1+X集成電路理論試題庫(kù)含答案

1+X集成電路理論試題庫(kù)含答案一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.芯片外觀檢查前為了防止靜電擊穿損壞，工作人員必須佩戴（）。A、防靜電護(hù)腕B、絕緣服C、無(wú)紡布手套D、絕緣手套正確答案：A2.在原理圖編輯器內(nèi)，用鼠標(biāo)左鍵選擇每一個(gè)元件，當(dāng)選中一個(gè)元件時(shí)，在對(duì)話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設(shè)計(jì)者可以（）當(dāng)前選中元件的封裝。A、添加、刪除、復(fù)制B、添加、刪除C、添加、刪除、復(fù)制、編輯D、添加、刪除、編輯正確答案：D3.若遇到需要編帶的芯片，在測(cè)試完成后的操作是()。A、測(cè)試B、上料C、編帶D、外觀檢查正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料→測(cè)試→編帶→外觀檢查→真空包裝。4.單晶爐中籽晶軸的作用是()。A、保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱B、帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)C、起支撐作用D、提供一個(gè)原子重新排列標(biāo)準(zhǔn)正確答案：B答案解析：籽晶軸的作用是帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)；籽晶的作用是提供一個(gè)原子重新排列的標(biāo)準(zhǔn)；坩堝外的高純石墨坩堝托起支撐作用；爐腔可以保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱。5.薄膜淀積完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。其中（）是檢測(cè)薄膜質(zhì)量、組分及純度的有效參數(shù)，可以用橢偏儀測(cè)量。A、厚度B、折射率C、臺(tái)階覆蓋率D、均勻性正確答案：B6.用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。A、編帶B、上料C、測(cè)試D、外觀檢查正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料→測(cè)試→編帶→外觀檢查→真空包裝。7.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)常見(jiàn)故障不包括（）。A、真空吸嘴無(wú)芯片B、測(cè)試卡與測(cè)試機(jī)調(diào)用的測(cè)試程序錯(cuò)誤C、料軌堵塞D、IC定位錯(cuò)誤正確答案：D8.芯片檢測(cè)工藝中，管裝裝內(nèi)盒時(shí)，在內(nèi)盒上貼有（）種類型的標(biāo)簽。A、1B、3C、2D、4正確答案：C9.下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A、在cadence軟件界面上，單擊Tools菜單，選擇LibraryManager命令，出現(xiàn)“庫(kù)文件管理器”B、用戶可以在庫(kù)文件里新建單元，但不能在新建的單元下新建視圖C、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng)，表示在單元下建立電路圖視圖D、在電路編輯窗口中，利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖正確答案：B10.下列選項(xiàng)中，（）是封裝工藝中不涉及的工序。A、第一道光檢B、第二道光檢C、第三道光檢D、第四道光檢正確答案：A答案解析：封裝工藝中，第二道光檢主要是針對(duì)晶圓切割之后的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品（崩邊等情況）。引線鍵合完成后要進(jìn)行第三道光檢，主要是為了檢查芯片粘接和引線鍵合過(guò)程中有沒(méi)有產(chǎn)生廢品。切筋成型之后需要進(jìn)行第四道光檢，針對(duì)后段工藝的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。11.關(guān)于全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試的步驟，下列說(shuō)法正確的是：（）。A、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→自動(dòng)對(duì)焦→扎針調(diào)試B、輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試C、輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→扎針調(diào)試→調(diào)出檢測(cè)MAP圖D、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試→自動(dòng)對(duì)焦正確答案：B答案解析：全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試。12.晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，完成晶圓信息的輸入后，需要核對(duì)（）上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單B、MAP圖、探針臺(tái)界面、晶圓測(cè)試隨件單C、MAP圖、軟件檢測(cè)程序、晶圓測(cè)試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測(cè)試隨件單正確答案：A13.料盤(pán)外觀全部檢查完后，對(duì)合格的料盤(pán)需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎，臨時(shí)捆扎時(shí)將()盒料盤(pán)（不含空料盤(pán)）捆扎在一起。A、9B、10C、11D、12正確答案：B答案解析：料盤(pán)外觀全部檢查完后，對(duì)合格的料盤(pán)需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎，臨時(shí)捆扎時(shí)將10盒料盤(pán)（不含空料盤(pán)）捆扎在一起。14.風(fēng)淋的作用是（）。A、清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵B、檢測(cè)進(jìn)入車間人員的體重與生態(tài)狀況C、降低人體衣物表面的溫度D、使衣物保持潔凈、平整正確答案：A答案解析：風(fēng)淋的操作是針對(duì)芯片處于裸露狀態(tài)工藝的車間設(shè)計(jì)的，其目的是為了清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵，保證車間內(nèi)的無(wú)塵環(huán)境不被破壞。15.平移式分選機(jī)設(shè)備分選環(huán)節(jié)的流程是：()。A、分選→吸嘴吸取芯片→收料B、吸嘴吸取芯片→分選→收料C、吸嘴吸取芯片→收料→分選D、分選→收料→吸嘴吸取芯片正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：吸嘴吸取芯片→分選→收料。16.在使用J-link驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的（）中設(shè)置（）。A、Debug；地址范圍B、Debug；工作頻率C、Output；地址范圍D、Output；工作頻率正確答案：A17.該圖是（）的版圖。A、D觸發(fā)器B、一位全加器C、傳輸門(mén)D、與非門(mén)正確答案：A18.使用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，完成上料后需要進(jìn)行的環(huán)節(jié)是（）。A、外觀檢查B、分選C、測(cè)試D、真空包裝正確答案：C19.封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進(jìn)行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱中進(jìn)行，一般在（）℃的環(huán)境下烘烤1小時(shí)。A、175B、225C、200D、150正確答案：A20.使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，第一環(huán)節(jié)需進(jìn)行()操作。A、上料B、分選C、編帶D、外檢正確答案：A答案解析：重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝流程：上料→測(cè)試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。21.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟正確的是：()。A、待測(cè)芯片上料→芯片篩選→芯片吸取B、芯片篩選→待測(cè)芯片上料→芯片吸取C、待測(cè)芯片上料→芯片吸取→芯片篩選D、芯片篩選→芯片吸取→待測(cè)芯片上料正確答案：A答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟為：待測(cè)芯片上料→芯片篩選→芯片吸取。22.切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進(jìn)行初步的清理。A、切割時(shí)產(chǎn)生的火花B、晶圓碎片C、去離子水D、不良晶粒正確答案：C23.用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是()。A、比較美觀B、防止芯片散落C、確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行D、節(jié)省人工檢查時(shí)間正確答案：B答案解析：空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤(pán)上編帶的兩端在操作過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)封口分離的情況，導(dǎo)致端口的芯片散落。24.正常工作時(shí)風(fēng)淋室內(nèi)無(wú)人時(shí)，外部的（）指示燈亮起。A、紅色B、黃色C、綠色D、藍(lán)色正確答案：C答案解析：風(fēng)淋室內(nèi)無(wú)人時(shí)，外部的綠色指示燈亮起，進(jìn)入風(fēng)淋室后關(guān)門(mén)，風(fēng)淋室自動(dòng)落鎖，外部指示燈變?yōu)榧t色，風(fēng)淋開(kāi)始。25.平移式設(shè)備芯片檢測(cè)工藝流程中，上料之后的環(huán)節(jié)是()。A、測(cè)試B、分選C、真空包裝D、外觀檢查正確答案：A答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料→測(cè)試→分選→外觀檢查→真空包裝。26.先進(jìn)的平坦化技術(shù)有()。A、反刻法B、高溫回流法C、旋涂玻璃法D、化學(xué)機(jī)械拋光法正確答案：D答案解析：反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統(tǒng)平坦化技術(shù),化學(xué)機(jī)械拋光法屬于先進(jìn)平坦化技術(shù)。27.在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是()。A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸B、防止晶圓之間的接觸C、防止晶圓在搬運(yùn)過(guò)程中發(fā)生移動(dòng)D、美觀正確答案：A答案解析：在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。28.封裝工藝中，芯片粘接工序中，完成點(diǎn)銀漿以后進(jìn)入（）步驟。A、框架收料B、銀漿固化C、芯片拾取D、框架上料正確答案：C29.()包裝形式在入庫(kù)及之后的工藝中操作方便，比較省時(shí)。A、晶圓盒包裝B、花籃內(nèi)盒包裝C、防靜電鋁箔袋包裝D、花籃外盒包裝正確答案：D答案解析：花籃外盒包裝形式在入庫(kù)及之后的工藝中操作方便，比較省時(shí)。30.對(duì)晶向?yàn)?lt;111>、6英寸N型半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)，()是作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。A、主平面B、次平面C、兩個(gè)平面均可D、定位槽正確答案：A答案解析：晶向?yàn)?lt;111>、6英寸N型半導(dǎo)體材料在定位時(shí)有兩個(gè)基準(zhǔn)面，主平面主要用于硅片上芯片圖形的定位和機(jī)械加工的定位，即作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。31.料盤(pán)外觀檢查前期，將料盤(pán)從中轉(zhuǎn)箱中取出后，將測(cè)試合格的料盤(pán)放在()。A、已檢品區(qū)B、待檢品區(qū)C、不合格品區(qū)D、工作臺(tái)任意位置正確答案：B答案解析：料盤(pán)外觀檢查前期，將料盤(pán)從中轉(zhuǎn)箱中取出后，根據(jù)隨件單核對(duì)合格品、不合格品的數(shù)量一致后，將合格品和隨件單放在工作臺(tái)的右邊，其中不合格品放在工作臺(tái)下方的不合格品箱中，合格品放在待檢區(qū)，并且不能超過(guò)黃線，這是為了防止檢查時(shí)進(jìn)行混合。32.對(duì)準(zhǔn)和曝光過(guò)程中，套準(zhǔn)精度是指形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位移大約是關(guān)鍵尺寸的（）。A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正確答案：B答案解析：版圖套準(zhǔn)過(guò)程有了對(duì)準(zhǔn)規(guī)范，也就是常說(shuō)的套準(zhǔn)容差或套準(zhǔn)精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。33.重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，如果出現(xiàn)上料槽無(wú)料管，應(yīng)采取()的處理方式。A、人工加待測(cè)料管B、人工換料管C、人工加空料管D、人工將卡料取出正確答案：A答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，如果出現(xiàn)上料槽無(wú)料，需要人工加待測(cè)料管。34.下列選項(xiàng)中不屬于“5s”管理要求的是（）。A、培訓(xùn)B、清掃C、整理D、素養(yǎng)正確答案：A答案解析："5S管理起源于日本，是指在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)對(duì)人員、機(jī)器、材料、方法等生產(chǎn)要素進(jìn)行有效管理的一種管理方式。5S即整理（SEIRI）、整頓（SEITON）、清掃（SEISO）、清潔（SEIKETSU）、素養(yǎng)（SHITSUKE），因?yàn)檫@5個(gè)詞日語(yǔ)中羅馬拼音的第一個(gè)字母都是"S"，所以簡(jiǎn)稱為"5S"。"35.()是使硅片上的局部區(qū)域達(dá)到平坦化。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：C答案解析：局部平坦化是將硅片表面局部進(jìn)行平坦化處理，使其達(dá)到較高的平整度。36.“對(duì)刀”操作時(shí)，點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的（）按鈕，使承載盤(pán)真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開(kāi)啟狀態(tài)。A、θ角度調(diào)整B、開(kāi)始C、WorkSetD、ManualAlign正確答案：C答案解析：點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的“WorkSet”（設(shè)置）按鈕，使承載盤(pán)真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開(kāi)啟狀態(tài)。點(diǎn)擊顯示屏上的“ManualAlign”（手動(dòng)對(duì)位）按鈕，界面跳轉(zhuǎn)到“切割道調(diào)整界面”。點(diǎn)擊“37.進(jìn)行芯片檢測(cè)工藝中的編帶外觀檢查時(shí)，其步驟正確的是（）。A、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤(pán)→編帶回料→編帶固定B、固定卷盤(pán)→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定C、編帶固定→固定卷盤(pán)→歸納放置→檢查外觀→編帶回料D、歸納放置→固定卷盤(pán)→檢查外觀→編帶回料→編帶固定正確答案：D38.晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行上片之前需要進(jìn)行()操作。A、導(dǎo)片B、加溫、扎針調(diào)試C、扎針測(cè)試D、打點(diǎn)正確答案：A答案解析：晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測(cè)試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫(kù)。39.平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤(pán)上料時(shí)，在上料架旁的紅色指示燈亮的含義是()。A、上料機(jī)構(gòu)故障B、上料架上有料盤(pán)C、上料架上有空料盤(pán)D、上料架上沒(méi)有料盤(pán)正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤(pán)上料時(shí)，上料架上是否有料盤(pán)可以通過(guò)上料架旁的傳感器進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)傳感器指示燈為紅色時(shí)，表明上料架上還有料盤(pán)，可以繼續(xù)進(jìn)行上料，當(dāng)傳感器指示燈為綠色時(shí)，表明上料架上無(wú)料盤(pán)，停止上料。二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.有些文件用于提供給PCB制造商，生產(chǎn)PCB板用，如（）。A、PCB文件B、PCB規(guī)格書(shū)C、Gerber文件D、ICT文件正確答案：ABC2.典型芯片包裝形式有（）三種。A、料盤(pán)包裝B、編帶包裝C、塑封包裝D、管裝包裝正確答案：ABD3.晶圓測(cè)試過(guò)程中，探針會(huì)對(duì)晶圓PAD施加一定的壓力，若壓力超出一定范圍，會(huì)導(dǎo)致（）。A、剝層后PAD中間絕緣層裂紋B、探針卡出現(xiàn)損耗C、扎透鋁層D、針痕發(fā)生偏移正確答案：AC4.晶圓切割完成后需要先經(jīng)過(guò)（）和（）工序，方可進(jìn)入芯片粘接工序。A、晶圓清洗B、晶圓拋光C、第一道光檢D、第二道光檢正確答案：AD答案解析：晶圓切割之后需先經(jīng)過(guò)晶圓清洗將切割過(guò)程中產(chǎn)生的硅粉塵清除，以及第二道光檢將切割過(guò)程產(chǎn)生的不良品剔除，方可進(jìn)入芯片粘接工序5.下列對(duì)平移式分選機(jī)描述錯(cuò)誤的是（）。A、收料架，用來(lái)存放待測(cè)芯片B、料盤(pán)，用來(lái)存放芯片C、出料梭，負(fù)責(zé)測(cè)試完成后芯片的分檔D、吸嘴，負(fù)責(zé)吸取并轉(zhuǎn)移芯片正確答案：AC6.重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)由()組成。A、料斗B、上料夾具C、氣軌D、上料槽E、收料架F、送料軌正確答案：BDF答案解析：重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成。7.防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水正確答案：ABCD答案解析：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。8.以下屬于導(dǎo)片步驟的是()。A、從氮?dú)夤裰腥〕龌ɑ@B、核對(duì)晶圓數(shù)量C、核對(duì)晶圓批號(hào)D、核對(duì)晶圓片號(hào)E、將花籃放入氮?dú)夤裰姓_答案：ABCD答案解析：導(dǎo)片步驟是：從氮?dú)夤裰腥〕鲅b有晶圓的花籃和對(duì)應(yīng)的晶圓測(cè)試隨件單→核對(duì)晶圓數(shù)量→核對(duì)印章批號(hào)→核對(duì)片號(hào)，根據(jù)晶圓片號(hào)將晶圓放在相應(yīng)的花籃編號(hào)中。導(dǎo)片完成后進(jìn)行上片，不需要再放入氮?dú)夤裰小?.高溫回流-般用于()。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：AB答案解析：高溫回流一般用于平滑處理或部分平坦化。10.版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要注意（）。A、襯底接觸與MOS管的距離應(yīng)盡量小B、寬長(zhǎng)比大的管子最好拆分C、連線布置可以采用并聯(lián)走線，線的寬度應(yīng)盡量窄D、數(shù)字電源地和模擬電源地要分開(kāi)正確答案：ABD11.以下對(duì)重力式分選設(shè)備進(jìn)行并行測(cè)試的描述正確的是（）。A、單項(xiàng)測(cè)試且連接一個(gè)測(cè)試卡B、可選擇多SITES進(jìn)行測(cè)試C、只能是2SITES進(jìn)行測(cè)試D、多項(xiàng)測(cè)試且連接多個(gè)測(cè)試卡正確答案：AB12.抑制通道效應(yīng)的方法有（）。A、破壞表面硅原子的排列（預(yù)先淺注入）B、將晶圓傾斜一定的角度C、表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)SiO2D、進(jìn)行快速熱退火正確答案：ABC答案解析：快速熱退火使為了消除晶格損傷。13.單晶硅生長(zhǎng)是將電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件需滿足三個(gè)條件：A、原子具有一定的動(dòng)能B、要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)C、排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)D、不能含有任何雜質(zhì)正確答案：ABC答案解析：?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)是把電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件必須滿足：①原子具有一定的動(dòng)能，以便重新排列；②要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)；③排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)。14.襯底接觸的設(shè)計(jì)要盡量保證包圍住整個(gè)差分對(duì)管，這樣做的目的是（）。A、減小柵極上的寄生電阻B、保證差分對(duì)管的對(duì)稱性C、提高差分的匹配度D、避免閂鎖效應(yīng)正確答案：BD15.電子產(chǎn)品性能測(cè)試的測(cè)試環(huán)境包括（）。A、模擬使用時(shí)的環(huán)境B、軟件環(huán)境C、硬件環(huán)境D、組裝電子產(chǎn)品的環(huán)境正確答案：ABC16.表征光刻膠的性能指標(biāo)包括（）。A、靈敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率正確答案：ABCD答案解析：表征光刻膠性能指標(biāo)包括靈敏度、分辨率、黏附性、抗蝕性、留膜率等。17.以下屬于技術(shù)文件的是（）。A、各個(gè)層的定義B、符號(hào)化層的定義C、層、物理和電學(xué)規(guī)則等的定義D、版圖轉(zhuǎn)換成GDSII時(shí)所用到的層號(hào)和定義正確答案：ABCD18.以下LED流水燈程序少了一部分代碼，燒入到單片機(jī)之后可能會(huì)出現(xiàn)什么（）情況。A、沒(méi)有現(xiàn)象，單片機(jī)不工作B、8個(gè)LED燈全亮C、只有第一個(gè)LED燈亮D、8個(gè)LED燈以非?？斓乃俣乳W爍正確答案：BD19.在AltiumDesigner中，當(dāng)項(xiàng)目被編譯后，將顯示那些面板（）。A、Messages面板B、Navigator面板C、Design面板D、Project面板正確答案：AB20.塑封體上激光打字時(shí)，打印的內(nèi)容可以有（）等。A、產(chǎn)品名稱B、生產(chǎn)日期C、生產(chǎn)批次D、商標(biāo)E、注意事項(xiàng)F、適用范圍正確答案：ABCD答案解析：D選項(xiàng)“商標(biāo)”屬于制造商信息，所以有時(shí)會(huì)打印在產(chǎn)品上。21.離子注入過(guò)程中，常用的退火方法有（）。A、高溫退火B(yǎng)、快速熱退火C、氧化退火D、電阻絲退火正確答案：AB答案解析：離子注入過(guò)程中，常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。22.當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí)，()。A、下降指示燈亮B、前后移動(dòng)花籃，花籃固定不動(dòng)C、下降指示燈滅D、位置指示燈亮正確答案：BD答案解析：當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí)，即花籃位置放置正確時(shí)，承重臺(tái)上的位置指示燈亮，此時(shí)前后移動(dòng)花籃，花籃不會(huì)發(fā)生移動(dòng)。23.一般情況下，30mil的墨管適用于直徑是()的晶圓。A、120mmB、125mmC、200mmD、300mm正確答案：CD答案解析：30mil的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圓。其中直徑為125mm的是5英寸，直徑為150mm的是6英寸，直徑為200mm的是8英寸，直徑為300mm的是12英寸。24.封裝工藝中，晶圓劃片機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對(duì)位D、操作過(guò)程中做筆記正確答案：BC25.LK32T102單片機(jī)編寫(xiě)程序并燒錄的過(guò)程中可能會(huì)用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正確答案：AC26.切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù)，即晶向、()、()、()。A、平行度B、直徑C、翹度D、厚度正確答案：ACD答案解析：切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù)，即晶向、厚度、平行度、翹度。直徑是在外形整理中的徑向研磨環(huán)節(jié)確定的。三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.將花籃放在承重臺(tái)上后，可以直接按確認(rèn)鍵開(kāi)始下降。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：將花籃放在承重臺(tái)上后，需要前后移動(dòng)花籃，確?；ɑ@卡槽與承重臺(tái)密貼，然后再按下確認(rèn)鍵使花籃和承重臺(tái)下降到指定位置。2.墨管需要冷藏存放。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A3.粘塵墊的作用是粘除進(jìn)入車間員工鞋底的灰塵，防止將灰塵帶入車間。風(fēng)淋室的出口和入口都需要布置粘塵墊。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：粘塵墊又名粘塵地板膠，主要適用于貼放在潔凈空間的出入口處及緩沖區(qū)間，它能有效地粘除鞋底和車輪上的灰塵，最大限度的減少塵埃對(duì)潔凈環(huán)境質(zhì)量的影響，從而達(dá)到簡(jiǎn)易除塵的效果。4.在管裝外觀檢查中，如果發(fā)現(xiàn)芯片的方向不一致，要用零頭盒中合格的芯片進(jìn)行替換。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：芯片方向不一致時(shí)，可以將芯片方向進(jìn)行調(diào)整，不需要替換芯片。5.料盤(pán)外觀檢查進(jìn)行電路拼零前，需要對(duì)從零頭柜中取出的芯片外觀進(jìn)行檢查。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A6.在刻蝕上料的過(guò)程中，需要對(duì)待刻蝕的硅片進(jìn)行檢查，如果遇到缺角、對(duì)角裂紋、中間裂紋等問(wèn)題需要進(jìn)行報(bào)廢處理。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A7.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向是順時(shí)針。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)槟鏁r(shí)針。8.整批芯片編帶完成后，由于編帶是4000顆芯片為一盤(pán)，所以不需要再核對(duì)芯片的數(shù)量。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：整批芯片全部編帶完成后，需要核對(duì)編帶的數(shù)量是否與顯示屏上的數(shù)量一致。核對(duì)一致后，在隨件單上記錄相關(guān)信息。9.經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)測(cè)試的芯片都需要進(jìn)行編帶。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：TO封裝的芯片不需要進(jìn)行編帶。10.P型半導(dǎo)體又空穴型半導(dǎo)體。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。11.晶圓檢測(cè)工藝中，利用全自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針深度調(diào)節(jié)時(shí)，界面的初始值為0。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A12.在外檢過(guò)程中，使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí)，直接用桌上的油墨筆在晶圓臟污的位置進(jìn)行標(biāo)記。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí)，需要在白紙上劃幾筆，去除筆尖上的油墨，防止沾污。13.平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，是通過(guò)出料梭將待測(cè)芯片從待測(cè)區(qū)轉(zhuǎn)移到測(cè)試區(qū)的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，是通過(guò)入料梭將待測(cè)芯片從待測(cè)區(qū)轉(zhuǎn)移到測(cè)試區(qū)的。14.在芯片檢測(cè)工藝中，要根據(jù)封裝形式選擇對(duì)應(yīng)的測(cè)試夾具，并進(jìn)行調(diào)試，使測(cè)試夾具能夠和芯片引腳一一對(duì)應(yīng)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A15.在LK32T102單片機(jī)上，“PB->OUTEN=0x0000;”將PB0~PB7引腳配置設(shè)置為輸出。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B16.放置晶圓時(shí)晶圓需正面朝上放入切割機(jī)承載臺(tái)的吸盤(pán)上，調(diào)整晶圓貼片環(huán)位置，使定位缺口與定位釘位置一致，保證晶圓能夠平整、穩(wěn)固的吸附在吸盤(pán)上。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A17.編帶盤(pán)真空包裝時(shí)會(huì)放干燥劑。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A18.選擇什么樣的元器件時(shí)，首先應(yīng)考慮價(jià)格、貨源和元器件體積等方面的考慮，其次是考慮滿足單元電路對(duì)元器件性能指標(biāo)的要求。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B19.在“管理技術(shù)庫(kù)”對(duì)話框中，單擊Attach按鈕，表明將設(shè)計(jì)庫(kù)與技術(shù)庫(kù)相關(guān)聯(lián)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A20.抽真空操作時(shí)，可以不用踩真空包裝機(jī)的踏板。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：抽真空時(shí)，腳踩踏板進(jìn)行抽真空操作。21.開(kāi)短路測(cè)試通常被稱為continuitytest或者open/shorttest，是對(duì)芯片管腳內(nèi)部對(duì)地或?qū)CC是否出現(xiàn)開(kāi)路或短路的一種測(cè)試方法。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A22.和待測(cè)芯片并行測(cè)試一樣，串行測(cè)試也是由測(cè)試夾具（金手指）夾持固定后再進(jìn)行測(cè)試，不同點(diǎn)在于串行測(cè)試區(qū)有A/B/C三個(gè)測(cè)試軌道，每個(gè)測(cè)試軌道各連接一塊測(cè)試卡，測(cè)試卡之間互不干擾，模塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測(cè)試。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A23.拋光終點(diǎn)檢測(cè)過(guò)程中，電動(dòng)機(jī)電流CMP終點(diǎn)檢測(cè)不適合進(jìn)行層間介質(zhì)檢測(cè)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：電流CMP不適合進(jìn)行層間介質(zhì)CMP檢測(cè)，這是因?yàn)橐Ａ纛A(yù)定的氧化層厚度,沒(méi)有能弓|起電流變化的材料露出來(lái)。24.平移式分選機(jī)的分選區(qū)的合格料盤(pán)和不合格料盤(pán)的區(qū)分方式只有標(biāo)簽。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)的分選區(qū)的合格料盤(pán)和不合格料盤(pán)的區(qū)分除了