無(wú)機(jī)非金屬材料(第2課時(shí))(練習(xí))學(xué)生版

無(wú)機(jī)非金屬材料5.3硅和二氧化硅一、單選題1．下列說(shuō)法正確的是A．自然界中的硅元素全部是以化合態(tài)形式存在B．單質(zhì)硅是制備光導(dǎo)纖維的原料C．玻璃中含二氧化硅，所以可以用鹽酸刻蝕玻璃D．石英、陶瓷和水泥均屬于硅酸鹽2．下列說(shuō)法正確的是①構(gòu)成巖石與許多礦物的基本元素是碳②二氧化硅晶體的基本結(jié)構(gòu)單元中，每個(gè)Si周圍結(jié)合4個(gè)O③使用量最大的無(wú)機(jī)非金屬材料是：陶瓷、水泥、玻璃等硅酸鹽產(chǎn)品④硅膠多孔，吸附能力強(qiáng)，常用作干燥劑，也可用作催化劑的載體A．①②③④ B．②③④ C．①④ D．②③3．高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)提純有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下：下列說(shuō)法正確的是A．自然界有大量的單質(zhì)硅B．步驟電弧爐中的化學(xué)方程式為：C．二氧化硅能與氫化氟氣反應(yīng)，而硅不能與氫氟酸反應(yīng)D．(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量的(沸點(diǎn)67.6℃)，通過(guò)蒸餾(或分餾)可提純4．碳、硅及其化合物常用做性能優(yōu)異的無(wú)機(jī)非金屬材料。比如氮化硅，其熔點(diǎn)高、硬度大，電絕緣性好，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。有關(guān)碳、硅及其化合物的說(shuō)法正確的是①硅在自然界中主要以單質(zhì)形式存在，硅是應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料②硅是構(gòu)成一些巖石和礦物的基本元素③石墨烯是一種新型的納米化合物④氮化硅的化學(xué)式為Si3N4，其可制作坩堝，制作切削刀具⑤光導(dǎo)纖維的通信容量大，導(dǎo)電性強(qiáng)⑥水玻璃可用于生產(chǎn)黏合劑和防火劑A．①③⑤ B．①③⑥ C．②④⑤ D．②④⑥5．2021年，我國(guó)具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“龍芯”19歲了。下列關(guān)于硅單質(zhì)及其化合物的敘述正確的是A．陶瓷是人類應(yīng)用最早的硅酸鹽材料B．利用二氧化硅的半導(dǎo)體性能制成光電池C．硅的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不與任何物質(zhì)反應(yīng)D．晶體硅是具有金屬光澤的灰黑色金屬6．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．聚氨酯(PU)人工血管材料屬于高分子材料B．智能芯片使用到的硅晶體屬于半導(dǎo)體材料C．開發(fā)利用可燃冰可以緩解溫室效應(yīng)D．用于制作電極材料的石墨烯屬于碳單質(zhì)7．高純硅廣泛應(yīng)用于信息技術(shù)和新能源技術(shù)等領(lǐng)域。從石英砂(主要成分為SiO2)制取高純硅涉及的主要反應(yīng)流程如下：下列說(shuō)法不正確的是A．反應(yīng)①中氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比為1∶2B．流程中HCl和H2可以循環(huán)利用C．反應(yīng)①②③均為氧化還原反應(yīng)D．反應(yīng)②與反應(yīng)③互為可逆反應(yīng)8．“西門子”制硅法是以硅石(SiO2)為原料制備冶金級(jí)高純硅，其工藝流程如圖。下列敘述不正確的是已知：SiHCl3室溫下易揮發(fā)、易水解的無(wú)色液體。A．“酸浸”過(guò)程主要是酸溶除去粗硅中的氧化鎂，可用稀鹽酸代替稀硫酸B．該生產(chǎn)工藝中可循環(huán)使用的物質(zhì)只有H2C．“氧化”、“分離”與“熱解”的過(guò)程均需要在無(wú)水、無(wú)氧的條件下進(jìn)行D．“氧化”過(guò)程的化學(xué)方程式為Si+3HClSiHCl3+H29．下列關(guān)于二氧化硅的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是A．同二氧化碳一樣，二氧化硅分子是由一個(gè)硅原子和兩個(gè)氧原子構(gòu)成的B．通常狀況下，二氧化碳為氣態(tài)，二氧化硅為固體C．SiO2同CO2一樣也能與CaO反應(yīng)生成鹽D．SiO2僅用來(lái)表示二氧化硅的組成，其基本結(jié)構(gòu)單元為正四面體，不僅存在于二氧化硅晶體中，而且存在于所有硅酸鹽礦石中。10．Ni(OH)2作為合成鎳鈷錳三元電極材料的原料，工業(yè)上可用紅土鎳礦(主要成分為NiO、FeO、Fe2O3、MgO和SiO2)制備，工藝流程如圖所示。下列說(shuō)法正確的是A．“溶浸”時(shí)，為加快反應(yīng)速率，可以選用98%的濃硫酸B．“濾渣1”的成分為H2SiO3C．為了證明加入NaClO已足量，可在溶液中加入KSCN溶液和氯水來(lái)檢驗(yàn)D．“沉鎳”的離子方程式為：Ni2++2HCO=NiCO3↓+CO2↑+H2O11．化學(xué)與生活密切相關(guān)。下列敘述錯(cuò)誤的是A．氫氟酸可用于雕刻玻璃B．鋁制餐具不宜長(zhǎng)時(shí)間存放酸性、堿性和咸的食物C．超市中售賣的“蘇打水”是因添加了而獲名D．農(nóng)村推廣風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電有利于國(guó)家實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”二、元素或物質(zhì)推斷題12．已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系，反應(yīng)中部分生成物已略去。其中，A、G為同一主族元素形成的單質(zhì)，B、C、H在通常情況下為氣體，化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。(1)H的名稱是___________。(2)E的兩種用途是___________、___________。(3)反應(yīng)①的化學(xué)方程式是___________，氧化劑與還原劑的質(zhì)量比為_______。(4)反應(yīng)②的離子方程式是___________。(5)SO2通入酸性高錳酸鉀溶液表現(xiàn)___________性，反應(yīng)的離子方程式為________。三、實(shí)驗(yàn)題13．以粗硅(含鐵、鋁等雜質(zhì))為原料，工業(yè)上有以下兩種制備高純硅的工藝。已知：SiCl4沸點(diǎn)57.7℃，遇水強(qiáng)烈水解；SiHCl3沸點(diǎn)31.5℃，且能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)，并在空氣中易自燃。(1)寫出制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______。(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4和HCl，操作①采用的方法為_______。SiCl4和SiHCl3遇水都會(huì)劇烈反應(yīng)，都會(huì)生成、HCl。但SiHCl3會(huì)多生成一種物質(zhì)X，寫出X物質(zhì)的名稱_______。(3)實(shí)驗(yàn)室用如下裝置制備SiCl4(反應(yīng)溫度在400℃～500℃)。①裝置F的作用是_______。實(shí)驗(yàn)開始應(yīng)先點(diǎn)燃_______(填“A”或“D”)裝置的酒精燈一段時(shí)間后再點(diǎn)燃另一酒精燈。②寫出A裝置中的化學(xué)反應(yīng)方程式_______。(4)SiHCl3與過(guò)量H2制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置已略去)。裝置B中的試劑是_______(填名稱)，裝置C中的燒瓶加熱的目的是_______。實(shí)驗(yàn)中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時(shí)間后，再加熱C、D裝置的理由是_______，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______。14．某實(shí)驗(yàn)小組設(shè)計(jì)了如圖裝置對(duì)焦炭還原二氧化硅的氣體產(chǎn)物的成分進(jìn)行探究。已知：PdCl2溶液可用于檢驗(yàn)CO，反應(yīng)的化學(xué)方程式為CO+PdCl2+H2O=CO2+2HCl+Pd↓(產(chǎn)生黑色金屬鈀粉末，使溶液變渾濁