半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工（高級）考試題（附答案）

半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工（高級）考試題（附答案）單選題1.作為新型陶瓷的粉體，要求其（）。A、團(tuán)聚少B、化學(xué)組成精確C、純度高D、組成分布均勻參考答案：A2.作為陶瓷基板材料，與氧化鋁和氮化鋁相比，氧化鈹?shù)膬?yōu)勢有（）。A、高密度B、高介電損耗C、高熱導(dǎo)系數(shù)D、高介電強(qiáng)度參考答案：C3.作為過壓保護(hù)的壓敏電阻，在性能上要求其（）。A、耐磨性強(qiáng)B、非線性系數(shù)高C、反應(yīng)速度快D、漏電流低參考答案：D4.準(zhǔn)備測量數(shù)字電路中輸入和輸出共6路信號，選用（）儀器最好。A、四通道示波器B、邏輯分析儀C、數(shù)字萬用表D、兩通道示波器參考答案：B5.職業(yè)道德建設(shè)的核心是（）A、服務(wù)群眾B、愛崗敬業(yè)C、辦事公道D、奉獻(xiàn)社會參考答案：A6.直流負(fù)反饋是指（）。A、存在于RC耦合電路中的負(fù)反饋B、放大直流信號時才有的負(fù)反饋C、直流通路中的負(fù)反饋D、只存在于直接耦合電路中的負(fù)反饋參考答案：C7.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因主要是（）。A、電阻阻值有誤差B、晶體管參數(shù)的分散性C、晶體管參數(shù)受溫度影響D、受輸入信號變化的影響參考答案：C8.在要求小容量的高頻電路中，應(yīng)盡量選用（）。A、瓷介電容B、滌綸電容C、鉭電解電容D、鋁電解電容參考答案：A9.在選擇人工齒材料時，應(yīng)注意其（）等方面的性能指標(biāo)。A、強(qiáng)度B、色澤C、粘度度D、韌性參考答案：A10.在現(xiàn)代陶瓷材料燒結(jié)過程中如何促進(jìn)燒結(jié)過程（）。A、原始粉末性質(zhì)B、外加劑C、成型壓力D、燒結(jié)工藝參考答案：A11.在使用電容器時，加在其兩端的電壓應(yīng)滿足（）額定電壓。A、大于B、遠(yuǎn)高于C、小于D、無限制參考答案：C12.在設(shè)計大扇入電路時，可以采取多種技術(shù)來降低其電路延時，以下不是降低延時的方法是（）。A、調(diào)整晶體管尺寸B、將關(guān)鍵路徑上的晶體管調(diào)整至靠近門的輸入端C、逐級加大晶體管尺寸D、變換邏輯來減少單個門的輸入信號個數(shù)參考答案：B13.在鋁絞線中加入鋼芯的作用是（）。A、提高導(dǎo)電能力B、增大導(dǎo)線面積C、提高機(jī)械強(qiáng)度D、抗燃能力提升參考答案：C14.在客戶端檢驗(yàn)產(chǎn)品需？（）A、帽子B、手表C、佩戴靜電手環(huán)D、以上全是參考答案：C15.在高頻電路中，一般不允許選用（）電阻2ndA、金屬電阻B、金屬氧電阻C、鋼膜電阻D、線電阻參考答案：D16.在放大電路中的晶體管，其電位最高的一個電極是（）。A、PNP管的集電極B、NPN管的發(fā)射極C、PNP管的發(fā)射極D、PNP管的發(fā)射極參考答案：B17.在半導(dǎo)體電路中,主要選用快速熔斷器作（）保護(hù)。A、過壓B、短路C、過熱D、100參考答案：B18.在Si-Na2O-V2O5系濕敏電阻中，Si的作用是（）。A、吸附水分B、燒結(jié)助劑C、提高壽命D、產(chǎn)生半導(dǎo)體效應(yīng)參考答案：D19.在Lens成像計算公式中V""代表？（）"A、速度B、EFLC、物距D、像距參考答案：D20.在Lens成像計算公式中F""代表？（）"A、速度B、EFLC、物距D、像距參考答案：B21.預(yù)防宿舍火災(zāi)，應(yīng)注意以下哪幾條（）。A、不在宿舍使用"熱得快"等違章電器B、不在宿舍使用酒精爐C、不躺臥吸煙和亂扔煙頭，最好不在宿舍抽煙D、離開宿舍時拔下電源插頭參考答案：C22.用萬用表測量9k的電阻，檔位應(yīng)該選擇（）。A、2kB、15kC、5kD、1k參考答案：A23.用滅火器滅火時，滅火器的噴射口應(yīng)該對準(zhǔn)火焰的（）。A、上部B、中部C、根部D、頂部參考答案：C24.用45S5作為骨連接材料是，一旦發(fā)生斷裂，其斷裂位置位于（）。A、45S5上B、兩者界面上C、隨機(jī)出現(xiàn)D、人體骨骼上參考答案：A25.擁有以下（）性質(zhì)的材料在宏觀上具有磁性的。A、鐵磁性B、鐵電性C、反鐵磁性D、亞鐵磁性參考答案：A26.異時可能引起什么不良？（）A、WBB、SFRC、臟污D、暗角參考答案：A27.以下屬于結(jié)構(gòu)陶瓷的是（）。A、氧化物陶瓷B、氮化鋁陶瓷C、氧化鋁陶瓷D、氧化硅陶瓷參考答案：B28.以下哪些是實(shí)驗(yàn)室拍攝解析力用到的Chart？（）A、MTFB、棋盤ChartC、SFRX型ChartD、TVline參考答案：D29.以下哪個不是降低開關(guān)活動性的設(shè)計技術(shù)：（）。A、分時復(fù)用資源B、提前輸入具有較高翻轉(zhuǎn)率的信號C、改變邏輯電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)D、通過均衡信號路徑來減少毛刺參考答案：B30.以下可以作為微波器件的是（）。A、軟磁鐵氧體B、矩磁鐵氧體C、旋磁鐵氧體D、硬磁鐵氧體參考答案：C31.以下具有較低韌性的氧化鋯陶瓷是（）。A、TZPB、ZTAC、FSZD、PSZ參考答案：C32.以下（）在新型陶瓷的應(yīng)用中所占比例最高。A、硬度B、速度C、電功能D、傳播參考答案：C33.以下（）在陶瓷中硬度較高。A、氧化鈦B、氧化鋅C、氧化鋅D、氧化鈣參考答案：B34.以下（）屬于電介質(zhì)陶瓷。A、熱釋電體B、壓電體C、介電體D、鐵電體參考答案：D35.以下（）是世界知名的電功能陶瓷的生產(chǎn)企業(yè)。A、TOTOB、FERROC、TDKD、京瓷參考答案：B36.以下（）類型的敏感陶瓷屬于對物理性質(zhì)敏感。A、光敏B、熱敏C、濕敏D、氣敏參考答案：A37.以下（）的粉體適合于新型陶瓷的生產(chǎn)。A、板狀B、球形C、不規(guī)則形狀D、柱狀參考答案：B38.一體式單鏡頭來料AA前不清洗直接烘烤的作用是？（）A、烘干內(nèi)部膠水B、釋放應(yīng)力C、改善點(diǎn)污D、防止鏡頭進(jìn)水參考答案：B39.一般濕敏電阻的相應(yīng)時間是（）量級的。A、毫秒B、分C、微秒D、秒?yún)⒖即鸢福篋40.搖表的兩個主要組成部分是手搖（）和磁電式流比計。A、直流發(fā)電機(jī)B、電流互感器C、交流發(fā)電機(jī)D、三相異步電動機(jī)參考答案：A41.氧化鋅壓敏電阻的壓敏特性主要來源于其結(jié)構(gòu)中的（）。A、主晶相B、晶界C、氣孔D、第二相參考答案：B42.氧化物陶瓷由那幾個部分組成（）。A、陶瓷材料B、氧化鋁C、氧化鐵D、碳化硅參考答案：B43.氧化物陶瓷：主要成分是（）。A、l2O4B、SiO2C、AiO2D、Al2O2參考答案：A44.氧化物基金屬陶瓷特性（）。A、熱穩(wěn)定性B、抗氧化性C、抗熱振性D、抗腐蝕性參考答案：C45.壓敏電阻主要的性能參數(shù)有（）。A、壓敏電壓B、都有電壓放大作用C、都有電流放大作用D、只有共射極電路有功率放大作用參考答案：A46.壓電效應(yīng)是（）與（）之間的相互轉(zhuǎn)化。A、電能、光能B、熱能、機(jī)械能C、電能、機(jī)械能D、熱能、電能參考答案：B47.蓄電池是將所獲得的電能以0的形式儲存,并能夠?qū)⑵滢D(zhuǎn)換成電能的電化學(xué)裝置,可以重復(fù)充電和放電。A、機(jī)械能B、化學(xué)能C、動能D、勢能參考答案：B48.需長時間操作大功率的電烙鐵，一般采用（）握持方法較好。A、都可以B、正握法C、反握法D、握筆法參考答案：C49.新型陶瓷是按照（）進(jìn)行分類的。A、成分B、結(jié)構(gòu)C、工藝D、功能參考答案：D50.相比于磁性金屬材料，磁性陶瓷材料具有（）等特點(diǎn)。A、損耗低B、居里溫度低C、高頻性能優(yōu)秀D、磁化率高參考答案：B51.現(xiàn)需要一種能通過較大大流的電阻元件，應(yīng)該選用以下的（）。A、碳膜電阻B、碳膜電阻C、金屬膜電阻D、線繞電阻參考答案：D52.現(xiàn)需要一種大容量且精度要求不高的電容器，應(yīng)該選用以下的（）。A、電容B、鋁電解電容C、滌綸電容D、云母電容參考答案：B53.下面有關(guān)導(dǎo)線接觸電阻的說法正確的是：（）。A、為了降低接觸電阻，接觸孔應(yīng)該設(shè)計得盡可能大。B、電流往往集中在一個較大接觸孔的周邊，這一效應(yīng)稱為電流集聚，電流集聚效應(yīng)將限制接觸孔的最小尺寸。C、布線層內(nèi)的互連將給導(dǎo)線帶來額外的電阻，稱為接觸電阻。D、為避免過多的接觸或通孔，應(yīng)該盡可能地使信號線保持在同一層。參考答案：D54.下面有關(guān)MOS晶體管閾值電壓的說法不正確的是：（）。A、閾值電壓通常對于NMOS器件是一個正值，對于PMOS器件是一個負(fù)值。B、隨著柵電壓的不斷提高，耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。C、當(dāng)源與體之間存在襯底偏置電壓VSB時，將會使n溝MOS管的閾值電壓增大。D、不同體偏置下條件下的閾值電壓可以由下式確定：參考答案：B55.下面關(guān)于傳播延時的定義錯誤的是（）。A、傳播延時只與電路工藝和拓?fù)溥B接有關(guān)。B、通常所說的傳播延時是針對門的。C、傳播延時tp是tpLH（門的輸出由低至高翻轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間）和tpHL（輸出由高至低翻轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間）這兩個時間的平均值。D、輸入和輸出波形的50%翻轉(zhuǎn)點(diǎn)之間的時間。參考答案：A56.下列新能源中屬于二次能源的是（）。A、熱能B、核能C、生物質(zhì)能D、太陽能參考答案：C57.下列屬于不屬于新能源（）A、地?zé)崮蹷、風(fēng)能C、水能D、生物質(zhì)能參考答案：C58.下列哪些原因不會導(dǎo)致實(shí)測遠(yuǎn)焦Code值偏大？（）A、馬達(dá)鎖附高度偏小B、lens混模穴號C、半成品膠厚過大D、B膠厚過厚參考答案：C59.下列關(guān)于降低CMOS反相器的降低電源電壓說法錯誤的是（）。A、降低電源電壓使反相器對外部噪聲源更加敏感。B、降低電源電壓意味著減小信號擺幅和能耗。C、降低電源電壓的同時會使門的延時減小。D、降低電源電壓可以幫助減小系統(tǒng)的內(nèi)部噪聲。參考答案：C60.下列材料中,導(dǎo)電性能最好的是（）。A、銅B、鋁C、銀D、必須在電動機(jī)完全停轉(zhuǎn)后才參考答案：C61.下道工站對上道工站流下的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，叫做？（）A、抽檢B、互檢A、2035SCB、4001FSC、6220D、4051L參考答案：C62.穩(wěn)壓管反向擊穿后，其后果為（）。A、永久性損壞B、只要流過穩(wěn)壓管電流不超過規(guī)定值允許范圍，管子無損C、由于擊穿而導(dǎo)致性能下降D、擊穿后損壞參考答案：B63.穩(wěn)壓二極管主要是利用其（）特性，可以在電路中穩(wěn)壓。A、恒流特性B、導(dǎo)電性C、反向擊穿特性D、非一線性參考答案：C64.溫度穩(wěn)定性最好的穩(wěn)壓管是（）。A、穩(wěn)定電壓UZ=6V的管子B、穩(wěn)定電壓UZ>6V的管子C、穩(wěn)定電壓UZD、穩(wěn)定電壓UZ參考答案：A65.為了使三極管可靠地截止，電路必須滿足（）。A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏B、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏參考答案：B66.為了使兩輸入NAND門的下拉延時tphl與最小尺寸的反相器相同，在PDN串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中的NMOS器件必須設(shè)計為反相器中的NMOS寬度的（），以使NAND下拉網(wǎng)絡(luò)的等效電阻與反相器的相同。A、二分之一B、一倍C、四倍D、兩倍參考答案：D67.微波鐵氧體的應(yīng)用領(lǐng)域包括（）等。A、開關(guān)元件B、邏輯元件C、錄音機(jī)磁芯D、環(huán)形器參考答案：D68.通用型集成運(yùn)放的輸入級采用差動放大電路，這是因?yàn)樗模ǎ?。A、輸入電阻高B、輸出電阻低C、共模抑制比大D、電壓放大倍數(shù)大參考答案：C69.鐵氧體的主要成分包括（）。A、氧化鐵B、金屬鐵C、鐵的復(fù)合氧化物D、金屬鐵和鐵的復(fù)合氧化物參考答案：C70.鐵殼開關(guān)在作控制電機(jī)啟動和停止時,要求額定電流要大于或等于（）倍電動機(jī)額定電流。A、兩B、一C、三D、四參考答案：A71.鐵電體在居里溫度以上的相屬于（）。A、順電相B、逆電相C、無電相D、鐵電相參考答案：A72.調(diào)焦時發(fā)現(xiàn)每顆產(chǎn)品角落均存在暗角遮擋，可能發(fā)生的原因是？（）A、調(diào)焦環(huán)抬起高度設(shè)置過大，導(dǎo)致遮擋B、調(diào)焦環(huán)設(shè)計有問題，需要重新設(shè)計C、調(diào)焦環(huán)插入深度不夠，形成遮擋D、客戶要求的，做著給客戶看參考答案：B73.陶瓷有（）的性能特點(diǎn)。A、硬度大B、彈性好C、韌性大D、熔點(diǎn)高參考答案：D74.陶瓷的概述以下錯誤的是（）。A、高硬度B、高溫穩(wěn)定性C、高耐磨性D、高導(dǎo)電性參考答案：D75.碳材料作為惰性生物材料的優(yōu)點(diǎn)有（）。A、密度低B、韌性高C、硬度低D、模量低參考答案：A76.數(shù)字萬用表能直接測量三極管的（）。A、電流放大倍數(shù)B、輸出電阻C、輸入電壓D、管型參考答案：A77.屬于軟件配置導(dǎo)致馬達(dá)不動的原因?yàn)?？（）A、VCMPING焊接錯誤B、粘膠C、測試板損壞D、AF電源電壓及DriverIC設(shè)置錯誤參考答案：D78.屬于配電電器的有（）。A、接觸器B、熔斷器C、電阻器D、定子和轉(zhuǎn)子參考答案：B79.食用油分為植物油和動物油兩大類，油的主要成分是（）。A、脂肪B、碳水化合物C、蛋白質(zhì)D、膳食纖維參考答案：A80.食物中毒后正確的做法是：（）。A、聯(lián)系急救B、不緊不慢C、在家醫(yī)治D、聽天命參考答案：A81.生物陶瓷用于以下哪些領(lǐng)域（）。A、醫(yī)療器械B、導(dǎo)電器C、金屬探測器D、人工骨骼參考答案：A82.燒結(jié)過程的驅(qū)動力是（）。A、表面能不變B、表面能下降C、表面能增加D、以上都不是參考答案：B83.軟磁鐵氧體主要分為（）。A、Mn-ZnB、Nn-ZNC、Mm-znD、Ni-Zn參考答案：D84.軟磁鐵氧體主要的應(yīng)用領(lǐng)域是（）。A、電感B、變壓器C、開關(guān)D、磁存儲參考答案：A85.如下哪種情況會造成解析力不良？（）A、HMshiftB、AA光心NGC、馬達(dá)起始電流過大D、lens來料MTF不達(dá)標(biāo)參考答案：D86.如下不是測試站常規(guī)點(diǎn)檢的是？（）A、照度B、水平C、色溫D、距離參考答案：B87.如果使增強(qiáng)型場效應(yīng)管的源極和柵極短路，則所形成的二端網(wǎng)絡(luò)對于負(fù)載而言將呈現(xiàn)（）。A、短路特性B、開路特性C、恒流特性D、恒壓特性參考答案：B88.人體消化道不包括：（）。A、口腔B、咽C、氣管D、食管參考答案：C89.評價一個設(shè)計好壞的重要質(zhì)量指標(biāo)有（）。A、穩(wěn)定性B、功能C、成本D、功耗參考答案：A90.哪一項(xiàng)不會造成解析力不良？（）A、馬達(dá)tiltB、DBtiltC、FPC褶皺D、HMtilt參考答案：C91.目前調(diào)焦的主要方案是什么？（）A、limit調(diào)焦B、Peak調(diào)焦C、PeakinPASS調(diào)焦D、以上都是參考答案：D92.目前廠內(nèi)常用芯片厚度？（）A、200umB、250umC、100umD、150um參考答案：D93.某色環(huán)電感的色環(huán)排列是"棕黑黑銀"，此電感的實(shí)際電感量和誤差是（）。A、10uH±2%B、10uH±5%C、10uH±10%D、1uH±10%參考答案：C94.某三極管各電極對地電位的方位有所變動，如何判斷該三極管（）。A、處于放大區(qū)域B、處于飽和區(qū)域C、處于截止區(qū)域D、已損壞參考答案：D95.某三極管的額定功率是1W，使用時當(dāng)該三極管的功率達(dá)到2W時（）。A、立即損壞B、長期使用會損壞C、不會損壞D、長期使用不會損壞參考答案：A96.某三極管的額定功率是1W，使用時當(dāng)該三極管的功率達(dá)到1W時（）。A、不會損壞B、不會損壞C、長期使用不會損壞D、長期使用會損壞參考答案：D97.某電阻的阻值是3300歐姆，誤差范圍是±1%，使用五色環(huán)標(biāo)識時應(yīng)是（）。A、橙黑黑黑棕B、橙黑黑黑棕C、紅紅黑黑金D、橙橙黑黑金參考答案：B98.某電阻的阻值是20歐姆，誤差范圍是±5%，使用四色環(huán)標(biāo)識時應(yīng)是（）。A、棕紅黑金B(yǎng)、紅黑黑金C、紅黑黑棕D、棕紅紅棕參考答案：B99.某電阻的色環(huán)排列是"灰紅黑紅棕"，此電阻的實(shí)際阻值和誤差是（）。A、82KΩ±1%B、92KΩ±1%C、822KΩ±5%D、92KΩ±1%參考答案：A100.某場效應(yīng)管的漏極特性曲線則該場效應(yīng)管為（）。A、P溝道耗盡型MOS管B、N溝道耗盡型MOS管C、P溝道增強(qiáng)型MOS管D、N溝道耗盡型MOS管參考答案：B101.敏感陶瓷的通常是由（）制成。A、陶瓷片B、隔膜材料C、電感元器件D、半導(dǎo)體參考答案：D102.滅火器應(yīng)當(dāng)擺放在（）和通風(fēng)干燥、取用方便的地方。A、火源附近B、被保護(hù)物附近C、室外D、地上米參考答案：B103.面積較小的門往往較快并消耗（）的能量，因?yàn)殚T的總電容常常隨面積的減小而（）。A、較少；增大B、較多；增大C、較少；減小D、較多；減小參考答案：C104.免調(diào)焦機(jī)種十級需要重點(diǎn)監(jiān)控哪些項(xiàng)目？（）A、燒錄內(nèi)容B、MTF及鎖付高度C、點(diǎn)膠方式D、FPC參考答案：B105.煤、石油以及風(fēng)能、太陽能、核能、地?zé)崮艿仁强梢灾苯訌淖匀唤绔@得的，統(tǒng)稱為（）。A、二次能源B、一次能源C、可再生能源D、不可再生能源參考答案：B106.馬達(dá)漏焊接影響模組什么功能？（）A、外觀B、可靠性C、OTPD、解析力參考答案：D107.氯氣泄漏時，搶修人員必須穿戴防毒面具和防護(hù)服，進(jìn)入現(xiàn)場首先要（）。A、加強(qiáng)通風(fēng)B、切斷氣源C、切斷電源D、尋找人員參考答案：B108.漏電保護(hù)斷路器在設(shè)備正常工作時,電路電流的相量和（）,開關(guān)保持閉合狀態(tài)。A、為正B、為負(fù)C、為零D、電流過大參考答案：C109.六方氮化硼可以作為（）的應(yīng)用。A、材質(zhì)硬度B、高溫潤滑C、導(dǎo)電D、傳播度參考答案：B110.磷酸三鈣作為生物可降解陶瓷的主要缺點(diǎn)是（）。A、有毒副作用B、力學(xué)性能不好C、制備成本高D、降解能力不可調(diào)參考答案：D111.兩個β相同的晶體管組成復(fù)合管后，其電流放大系數(shù)約為（）。A、β1B、β2C、βD、1+β參考答案：B112.絕緣材料的耐熱等級為E級時,其極限工作溫度為（）℃。A、90B、100C、120D、3參考答案：C113.鏡頭解析力好壞的評價指標(biāo)不包括？（）A、MTFB、SFRC、TVlineD、FOV參考答案：D114.鏡頭烘烤溫度是？（）A、90℃B、80℃C、95℃D、100℃參考答案：B115.鏡頭的成像特性中間和四周的成像亮度為？（）A、四周亮，中心暗B、四周暗，中心亮C、VFD、NF參考答案：A116.鏡頭場曲過大會引起什么不良？（）A、臟污B、偏色C、暗角D、解析力參考答案：D117.靜電的英文簡寫是？（）A、EDXB、EDSC、ESDD、EXD參考答案：C118.警告標(biāo)志的含義是提醒人們對周圍環(huán)境引起注意，以避免可能發(fā)生危險的圖形標(biāo)志。通常的外型是（）。A、帶斜杠的圓形框B、圓形邊框C、正三角形邊框D、五角型參考答案：C119.晶體管是一個具有（）（當(dāng)|VGS||VT|時）的開關(guān)。A、有限關(guān)斷電阻、無限導(dǎo)通電阻B、無限關(guān)斷電阻、無限導(dǎo)通電阻C、有限關(guān)斷電阻、有限導(dǎo)通電阻D、無限關(guān)斷電阻、有限導(dǎo)通電阻參考答案：D120.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線表示，其中每一條曲線對應(yīng)一個特定的（）。A、iEB、iCC、iBD、uCE參考答案：C121.晶體管的三個工作區(qū)是（）。A、截止區(qū)B、區(qū)域不定C、放射區(qū)D、放區(qū)參考答案：D122.潔凈煤技術(shù)，是指從煤炭（）的全過程，旨在減少污染物排放與提高利用效率的生產(chǎn)、加工、轉(zhuǎn)化、燃燒及污染控制等新技術(shù)體系。A、生產(chǎn)到使用的各個環(huán)節(jié)B、開采到利用的各個環(huán)節(jié)C、消費(fèi)到回收的各個環(huán)節(jié)D、生產(chǎn)到消費(fèi)的各個環(huán)節(jié)參考答案：B123.檢驗(yàn)方式有全檢和？（）A、特檢B、抽檢C、專檢D、免檢參考答案：B124.假設(shè)一反相器和兩輸入與非門中的器件PMOS與NMOS的尺寸比為2，最小尺寸的對稱反相器的輸入電容等于最小尺寸NMOS管柵電容的3倍。若該NAND門的等效電阻等于該反相器的電阻，那么它的邏輯努力（logicaleffort）為（）。A、4/3B、2/3C、5/3D、1參考答案：A125.假設(shè)VCC>>VBE,LCEO≈0，則在靜態(tài)時該三極管處于（）。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、區(qū)域不定參考答案：B126.集成運(yùn)放的互補(bǔ)輸出級采用（）。A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法參考答案：B127.集成電路的導(dǎo)線會引起電容、電阻和電感等寄生參數(shù)效應(yīng)，它們對電路的特性都會有多方面的影響，包括：（）。A、影響電路的可靠性。B、引起額外的噪聲來源。C、使傳播延時增加。D、影響能耗和功率的分布。參考答案：A128.極化的形式有（）。A、離子位移極化B、偶極子趨向極化C、空間電荷極化D、電子位移極化參考答案：D129.機(jī)臺新開線調(diào)試機(jī)臺后應(yīng)？（）A、確認(rèn)產(chǎn)品OK后正常生產(chǎn)。B、確認(rèn)產(chǎn)品OK后送Q首檢正常生產(chǎn)C、確認(rèn)首檢OK后送Q首檢，首檢OK后正常生產(chǎn)D、以上全是參考答案：C130.互補(bǔ)輸出級采用射極輸出方式是為了使（）。A、電壓放大倍數(shù)高B、輸出電流小C、輸出電阻增大D、帶負(fù)載能力強(qiáng)參考答案：D131.焊料的成分主要是（）。A、銅，鉛B、銅，錫C、鉛，錫D、鋁，錫參考答案：C132.關(guān)于一對串聯(lián)反相器中的寄生電容，電容的大小隨著工藝尺寸的縮小而增加的是（）。A、擴(kuò)散電容CDB1和CDB2B、柵漏電容CGD12C、扇出的柵電容CG3和CG4D、連線電容CW參考答案：D133.關(guān)于生產(chǎn)經(jīng)營單位對從業(yè)人員進(jìn)行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)的說法，正確的是（）。A、對所有從業(yè)人員都應(yīng)當(dāng)進(jìn)行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)B、對有過相似工作經(jīng)驗(yàn)的從業(yè)人員可以不進(jìn)行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)C、從業(yè)人員培訓(xùn)不合格的應(yīng)予以辭退D、可以根據(jù)情況決定是否建立安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)檔案參考答案：A134.關(guān)于氫能的特點(diǎn)錯誤的是（）。A、氫能是取之不竭，用之不盡的。B、氫在燃燒時不產(chǎn)生污染物，是理想的綠色能源。C、碳納米管在氫能的儲運(yùn)應(yīng)用方面已經(jīng)成熟。D、氫氣釋放能量快，反應(yīng)速率常數(shù)高。參考答案：C135.關(guān)于煤炭液化表述錯誤的是（）。A、是將固體狀態(tài)的煤炭經(jīng)過化學(xué)加工轉(zhuǎn)化為液體產(chǎn)品。B、可以將硫等有害元素及灰分脫除，得到潔凈的二次能源。C、能夠優(yōu)化能源結(jié)構(gòu)、解決石油短缺、減少環(huán)境污染。D、可以得到更多的能量。參考答案：D136.關(guān)于高頻阻波器的作用下列哪個敘述不對（）。A、對高頻載波電流阻抗很大B、對工頻電流呈現(xiàn)的阻抗很大C、阻止高頻電流的外流D、防止高頻載波信號向母線方向分流76th參考答案：B137.關(guān)于CMOS反相器的開關(guān)閾值VM，下列說法錯誤的是（）。A、提高NMOS的驅(qū)動強(qiáng)度將使開關(guān)閾值趨近于GND。B、開關(guān)閾值取決于PMOS和NMOS管相對驅(qū)動強(qiáng)度的比。C、一般希望開關(guān)閾值處于電壓擺幅的中點(diǎn)。D、增加PMOS或NMOS的寬度使VM分別向GND或VDD移動。參考答案：D138.固相中形成超微粉體的好處（）。A、成本低B、工藝簡單C、散熱好D、耐磨性最強(qiáng)參考答案：A139.固相合成法過程中，經(jīng)過高溫反應(yīng)后通常還需進(jìn)行（）的工藝處理。A、碎屑B、球磨C、磁性陶瓷D、化學(xué)性陶瓷參考答案：B140.固相合成法過程中，經(jīng)過高溫反應(yīng)后通常還需進(jìn)行（）的工藝處理。A、反應(yīng)B、溶解C、提純D、球磨參考答案：A141.更換熔體時,原則上新熔體與舊熔體的規(guī)格要（）。A、不同B、相同C、更新D、電阻參考答案：B142.復(fù)合管，已知V1的1=30，V2的2=50，則復(fù)合后的約為（）。A、1500B、80C、50D、30參考答案：A143.腐蝕性液體濺到皮膚上，應(yīng)該立即（）。A、用干布抹去B、用大量清水沖洗C、用繃帶包扎患處D、請醫(yī)生治療參考答案：B144.風(fēng)能的大小與風(fēng)速的（）成正比A、二次方B、三次方C、四次方D、五次方參考答案：B145.風(fēng)力發(fā)電技術(shù)已經(jīng)走向成熟，下列關(guān)于全球風(fēng)電裝機(jī)容量前五位的國家排序正確的是（）。A、德國、西班牙、美國、丹麥、印度B、美國、德國、中國、日本、丹麥C、美國、西班牙、德國、中國、印度D、德國、中國、西班牙、印度、丹麥參考答案：A146.非自動切換電器是依靠（）直接操作來進(jìn)行工作的。A、外力（如手控）B、電動C、感應(yīng)D、用其它設(shè)備帶動參考答案：A147.非鐵電電容器的介電常數(shù)隨著溫度的變化呈現(xiàn)（）的趨勢。A、非線性變化B、不可預(yù)知C、線性變化D、保持不變參考答案：C148.放大電路的三種組態(tài)（）。A、都有功率放大作用B、都有電壓放大作用C、都有電流放大作用D、只有共射極電路有功率放大作用參考答案：A149.發(fā)光二極管正常工作時，外加（）電壓。A、弱向B、擊穿C、交流D、正向參考答案：C150.發(fā)光二極管發(fā)光時，其工作在（）。A、反向截止區(qū)B、正向?qū)▍^(qū)或反向擊穿區(qū)C、正向?qū)▍^(qū)D、反向擊穿區(qū)參考答案：C151.二極管的反向飽和峰值電流隨環(huán)境溫度的升高而（）。A、增大B、減小C、不變D、為0參考答案：A152.二場效應(yīng)管起放大作用時應(yīng)工作在漏極特性的（）。A、飽和區(qū)B、非飽和區(qū)C、禁止區(qū)D、穿破區(qū)參考答案：A153.惰性生物陶瓷作為骨關(guān)節(jié)材料時，其硬度（）。A、略小于骨骼硬度B、略大于骨骼硬度C、越硬越好D、必須等于骨骼硬度參考答案：B154.對放大電路進(jìn)行調(diào)試，靜態(tài)主要測試（）參數(shù)。A、放大倍數(shù)B、靜態(tài)工作點(diǎn)C、輸入電阻D、輸出電阻參考答案：B155.短溝道器件的閾值電壓往往會隨時間漂移，這是由于熱載流子效應(yīng)，一般這個效應(yīng)使NMOS器件的閾值電壓（），使PMOS器件的閾值電壓（）。A、升高；升高B、降低；降低C、升高；降低D、降低；升高參考答案：C156.動態(tài)電阻rZ是表示穩(wěn)壓管的一個重要參數(shù)，它的大小對穩(wěn)壓性能的影響是（）。A、rZ小則穩(wěn)壓性能差B、rZ小則穩(wěn)壓性能好C、rZ的大小不影響穩(wěn)壓性能D、rZ小則穩(wěn)壓性能差參考答案：B157.電阻元件的功率越大，則體積就（）。A、越大B、關(guān)系不能確定C、無關(guān)D、越小參考答案：A158.電阻器在電路中用字母（）表示。A、RB、UC、LD、HE參考答案：A159.電壓繼電器使用時其吸引線圈直接或通過電壓互感器（）在被控電路中。A、并聯(lián)B、串聯(lián)C、串聯(lián)或并聯(lián)D、燈泡不亮參考答案：A160.導(dǎo)電陶瓷的特點(diǎn)包括（）。A、抗氧化B、抗磨損C、抗輻射D、抗腐蝕參考答案：A161.當(dāng)一個熔斷器保護(hù)一只燈時,熔斷器應(yīng)串聯(lián)在開關(guān)（）。A、前B、后C、中D、無參考答案：B162.當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將（）。A、變小B、減少C、條件不全,無法判斷D、增大參考答案：D163.當(dāng)通過靜態(tài)CMOS電路來實(shí)現(xiàn)邏輯功能時，PMOS器件串聯(lián)相當(dāng)于（）功能。A、與B、或C、或非D、與非參考答案：C164.當(dāng)使用互補(bǔ)CMOS門實(shí)現(xiàn)一個具有N個輸入的邏輯門時，所需要的晶體管數(shù)目為（）個。A、2NB、2N+1C、4ND、N參考答案：A165.當(dāng)設(shè)計一個高性能處理器時，我們需要考慮的數(shù)字電路的最基本的指標(biāo)是（）。A、能量B、電路面積C、開關(guān)速度D、功耗參考答案：C166.當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏時，則晶體三極管的集電極電流將（）。A、減少B、增變C、幾乎為零D、反向參考答案：C167.當(dāng)環(huán)境溫度升高時，二極管的反向飽和電流將增大，這是因?yàn)榇藭rPN結(jié)內(nèi)部的（）。A、少數(shù)載流子濃度減小B、少數(shù)載流子濃度增大C、多數(shù)載流子濃度增大D、多數(shù)載流子濃度減小參考答案：B168.氮化硅陶瓷具有（）等性能特點(diǎn)。A、自膨脹B、自增強(qiáng)C、自增韌D、自潤滑參考答案：C169.場效應(yīng)管起放大作用時應(yīng)工作在漏極特性的（）。A、恒流區(qū)B、可變電阻區(qū)C、夾斷區(qū)D、擊穿區(qū)參考答案：A170.廠內(nèi)單條載具排板數(shù)量沒有？（）A、16B、24C、32D、34參考答案：D171.常用的焊料的主要成分是（）。A、金B(yǎng)、鎳C、錫D、鋰參考答案：C172.差動放大電路的主要特點(diǎn)是（）。A、有效放大差模信號，有力抑制共模信號；B、既放大差模信號，又放大共模信號C、有效放大共模信號，有力抑制差模信號；D、既抑制差模信號，又抑制共模信號參考答案：A173.測量二極管正向電阻時，若用兩手把管腳捏緊，測量結(jié)果將會（）。A、變B、不變C、變大D、不能確定參考答案：A174.標(biāo)識為203的貼片電阻，其阻值應(yīng)該是（）。A、20ΩB、2KΩC、200ΩD、20KΩ參考答案：D175.變焦的英文簡稱？（）A、FFB、AFC、VFD、NF參考答案：B176.閉環(huán)馬達(dá)相對于普通馬達(dá)來說差異點(diǎn)是什么？（）A、動態(tài)tilt更穩(wěn)定B、沒區(qū)別C、更便宜D、多了反饋電路參考答案：D177.半成品烤箱烘烤參數(shù)？（）A、80±℃，60minB、120±℃，60minC、130±℃，30minD、120±℃，90min參考答案：A178.Standybycurrent是什么測試項(xiàng)目？（）A、開短路B、啟動電流C、待機(jī)電流D、工作電流參考答案：C179.SENSOR的光學(xué)原理是將光信號轉(zhuǎn)換為？（）A、顏色信號B、電信號C、視覺信號D、接收信號參考答案：B180.SensorLSC燒錄.MTKLSC燒錄.高通LSC燒錄的主要不同點(diǎn)？（）A、sensorLSC燒錄后的補(bǔ)償畫面可以在實(shí)時影像中得到，可以抓圖實(shí)時畫面進(jìn)行效果確認(rèn)B、MTKLSC和高通Lsc補(bǔ)償在實(shí)時影像獲取不到，只能從平臺工具輸出的補(bǔ)償后畫面確認(rèn)補(bǔ)償效果C、MTKLSC燒錄的是每個區(qū)域的補(bǔ)償系數(shù)，數(shù)據(jù)規(guī)律是中間小，四周大D、以上都描述正確參考答案：D181.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（）。A、基本共射放大電路B、基本共集放大電路C、反相比例運(yùn)算電路D、同相比例運(yùn)算電路參考答案：D182.PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將（）。A、變窄B、基本不變C、變寬D、條件不全，無法判斷參考答案：A183.OTP的英文全稱描述正確的是？（）A、OneTimeProgrammableB、OnTimeProgrammableC、OneTestProgrammableD、以上全不是參考答案：A184.OS測試是指？（）A、光心測試B、開短路測試C、電流測試D、暗邊測試參考答案：B185.OIS馬達(dá)設(shè)計的主要功能特性為？（）A、提升解析力B、拍照防抖C、改善黑團(tuán)D、減少成本參考答案：B186.MTKLSC補(bǔ)償后的shading規(guī)格上下限，一般按照燒錄規(guī)范目標(biāo)值？（）A、±5%B、±6%C、±8%D、±10%參考答案：A187.MOS管溝道電容的平均分布情況取決于工作區(qū)域等因素，其中，MOS管處于截止區(qū)時，CGC主要來自（）；MOS處于飽和區(qū)時，CGC主要來自（）。A、CGCB;CGCDB、CGCS;CGCBC、GCB;CGCSD、CGCS;CGCD參考答案：C188.H/M指的是？（）A、蓋HolderB、打金線C、蓋晶圓D、板材切割參考答案：A189.H/M偏移會導(dǎo)致哪項(xiàng)不良產(chǎn)生？（）A、TiltB、解析力C、點(diǎn)不亮D、暗角參考答案：D190.FF模組由哪些組成？（）A、鏡片B、PCB（基板）C、芯片D、以上都是參考答案：D191.DOF指的是什么值？（）A、焦距B、景深C、視場角D、鏡片數(shù)參考答案：B192.Colorshading指的是什么？（）A、暗角B、偏色C、解析力D、光心參考答案：B193.Code值偏小與下列哪個選項(xiàng)無關(guān)？（）A、VCM起始電流偏小B、鎖附高度偏高C、lensEFL偏高D、馬達(dá)浮高參考答案：C194.CloseLoop馬達(dá)指的是什么馬達(dá)？（）A、中置馬達(dá)B、普通馬達(dá)C、閉環(huán)馬達(dá)D、無螺牙馬達(dá)參考答案：C195.BaTiO3具有的晶系包括（）。A、四方晶系B、三方晶系C、立方晶系D、六方晶系參考答案：A196.AF機(jī)種做海思標(biāo)定時，馬達(dá)需推到？（）A、近焦B、中焦C、遠(yuǎn)焦D、（遠(yuǎn)焦+近焦）/2參考答案：C197.AF機(jī)型調(diào)焦時達(dá)到清晰點(diǎn)后會把鏡頭下旋一定角度，其作用是？（）A、找到最佳清晰點(diǎn)B、防塵C、SFR補(bǔ)償D、避開馬達(dá)非線性區(qū)域參考答案：D198.AF機(jī)型燒錄PDAF的目的是？（）A、客戶要求B、快速對焦C、降低SFR不良D、降低OTP不良參考答案：B199.AA機(jī)種常用的UV預(yù)固化時間的是？（）A、3SB、5SC、8SD、10S參考答案：B200.AA烘烤后鏡頭組脫落，無需確認(rèn)？（）A、壓合后膠厚B、壓合位置膠寬C、膠水是否烘烤干D、脖子膠厚度參考答案：D多選題1.在集成電路裝調(diào)過程中，以下哪些步驟是必不可少的？A、晶圓劃片B、清洗與干燥C、封裝與鍵合D、功能測試E、老化篩選參考答案：ABCDE2.在集成電路裝調(diào)過程中，需要關(guān)注的環(huán)境因素有？A、靜電防護(hù)B、溫度與濕度控制C、潔凈度D、振動與沖擊E、電磁干擾參考答案：ABCE3.在集成電路封裝過程中，常見的封裝形式有？A、DIP（雙列直插式封裝）B、SOP（小外形封裝）C、BGA（球柵陣列封裝）D、COB（板上芯片封裝）E、TO（晶體管輪廓封裝）參考答案：ABCD4.在集成電路測試中，故障定位與隔離的方法包括？A、邊界掃描技術(shù)B、紅外熱成像C、邏輯筆測試D、掃描鏈測試E、故障模擬與仿真參考答案：ADE5.在半導(dǎo)體制造中，CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）后的主要檢查項(xiàng)包括哪些？A、表面平整度B、殘留物檢測C、晶格結(jié)構(gòu)分析D、顆粒污染檢測E、金屬層厚度測量參考答案：ABD6.在半導(dǎo)體工藝中，常見的清洗方法有哪些？A、濕法清洗（如去離子水清洗）B、干法清洗（如等離子清洗）C、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）D、超聲波清洗E、紫外線清洗參考答案：ABD7.在半導(dǎo)體分立器件和集成電路的篩選過程中，常用的無損檢測技術(shù)包括？A、X射線檢測B、紅外熱成像C、超聲波掃描92ndD、激光掃描顯微鏡E、電氣性能測試參考答案：ABCD8.在半導(dǎo)體分立器件的篩選過程中，常用的篩選方法有哪些？A、視覺檢查B、電氣測試C、X射線檢查D、紅外熱成像E、激光掃描參考答案：ABC9.影響半導(dǎo)體分立器件正向壓降的主要因素有？A、材料類型B、工作電流C、工作溫度D、封裝材料E、摻雜濃度參考答案：ABCE10.影響半導(dǎo)體分立器件反向擊穿電壓的因素有？A、摻雜濃度C、集成電路D、晶閘管E、場效應(yīng)管參考答案：ABDE11.影響半導(dǎo)體分立器件反向擊穿電壓的因素有？A、摻雜濃度B、外加電壓類型（直流/交流）C、器件結(jié)構(gòu)D、工作溫度E、封裝材料參考答案：ACD12.以下哪些屬于集成電路微系統(tǒng)組裝的關(guān)鍵技術(shù)？A、精密定位與對準(zhǔn)B、微焊接技術(shù)C、三維封裝技術(shù)D、可靠性測試與篩選E、電磁兼容性設(shè)計參考答案：ABCD13.以下哪些是影響集成電路封裝可靠性的因素？A、封裝材料的選擇B、封裝工藝的控制C、封裝體與基板的熱匹配D、焊接質(zhì)量的穩(wěn)定性E、產(chǎn)品的運(yùn)輸與存儲條件參考答案：ABCDE14.以下哪些是影響半導(dǎo)體器件壽命的主要因素？A、工作溫度B、工作電壓C、電流密度D、封裝質(zhì)量E、外部機(jī)械應(yīng)力參考答案：ABCDE15.以下哪些設(shè)備是半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)過程中常用的？A、晶圓切割機(jī)B、封裝機(jī)C、測試機(jī)D、顯微鏡E、燒結(jié)爐參考答案：ABCD16.以下哪些措施有助于提高集成電路的抗干擾能力？A、合理的電源設(shè)計B、接地布局優(yōu)化C、電磁屏蔽D、信號完整性設(shè)計E、使用低噪聲元器件參考答案：ABCDE17.下列哪些因素會影響集成電路的封裝質(zhì)量？A、封裝材料的選擇B、封裝工藝的控制C、封裝環(huán)境的潔凈度D、封裝后的測試方法E、封裝前的清洗工藝參考答案：ABCE18.下列哪些因素會影響半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能？A、溫度B、摻雜濃度C、光照D、機(jī)械壓力E、磁場參考答案：ABC19.下列哪些是影響半導(dǎo)體分立器件反向漏電流大小的因素？A、溫度B、摻雜濃度C、反向電壓D、封裝材料E、光照參考答案：ABCE20.下列哪些參數(shù)是評估半導(dǎo)體分立器件性能的重要指標(biāo)？A、反向擊穿電壓B、正向?qū)▔航礐、電流放大倍數(shù)D、封裝尺寸E、頻率響應(yīng)參考答案：ABCE21.下列哪些材料常用于集成電路的互連層？A、鋁B、銅C、硅D、金E、鎢參考答案：ABDE22.集成電路中的ESD（靜電放電）保護(hù)機(jī)制主要有哪些類型？A、二極管保護(hù)B、柵極保護(hù)C、瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）D、電阻網(wǎng)絡(luò)E、隔離環(huán)參考答案：ACE23.集成電路微系統(tǒng)組裝中，常用的連接技術(shù)有哪些？A、焊接（如引線鍵合、倒裝芯片焊接）B、壓接C、粘接（如環(huán)氧樹脂粘接）D、螺接E、插接參考答案：ABC24.集成電路設(shè)計中的EDA工具主要支持哪些設(shè)計階段？A、需求分析B、原理圖設(shè)計C、仿真驗(yàn)證D、布局布線E、物理驗(yàn)證參考答案：BCDE25.集成電路設(shè)計中的EDA（電子設(shè)計自動化）工具主要包括哪些類型？A、原理圖編輯器B、仿真器90thC、布局與布線工具D、固件編程環(huán)境E、晶圓測試機(jī)參考答案：ABC26.集成電路設(shè)計中的EDA（電子設(shè)計自動化）工具主要包括哪些類型？A、原理圖編輯器B、仿真器C、布局與布線工具D、固件編程環(huán)境E、晶圓測試機(jī)參考答案：ABC27.集成電路封裝過程中需要控制的參數(shù)包括？A、引腳共面性B、封裝體尺寸C、濕度敏感性等級（MSL）D、焊接強(qiáng)度E、內(nèi)部缺陷檢測參考答案：ABDE28.集成電路封裝過程中的金絲球焊（WireBonding）主要用于哪些連接？A、芯片與引腳框架B、芯片與封裝基板C、封裝基板與引腳D、封裝基板與散熱片E、不同芯片之間的連接參考答案：AB29.集成電路按功能可分為哪幾類？A、數(shù)字集成電路B、模擬集成電路C、混合信號集成電路D、微處理器E、存儲器參考答案：ABC30.動態(tài)設(shè)計中的信號完整性問題主要有：（）。A、電荷分享C、布局與布線工具D、固件編程環(huán)境E、晶圓測試機(jī)參考答案：ABC31.半導(dǎo)體分立器件主要包括以下哪些類型？A、二極管B、三極管C、集成電路D、晶閘管E、電阻器參考答案：ABD32.半導(dǎo)體分立器件中的PIN二極管主要用于哪些應(yīng)用？A、射頻開關(guān)B、整流器C、穩(wěn)壓器D、光電探測器E、振蕩器參考答案：AD33.半導(dǎo)體分立器件中，具有負(fù)溫度系數(shù)的器件是？A、硅二極管B、鍺二極管C、齊納二極管D、熱敏電阻E、光電二極管參考答案：AB34.半導(dǎo)體分立器件和集成電路封裝過程中，對材料的要求包括？A、高純度86thB、良好的導(dǎo)熱性C、低介電常數(shù)D、優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度E、環(huán)保性（如無鉛、無鹵）參考答案：ABDE35.半導(dǎo)體分立器件和集成電路測試中的靜態(tài)參數(shù)測試包括？A、輸入輸出電壓B、功耗C、延遲時間D、擊穿電壓E、增益參考答案：ABD36.半導(dǎo)體分立器件的散熱方式主要有？A、自然散熱B、強(qiáng)制風(fēng)冷C、水冷D、熱管散熱E、半導(dǎo)體制冷參考答案：ABCD37.半導(dǎo)體分立器件的可靠性測試通常包括哪些內(nèi)容？A、高溫存儲測試B、溫度循環(huán)測試C、濕度測試D、靜電放電測試E、輻射測試參考答案：ABCDE38.半導(dǎo)體分立器件的可靠性測試通常包括哪些類型的測試？A、高溫老化測試B、溫度循環(huán)測試C、濕度偏置測試D、靜電放電測試E、輻射測試參考答案：ABCD39.半導(dǎo)體分立器件的封裝形式主要有？A、TO系列（如TO-92,TO-220）B、SOP（小外形封裝）C、BGA（球柵陣列封裝）D、IP（雙列直插封裝）E、QFN（方形扁平無引腳封裝）參考答案：ADE40.半導(dǎo)體分立器件的測試通常包括哪些階段？A、晶圓測試B、封裝前測試C、成品測試D、可靠性測試E、老化測試參考答案：BCDE41.半導(dǎo)體材料的基本特性包括哪些？A、導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間B、具有熱敏性C、具有良好的光學(xué)特性D、可通過摻雜改變導(dǎo)電類型E、具有良好的機(jī)械強(qiáng)度參考答案：ABD判斷題.1.在集成電路制造中，光刻技術(shù)用于在晶圓上形成精確的圖形和電路結(jié)構(gòu)。（）A、正確B、錯誤參考答案：A2.在集成電路測試中，邊界掃描測試（BoundaryScanTest）主要用于測試芯片引腳與內(nèi)部邏輯的連接情況。（）A、正確B、錯誤參考答案：A3.在半導(dǎo)體制造中，光刻膠是一種對光敏感的有機(jī)材料，用于在晶圓上形成圖形。（）A、正確B、錯誤參考答案：A4.在半導(dǎo)體制造中，干法刻蝕技術(shù)比濕法刻蝕技術(shù)具有更高的精度和可控性。（）A、正確B、錯誤參考答案：A5.在半導(dǎo)體制造中，摻雜是改變半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的重要手段。（）A、正確B、錯誤參考答案：A6.在半導(dǎo)體制造工藝中，離子注入是一種用于改變半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型和摻雜濃度的技術(shù)。（）A、正確B、錯誤參考答案：A7.在半導(dǎo)體分立器件中，三極管的電流放大作用是通過基極電流控制集電極電流來實(shí)現(xiàn)的。（）A、正確B、錯誤參考答案：A8.邏輯函數(shù)表達(dá)式Y(jié)=A+B表示的是與邏輯關(guān)系。（）A、正確B、錯誤參考答案：B9.晶圓制備中的切片工藝通常使用鉆石刀進(jìn)行切割。（）A、正確B、錯誤參考答案：A10.晶圓制備完成后，需要