汽車用分立器件應(yīng)力測試要求 編制說明

《汽車用分立器件應(yīng)力測試要求》（征求意見稿）編制說明標(biāo)委發(fā)[2024]35號項目計劃號：20242787-T-339，由中華人民共和國工業(yè)AEC-Q101-Rev-E-2021“基于失效機理的分立器件應(yīng)力試驗鑒定程序”進破壞性物理分析方法等標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于分立器件的考核要求及試三、試驗驗證的分析、綜述報告，技術(shù)經(jīng)濟論證，預(yù)期的經(jīng)濟效益、社會GB/T4937半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法、GJB4027B-2021軍用電子元器件理A1132.回流焊要求適用SnPb條件，應(yīng)根包裝可能具有不足基于其體積和厚度的所需峰值理的曲線峰值溫度必須根據(jù)其PSL分類規(guī)定的值進額定值為R6，則用于預(yù)處理的峰值溫度應(yīng)為250°4.如果半導(dǎo)體制造商正在執(zhí)行預(yù)處回流焊后目檢和最終電測試是可果用戶正在執(zhí)行5.目檢步驟聲掃是表面安裝器件在可靠性試驗部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜2.有獨立的浸泡條件選擇參考（根據(jù)承制方干燥儲物柜中相對濕度來選3.在完成水汽浸泡4個小時內(nèi)完樣品需降溫到5.失效條件及失引用GB/T4937第30部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影選的，可以比較器件回流前和回流后的圖像來評估器件在關(guān)鍵級來選擇，如果MSL水平未知，則可參考其他相關(guān)水分評估數(shù)也可以運行多個濕浸條件來確定合格水出溫/濕箱后,在長于4個小時下進如果取出溫濕箱和初始回流焊之間的時間沒有達到要求，則再次進行烘烤和浸泡。每次回流焊之間間隔4.如果半導(dǎo)體制造商正在執(zhí)行預(yù)處理程序，步驟：電測試、目檢、烘干，回流焊后目檢和最終電測試是可選的，因為它們是供應(yīng)商的風(fēng)險。如果用戶正在執(zhí)行預(yù)處器件回流前和回流后的圖像來評估器件在關(guān)鍵界可參考其他相關(guān)可以運行多個濕浸條件來確定合格水平。個小時下進行回果取出溫濕箱和初始回流焊之間的時間沒有達到回流焊之間間隔焊劑后烘干是可選期最終用途使用。根無鉛回流焊，同一包裝可能具有不同的基于其體積和厚度的所需峰值溫度，則用于預(yù)處理的曲線峰值溫度必須根據(jù)其PSL分類規(guī)定的值進行更改。因此，如果SMD用于預(yù)處理的峰值溫度應(yīng)為250°C（待驗GB/T4937第4部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試A2alt化可選管腳的偏屬層上的電位差去離子水、試驗時GB/T4937.5穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試試驗時長、溫度、壓力、偏壓、最終測量要求不同。建議引用4.DC模式：如果芯環(huán)境溫度不超過設(shè)如果器件的發(fā)則假設(shè)芯片溫度果器件的發(fā)熱量算或者測量芯片度高于腔體環(huán)境在試驗報告中表明芯片結(jié)溫與環(huán)速失效的機理會5.AC模式：施加在被測器件上的直流電壓應(yīng)以適當(dāng)?shù)念l率和占空比穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽T注意：不同于穩(wěn)態(tài)濕條件A：130℃,85%條件B：110℃,85%過程中當(dāng)器件溫度高GB/T-4937.24:加速耐濕無偏置強加速A3alt試驗條件：121℃,分:加速耐濕無偏100%相對濕度，氣壓置高壓蒸煮（采用Appendix6:空氣或者其他氣體介質(zhì)單室、雙室、三室通常器件典型循環(huán)速確定的失效機理，如通常各溫區(qū)保持時如果溫循中斷次數(shù)累計超過總循環(huán)次數(shù)的A-55-85；B-55-125;C-55-175;各溫區(qū)保持時間≥未完成的循環(huán)次數(shù)累計超過總循環(huán)次補充:JESD標(biāo)準(zhǔn)里的溫循分情況說明很具體，與國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)相比較僅試驗方法類似，其與實驗條件有較大不A4a試A4a_a測聲掃部分可以參考MIL-STD-750E.m1037當(dāng)規(guī)定用引線安裝時，則引線安裝處至焊管從殼體伸出，則導(dǎo)體器件分立器件極晶體管(IGBT)-間當(dāng)規(guī)定用引線安裝果引線焊管從殼體A5alt功率和溫度循環(huán)：器件在溫度循環(huán)的過程中，周期性地持續(xù)地施加和移除工作偏置。用于模擬典型應(yīng)明確的溫度、轉(zhuǎn)移時間、保持時間、開通AECQ101中規(guī)定了周MIL-STD-750-1M1038整流器和齊納二極試驗條件A（二極管、整流管和穩(wěn)壓方法1039試驗條方法1042試驗條導(dǎo)體器件分立器件ACBVMIL-STD-750-1M1040器件至少應(yīng)距管體或波驅(qū)動脈沖的形式交替地施加額定峰值反向和額定峰值正向阻器件至少應(yīng)距管體MIL-STD-750-1M1038整流器和齊納二極器件至少應(yīng)距管體或器件至少應(yīng)距管體如果適用正負偏壓各GJB128方法1042導(dǎo)體器件分立器件極晶體管(IGBT)-高析開帽后充分暴露內(nèi)部況下進行檢查，以下A.明顯證據(jù)表明不符合器件的設(shè)計，構(gòu)造分層或金屬化空隙的用電子元器件破環(huán)性物理分析方法方用電子元器件破環(huán)性物理分析方法方法節(jié)翻譯后做附件補充在標(biāo)準(zhǔn)里C.可見的裸片/基板裂紋或缺陷（例如刮D.可見的邦線，裸片或引出端缺陷的證E.晶須生長或電遷移尺寸描述極為簡略，WBPMIL-STD-750-2Method2037試驗方法，失效判據(jù)基本一致可以直接引2037并將AECQ006翻WBSAEC-Q101-003引用GB/T4937第22MIL-STD-750-2Method2017部分:芯片剪切強度;度MIL-STD-750-2Method2036驗A：20℃-30℃1）一體積的美國化學(xué)學(xué)會規(guī)定的異丙醇份體積的80%體積的煤油與20%體積的乙A：20℃-30℃2）三份體積的75號航空汽油或者三份體積的80%體積的煤油與20%體積的乙苯構(gòu)成的混合萜烯，脂肪烴，高分境保護局）批準(zhǔn)的任何等效物、經(jīng)證明的可保持在20℃-30℃半水溶性溶劑，例水3）1體積的單乙醇胺分:通孔安裝器件的部分:塑封表面安裝器件耐潮濕和焊MOSFET管雙極晶體驗直接引用GB/T4937AEC-Q005無驗MIL-STD-750-2Method2006譯基本方法一致，直接驗此試驗用于確定功率柵極器件的柵極氧化層絕緣強度。此測試產(chǎn)生的數(shù)據(jù)用于比較供應(yīng)商工藝變化前后對功率器件的魯棒性。這是一項破壞性試驗設(shè)備：可控電壓l電壓步進最大為1V，且持續(xù)監(jiān)控l絕緣強度的定義是當(dāng)柵極電流極具增加前的柵極l記錄和報告每個DUT對應(yīng)的電壓試用戶規(guī)范或供應(yīng)商標(biāo)AECQ101-001HBM已等同采用為