地絕緣可采用SF6或環(huán)氧澆筑，如果采用SF6絕緣，套管導(dǎo)電桿和二次繞組采用懸掛絕

緣結(jié)構(gòu)，避免使用環(huán)氧絕緣件。自然冷卻。絕緣材料均為阻燃材料，防火阻燃等級UL94V-0。

一次繞組為220V/2kVA繞組，端子間和對地絕緣AC500V，1min；二次繞組為220V/2kVA繞組，

端子間絕緣AC500V，1min，二次繞組對地（一次繞組和鐵芯）絕緣水平與中性線絕緣水平相同。

11

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7.8.3穩(wěn)定性

一次繞組輸入端設(shè)計開關(guān)電源穩(wěn)壓模塊，輸入電壓變化±20%時，二次繞組輸出電壓波動控制在±2%

以內(nèi)。額定功率下輸出電壓下降小于5%。繞組溫升不大于40K。

7.9絕緣平臺

絕緣平臺中支撐絕緣子、光纖絕緣子和充氣絕緣子，均應(yīng)采用復(fù)合外套結(jié)構(gòu)，絕緣水平與中性線

相同。要滿足<GB/T21429戶外和戶內(nèi)電氣設(shè)備用空心復(fù)合絕緣子定義、試驗方法、接收準則和設(shè)計

推薦>。

支撐絕緣子應(yīng)開展機械受力校核。

光纖絕緣子中光纖數(shù)目按雙倍冗余設(shè)計。

充氣絕緣子承壓設(shè)計應(yīng)與間隙本體復(fù)合絕緣筒相同。

7.10無線電干擾電壓水平

在施加1.1倍額定電壓時，無線電干擾電壓水平不超過2000μV。

8型式試驗

8.1概述

觸發(fā)間隙型式試驗分間隙整機、觸發(fā)器和控制系統(tǒng)和成套裝置三部分開展。觸發(fā)間隙本體和控制

箱（包含觸發(fā)器）、控制系統(tǒng)構(gòu)成間隙整機，可實現(xiàn)間隙絕緣、觸發(fā)和通流等關(guān)鍵性能，間隙整機型式

試驗中對觸發(fā)器和控制系統(tǒng)的功能和穩(wěn)定性也進行了考核?？刂葡到y(tǒng)試驗主要開展在間隙整機試驗中

沒有考核到的絕緣、電磁兼容和環(huán)境等項目。成套裝置重點考核間隙整機安裝于中性點高電位時的電

暈，以及絕緣平臺的絕緣性能。具體型式試驗項目及方法，如表2所示。其余關(guān)鍵組部件型式試驗按

相關(guān)標(biāo)準開展，本標(biāo)準中僅提出了需要重點關(guān)注的試驗項目。

表2型式試驗列表

序號試驗項目試驗方法及判據(jù)備注

1絕緣試驗見本文件8.2.1

2觸發(fā)功能試驗見本文件8.2.2

3觸發(fā)壽命試驗見本文件8.2.3

4間隙整機直流通流及絕緣恢復(fù)見本文件8.2.4

試驗

5密封試驗見本文件8.2.5

6見本文件8.2.6混合氣體絕緣的觸發(fā)

氣體混合比

間隙適用

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序號試驗項目試驗方法及判據(jù)備注

7氣體水分含量測定見本文件8.2.7

8控制箱防護等級試驗見本文件8.2.8

9

控制系統(tǒng)絕緣試驗見本文件8.3.1

10控制系統(tǒng)觸發(fā)器和控制系統(tǒng)電見本文件8.3.2~8.3.10

磁兼容試驗

11控制系統(tǒng)環(huán)境試驗見本文件8.3.11

12成套裝置電暈及絕緣

間隙成套裝置見本文件8.4

平臺絕緣試驗

8.2間隙整機試驗

8.2.1絕緣試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗間隙本體絕緣耐壓能否滿足要求。

（2）試驗樣機

對間隙本體開展試驗，可以不帶控制箱。間隙本內(nèi)充最低壓力氣體。

（3）試驗內(nèi)容

10s直流耐壓、2h直流耐壓、操作沖擊耐壓試驗（如有）、雷電沖擊耐壓試驗。

（4）試驗方法及判據(jù)

依據(jù)GB/T16927.1，低壓端接地，高壓端對地加壓，考慮正負極性，最后一項試驗應(yīng)為直流耐壓。

8.2.2觸發(fā)功能試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗間隙在最低可觸發(fā)電壓下觸發(fā)能力。

（2）試驗樣機

對間隙本體帶控制箱及內(nèi)部全部設(shè)備開展試驗，間隙本體內(nèi)充最高壓力氣體。

（3）試驗方法及判據(jù)

對間隙本體帶控制箱及內(nèi)部全部設(shè)備開展試驗。

試驗電路如圖8-1所示，選用大功率直流電源配MΩ級保護電阻，可在間隙觸通至熄弧的短時燃

弧瞬間不因短路保護跳閘。間隙本體兩端分別施加正、負極性最低可觸發(fā)電壓，重復(fù)試驗3次，每次

試驗間隔10分鐘。試驗過程中監(jiān)測間隙兩端電壓及電流，要求間隙可靠單次或連續(xù)（必要時）觸通

13

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（觸通判據(jù)為間隙電壓0.5ms內(nèi)跌落至低于10%，或出現(xiàn)5A以上間隙雜散電容放電電流），不得出現(xiàn)

誤觸發(fā)或拒觸發(fā)。

保護電阻

直

流

高K間隙

壓

源

圖8-1觸發(fā)試驗回路

8.2.3觸發(fā)壽命試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗觸發(fā)可靠性及壽命。

（2）試驗樣機

間隙設(shè)計多套觸發(fā)腔、觸發(fā)器和控制系統(tǒng)時，可僅對間隙本體帶控制箱及內(nèi)部一套觸發(fā)器和控制

系統(tǒng)連接一套觸發(fā)腔開展試驗。間隙本體內(nèi)充額定壓力氣體。

（3）試驗方法及判據(jù)

試驗電路如圖8-1所示，間隙本體分別在正、負極性最低可觸發(fā)電壓下開展單次觸發(fā)試驗（每次

間歇時間2~3min），試驗過程中監(jiān)測間隙兩端電壓及電流，要求間隙可靠觸通（判據(jù)為從接到觸發(fā)命

令后電壓跌落，并且跌落至低于10%時間小于0.5ms，或出現(xiàn)5A以上間隙雜散電容放電電流），不得

出現(xiàn)誤觸發(fā)或拒觸發(fā)。

8.2.4直流通流及絕緣恢復(fù)試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗間隙本體直流大電流通流及通流后絕緣恢復(fù)能力。

（2）試驗樣機

對間隙本體帶控制箱及內(nèi)部一套觸發(fā)器和控制系統(tǒng)連接一套觸發(fā)腔開展試驗。間隙本體內(nèi)充額定

功能壓力氣體。間隙內(nèi)部安裝兩對觸頭時，僅取一對觸頭開展通流試驗。

（3）試驗方法

間隙本體在氣體額定工作壓力下開展試驗正、負極性通流試驗次數(shù)各半，單次試驗間隔0.5h。通

流試驗結(jié)束后進行絕緣檢查。

14

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觸發(fā)間隙直流通流試驗可采用如圖8-2（a）所示電路，通流后施加直流恢復(fù)電壓。SP-TG為試品

觸發(fā)間隙。電流源回路采用電容器組振蕩放電+二極管續(xù)流的方式產(chǎn)生直流衰減電流。Ci為電流源儲

能電容，提供間隙最低可觸發(fā)電壓，與電感Li振蕩產(chǎn)生大電流。續(xù)流二極管D與儲能電容反并聯(lián)，當(dāng)

電流到達峰值時電容器組電壓反向，D導(dǎo)通將Ci旁路，與Li、SP-TG組成直流衰減電流回路。當(dāng)試驗

電流與工程要求差距較大時，可在電流峰值滿足要求的前提下，通過控制燃弧時間開展通流電荷量等

效試驗。

各開關(guān)動作時序如圖8-2（b）所示。K2關(guān)合用于電流源接通，開斷后隔離電壓源保護電流源回路

設(shè)備。間隙通流后，K1閉合轉(zhuǎn)移間隙電流至“Li+K1”支路，協(xié)助間隙熄弧并降低續(xù)流二極管通流量。開

關(guān)K3接通用于接通直流電壓源施加直流恢復(fù)電壓。試驗方法如下，依據(jù)此回路開展的DC80kV觸發(fā)間

隙通流試驗波形如圖8-2（c）：

(1)試驗前K1和K2均處于分閘狀態(tài)，給電流源電容Ci充電，并將直流電壓源輸出升至恢復(fù)電壓

值。

(2)令K2合閘接通，電流源提供試品SP-TG最低可觸發(fā)電壓。

(3)試驗開始計時，0ms控制SP-TG觸通，電流源回路放電形成直流衰減電流。

(4)按SP-TG通流時間要求，控制K1閉合轉(zhuǎn)移SP-TG電流，SP-TG熄弧開始絕緣恢復(fù)。

(5)控制K2在恢復(fù)電壓施加前分閘，隔離電壓源。

(6)根據(jù)SP-TG絕緣恢復(fù)時間要求，控制K3閉合施加直流恢復(fù)電壓，可考核SP-TG絕緣恢復(fù)速

度。

(7)試驗結(jié)束后控制K1和K3開斷。

K1

K2K3

Li

SP-TG分

CiD壓DC

電流線圈器

（a）試驗回路

15

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合閘

K1

分閘

合閘

K2分閘分閘

合閘

K3分閘

通流燃弧

SP-TG

斷開斷開

0通流結(jié)束施加恢復(fù)電壓

（b）開關(guān)動作時序

（c）DC80kV觸發(fā)間隙直流通流試驗波形

圖8-2直流通流及絕緣恢復(fù)試驗回路及參考試驗波形

（4）試驗合格判據(jù)

試驗電流最大值I等于觸發(fā)間隙短路電流峰值，單次通流電荷量不低于短路電流峰值*通流時間。

通流試驗后，按8.2.1進行全部絕緣試驗，試驗電壓按80%，氣壓按額定壓力，間隙絕緣試驗應(yīng)能通過。

解體檢查試品觸頭應(yīng)無明顯變形、開裂。

8.2.5密封試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗間隙本體密封性能。

（2）試驗樣機

對間隙本體開展試驗，不帶控制箱、觸發(fā)器及控制系統(tǒng)。間隙本體內(nèi)充額定功能壓力氣體。

16

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（3）試驗參數(shù)

SF6絕緣間隙，SF6年泄漏率≤0.5%，混合氣體絕緣間隙，SF6年泄漏率≤0.15%。

（4）試驗方法及判據(jù)

按GB/T11023中4.2.1SF6氣體檢漏方法開展試驗。

8.2.6氣體混合比測定

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗混合氣體絕緣的間隙本體氣體混合比。

（2）試驗樣機

對間隙本體開展試驗，不帶控制箱、觸發(fā)器及控制系統(tǒng)。間隙本體內(nèi)充額定功能壓力氣體。

（3）試驗參數(shù)

氣體混合比30%±1%。

（4）試驗方法及判據(jù)

試驗按照GB/T12022中相關(guān)要求進行。

8.2.7水分含量測定

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗間隙本體氣體水分。

（2）試驗樣機

對間隙本體開展試驗，不帶控制箱、觸發(fā)器及控制系統(tǒng)。間隙本體內(nèi)充額定功能壓力氣體。

（3）試驗參數(shù)

SF6氣體絕緣間隙水分≤150L/L，混合氣體絕緣間隙水分≤120L/L。

（4）試驗方法及判據(jù)

試驗按照GB/T12022中相關(guān)要求進行。

8.2.8控制箱防護等級試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制箱防塵防水性能。

（2）試驗樣機

僅對控制箱開展試驗，不帶觸發(fā)器及控制系統(tǒng)。

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（3）試驗方法及判據(jù)

試驗按照GB4208中相關(guān)要求進行。

8.3控制系統(tǒng)試驗

8.3.1絕緣試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制系統(tǒng)板卡對殼絕緣水平。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗。

（3）試驗參數(shù)

1min工頻耐壓2kV。

（4）試驗方法

試驗按照GB/T7261中13.2相關(guān)要求進行，外殼接地，對端子和外殼加壓（適用時）。

（5）試驗判據(jù)

控制系統(tǒng)內(nèi)部無閃絡(luò)無擊穿。

8.3.2靜電放電抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制系統(tǒng)抗靜電干擾能力。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.2中規(guī)定的試驗等級為4級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

試驗方法按照GB/T17626.2相關(guān)規(guī)定的執(zhí)行。實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

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8.3.3射頻電磁場輻射抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制系統(tǒng)對由無線電發(fā)射機或任何其他發(fā)射連續(xù)波形式輻射電磁能的裝置所產(chǎn)生電磁場的抗

擾度。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.3中規(guī)定的試驗等級為4級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

按照GB/T17626.3中相關(guān)規(guī)定執(zhí)行，試驗前確定電波暗室中實驗場區(qū)滿足頻率和場強的均勻性

（注意避免駐波和擾動反射）。整機部件置于暗室內(nèi)并連接所有電氣和光纖接線。設(shè)置試驗設(shè)備參數(shù)如

表7所示。

表3射頻電磁場輻射抗擾度試驗設(shè)備參數(shù)

試驗項目場強頻率

80~3000（掃頻）

80（點頻）

160（點頻）

射頻電磁場30V/m

380（點頻）

450（點頻）

900（點頻）

試驗開始前要求直流高壓電源放在暗室外面，通過高壓電源對暗室內(nèi)控制系統(tǒng)供電，使其處于正

常工作狀態(tài)（可去掉靜態(tài)均壓電阻），然后開始進行輻射試驗，整個試驗進行三個方向的試驗。實時通

過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

8.3.4電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制系統(tǒng)對極短瞬態(tài)脈沖群的抗擾度。

19

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（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.4中規(guī)定的試驗等級為4級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

按照GB/T17626.4中相關(guān)規(guī)定執(zhí)行。將控制系統(tǒng)放在≥0.1m的絕緣木塊上，并連接電氣接線和光

纖。試驗分兩步進行：第一步，對于電源端口試驗及對試品整體性能的一個測試考慮，試驗測試時通

過耦合夾在試品高壓輸入端耦合瞬變脈沖，讓試品處于正常工作狀態(tài)中，然后進行瞬變脈沖群試驗。

通過上位機界面觀察瞬變脈沖群對整個試品運行的影響情況。第二步，對控制板卡性能進行考核，測

試方法為通過電源輸出將干擾信號耦合串入，試品處于正常工作狀態(tài)后，進行瞬變脈沖群試驗。實時

通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

8.3.5浪涌（沖擊）抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制系統(tǒng)電源能否具備承受浪涌（沖擊）抗擾度的能力。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.5中規(guī)定的試驗等級為4級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

試驗方法按照GBT17626.5中相關(guān)規(guī)定的執(zhí)行，將干擾信號串入板卡電源的輸入端口。實時通過

上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

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8.3.6射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗電源對騷擾源作用下形成的電場和磁場的一種抗擾度。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.6中規(guī)定的試驗等級為X級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

按照GB/T17626.6中規(guī)定的執(zhí)行，試驗中電源口和信號口分別采用間接耦合和直接耦合的方式為

試品提供傳導(dǎo)騷擾，射頻傳導(dǎo)感應(yīng)傳導(dǎo)器參數(shù)如表8所示。試驗前，試品應(yīng)距離參考接地平面上0.1m

高的絕緣支架，全部被測電纜上應(yīng)插入耦合和去耦裝置，該裝置距離受試設(shè)備0.1m~0.3m處與參考平

面間接觸。

試驗分兩步進行：第一步，高壓端試驗，通過耦合夾在試品高壓輸入端耦合傳導(dǎo)脈沖，試品處于

正常工作狀態(tài)后，進行輻射傳導(dǎo)試驗。通過上位機觀察試品是否工作正常。第二步，低壓端試驗，傳

導(dǎo)脈沖串聯(lián)加在試品電源輸出上，在試品處于正常工作狀態(tài)后，進行射頻傳導(dǎo)試驗。通過上位機界面

觀察脈沖群在整個電源上對試品運行狀態(tài)的影響情況。實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

表4射頻傳導(dǎo)感應(yīng)傳導(dǎo)器參數(shù)

頻率范圍開路試驗電平頻率增步率

150kHz~80MHz（掃頻）

27MHz（點頻）20V1%

68MHz（點頻）

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

8.3.7工頻磁場抗擾度檢驗試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗電源對附近導(dǎo)體中的工頻電流或較為少見的由其他器件產(chǎn)生的磁場的抗擾度。

（2）試驗樣機

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僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.8中規(guī)定的試驗等級為5級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

按照GB/T17626.8中規(guī)定的執(zhí)行。將試品控制系統(tǒng)放置于測試臺上，設(shè)置工頻電磁裝置的參數(shù)如

表9所示，連接供電電源，給試品輸入端供電，使試品進入正常工作狀態(tài)。試驗需要在三個方向分別

進行。實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

表5工頻電磁裝置參數(shù)

試驗內(nèi)容磁場強度試驗時間

工頻電磁場抗擾度試驗（短時）1000A/m3s

穩(wěn)定持續(xù)磁場試驗100A/m30s

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

8.3.8脈沖磁場抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗電源受到規(guī)定的脈沖磁場抗擾度時功能是否正常。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判斷

觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.9中規(guī)定的試驗等級為5級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

按照GB/T17626.9中規(guī)定的執(zhí)行。將試品控制系統(tǒng)放置于測試臺上，設(shè)置工頻電磁裝置參數(shù)如下：

上升時間為6.4μs±30%，持續(xù)時間為16μs±30%，輸出電流范圍為100~1000A，極性為正極性和負極性，

試驗需要在三個方向分別進行。實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

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8.3.9阻尼振蕩磁場抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗試品受到規(guī)定的阻尼振蕩抗擾度試驗時功能是否正常。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.10中規(guī)定的試驗等級為5級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

按照GB/T17626.10中規(guī)定的執(zhí)行。將試品放置于測試臺上，阻尼振蕩磁場強度（峰值）100A/m

（100kHz、1MHz）。試驗需要在三個方向分別進行。實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中和干擾結(jié)束后，產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，性能正常。

8.3.10阻尼振蕩波抗擾度試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗電源能否具備承受振蕩波抗擾度的能力。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗參數(shù)

滿足GB/T17626.18中規(guī)定的試驗等級為3級的抗擾度要求。

（4）試驗方法

試驗方法按照GB/T17626.18中規(guī)定的執(zhí)行，試驗頻率分別為100kHz和1MHz，電壓等級分別為

共模2kV、差模1kV。將干擾信號串入板卡電源的輸入端口。實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（5）試驗判據(jù)

干擾過程中產(chǎn)品無損壞、無異常事件記錄，產(chǎn)品內(nèi)部器件均能按照要求正常工作；干擾結(jié)束后產(chǎn)

品工作正常。

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8.3.11控制系統(tǒng)環(huán)境試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗控制系統(tǒng)在極端運行溫度和濕度下是否能夠正常工作。

（2）試驗樣機

僅對單臺控制系統(tǒng)開展試驗，可帶觸發(fā)器和間隙下電極，通過下電極是否產(chǎn)生等離子噴射輔助判

斷觸發(fā)是否正常。

（3）試驗內(nèi)容

高溫運行試驗、低溫運行試驗、恒定濕熱試驗。

（4）試驗參數(shù)

極端運行高溫70℃、極端運行低溫﹣10℃、極端運行濕度60%。

（5）試驗方法

①高溫試驗

按照GB/T2434.1中相關(guān)規(guī)定執(zhí)行，外接電源為試品供電。將試品放入恒溫箱中，溫度調(diào)節(jié)至

70℃，恒溫儲存2小時后，令試品處于正常帶載工作狀態(tài)，高溫連續(xù)運行16小時，且每1小時完成一

次觸發(fā)操作。運行過程中，實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

②低溫試驗

按照GB/T2434.2中相關(guān)規(guī)定執(zhí)行，外接電源為試品供電；將試品放入恒溫箱中，將溫度調(diào)節(jié)至

﹣10℃，恒溫儲存2小時；之后，令試品處于正常帶載工作狀態(tài)，低溫連續(xù)運行16小時，且每1小時

完成一次觸發(fā)操作。運行過程中，實時通過上位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

③恒定濕熱試驗

按照GB/T2434.3中相關(guān)規(guī)定執(zhí)行，將試品放入恒溫箱中，將溫度調(diào)節(jié)至50℃，濕度調(diào)節(jié)至60%，

恒溫恒濕儲存2小時后，連續(xù)運行16小時，且每1小時完成一次觸發(fā)操作。運行過程中，實時通過上

位機監(jiān)測試品運行狀態(tài)。

（6）試驗判據(jù)

功能完好。

8.4間隙成套裝置電暈及絕緣平臺絕緣試驗

（1）試驗?zāi)康?/p>

檢驗間隙成套裝置運行中是否出現(xiàn)電暈以及絕緣平臺的絕緣性能。

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（2）試驗樣機

對間隙成套裝置開展試驗，可不帶供能變。

（3）試驗內(nèi)容

間隙成套裝置1.1倍