完整版模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-知識點總結(jié)

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共發(fā)射極、共基極、共集電極。2.三極管的工作原理---基極輸入信號控制發(fā)射結(jié)電流，從而控制集電極電流，實現(xiàn)信號放大。3.三極管的放大倍數(shù)---共發(fā)射極放大倍數(shù)最大，共集電極放大倍數(shù)最小。三.三極管的基本放大電路1.共發(fā)射極放大電路---具有電壓放大和電流放大的作用。2.共集電極放大電路---具有電壓跟隨和電流跟隨的作用。3.共基極放大電路---具有電壓放大的作用，輸入電阻較低。4.三極管的偏置電路---通過對三極管的基極電壓進(jìn)行偏置，使其工作在放大區(qū)，保證放大電路的穩(wěn)定性。四.三極管的應(yīng)用1.放大器---將弱信號放大為較強的信號。2.開關(guān)---控制大電流的通斷。3.振蕩器---產(chǎn)生高頻信號。4.穩(wěn)壓電源---利用三極管的負(fù)溫度系數(shù)特性，實現(xiàn)穩(wěn)定的輸出電壓。模擬電子技術(shù)復(fù)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅Si、鍺Ge。2.半導(dǎo)體具有光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體是純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.載流子是帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子，是半導(dǎo)體中的兩種主要載流體。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。根據(jù)摻雜元素的不同，可分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性包括載流子的濃度、體電阻和轉(zhuǎn)型等。7.PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的結(jié)，具有單向?qū)щ娦院徒佑|電位差等特性。8.PN結(jié)的伏安特性是指在不同電壓下，PN結(jié)的電流和電壓之間的關(guān)系。二.半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管是由PN結(jié)組成的單向?qū)щ娖骷?.半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦?，即只有在正向電壓作用下才能?dǎo)通，反向電壓下截止。2.半導(dǎo)體二極管的伏安特性與PN結(jié)的伏安特性相似，具有正向?qū)▔航岛退绤^(qū)電壓等特性。3.分析半導(dǎo)體二極管的方法包括圖解分析法和等效電路法等。三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管是一種特殊的二極管，其正常工作狀態(tài)是處于PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，具有穩(wěn)壓的作用。第二章三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點1.三極管分為NPN和PNP兩種類型，具有基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)等結(jié)構(gòu)。2.三極管的特點是基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.三極管的工作原理是基極輸入信號控制發(fā)射結(jié)電流，從而控制集電極電流，實現(xiàn)信號放大。2.三極管的放大倍數(shù)與不同組態(tài)的電路有關(guān)。三.三極管的基本放大電路1.共發(fā)射極放大電路具有電壓放大和電流放大的作用。2.共集電極放大電路具有電壓跟隨和電流跟隨的作用。3.共基極放大電路具有電壓放大的作用，輸入電阻較低。4.三極管的偏置電路可保證放大電路的穩(wěn)定性。四.三極管的應(yīng)用1.放大器可將弱信號放大為較強的信號。2.開關(guān)可控制大電流的通斷。3.振蕩器可產(chǎn)生高頻信號。4.穩(wěn)壓電源可利用三極管的負(fù)溫度系數(shù)特性，實現(xiàn)穩(wěn)定的輸出電壓。VCCUCES2UOMAX2.共射電路的特性曲線包括輸入特性曲線和輸出特性曲線。輸入特性曲線與二極管相同，而輸出特性曲線則受到飽和管壓降的影響，用UCES表示。在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏；而在截止區(qū)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度的升高會導(dǎo)致輸入特性曲線向左移動，同時ICBOICEOIC以及β均會增加。三.低頻小信號等效模型可以簡化電路的分析。其中，hie表示輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；hfe表示輸出端交流短路時的正向電流傳輸，常用β表示。四.基本放大電路由VT、VCCRbRcC1和C2組成。其組成原則是能放大、不失真、能傳輸。五.放大電路的圖解分析法包括直流通路與靜態(tài)分析以及交流通路與動態(tài)分析。在直流通路與靜態(tài)分析中，直流負(fù)載線由VCCICRCUCE確定的直線，而電路參數(shù)的改變會影響靜態(tài)工作點的位置。在交流通路與動態(tài)分析中，交流負(fù)載線連接Q點和VCC點，用于分析信號被放大的過程。靜態(tài)工作點與非線性失真包括截止失真和飽和失真，而放大器的動態(tài)范圍則由Uopp決定。OMAX=2(UCEQ-XXX)。當(dāng)UCEQ-XXX'-UCEQ時，放大器將有最大的不失真輸出電壓。放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析靜態(tài)工作點的近似估算和Q點在放大區(qū)的條件。為使Q點不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB。βRc。2.動態(tài)分析包括放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。分壓式穩(wěn)定工作點共放大電路的等效電路1.靜態(tài)分析射極路法。2.動態(tài)分析包括電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。共集電極基本放大電路1.靜態(tài)分析2.動態(tài)分析包括電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。電路特點是電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。輸入電阻高，輸出電阻低。第三章場效應(yīng)管及其基本放大電路結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號。2.輸出特性曲線，包括可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。轉(zhuǎn)移特性曲線，截止電壓為UP。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號。2.特性曲線，包括N-EMOS的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線，以及N-DMOS的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線。其中，IDO是UGS=2UT時所對應(yīng)的ID值。場效應(yīng)管的主要參數(shù)包括漏極飽和電流IDSS、夾斷電壓UP、開啟電壓UT、直流輸入電阻RGS和低頻跨導(dǎo)gm（表明場效應(yīng)管是電壓控制器件）。場效應(yīng)管的小信號等效模型，E-MOS的跨導(dǎo)gm。共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路靜態(tài)分析和動態(tài)分析。若帶有Cs，則需要考慮。2.分壓式偏置放大電路靜態(tài)分析和動態(tài)分析。若源極帶有Cs，則需要考慮。共漏極基本放大電路靜態(tài)分析或動態(tài)分析。第五章功率放大電路功率放大電路的三種工作狀態(tài)包括甲類工作狀態(tài)、乙類工作狀態(tài)和甲乙類工作狀態(tài)。甲類工作狀態(tài)導(dǎo)通角為360度，ICQ大，管耗大，效率低。乙類工作狀態(tài)ICQ≈，導(dǎo)通角為180度，效率高，失真大。輸入電阻無限大，輸出電阻為0；無限大的帶寬和相位裕度；無限大的共模抑制比和溫度穩(wěn)定性；無限大的動態(tài)范圍和線性度。2.理想集成運放的分析方法虛短法：將輸入端看作短路，輸出端看作開路，求出輸出電壓；虛斷法：將輸入端看作開路，輸出端看作短路，求出輸入電壓；超前增益法：將輸入端看作短路，輸出端看作負(fù)載，求出增益；反饋法：通過反饋網(wǎng)絡(luò)將輸出端的信號反饋到輸入端，改變電路的輸入輸出特性。4.減小非線性失真、抑制干擾和噪聲的方法包括改變放大電路的輸入輸出電阻。串聯(lián)負(fù)反饋可增加輸入電阻，而并聯(lián)負(fù)反饋會減小輸入電阻。電壓負(fù)反饋會減小輸出電阻，而電流負(fù)反饋則會增加輸出電阻。五.自激振蕩的原因和條件1.自激振蕩的原因是附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2.產(chǎn)生自激振蕩的條件可表示為幅值和相位的條件。在平衡條件下，幅值和相位必須滿足一定的條件。第八章信號的運算與處理分析依據(jù)為“虛斷”和“虛短”，基本運算電路包括反相比例運算電路、同相比例運算電路、反相求和運算電路、同相求和運算電路和加減運算電路。積分和