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文檔簡(jiǎn)介

固態(tài)硬盤SolidStateDrive簡(jiǎn)介中文名固態(tài)硬盤/固態(tài)驅(qū)動(dòng)器外文名SolidStateDrive應(yīng)用領(lǐng)域軍事、車載、工控、電力、醫(yī)療等組成由控制單元與存儲(chǔ)單元組成分類采用閃存（FLASH芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì)采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)發(fā)展歷程1956年世界上第一塊硬盤1968年“溫徹斯特”技術(shù)可行性1970年第一個(gè)固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器。1984年發(fā)明閃存1989年世界上第一款固態(tài)硬盤2006年3月發(fā)布32GB容量的固態(tài)硬盤筆記本電腦2008年9月中國(guó)企業(yè)加速進(jìn)軍固態(tài)硬盤行業(yè)2009年存儲(chǔ)虛擬化正式走入新階段2010年2月首款SATA6Gbps接口固態(tài)硬盤2010年底第一款高性能mSATA固態(tài)硬盤并獲取專利權(quán)2015年8月1日首款Type-C接口的移動(dòng)固態(tài)硬盤2016年1月1日首款Type-C指紋加密SSD基本結(jié)構(gòu)控制芯片緩存芯片閃存芯片控制芯片主控芯片是固態(tài)硬盤的大腦作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存芯片上的負(fù)荷。作用二則是承擔(dān)了整個(gè)數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部SATA接口。緩存芯片固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤一樣需要高速的緩存芯片輔助主控芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。一些廉價(jià)固態(tài)硬盤方案為省成本，省去了緩存芯片，性能會(huì)有一定的影響。閃存芯片PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash閃存芯片了。NANDFlash閃存芯片又分為SLC（單層單元）MLC（多層單元）以及TLC（三層單元)NAND閃存優(yōu)點(diǎn)讀寫速度快防震抗摔性低功耗無噪音工作溫度范圍大輕便缺點(diǎn)容量壽命限制售價(jià)高使用與保養(yǎng)不

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