薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn) (一)

1總則

1.0.1為規(guī)范薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工廠工程建設(shè)中設(shè)計(jì)內(nèi)容、深度和廠房設(shè)施

標(biāo)準(zhǔn)，保證薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工廠工程建設(shè)執(zhí)行國(guó)家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范，做到

技術(shù)先進(jìn)、安全適用、經(jīng)濟(jì)合理、確保質(zhì)量，制定本標(biāo)準(zhǔn)。

1.0.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用薄膜工藝制造的陶瓷電路基板工廠新建、擴(kuò)建和改

建工程。

1.0.3薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工廠工藝設(shè)計(jì)除應(yīng)執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)外，尚應(yīng)符合國(guó)家現(xiàn)

行標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定。

2術(shù)語(yǔ)

2.0.1薄膜thinfilm

利用真空蒸發(fā)、濺射或其他方法淀積在基片上的電導(dǎo)型、電阻型或介質(zhì)

材料，通常其厚度小于5um。

2.0.2薄膜陶瓷基板ceramicsubstrate

是指在陶瓷基板上采用濺射、光刻、電鍍等半導(dǎo)體工藝，將電阻、電感、

金屬導(dǎo)帶等集成在一起，形成特定功能的陶瓷電路基板。

2.0.3濺射sputtering

以一定能量的粒子轟擊靶材表面，使靶材表面的原子或分子獲得較大的

能量，最終逸出靶材表面的工藝。

2.0.4光刻lithography

通過(guò)涂膠、曝光、顯影等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光敏材料

即光刻膠的基片上。

2.0.5通孔金屬化viametallization

通過(guò)濺射、電鍍的方法在孔壁鍍上一層導(dǎo)電金屬，使得基板正反兩面連

通的工藝。

2.0.6激光調(diào)阻laserresistortrimming

利用來(lái)自聚焦激光源的激光光束去除（高熱汽化）電阻體材料，在膜電

阻上切口減小有效寬度，提高其標(biāo)稱(chēng)阻值。

2.0.7電鍍plating

在薄膜陶瓷基板金屬化表面涂覆一層或多層金屬膜層，一般鍍層金屬有

銅、銀、金等。

3總體設(shè)計(jì)

3.1一般規(guī)定

3.1.1薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)應(yīng)滿足薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工藝要求，并宜

為今后生產(chǎn)發(fā)展或生產(chǎn)工藝改進(jìn)的需要預(yù)留條件。

3.1.2薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)，合理利用資源，

保護(hù)環(huán)境。

3.1.3薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)應(yīng)為施工安裝、調(diào)試檢測(cè)、安全運(yùn)行以及

維護(hù)管理創(chuàng)造條件。

3.1.4薄膜陶瓷基板工廠總體設(shè)計(jì)應(yīng)符合以下要求：

1根據(jù)生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)，采用節(jié)能環(huán)保的技術(shù)、設(shè)備、材料；

2采取措施滿足消防安全的要求；

3采取節(jié)約能源措施；

4有利于降低工程造價(jià)和運(yùn)行費(fèi)用。

3.2廠址選擇

3.2.1薄膜陶瓷基板工廠的廠址選擇應(yīng)按建設(shè)規(guī)模、原輔材料供應(yīng)、供

電、供水、供氣、工程地質(zhì)，生產(chǎn)協(xié)作條件，現(xiàn)有場(chǎng)地設(shè)施，環(huán)境保護(hù)

等因素進(jìn)行技術(shù)經(jīng)濟(jì)比較后確定。

3.2.2廠址選擇應(yīng)符合下列規(guī)定：

1廠址選擇應(yīng)避免生產(chǎn)的危險(xiǎn)或有害因素對(duì)周邊住所、人群活動(dòng)或

環(huán)境造成污染與危害；

2廠址選擇應(yīng)避開(kāi)空氣污染嚴(yán)重的區(qū)域；

3場(chǎng)地應(yīng)相對(duì)平整、距廠外強(qiáng)振源較遠(yuǎn)的地塊；

4工藝設(shè)計(jì)

4.1工藝流程設(shè)計(jì)

4.1.1薄膜陶瓷基板應(yīng)根據(jù)陶瓷基板材料、工藝設(shè)計(jì)以及薄膜體系不同，選

擇不同的工藝路線。

4.1.2薄膜陶瓷基板典型的工藝流程應(yīng)符合附錄A的規(guī)定。

4.1.3薄膜陶瓷基板的工藝設(shè)計(jì)應(yīng)充分考慮新材料、新工藝、新技術(shù)、新設(shè)

備的應(yīng)用。

4.2工藝區(qū)劃

4.2.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房的工藝區(qū)劃應(yīng)綜合下列因素進(jìn)行：

1產(chǎn)品的工藝流程；

2人流、物流、設(shè)備搬運(yùn)通道；

3廠房建筑、結(jié)構(gòu)形式及內(nèi)部尺寸：

4主要?jiǎng)恿┙o方向；

5產(chǎn)品產(chǎn)量、生產(chǎn)線種類(lèi)和設(shè)備選型數(shù)量；

6清洗、環(huán)境保護(hù)等特別工作間的安排；

7二次配管配線接入方便；

8未來(lái)生產(chǎn)擴(kuò)展的可能性及靈活性。

4.2.2薄膜陶瓷基板生產(chǎn)加工區(qū)應(yīng)位于潔凈廠房?jī)?nèi)，核心生產(chǎn)區(qū)包括光刻區(qū)、

鍍膜區(qū)、刻蝕區(qū)、鈍化區(qū)、劃片區(qū)、打孔/調(diào)任區(qū)、電鍍區(qū)、測(cè)試區(qū)等，生產(chǎn)

支持區(qū)包括更衣區(qū)、物料儲(chǔ)藏區(qū)等。

4.2.3基板加工區(qū)中的光刻區(qū)、鍍膜區(qū)、刻蝕區(qū)、電鍍區(qū)應(yīng)分別布置在獨(dú)立

的工作間內(nèi)，基板加工區(qū)的其它分區(qū)宜同處于一個(gè)大的工作間內(nèi)而分別相對(duì)

集中布置。

4.2.4薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠光刻區(qū)的空氣潔凈度等級(jí)要達(dá)到6級(jí)（含6級(jí)）

以上，其他加工區(qū)空氣潔凈度等級(jí)均應(yīng)達(dá)到7級(jí)（含7級(jí)）以上。

4.2.5潔凈區(qū)內(nèi)人員凈化用室、生活用室及吹淋室的設(shè)置，應(yīng)符合下列要求:

1人員凈化用室應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求和空氣潔凈度等級(jí)設(shè)置；

2人員凈化用室宜包括雨具存放、換鞋、存外衣、盥洗間、更換潔凈

工作服、空氣吹淋室等；

3潔凈工作服洗滌間、干燥間等用室，可根據(jù)需要設(shè)置。

4.2.6人員凈化用室和生活用室的區(qū)劃，應(yīng)符合下列要求：

1人員凈化用室入口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施；

2存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置；

3外衣存衣柜應(yīng)按設(shè)計(jì)人數(shù)每人一柜設(shè)置；

4廁所不得設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)，宜設(shè)置在更換潔凈工作服前；

5人員凈化用室和生活用室的建筑面積，宜按潔凈室內(nèi)設(shè)計(jì)人數(shù)平均

小于等于4m2/人計(jì)算。

4.2.7潔凈區(qū)內(nèi)的設(shè)備和物料出入口應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，并應(yīng)根據(jù)設(shè)備和物料的特

征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施。物料凈化用室與潔凈

室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗。

5基本工藝

5.1一般規(guī)定

5.1.1除光刻區(qū)的空氣潔凈度等級(jí)要達(dá)到6級(jí)（含6級(jí)）以上外，其它工藝

過(guò)程均應(yīng)在7級(jí)（含7級(jí)）以上凈化區(qū)進(jìn)行。

5.1.2光刻工藝宜在黃光環(huán)境下進(jìn)行。

5.1.3薄膜工藝過(guò)程中所使用的純水在出水口的電阻率要大于10M。pm。

5.1.4薄膜工藝宜在環(huán)境溫度22℃±3℃、環(huán)境濕度RH40%?60%的潔凈

廠房中進(jìn)行。

5.1.5陶瓷基板采用砂輪劃片還是激光切割工藝分割成電路單元，應(yīng)根據(jù)其

對(duì)尺寸公差的要求及外形是否規(guī)則決定。

5.1.6不同工藝流程過(guò)渡時(shí)，應(yīng)將基片放置在溫濕度恒定的氮?dú)夤裰小?/p>

5.2基片準(zhǔn)備

5.2.1基片的種類(lèi)、規(guī)格、厚度等性能應(yīng)符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。

5.2.2氧化鋁陶瓷基片的檢驗(yàn)應(yīng)符合GB/T146202013《薄膜集成電路用氧

化鋁陶瓷基片》標(biāo)準(zhǔn)。

5.2.3薄膜基片材料應(yīng)符合下列要求：

1基片平整度、光潔度要高；

2基片應(yīng)具有高的機(jī)械強(qiáng)度；

3基片應(yīng)具有高的穩(wěn)定性；

4基片表面應(yīng)無(wú)因研磨、拋光、摩擦等原因造成的劃痕；

5基片表面應(yīng)致密、無(wú)針孔。

5.2.3薄膜陶瓷基片處理工藝應(yīng)符合下列要求：

1對(duì)陶瓷基片表面的油污、顆粒、水漬等污染進(jìn)行清洗；

2對(duì)陶?；砻娴那逑创笾路譃槲锢砬逑春突瘜W(xué)清洗兩大類(lèi)，清洗

可輔以超聲和加熱的方式進(jìn)行。

3清洗后的陶瓷基片必須用大量純水進(jìn)行沖洗。

4對(duì)陶瓷基片進(jìn)行甩干或烘干處理；

5.3鍍膜工藝

5.3.1薄膜鍍膜工藝主要是指物理氣相沉積（PVD）,含蒸發(fā)和濺射兩類(lèi)。

5.3.2一般情況，在基片上順序地沉積打底金屬和頂層導(dǎo)體金屬。根據(jù)工藝

需求，還可增加電阻材料和其他材料的沉積。

5.3.3根據(jù)工藝設(shè)計(jì)選擇合適的薄膜沉積方式。

5.3.4鍍膜工藝應(yīng)符合下列要求：

1設(shè)置薄膜沉積的工藝參數(shù)，并根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整：

2為了保證膜層與基體的結(jié)合力，鍍膜前內(nèi)腔室必須達(dá)到一定的真空度,

一般要求真空度W2X10-4Pa；

3鍍膜前需要以徹底去除基板表面的水氣、雜質(zhì)，可以選擇基片加熱和

表面射頻清洗的方式；

2膜層應(yīng)均勻、致密，對(duì)基片有較強(qiáng)的附著力，膜層厚度符合工藝要求；

3表面要求無(wú)針孔、起泡、裂紋等缺陷以及無(wú)劃傷、擦傷、污染及其它

多余物。

5.4光刻工藝

5.4.1光刻工藝是在鍍膜后的薄膜陶瓷基片上涂覆光刻膠，采用紫外光和掩模

版選擇性曝光的方法，將設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠和陶瓷基片上。

5.4.2光刻的基本工藝過(guò)程包括:基片準(zhǔn)備涂膠一前烘一曝光一顯影一堅(jiān)膜。

5.4.3光刻工藝應(yīng)符合下列要求

1對(duì)基片進(jìn)行預(yù)處理，提供清潔干燥的表面；

2根據(jù)工藝需求選擇勻膠或噴膠方式，在基片表面涂敷光刻膠層，要求膠

層厚度均勻、邊緣平整；

3根據(jù)光刻膠的類(lèi)型和厚度，設(shè)置基板烘烤的溫度和時(shí)間；

4設(shè)置曝光機(jī)曝光工藝參數(shù)，將掩模版與圖形精確對(duì)準(zhǔn)后對(duì)光刻膠進(jìn)行

充分曝光；

5配備顯影液，設(shè)置顯影時(shí)間，通過(guò)顯影液與光刻膠的化學(xué)反應(yīng)，形成

光刻膠掩蔽膜圖形；

6設(shè)置堅(jiān)膜溫度和時(shí)間，對(duì)顯影后的基片進(jìn)行烘烤，使膠中殘留的溶劑

充分蒸發(fā)，增強(qiáng)抗蝕性能；

7用等離子去膠機(jī)去除底膜。

8涂膠、前烘、堅(jiān)膜等工序操作應(yīng)在通風(fēng)樨中進(jìn)行，未用的化學(xué)試劑應(yīng)密

封，并存放在專(zhuān)用儲(chǔ)存柜中。

9光刻工藝過(guò)程中使用的掩模版、光刻膠、顯影液等物料均應(yīng)是檢驗(yàn)合格

并在有效期內(nèi)。

10光刻工藝要求圖形完整，線條邊緣陡直、干凈，光刻線條符合工藝要

求設(shè)計(jì)。

5.5刻蝕工藝

5.5.1刻蝕工藝是有選擇地去除表面材料層。

5.5.2刻蝕工藝技術(shù)包括濕法刻蝕和干法刻蝕。

5.5.3根據(jù)工藝設(shè)計(jì)選擇合適的工藝技術(shù)路線和工藝參數(shù)。

5.5.4刻蝕工藝應(yīng)滿足下列要求

1確認(rèn)需要刻蝕的材料種類(lèi)、厚度等參數(shù)；

2確認(rèn)各種材料的刻蝕溶液或刻蝕工藝氣體；

3打開(kāi)濕法腐蝕設(shè)備或干法刻蝕設(shè)備，確認(rèn)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)正常；

4將待刻蝕基板按設(shè)備夾具使用要求裝載入設(shè)備；

5調(diào)用設(shè)備相應(yīng)的刻蝕工藝程序，完成刻蝕工藝過(guò)程；

6濕法刻蝕工藝后需要使用純水充分沖洗；

7濕法刻蝕并清洗后，使用氮?dú)獯蹈苫蛩Ω蓹C(jī)甩干；

8刻蝕后的基片電路圖形應(yīng)完整、表面無(wú)多余物，帶線上無(wú)針孔、線條

邊緣陡直，刻蝕均勻性良好，無(wú)過(guò)蝕現(xiàn)象；

5.5.5使用刻蝕設(shè)備時(shí)，不應(yīng)用手觸摸薄膜陶瓷基板表面；

5.5.6使用濕法刻蝕設(shè)備時(shí)，需要穿戴相應(yīng)的個(gè)人防護(hù)用具，應(yīng)避免直接接

觸各種化學(xué)試劑；

5.6調(diào)阻工藝

5.6.1激光調(diào)阻工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行激光調(diào)阻機(jī)，減小陶瓷基板表面薄膜電阻器

的寬度，從而微調(diào)增大阻值，使其達(dá)到設(shè)計(jì)所需精度范圍。

5.6.2激光調(diào)阻工藝應(yīng)符合下列要求：

1安裝調(diào)阻探針卡，宜選用內(nèi)阻較小的電阻卡盤(pán)做媒介，基板上電阻較

多、電阻尺寸又很小時(shí)，可分成兩個(gè)甚至更多卡盤(pán)進(jìn)行分步調(diào)阻，調(diào)阻不應(yīng)

損傷兩端電極；

2應(yīng)設(shè)置激光調(diào)阻工藝參數(shù)，編制調(diào)阻程序，調(diào)阻深度不宜超過(guò)電阻寬

度的一半，應(yīng)盡量使用型調(diào)阻，少用“一”型調(diào)阻（交指型調(diào)阻除外）；

3測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)程序要求預(yù)測(cè)試薄膜陶瓷基板所要調(diào)的電阻的阻值,

并與已設(shè)定好的值進(jìn)行比較，確定是否可以修調(diào)，如果可以修調(diào)，則測(cè)試系

統(tǒng)應(yīng)把信號(hào)反饋給控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)指令激光系統(tǒng)進(jìn)行切割，在切割的同

時(shí)，測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)進(jìn)行阻值測(cè)試，當(dāng)阻值達(dá)到設(shè)定值時(shí)激光切割停止；

4應(yīng)在顯微鏡下用射燈透射放大仔細(xì)看激光切割出的切口是否透光，切

口內(nèi)是否有電阻殘留物；

5試調(diào)合格后應(yīng)完成整批薄膜陶瓷基片的調(diào)阻，有匹配要求的電路測(cè)試

完每一電阻的阻值后，應(yīng)通過(guò)計(jì)算確認(rèn)其匹配值是否滿足要求，否則需要重

新修改程序，提高對(duì)應(yīng)電阻調(diào)阻精度，滿足它們的匹配要求；

5.6.3應(yīng)對(duì)開(kāi)始激光調(diào)阻的一塊或幾塊產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試檢查，若發(fā)現(xiàn)所調(diào)阻值

精度有異常應(yīng)及時(shí)調(diào)整目標(biāo)設(shè)定值。

5.6.4激光調(diào)阻機(jī)工作時(shí)，必須關(guān)閉防止激光散射的安全門(mén)、罩。

5.6.6激光調(diào)阻操作應(yīng)在氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行。

5.7電鍍工藝

5.7.1薄膜陶瓷基片通過(guò)電鍍工藝加厚金屬膜層厚度，提高表面金屬化的可

焊性、鍵合性及金屬化的導(dǎo)電性能。根據(jù)工藝需要選擇電鍍金屬種類(lèi)。

5.7.2電鍍工藝應(yīng)符合下列要求：

1按照一定的配比，配置金屬電鍍?nèi)芤?/p>

2將薄膜基片固定在電鍍夾具上；

3去除基片表面沾污；

4活化處理以去除金屬化表面的氧化層；

5在電鍍?nèi)芤褐邪匆欢ǖ碾娏鲝?qiáng)度、時(shí)間和速度進(jìn)行電鍍，之后用純水

充分清洗；

6優(yōu)化電鍍參數(shù)，待初樣鍍層經(jīng)檢驗(yàn)合格后再進(jìn)行正式電鍍；

7將鍍涂后的基片退火以提高鍍層和底部金屬化的結(jié)合力；

8鍍涂結(jié)束后在顯微鏡下檢查鍍層表面,測(cè)量鍍層厚度，測(cè)試鍍層性能。

5.7.3電鍍層要求色澤均勻細(xì)致，厚度符合設(shè)計(jì)要求，鍍層厚度均勻性良好,

用膠帶粘鍍層無(wú)粘起現(xiàn)象。嚴(yán)禁直接用手觸碰電鍍層。

5.8劃片工藝

5.8.1劃片工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行砂輪劃片機(jī)或激光切割機(jī)，將陶瓷基片分切為尺

寸及切口質(zhì)量達(dá)到要求的單元陶瓷基片。砂輪劃片機(jī)只能劃切直線，激光切

割機(jī)則可劃切任意路徑。

5.8.2砂輪劃片工藝應(yīng)符合下列要求：

1打開(kāi)砂輪劃片機(jī)電源、真空和冷卻水（通常使用軟化水）；

2安裝合適的砂輪片到劃片機(jī)刀架上，鎖定；

3通過(guò)藍(lán)膜將陶瓷基片固定在載片臺(tái)上，開(kāi)啟真空吸附，定位；

4設(shè)置砂輪轉(zhuǎn)速、進(jìn)刀深度、每一方向劃切刀數(shù)、走刀速度、走刀行程

等劃切工藝參數(shù)，定好基點(diǎn)，按基板大小和形狀編制劃切程序；

5調(diào)整載片臺(tái)，完成每一方向的劃切對(duì)準(zhǔn)，劃切進(jìn)刀深度不宜太大；

6運(yùn)行劃片程序，將大塊陶瓷基片分切為單元陶瓷基板；

7斷開(kāi)真空，取下藍(lán)膜，摘下單元陶瓷基片，并洗凈、吹干，廢棄邊角

料；

8沖洗劃片機(jī)載片臺(tái)及劃片區(qū)域，關(guān)閉電源、真空、冷卻水。

5.8.3激光劃片工藝應(yīng)包括以下步驟：

1將薄膜陶瓷基片真空吸附在工作臺(tái)上；

2設(shè)置激光參數(shù)（脈沖高度、脈寬、脈沖重頻等）、劃線速度；

3調(diào)整工作臺(tái)，完成劃線標(biāo)記尋找及對(duì)準(zhǔn)；

4運(yùn)行劃線程序。

5.8.4冷卻水應(yīng)注射在砂輪片與陶瓷接觸（劃切）的部位。

5.8.5劃片機(jī)必須配備安全防護(hù)門(mén)，工作時(shí)必須關(guān)上。

5.9鈍化工藝

5.9.1鈍化工藝是有選擇地在基片表面沉積鈍化層。主要用作薄膜電容器的

介質(zhì)層、多層布線的隔離層和電路網(wǎng)絡(luò)的絕緣保護(hù)層。

5.9.2鈍化工藝技術(shù)包括射頻濺射、等離子增強(qiáng)CVD（PECVD）和聚酰亞胺

涂敷等技術(shù)。

5.9.3根據(jù)工藝要求選擇選擇合適的工藝技術(shù)路線和工藝參數(shù)。

5.9.4鈍化工藝應(yīng)符合下列要求：

1等離子增強(qiáng)CVD沉積鈍化層：

1）根據(jù)需要沉積的介質(zhì)種類(lèi)，選擇相應(yīng)的各種工藝氣體；

2）應(yīng)設(shè)置保護(hù)氣體流量，向爐內(nèi)/腔體通入保護(hù)氣體進(jìn)行吹掃；

3）根據(jù)沉積介質(zhì)種類(lèi)和厚度等要求，調(diào)用相應(yīng)的沉積工藝程序，開(kāi)始絕

緣介質(zhì)層的沉積工藝；

4）沉積過(guò)程中確認(rèn)工藝程序中的氣體壓力、溫度、氣體流量等工藝參數(shù)

無(wú)異常情況；

2射頻濺射法沉積鈍化層：

1）設(shè)置薄膜沉積的工藝參數(shù)，并根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整；

2）為了保證膜層與基體的結(jié)合力，濺射前內(nèi)腔室必須達(dá)到一定的真空度,

一般要求真空度W2義10-4Pa；

3）預(yù)濺工作要充分

3聚酰亞胺法沉積鈍化層：

1）用光刻工藝在需要的地方涂敷聚酰亞胺

2）選擇合適的溫度和時(shí)間對(duì)聚酰亞胺熱處理，形成鈍化層。

4鈍化層的質(zhì)量應(yīng)滿足下列要求

1）鈍化層均勻致密、針孔少、無(wú)龜裂；

2）鈍化膜附著牢固、臺(tái)階覆蓋能力好；

3）鈍化層厚度符合設(shè)計(jì)要求。

5.10打孔工藝

5.10.1陶瓷基片上的通孔通常分為安裝孔、穿線孔、接地孔三類(lèi)

5.10.2陶瓷基片上的打孔方式主要有二種：激光打孔和超聲波打孔。由于超

聲波打孔有打孔種類(lèi)及定位精度的局限性，通常采用激光打孔方式。

5.10.3激光打孔一般采用激光機(jī)對(duì)陶瓷基片進(jìn)行切割形成圓孔或其他形狀

的通孔的過(guò)程。通過(guò)打孔，在陶瓷基片設(shè)定的位置上切割成所需尺寸和形狀

的通孔。

5.10.4激光打孔工藝應(yīng)包括以下步驟：

1將薄膜陶瓷基片真空吸附在工作臺(tái)_L；

2設(shè)置激光參數(shù)（脈沖高度、脈寬、脈沖重頻等）、打孔速度；

3調(diào)整工作臺(tái)，完成打孔標(biāo)記尋找及對(duì)準(zhǔn)；

4運(yùn)行打孔程序。

5.10.5打孔機(jī)必須配備安全防護(hù)門(mén)，工作時(shí)必須關(guān)上。

5.11測(cè)試工藝

5.11.1測(cè)試工藝包括基片單元尺寸測(cè)試、膜層厚度測(cè)試、結(jié)合力測(cè)試、金屬

化孔測(cè)試、阻值測(cè)試以及金層可焊性或可鍵合性測(cè)試等，以確定基片符合設(shè)

計(jì)要求。

5.11.2測(cè)試工藝應(yīng)符合下列要求：

1用游標(biāo)卡尺進(jìn)行基片外形尺寸測(cè)試，用測(cè)量顯微鏡對(duì)帶線尺寸進(jìn)行測(cè)試:

2用臺(tái)階儀或者測(cè)厚儀進(jìn)行金屬膜層厚度測(cè)試；

3用拉力測(cè)試儀、手術(shù)刀劃挑或者膠帶粘貼等方法進(jìn)行結(jié)合力測(cè)試；

4用萬(wàn)用表或飛針測(cè)試設(shè)備進(jìn)行金屬化孔測(cè)試；

5用萬(wàn)用表或激光修阻儀的探卡裝置進(jìn)行電阻阻值的測(cè)試；

6用相應(yīng)焊料或者金絲/金帶進(jìn)行試驗(yàn),確認(rèn)基片的可焊性和可鍵合性合格。

6工藝設(shè)備配置

6.1一般規(guī)定

6.1.1應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)線的組線方式、產(chǎn)品種類(lèi)、生產(chǎn)規(guī)模、生產(chǎn)效率、運(yùn)行管

理與成本控制目標(biāo)、節(jié)能環(huán)保要求等因素，合理配置薄膜陶瓷基片生產(chǎn)線的

加工設(shè)備與檢測(cè)儀器。

6.1.2薄膜陶瓷基片工藝設(shè)備的選型，應(yīng)符合下列要求：

1按照產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)形式、工藝途徑、所用材料、加工流程等，碓定所需

工藝設(shè)備的種類(lèi)；

2按照生產(chǎn)線的產(chǎn)能需求和工序平衡原則，明確各工藝設(shè)備的單臺(tái)加工

速度以及設(shè)備數(shù)量；

3按照最終產(chǎn)品的加工精度要求，明確各工藝設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)；

4研制與小批量生產(chǎn)加工、依靠操作人員技能水平保障加工質(zhì)量時(shí)，可

選用性能價(jià)格比高、投資較少的手動(dòng)型薄膜陶瓷設(shè)備。

6.2陶瓷基片處理工藝設(shè)備

6.2.1陶瓷基片處理工藝可選用超聲清洗機(jī)、甩干機(jī)、潔凈烘箱等

6.2.2陶瓷基片處理設(shè)備配置應(yīng)符合下列要求：

1超聲清洗機(jī)應(yīng)可調(diào)節(jié)功率大小，可選擇不同超聲頻率的超聲清洗機(jī)以

清洗大小不同的顆粒；

2潔凈烘箱凈化級(jí)別要大于6級(jí)。

6.3鍍膜工藝設(shè)備

6.3.2鍍膜設(shè)備應(yīng)符合下列要求：

1真空室材料應(yīng)能耐受高溫，配備一個(gè)觀察窗，可以觀察到蒸發(fā)器皿里

的金屬或?yàn)R射靶槍和工件盤(pán)；

2抽真空系統(tǒng)能力應(yīng)符合工藝要求的抽氣速度和真空度;

3真空計(jì)和工藝氣體流量控制系統(tǒng)配備電容壓力計(jì)，專(zhuān)用于測(cè)量濺射工

藝壓力，并可以反饋控制流量計(jì)，保證濺射壓力穩(wěn)定。

4濺射源或蒸發(fā)器皿與工件間設(shè)置防止交叉污染的擋板；

5配備濺射電源和自動(dòng)控制系統(tǒng)，從面板上設(shè)置、控制和監(jiān)視鍍膜過(guò)程;

6設(shè)備加熱能力及工件臺(tái)最高溫度滿足鍍膜參數(shù)要求；

7具備多路氣體傳送功能；

8鍍膜均勻性和重復(fù)性要滿足使用要求

10循環(huán)冷卻水溫度應(yīng)在15℃?25℃,壓力應(yīng)滿足設(shè)備使用要求

11設(shè)備接地電阻應(yīng)小于4Q

6.4光刻工藝設(shè)備

6.4.1光刻工藝設(shè)備應(yīng)具備勻膠、烘烤、曝光和顯影功能。

6.4.2光刻設(shè)備應(yīng)符合下列要求：

I勻膠系統(tǒng)轉(zhuǎn)速和加速度滿足工藝要求，可具備自動(dòng)滴膠和自動(dòng)去厚膠

邊功能；

2自動(dòng)滴膠系統(tǒng)應(yīng)由專(zhuān)業(yè)人員安裝好，儲(chǔ)膠罐的接口密閉情況以及膠閥

的氣壓應(yīng)符合要求

3曝光機(jī)應(yīng)安裝在減震平臺(tái)上，安裝時(shí)應(yīng)反復(fù)調(diào)節(jié)四個(gè)地腳螺栓高度，

使得曝光機(jī)承片臺(tái)水平，并應(yīng)用水平儀進(jìn)行檢測(cè)確認(rèn)

4光源及光路必須安裝防護(hù)門(mén)、罩等保護(hù)裝置

5烘烤設(shè)備一般為烘箱或熱板，可實(shí)現(xiàn)勾膠后基片的烘干及曝光顯影后

基片的堅(jiān)膜，烘烤設(shè)備的烘烤溫度和烘烤時(shí)間可調(diào)節(jié)，最高加熱溫度、加熱

速度和溫度均勻性指標(biāo)滿足工藝要求；

6應(yīng)設(shè)置與工藝線排風(fēng)管道口相連接的接口

7應(yīng)接入壓縮空氣、氮?dú)饧罢婵杖N氣路，沖洗用純水壓力應(yīng)為0.13兆

帕?0.35兆帕

8斷電保護(hù)裝置應(yīng)運(yùn)行正常

6.5刻蝕工藝設(shè)備

6.5.1刻蝕工藝設(shè)備有濕法和干法兩類(lèi),濕法使用化學(xué)溶液,干法使用反濺射、

反應(yīng)離子刻蝕機(jī)等。

6.5.2刻蝕設(shè)備應(yīng)符合下列要求：

1濕法刻蝕設(shè)備應(yīng)配備溫控裝置、超聲裝置、三級(jí)清洗裝置，材質(zhì)應(yīng)滿

足清洗溶液的要求；

2配備濕法刻蝕溶液應(yīng)具備化學(xué)品儲(chǔ)存柜、防爆儲(chǔ)存柜、電子秤或天平等,

3化學(xué)品儲(chǔ)存柜應(yīng)滿足耐腐蝕、通風(fēng)、遮光的能力，材質(zhì)選擇聚乙烯材料；

4防爆儲(chǔ)存柜應(yīng)為全金屬封閉結(jié)構(gòu)，應(yīng)具有防爆、避光、阻燃能力；

5電子秤或天平應(yīng)配置合適的載物臺(tái)、稱(chēng)量系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)，并能保證所

需的量程和精度；

6干式刻蝕設(shè)備應(yīng)具備蒸氣反應(yīng)腔、抽氣系統(tǒng)，材質(zhì)滿足刻蝕蒸氣的使

用要求；

7應(yīng)根據(jù)設(shè)備和環(huán)境要求，安裝一般排風(fēng)系統(tǒng)或酸堿排風(fēng)系統(tǒng)

8反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的總電源應(yīng)配置專(zhuān)用空氣開(kāi)關(guān)，接地線應(yīng)可靠，射頻

電源功率可分別設(shè)置，并應(yīng)具有阻抗自動(dòng)匹配功能。

9應(yīng)根據(jù)氣體性質(zhì)安裝氣體泄漏報(bào)警裝置。

6.6激光調(diào)阻工藝設(shè)備

6.6.1激光調(diào)阻工藝可選擇激光調(diào)阻機(jī)，包括激光光源、激光傳輸系統(tǒng)、計(jì)

算控制系統(tǒng)、工作臺(tái)和測(cè)試系統(tǒng)等。

6.6.2激光調(diào)阻機(jī)的配置應(yīng)滿足下列要求：

1激光調(diào)阻機(jī)適用于通過(guò)從寬度方向上劃切薄膜陶瓷基片的薄膜電阻

器而將其阻值逐步增大到目標(biāo)值，其主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括激光功率、激光光

斑直徑、光斑中心距、Q速率、最大調(diào)阻區(qū)域、最高調(diào)阻精度；

2工作臺(tái)可固定陶瓷片，并應(yīng)根據(jù)程序設(shè)定在X.Y方向進(jìn)行重復(fù)移動(dòng);

3激光系統(tǒng)可產(chǎn)生激光并控制激光的強(qiáng)弱；

4激光傳輸系統(tǒng)可通過(guò)偏轉(zhuǎn)鏡使得激光光束在X-Y方向進(jìn)行移動(dòng)；

5測(cè)試系統(tǒng)可包括探卡，在待測(cè)試電阻兩端加載恒定電流，并將測(cè)試

電阻結(jié)果反饋至控制記錄系統(tǒng)；

6控制系統(tǒng)可根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行判斷，將型號(hào)傳輸至工作臺(tái)和激光傳

輸系統(tǒng)進(jìn)行進(jìn)一步調(diào)試。

7應(yīng)配置視覺(jué)定位和真空吸附功能；

8激光調(diào)阻機(jī)應(yīng)配置防止激光散射的安全門(mén)、罩。

6.7電鍍工藝設(shè)備

6.7.1電鍍工藝設(shè)備可選用掛鍍?cè)O(shè)備、噴鍍?cè)O(shè)備，附屬設(shè)備有甩干機(jī)、X射

線測(cè)厚儀、顯微鏡。

6.7.2電鍍工藝設(shè)備的配置應(yīng)滿足下列要求：

1電鍍?cè)O(shè)備適用于將薄膜陶瓷基片金屬化表面電鍍所需金屬，可以使用

手動(dòng)電鍍線和自動(dòng)電鍍線，主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括鍍槽容積、電源穩(wěn)定性、最

大電流、鍍槽數(shù)量、行車(chē)運(yùn)行速度；

2電鍍?cè)O(shè)備應(yīng)具有防干燒功能、低液位報(bào)警功能和防泄漏報(bào)警功能；

3電鍍?cè)O(shè)備應(yīng)配備脈沖電源，以提高鍍層均勻性；

4電鍍?cè)O(shè)備應(yīng)配備循環(huán)過(guò)濾功能；

5電鍍?cè)O(shè)備應(yīng)根據(jù)工藝配置相應(yīng)的酸堿排風(fēng)或氧化物排風(fēng)系統(tǒng)，電鍍操

作應(yīng)在通風(fēng)良好的環(huán)境中進(jìn)行；

6電鍍?cè)O(shè)備根據(jù)設(shè)計(jì)鍍層厚度可調(diào)整電流大小和電鍍時(shí)間。

6.8劃片工藝設(shè)備

6.8.1劃片工藝設(shè)備可選擇砂輪劃片機(jī)和激光切割機(jī)。

6.8.2劃片工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列要求：

1劃片設(shè)備應(yīng)適用于將陶瓷基片分切為單元陶瓷基片；

2砂輪劃片機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括最大切割深度、最大切割尺寸、最

大劃片速度、砂輪片厚度、切割對(duì)位精度；

3砂輪劃片機(jī)應(yīng)滿足下列要求：

1）應(yīng)配備X/Y/Z/THETA四個(gè)工作軸，工作臺(tái)可進(jìn)行X-Y兩個(gè)方向的運(yùn)

動(dòng)；

2）應(yīng)配備CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及對(duì)準(zhǔn)光源；

3）砂輪刀片應(yīng)可進(jìn)行高度調(diào)節(jié)并可進(jìn)行方向轉(zhuǎn)換；

4）具備自動(dòng)測(cè)高、砂輪磨損補(bǔ)償功能；

5）可編程控制砂輪轉(zhuǎn)速、切割速度、切割深度；

4激光劃切機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括激光類(lèi)型、激光波長(zhǎng)、激光功率、

激光光斑大小、重復(fù)定位精度；

5激光劃切機(jī)通常應(yīng)滿足如下要求：

1）應(yīng)配備真空吸附平臺(tái)；

2）應(yīng)配備CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；

3）宜自帶激光冷卻機(jī)構(gòu)；

4）可編程控制激光加工參數(shù)（脈寬、脈沖重頻、脈沖高度等）及激光

運(yùn)動(dòng)路徑；

6劃片設(shè)備清洗模塊應(yīng)提供潔凈的壓縮空氣以滿足陶瓷基片的清潔需

求；

7在加工過(guò)程中為防止局部過(guò)熱，劃片設(shè)備需包括冷卻模塊，可采用

冷卻液冷卻的方式。

6.9鈍化工藝設(shè)備

691鈍化工藝設(shè)備包括射頻濺射臺(tái)和等離子增強(qiáng)CVD(PECVD)等。

6.9.2聚酰亞胺鈍化可通過(guò)光刻工藝實(shí)現(xiàn)。

6.9.3射頻濺射臺(tái)應(yīng)符合下列要求：

1真空室材料應(yīng)能耐受高溫，配備一個(gè)觀察窗，可以觀察到濺射靶槍和

工件盤(pán)；

2抽真空系統(tǒng)能力應(yīng)符合工藝要求的抽氣速度和真空度；

3真空計(jì)和工藝氣體流量控制系統(tǒng)配備電容壓力計(jì)，專(zhuān)用于測(cè)量濺射工

藝壓力，并可以反饋控制流量計(jì)，保證濺射壓力穩(wěn)定。

4基片和靶材間設(shè)置凈化擋板；

5配備濺射電源和自動(dòng)控制系統(tǒng)，從面板上設(shè)置、控制和監(jiān)視鍍膜過(guò)程:

6鍍膜均勻性和重復(fù)性要滿足使用要求

7循環(huán)冷卻水溫度應(yīng)在15℃?25℃,壓力應(yīng)滿足設(shè)備使用要求

8設(shè)備接地電阻應(yīng)小于4Q

6.9.4等離子增強(qiáng)CVD應(yīng)符合下列要求：

1應(yīng)根據(jù)設(shè)備和環(huán)境要求，安裝一般排風(fēng)系統(tǒng)；

2等離子增強(qiáng)CVD的總電源應(yīng)配置專(zhuān)用空氣開(kāi)關(guān)，接地線應(yīng)可靠；

3應(yīng)安裝多路氣體管道，并根據(jù)氣體性質(zhì)安裝氣體泄漏報(bào)警裝置；

4等離子增強(qiáng)CVD設(shè)備應(yīng)具備氣體反應(yīng)腔、抽氣系統(tǒng)。

6.10激光打孔設(shè)備

6.10.1打孔工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列要求：

1打孔設(shè)備應(yīng)適用于在薄膜陶瓷基片上切透通孔的能力；

2激光切割機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括激光類(lèi)型、激光波長(zhǎng)、激光功率、激

光光斑大小、重復(fù)定位精度；

3激光激光機(jī)通常應(yīng)滿足如下要求：

1)應(yīng)配備真空吸附平臺(tái);

2）應(yīng)配備CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；

3）宜自帶激光冷卻機(jī)構(gòu)；

4）可編程控制激光加工參數(shù)（脈寬、脈沖重頻、脈沖高度等）及激光

運(yùn)動(dòng)路徑；

4切割設(shè)備清洗模塊應(yīng)提供潔凈的壓縮空氣以滿足陶瓷基片的清潔需

求；

5激光切割機(jī)在加工過(guò)程中為防止局部過(guò)熱，應(yīng)采用吹氣冷卻的方式

6.11測(cè)試工藝設(shè)備

6.11.1測(cè)試工藝設(shè)備包含尺寸測(cè)量設(shè)備、膜厚測(cè)試設(shè)備、結(jié)合力測(cè)試設(shè)備、

金屬化孔測(cè)試設(shè)備、電阻測(cè)試設(shè)備以及膜層可焊性或可鍵合性測(cè)試設(shè)備。

6.11.2測(cè)試工藝設(shè)備應(yīng)符合下列要求：

1外形尺寸測(cè)量可采用游標(biāo)卡尺，要有顯示系統(tǒng)，并能保證測(cè)量的精度

和準(zhǔn)確度；

2帶線尺寸測(cè)量可采用尺寸儀或測(cè)量顯微鏡，包含軟件計(jì)算部分，光學(xué)

測(cè)試部分，和可調(diào)節(jié)載物臺(tái)，滿足高精度測(cè)量要求；

3膜厚測(cè)試設(shè)備可采用膜厚儀、臺(tái)階儀、X射線測(cè)厚儀或方阻儀，包含

軟件操作部分和可調(diào)節(jié)的載物臺(tái)，滿足高精度測(cè)量要求；

4結(jié)合力定性測(cè)試可采用烘箱烘烤、手術(shù)刀劃挑、膠帶粘扯的方法，定

量測(cè)試需要使用拉力測(cè)試儀，使用拉力測(cè)試儀時(shí)應(yīng)保證垂直拉起。

5金屬化孔測(cè)試設(shè)備可采用分針測(cè)試設(shè)備，包括電源模塊、工作臺(tái)、飛

針夾具、影像對(duì)位系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等，飛針可X-Y方向移動(dòng)從而實(shí)現(xiàn)不同位

置的電路通斷測(cè)試；

6電阻測(cè)試可采用萬(wàn)用表或激光修阻儀，應(yīng)能保證測(cè)量的精度和準(zhǔn)確性;

7膜層可焊性或可鍵合性測(cè)試設(shè)備為相應(yīng)的焊接設(shè)備或鍵合臺(tái)，應(yīng)包含

控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、壓力系統(tǒng)，滿足相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

7建筑與結(jié)構(gòu)

7.1建筑

7.1.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)建筑層高應(yīng)根據(jù)吊頂內(nèi)管線布置敷設(shè)、

吊頂下的空間高度、最高設(shè)備的安裝與維護(hù)的需求確定。

7.1.2薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房墻面保溫、屋面保溫、隔熱、防潮、防塵等宜

按照項(xiàng)目建設(shè)地的氣候條件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

7.1.3建筑外圍護(hù)墻體宜采用規(guī)定厚度加氣混凝土砌塊，外墻面可采用建筑

涂料?，局部鋁板；房間內(nèi)墻可為涂料飾面，頂棚一般宜采用裝飾石膏板；衛(wèi)

生間墻面宜為瓷磚墻面，地面宜為防滑地磚，吊頂宜采用穿孔鋁板；潔凈室

墻體及頂板宜采用巖棉夾芯金屬壁板，樓地面一般應(yīng)采用環(huán)氧自流平或PVC

地板等不發(fā)塵材料。

7.1.4建筑外門(mén)宜采用無(wú)框玻璃彈簧門(mén)和靜電噴涂鋁合金門(mén)，外窗宜采用斷

橋鋁合金中空玻璃窗。

7.1.5薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房火災(zāi)危險(xiǎn)性類(lèi)別應(yīng)為丙類(lèi)。

7.1.6薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房?jī)?nèi)、安全出口、疏散標(biāo)志等消防設(shè)計(jì)應(yīng)按照現(xiàn)

行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472的有關(guān)條款進(jìn)行。

7.1.7薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房建筑方案設(shè)計(jì)應(yīng)取得城市規(guī)劃部門(mén)的批復(fù)或

認(rèn)可。

7.1.8生產(chǎn)廠房?jī)?nèi)應(yīng)預(yù)留人員安全疏散通道及工藝設(shè)備的安裝與運(yùn)輸通道。

7.1.9薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房采用多層建筑形式時(shí)，生產(chǎn)廠房外墻宜預(yù)留設(shè)

備搬入的吊裝口。

7.1.10凈化區(qū)外窗設(shè)計(jì)應(yīng)采用斷熱冷橋的雙層固定窗，并具有良好氣密性。

7.1.11薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房室內(nèi)裝修材料的選擇應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472和《建筑內(nèi)部裝修設(shè)計(jì)防火規(guī)范》

GB50222的相關(guān)規(guī)定。

7.2結(jié)構(gòu)

7.2.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房結(jié)構(gòu)形式根據(jù)建筑設(shè)計(jì)形式可采用鋼結(jié)構(gòu)、鋼

筋混凝土結(jié)構(gòu)或鋼結(jié)構(gòu)與鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)，不應(yīng)采用磚混結(jié)構(gòu)。，

建筑體型宜成矩形。

7.2.2生產(chǎn)廠房采用多層建筑形式時(shí)，樓板活荷載應(yīng)根據(jù)工藝設(shè)備重量要求

設(shè)計(jì)，一般不宜小于6kN/m2。

7.2.3薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠各子項(xiàng)建筑抗震設(shè)防類(lèi)別及抗震設(shè)防標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)按

照現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑工程抗震設(shè)防分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)》GB50223確定。

7.2.4生產(chǎn)廠房鋼筋混凝土梁不宜采用預(yù)應(yīng)力結(jié)構(gòu)。

7.2.5生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)不宜設(shè)置結(jié)構(gòu)縫。

7.2.6單獨(dú)的設(shè)備基礎(chǔ)設(shè)計(jì)應(yīng)符合設(shè)備技術(shù)說(shuō)明書(shū)的要求。

7.3接地

7.3.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房應(yīng)包括功能性接地、保護(hù)性接地、建筑防雷接

地和防靜電接地系統(tǒng)。

7.3.2廠房宜采用建筑防雷接地系統(tǒng)為基礎(chǔ)的共用接地系統(tǒng)，接地電阻值應(yīng)

按各系統(tǒng)要求的最小值確定。

8公用設(shè)施

8.1空氣調(diào)節(jié)和凈化系統(tǒng)

8.1.1潔凈室的空氣潔凈度等級(jí)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求確定。

8.1.2潔凈室的氣流組織應(yīng)根據(jù)潔凈度等級(jí)、生產(chǎn)工藝要求以及技術(shù)經(jīng)濟(jì)

比較確定。當(dāng)空氣潔凈度等級(jí)在6級(jí)?8級(jí)時(shí)，可采用非單向流。

8.1.3當(dāng)出現(xiàn)下列情況之一時(shí)，空氣凈化調(diào)節(jié)系統(tǒng)宜分開(kāi)設(shè)置：

1工作班制或生產(chǎn)時(shí)間不同；

2生產(chǎn)工藝和設(shè)備存在交叉污染的工序；

3溫度和濕度要求差別大的潔凈室；

4凈化空調(diào)系統(tǒng)和普通空調(diào)系統(tǒng)；

5潔凈室內(nèi)工藝設(shè)備發(fā)熱量和散濕量相差懸殊的潔凈室。

8.1.4凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新風(fēng)應(yīng)進(jìn)行集中處理，新風(fēng)處理機(jī)組的設(shè)置應(yīng)

符合下列規(guī)定：

1送風(fēng)機(jī)應(yīng)采取自動(dòng)調(diào)速措施；

2空氣可以選用粗效、中效、高效過(guò)濾器三級(jí)處理；

3機(jī)組應(yīng)有良好的氣密性，漏風(fēng)率不得大于1%。

8.1.5光刻間凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的循環(huán)風(fēng)宜采用風(fēng)機(jī)過(guò)濾器機(jī)組和干冷

卻盤(pán)管處理；其他潔凈室凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的循環(huán)風(fēng)宜采用循環(huán)空氣處

理機(jī)組處理。

8.1.6潔凈室的送風(fēng)量，應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》

GB50073的有關(guān)規(guī)定。

8.1.7凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新風(fēng)吸入口的布置，應(yīng)遠(yuǎn)離排放有害物或可燃

物的排氣口。

8.1.8潔凈室的噪聲控制設(shè)計(jì)的噪聲級(jí)（空態(tài)）應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電

子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472的有關(guān)規(guī)定，當(dāng)潔凈室采用風(fēng)機(jī)過(guò)

濾器機(jī)組處理循環(huán)空氣時(shí)，單向流和混合流潔凈室的噪聲級(jí)（空態(tài)）不

應(yīng)大于70dB（A）,非單向流潔凈室的噪聲級(jí)（空態(tài)）不應(yīng)大于65dB（A）。

8.2給排水

8.2.1薄膜陶瓷基板工廠的給水排水設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑給水

排水設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50015的有關(guān)規(guī)定。

8.2.2生產(chǎn)廢水、生活污水系統(tǒng)應(yīng)分別設(shè)置；不同污染物的生產(chǎn)廢水宜分

別設(shè)置。

8.2.3在危險(xiǎn)化學(xué)品儲(chǔ)存間、泄漏區(qū)、有害氣體的特種氣體間應(yīng)設(shè)置緊急

淋浴器或洗眼器。

8.2.4純水系統(tǒng)的設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)純水系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》

GB50685的有關(guān)規(guī)定，并應(yīng)符合下列規(guī)定：

1純水系統(tǒng)的水質(zhì)應(yīng)根據(jù)薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工藝的要求確定；

2純水系統(tǒng)供水管網(wǎng)的循環(huán)水量不宜小于設(shè)計(jì)供水量的20%；

3純水系統(tǒng)的回收率應(yīng)根據(jù)薄膜陶瓷基板實(shí)際情況合理確定。

8.2.5工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：

1工藝設(shè)備循環(huán)冷卻水的水質(zhì)、水溫、水壓應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)設(shè)備要求確

定;

2工藝設(shè)備循環(huán)冷卻水系統(tǒng)供水水溫不宜高于25℃,使用點(diǎn)壓力不

宜小于().3Mpa；

3工藝設(shè)備循環(huán)冷卻水系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置應(yīng)急備用電源。

8.2.6工藝設(shè)備循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的水溫和所在環(huán)境溫度不同時(shí)，管道布置

應(yīng)采取保溫措施。

8.2.7薄膜陶瓷基板工廠應(yīng)設(shè)置消防給水系統(tǒng)。

828消防給水系統(tǒng)的設(shè)置應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》

GB50016的有關(guān)規(guī)定外，并應(yīng)符合下列規(guī)定：

1室外消火栓宜采用地上式消火栓；

2廠房?jī)?nèi)應(yīng)設(shè)置室內(nèi)消火栓，自動(dòng)噴水滅火系統(tǒng)，滅火器系統(tǒng)；

3潔凈生產(chǎn)區(qū)宜設(shè)置濕式自動(dòng)噴水滅火系統(tǒng)。

8.3氣體動(dòng)力

8.3.1薄膜陶瓷基板工廠人工冷熱源宜采用集中設(shè)置的冷(熱)水機(jī)組和

供熱、換熱設(shè)備。機(jī)型和設(shè)備選擇，應(yīng)根據(jù)工廠所在地區(qū)的氣候、能源

構(gòu)成、能源政策、供應(yīng)價(jià)格及環(huán)保要求綜合比較確定。

8.3.2薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)同時(shí)需要供冷和供熱時(shí)，冷水機(jī)組宜根據(jù)負(fù)

荷要求選用熱回收機(jī)組，并采用自動(dòng)控制的方式調(diào)節(jié)機(jī)組的供熱量。

8.3.3過(guò)渡季節(jié)或冬季需用一定量的供冷負(fù)荷時(shí)，可利用冷卻塔作為冷源

設(shè)備。

8.3.4壓縮空氣系統(tǒng)應(yīng)符合下列規(guī)定：

1壓縮空氣系統(tǒng)的供氣規(guī)模應(yīng)按生產(chǎn)工藝所需實(shí)際用氣量及系統(tǒng)損

耗量綜合確定;

2壓縮空氣的供氣品質(zhì)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝對(duì)含水量、含油量、微粒粒

徑的要求確定；

3供氣設(shè)備宜集中布置在綜合動(dòng)力站內(nèi)；

4供氣主管道的管徑應(yīng)按照全系統(tǒng)實(shí)際用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；支管道的

管徑應(yīng)按照設(shè)備最大用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)。

8.3.5工藝真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：

1工藝真空管路應(yīng)按樹(shù)枝狀方式布置；

2工藝真空主管道的管徑應(yīng)按照全系統(tǒng)實(shí)際用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；支管

道的管徑應(yīng)按照設(shè)備最大用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；

3工藝真空系統(tǒng)的管道采用軟管連接時(shí)，應(yīng)選用金屬軟管；

4工藝真空管道宜架空敷設(shè)。

8.3.6清掃真空系統(tǒng)宜選用移動(dòng)式清掃真空設(shè)備。

8.3.7大宗氣體的供氣方式應(yīng)根據(jù)氣體用量、氣體品質(zhì)和當(dāng)?shù)氐墓鉅顩r

等因素，經(jīng)技術(shù)經(jīng)濟(jì)比較后確定。并應(yīng)符合下列規(guī)定。

1應(yīng)根據(jù)薄膜陶瓷基板生產(chǎn)的實(shí)際需求確定大宗氣體的種類(lèi)，氣體

品質(zhì)應(yīng)滿足生產(chǎn)工藝要求；

2氮?dú)庀到y(tǒng)宜采用外購(gòu)液氮儲(chǔ)罐經(jīng)過(guò)氣化和純化之后，通過(guò)管道供

應(yīng)至設(shè)備：

3氧氣、氮?dú)夂吐葰饪刹捎猛赓?gòu)瓶裝氣體供應(yīng)；

4大宗氣體管道連接應(yīng)采用焊接；管道閥門(mén)、附件的材質(zhì)宜與相連

接的管道材質(zhì)一致。

8.3.8薄膜陶瓷基板工廠的特種氣體應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《特種氣體系統(tǒng)

工程技術(shù)規(guī)范》GB50646的有關(guān)規(guī)定。

9電氣設(shè)計(jì)

9.1供電

9.1.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠的供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)除應(yīng)滿足生產(chǎn)工藝要求外，還應(yīng)

符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50052的規(guī)定。

9.1.2生產(chǎn)用主要工藝設(shè)備，宜由獨(dú)立變壓器或獨(dú)立低壓饋電線路直接供電。

9.1.3變壓器的臺(tái)數(shù)和容量應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝及其配套輔助設(shè)施、公用動(dòng)力設(shè)

施的用電負(fù)荷特點(diǎn)和變化狀況，正確配置。

9.1.4變壓器的選擇應(yīng)符合下列要求：

1應(yīng)選擇低損耗、低噪聲的節(jié)能型變壓器；并且變壓器的能效等級(jí)不應(yīng)低

于二級(jí)。

2變壓器之間宜設(shè)低壓聯(lián)絡(luò)。

9.1.5對(duì)電源連續(xù)性有特殊要求的設(shè)備及儀表，應(yīng)設(shè)置不間斷電源；對(duì)電源

可靠性有特殊要求的設(shè)備，應(yīng)設(shè)置應(yīng)急電源。

9.1.6消防負(fù)荷的供配電設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》

GB50016規(guī)定。

9.1.7廠房低壓配電電壓等級(jí)應(yīng)滿足生產(chǎn)工藝用電要求。系統(tǒng)接地型式宜采

用TN-S或TN-C-S系統(tǒng)。

9.1.8對(duì)注入電網(wǎng)諧波量較大的設(shè)備，宜在設(shè)備處及變壓器低壓母線上設(shè)置

相應(yīng)的諧波處理裝置，分梯級(jí)治理。

9.1.9變電所宜設(shè)置能源管理系統(tǒng)，并配置電流表、有功電能表等計(jì)量裝置。

9.2照明、配電和自動(dòng)控制

9.2.1薄膜陶瓷基板廠房主要生產(chǎn)用房間一般照明的照度值宜為3001X?

5001xo

9.2.2備用照明的設(shè)置應(yīng)符合下列規(guī)定：

1潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)設(shè)置備用照明；

2備用照明宜作為正常照明的一部分，且不低于該場(chǎng)所一般照明照度

值的10%o

9.2.3廠房?jī)?nèi)應(yīng)設(shè)置供人員疏散用的應(yīng)急照明和疏散標(biāo)志，設(shè)置的位置和要

求應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016的規(guī)定「

9.2.4潔凈區(qū)內(nèi)一般照明用燈具宜采用吸頂明裝、不易集塵、便于清潔的潔

凈燈具。當(dāng)采用嵌入式燈具時(shí)，其安裝縫隙應(yīng)有可靠密封措施。光刻間的照

明應(yīng)選擇符合光刻要求的燈光，宜采用黃光。

9.2.5薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房的配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)符合產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求。

926低壓電源進(jìn)線（不包括消防電源進(jìn)線）應(yīng)設(shè)置切斷裝置，并宜設(shè)置在

潔凈區(qū)外便于管理的場(chǎng)所。

9.2.7有凈化要求的生產(chǎn)工藝間內(nèi)宜選擇不易積塵、便于擦拭的配電設(shè)備。

9.2.8技術(shù)夾層內(nèi)的電氣配管宜采用金屬管。潔凈區(qū)的電氣管線宜暗敷，穿

線導(dǎo)管應(yīng)采用不燃材料。

9.2.9潔凈區(qū)的電氣管線管口及安裝于墻上的各種電器設(shè)備與墻體接縫處

應(yīng)有可靠的密封措施。

9.2.10有爆炸危險(xiǎn)房間的電氣設(shè)備選型，應(yīng)按現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《爆炸危險(xiǎn)環(huán)

境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50058的規(guī)定執(zhí)行。

9.2.11潔凈區(qū)的凈化空調(diào)系統(tǒng)應(yīng)具備自動(dòng)控制功能。

9.2.12凈化空調(diào)系統(tǒng)采用電加熱器時(shí)，電加熱器與風(fēng)機(jī)應(yīng)連鎖控制，并應(yīng)

設(shè)置無(wú)風(fēng)、超溫?cái)嚯姳Ｗo(hù)；當(dāng)采用電加濕器時(shí)，應(yīng)設(shè)置無(wú)水、無(wú)風(fēng)斷電保護(hù)。

9.3通信、信息

9.3.1廠房?jī)?nèi)通信設(shè)施的設(shè)置，應(yīng)符合下列規(guī)定：

1應(yīng)設(shè)置便于潔凈區(qū)內(nèi)外及各工段間聯(lián)系的語(yǔ)音通信裝置；

2可根據(jù)管理及工藝需要設(shè)置數(shù)據(jù)通信裝置；

3系統(tǒng)布線宜采用綜合布線系統(tǒng)；

4通信機(jī)房、配線間不宜設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)。

9.3.2廠房應(yīng)設(shè)置火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警及消防聯(lián)動(dòng)控制，系統(tǒng)的報(bào)警、聯(lián)動(dòng)控制及

顯示功能應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50116的相

關(guān)規(guī)定。

9.3.3消防控制室不應(yīng)設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)。

9.3.4潔凈區(qū)火災(zāi)報(bào)警后應(yīng)進(jìn)行核實(shí)，核實(shí)確認(rèn)后關(guān)閉相關(guān)部位的電動(dòng)防火

閥，停止相應(yīng)的凈化空調(diào)系統(tǒng)的循環(huán)風(fēng)機(jī)、排風(fēng)機(jī)和新風(fēng)機(jī)，啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的排

煙風(fēng)機(jī)，手動(dòng)切斷相關(guān)部位的非消防電源，同時(shí)應(yīng)接收相關(guān)的反饋信號(hào)。

935廠房應(yīng)設(shè)置事故應(yīng)急廣播系統(tǒng)，該系統(tǒng)宜同時(shí)具有公共事務(wù)廣播的功

能。潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)采用不影響空氣潔凈度等級(jí)的揚(yáng)聲器。

9.3.6設(shè)置了氣體探測(cè)器的場(chǎng)所應(yīng)設(shè)置有別于火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)的聲光報(bào)警裝

置。當(dāng)發(fā)生氣體泄漏報(bào)警時(shí)，應(yīng)聯(lián)動(dòng)啟動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)及值班室的聲光報(bào)警裝置，關(guān)

閉相關(guān)部位的氣體緊急切斷閥，聯(lián)動(dòng)啟動(dòng)相應(yīng)的事故排風(fēng)機(jī)，并應(yīng)將報(bào)警信

號(hào)送至消防控制室。

9.3.7廠房中宜設(shè)置閉路電視監(jiān)控系統(tǒng)和門(mén)禁控制系統(tǒng)。

10環(huán)境保護(hù)、節(jié)能與安全設(shè)施

10.1環(huán)境保護(hù)

10.1.1鍋爐房煙囪氣體的排放，應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《鍋爐大氣污染物排

放標(biāo)準(zhǔn)》GB13271和《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》GB16297以及所在地區(qū)有

關(guān)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

10.1.2動(dòng)力站房應(yīng)采取吸聲、減振、降噪的技術(shù)措施。

10.1.3工廠噪音應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》GB

12348的限值規(guī)定。

10.1.4生活廢水及排放應(yīng)符合工廠所在地的城市市政管理規(guī)定。

10.1.5鍍涂工序產(chǎn)生的電鍍廢水應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)環(huán)境保護(hù)

設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50894的有關(guān)規(guī)定。

10.1.6排風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置備用風(fēng)機(jī)或應(yīng)急電源。

10.1.7排風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)按照熱排風(fēng)、有機(jī)排風(fēng)和酸堿排風(fēng)分開(kāi)收集，分另L處理：

1酸堿排風(fēng)應(yīng)做中和處理達(dá)標(biāo)后再向大氣排放；

2有機(jī)排風(fēng)應(yīng)采取防火、防爆措施；

3酸、堿、有毒和有機(jī)排風(fēng)系統(tǒng)的廢氣處理設(shè)備應(yīng)設(shè)在排風(fēng)機(jī)的負(fù)壓

端；

4排風(fēng)管上應(yīng)設(shè)防倒灌止回閥。

10.1.8酸、堿、有毒和有機(jī)排風(fēng)系統(tǒng)的廢氣處理應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電

子工業(yè)環(huán)境保護(hù)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50894的有關(guān)規(guī)定。

10.1.9固體廢物、廢液應(yīng)分類(lèi)收集并進(jìn)行處理，不得采取任何方式排入自

然水體或任意拋棄。

10.2節(jié)能

10.2.1廠房設(shè)計(jì)應(yīng)注重節(jié)能的要求，建筑材料應(yīng)優(yōu)先選用節(jié)能材料。

33

10.2.2設(shè)備冷卻水應(yīng)使用循環(huán)水系統(tǒng)，宜對(duì)余熱回收利用。

10.2.3廠房中電鍍等耗能較大的設(shè)備應(yīng)選擇節(jié)能型設(shè)備。

10.2.4廠房的公共建筑部分的設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《公共建筑節(jié)能設(shè)

計(jì)標(biāo)準(zhǔn)》GB50189的有關(guān)規(guī)定。

10.2.5廠房電子工程的設(shè)計(jì)和施工應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工程節(jié)能設(shè)

計(jì)規(guī)范》GB50710的有關(guān)規(guī)定。

10.2.6廠房宜設(shè)置用電能耗監(jiān)測(cè)與計(jì)量系統(tǒng)，并進(jìn)行能效分析和管理。用

電負(fù)荷宜按照明、生產(chǎn)負(fù)荷和動(dòng)力負(fù)荷分別計(jì)量。

10.3安全設(shè)施

103.1廠區(qū)走廊應(yīng)設(shè)置應(yīng)急消防滅火設(shè)施，在進(jìn)入廠區(qū)和生產(chǎn)區(qū)的明顯位

置應(yīng)張貼應(yīng)急疏散通道示意圖，并應(yīng)設(shè)有逃生通道。

10.3.2在潔凈廠房?jī)?nèi)不應(yīng)設(shè)置干粉滅火器，宜配置推車(chē)式二氧化碳?xì)怏w滅

火器，滅火器的設(shè)置應(yīng)滿足現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑滅火器配置設(shè)計(jì)規(guī)范》GB

5014()的相關(guān)規(guī)定。

10.3.3室內(nèi)外消火栓應(yīng)采用各自獨(dú)立的加壓供水方式，室內(nèi)應(yīng)設(shè)置消火栓

箱，消火栓箱內(nèi)應(yīng)設(shè)置減壓裝置和啟動(dòng)消防泵按紐，室內(nèi)消火栓應(yīng)保證采用

兩支水槍充實(shí)水柱到達(dá)室內(nèi)任何部位，且應(yīng)布置在位置明顯、易于操作的位

置。室內(nèi)外消防栓應(yīng)滿足現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《消防給水及消火栓系統(tǒng)規(guī)范》

GB50974的相關(guān)規(guī)定。

10.3.4潔凈區(qū)應(yīng)設(shè)置自動(dòng)噴水滅火系統(tǒng)，自動(dòng)噴水滅火系統(tǒng)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家

標(biāo)準(zhǔn)《自動(dòng)噴水滅火系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50084的相關(guān)要求。

10.3.5廠區(qū)的消防設(shè)計(jì)除應(yīng)滿足以上要求外，還應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建

筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016的規(guī)定。

10.3.6薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)消防控制室，應(yīng)設(shè)置火災(zāi)報(bào)警控制器及

聯(lián)動(dòng)控制盤(pán)，與廠區(qū)監(jiān)控中心連通，接收?qǐng)?bào)警信號(hào)并啟動(dòng)相應(yīng)的消防設(shè)備。

34

10.3.7生產(chǎn)用房?jī)?nèi)應(yīng)設(shè)置火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)，火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)

準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016的規(guī)定。

10.3.8功能性接地、保護(hù)性接地、電磁兼容性接地、建筑防雷接地宜采用共

用接地系統(tǒng)。接地電阻值應(yīng)按其中最小值確定，且不應(yīng)大于1Q。

10.3.9當(dāng)電子設(shè)備的功能接地要求分開(kāi)設(shè)置時(shí)，應(yīng)設(shè)有防止雷電反擊措施。

分開(kāi)設(shè)置的接地系統(tǒng)接地級(jí)應(yīng)與共用接地系統(tǒng)接地極保持20m以上的間距。

10310薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房防雷接地設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑物防

雷設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50057的有關(guān)規(guī)定。

10.3.11薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房應(yīng)根據(jù)工藝生產(chǎn)要求采取靜電防護(hù)措施。

10.3.12廠房潔凈室內(nèi)的防靜電措施應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)

范》GB50073的有關(guān)規(guī)定。

35

附錄A薄膜陶瓷基板生產(chǎn)線基本工藝流程

圖典型薄膜工藝流程圖

36

本標(biāo)準(zhǔn)用詞說(shuō)明

1為便于在執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)條文時(shí)區(qū)別對(duì)待，對(duì)要求嚴(yán)格程度不同的用詞說(shuō)明

如下：

1）表示很?chē)?yán)格，非這樣做不可的用詞：

正面詞采用“必須”，反面詞采用“嚴(yán)禁”；

2）表示嚴(yán)格，在正常情況下均應(yīng)這樣做的用詞：

正面詞采用“應(yīng)”，反面詞采用“不應(yīng)”或“不得”；

3）表示允許稍有選擇，在條件許可時(shí)首先應(yīng)這樣做的用詞：

正面詞采用“宜”，反面詞采用''不宜”；

4）表示有選擇，在一定條件下可以這樣做的用詞，采用“可

2本標(biāo)準(zhǔn)條文中指明應(yīng)按其他有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范執(zhí)行的用詞，寫(xiě)法為“應(yīng)符

合……的規(guī)定''或"應(yīng)按……執(zhí)行

37

引用標(biāo)準(zhǔn)名錄

《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》GB12348

《鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》GB13271

《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》GB16297

《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016

《工業(yè)建筑供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50019

《空壓站設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50029

《供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50052

《爆炸和火災(zāi)危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50058

《火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系列規(guī)范》GB50116

《建筑滅火器配置設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50140

《公共建筑節(jié)能設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)》GB50189

《建筑內(nèi)部裝修設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50222

《建筑工程抗震設(shè)防分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)》GB50223

《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472

《電子工程節(jié)能設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50710

《大宗氣體純化及輸送系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50724

《電子工業(yè)環(huán)境保護(hù)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50894

38

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)

GBXXXXX-XXXX

條文說(shuō)明

（初稿）

39

目錄

1總則..........................................................42

3總體設(shè)計(jì).......................................................43

3.1一股規(guī)定........................................................................43

4基本工藝.......................................................45

4.1一般規(guī)定......................................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

4.2陶瓷基板處理....................................................................45

4.3厚膜漿料貯存....................................................................45

4.4印刷網(wǎng)版制作....................................................................45

4.5絲網(wǎng)印刷........................................................................46

4.6通孑L金屬化..................................................................46

4.7燒結(jié)............................................................................47

4.8激光調(diào)阻........................................................................47

4.9鍍涂............................................................................48

4.10裂片........................................................................48

4.11熟切..........................................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

4.12測(cè)試......................................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

5工藝設(shè)備配置...................................................53

5.1一般規(guī)定.......................................................................49

5.4印刷網(wǎng)版制作工藝設(shè)備..........................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

5.5絲網(wǎng)印刷工藝設(shè)備...............................................................49

5.8激光調(diào)阻工藝設(shè)備...............................................................49

5.11熟切工藝設(shè)備...................................................................49

6建筑與結(jié)構(gòu).....................................................5()

6.1建筑............................................................................50

6.2結(jié)構(gòu)............................................................................50

7公用設(shè)施及動(dòng)力.................................................51

7.1空調(diào)凈化系統(tǒng)...................................................................51

7.2給水排水........................................................................51

7.3冷熱源..........................................................................51

7.4氣體動(dòng)力........................................................................51

7.5通風(fēng)及防排煙系統(tǒng)..............................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

8電氣設(shè)計(jì).......................................................52

8.1供電系統(tǒng)....................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

8.2照明、配電和自動(dòng)控制.......................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

8.3通信、信息..................................錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

9環(huán)境保護(hù)、節(jié)能與消防................

40

錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

9.1環(huán)境保護(hù)

錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。

9.2節(jié)能....

1總則

1.0.1目前，薄膜陶瓷技術(shù)已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)混合集成電路領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)和投

資熱點(diǎn)，國(guó)內(nèi)現(xiàn)有多條薄膜陶瓷基板生產(chǎn)線，由于缺乏統(tǒng)一的專(zhuān)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，薄

膜陶瓷基板生產(chǎn)制造工藝技術(shù)和產(chǎn)品檢測(cè)方法不統(tǒng)一，一定程度上制約了薄

膜陶瓷基板技術(shù)的推廣應(yīng)用，影響了薄膜陶瓷基板工藝線的建設(shè)成效。

本標(biāo)準(zhǔn)的制定，旨在為薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工廠提供較為全面和系統(tǒng)的技

術(shù)指導(dǎo)和依據(jù)，推動(dòng)國(guó)內(nèi)薄膜陶瓷基板技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展。

1.0.2薄膜陶瓷電路基板是指在陶瓷基板上通過(guò)濺射、光刻、電鍍等混合集

成電路工藝將電阻、金屬導(dǎo)體等集成為一體，形成特定功能的電路基板。薄

膜電路中主要有四種薄膜材料：導(dǎo)體、電阻、介質(zhì)和絕緣薄膜。所有薄膜材

料都是通過(guò)蒸發(fā)、濺射等工藝形成，膜厚從幾百埃到幾千埃之間，后期通過(guò)

電鍍工藝增加微帶線的厚度以滿足微波電路使用要求。

薄膜工藝適合于各種電路的加工，特別是要求精度高、溫度性能好的電

路。與厚膜工藝相比，薄膜電路的特點(diǎn)是所制作的元件參數(shù)范圍寬、精度高、

溫度頻率特性好，可以工作到毫米波段，并且集成度較高、尺寸小，但是所

用工藝設(shè)備比較昂貴、生產(chǎn)成本較高。薄膜工藝所使用的基板材料主要有氮

化鋁、氧化鋁、氧化鍍、鐵氧體、石英等。

42

3總體設(shè)計(jì)

3.1一般規(guī)定

3.1.1由于薄膜陶瓷基板產(chǎn)品市場(chǎng)和工藝技術(shù)的發(fā)展變化，有時(shí)需要對(duì)生產(chǎn)

能力、產(chǎn)品品種和工藝設(shè)備及布置進(jìn)行調(diào)整，因此在工藝設(shè)計(jì)中采取一些預(yù)

留條件是必要的V

3.1.2薄膜陶瓷基板主要采用濺射、光刻、電鍍、激光、劃片等加工工藝,

這些具有半導(dǎo)體工藝特征的生產(chǎn)工序?qū)Ω鞣N動(dòng)力需求、動(dòng)力品質(zhì)、環(huán)境要求、

三廢排放，安全設(shè)施等方面有所不同，因此，需要工藝專(zhuān)業(yè)根據(jù)具體薄膜陶

瓷基板工廠生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)和具體要求，確定工程設(shè)計(jì)參數(shù)，這也是工廠設(shè)

計(jì)的前提條件。

3.2廠址選擇

3.2.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)所需的化學(xué)品和氣體一旦發(fā)生泄漏或爆炸，有害廢

水意外滲漏，有害廢氣未達(dá)標(biāo)排放等，容易危及周邊居民的健康、生命以及

建（構(gòu)）筑物的安全。

薄膜陶瓷基板的生產(chǎn)工藝有空氣潔凈度要求，廠址宜選在大氣含塵濃度

較低的地區(qū)，不宜選擇在氣候干旱、多風(fēng)沙地區(qū)或有嚴(yán)重空氣污染的城市工

業(yè)區(qū)。

另外，潔凈廠房?jī)?nèi)布置有精密設(shè)備和精密儀表，它們有防微振要求。在

廠址選擇過(guò)程中，需要了解周?chē)裨磳?duì)生產(chǎn)的影響，以確定該廠址或場(chǎng)地是

否適宜建設(shè)。

43

3.3總體規(guī)劃及布局

3.3.1

1在充分考慮薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工藝特點(diǎn)，結(jié)合潔凈廠房?jī)?nèi)各功能區(qū)合

理布置的情況下，建議將潔凈廠房按不同功能集中和組合，考慮多層潔

停車(chē)間布置方式，可以節(jié)約土地，提高生產(chǎn)效率，降低能源消耗。

44

4工藝設(shè)計(jì)

4.1工藝流程設(shè)計(jì)

4.1.2不同的薄膜陶瓷基板生產(chǎn)線會(huì)采用不同的生產(chǎn)工藝，常用的加工方法

主要有三種：一種是先在陶瓷基板上蒸發(fā)或?yàn)R射膜層，再電鍍加厚最后光刻

腐蝕出圖形；另一種是在蒸發(fā)或?yàn)R射膜層上先光刻腐蝕出圖形，再壓焊工藝

線電鍍加厚；最后一種圖形電鍍，該方法加工的薄膜電路具有精度高、圖形

分辨率高等優(yōu)點(diǎn)，是目前大多數(shù)廠家采用的工藝方法。

5基本工藝

5.2基片準(zhǔn)備

5.2.1檢驗(yàn)陶瓷基片的各項(xiàng)性能指標(biāo)是否滿足使用需求，包括外觀、尺寸、