T-SICA 007-2024 數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器芯片的技術(shù)規(guī)范

SICATechnicalspecificationsforDigital-to-ResolverConverterI 2 3 5 6本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定張正敏、吳茹茹、石建賓、吳浩成、張炎、褚洪濤、芮赟海)有限公司、上海富芮坤微電子有限公司、上海技術(shù)標準創(chuàng)新基地(集成電路)、上海市質(zhì)量和標準化1數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器芯片的技術(shù)規(guī)范3.1數(shù)字旋變轉(zhuǎn)換器（Digital-to-Reso），3.23.3量就會很容易被過濾掉。交流耦合只允許交流信號通過。只允許信號中的交變部分通過，將移除3.43.53.6靜電放電（ESD）Electro-Staticdis具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引3.7HBM(HumanBodyModel),人體模型。人體會積累一定的靜電,當人體接觸到芯片時,這些靜電會釋放至芯片對地引腳,并會在數(shù)百納秒內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培3.8CDM(chargeddevicemodel),充電設(shè)備模型。類似于人體模型，充電設(shè)備模型也是一種靜電放電注：CDM也是當今半導體芯片開發(fā)中最重要的測試標準之一。23.94功能和電特性要求4.2.1正余弦輸出b)正余弦輸出電壓≥4Vrms。4.2.2基準輸入a)輸入信號頻率范圍為（50～10000）Hz；b)輸入信號電平范圍為（1～1.8）Vrms；4.2.3精度3b)保證輸出精度單調(diào)性。4.2.5數(shù)字輸入b)低電平電壓應≤0.8V；c)高電平電流在DB1–DB16，d)低電平電流在DB1–DB16，應4.2.6.1這里給出電源的一個參考，更大的電源電壓可以提供更大的信號擺幅和更大的抗干擾能力。4.2.6.2芯片的部分電源電壓應滿足以下要求：b)NVDD范圍應為（-13.2～-4.5）V，典型值為-12V；4.2.6.3芯片的部分電源電流應滿足以下要求：b)NVDD的電流在PVDD@12V&NVDD@-12V條件下,≤13mA；4.3ESD4,4基準輸入通常情況下，基準采用AC輸入。不建議采用DC輸入，如必須，則輸出會有失調(diào)風險.此時需要在輸4.6偏置電流調(diào)整4.7比率乘法器比率乘法器是芯片的輸入部分，可將旋變器輸入角度θ信號與計數(shù)器中保留的數(shù)字角度φ進行比45.1.2高低位使能下拉電阻5.1.3數(shù)字輸入控制芯片使用電源供電，芯片電源典型值的±10%以內(nèi)都能正常工作。例如能正確測得產(chǎn)品與理想旋變5.2ESD選擇相應管腳組合，分別按HBM（人體模式）、CDM（5.3輸出失調(diào)調(diào)整腳連接，通過滑動變阻器產(chǎn)生的變化的分壓，調(diào)整芯片對應正、余圍較大，推薦再增加一級分壓電阻進行分壓，推薦使用60K串聯(lián)10如無需調(diào)整，則該引腳保持接地（0V）。具體實施方式根據(jù)客戶需求選引腳連接，通過滑動變阻器產(chǎn)生的變化的分壓，調(diào)5