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ICS19.120CCSA28T/CSP12-2024顆粒技術(shù)硅泥中顆?;毓ひ?guī)范 熔煉法Particulatetechnology—Processspecificationforrecyclingofsiliconparticlesfromwiresawingwasteslurry-smeltingmethod2024-11-18發(fā)布 2024-11-25實(shí)施中國(guó)顆粒學(xué)會(huì)發(fā)布T/CSP12-2024T/CSP12-2024PAGE\*ROMANPAGE\*ROMANIV目 錄前 言 III引 言 范圍 1規(guī)性用件 1術(shù)和義 1硅的求 2原與程 2主設(shè)及助料 3質(zhì)要求 4環(huán)排要求 4附錄A 6前 言GB/T1本文件主要起草人:王志、王東、錢國(guó)余、龔志剛、盛之林、馬文會(huì)、魏奎先。引 言35%,經(jīng)過(guò)壓本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)提請(qǐng)注意,聲明符合本文件時(shí),可能涉及到專利號(hào)為201911363667和202210459233.2內(nèi)容相關(guān)的專利的使用。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)對(duì)于該專利的真實(shí)性、有效性和范圍無(wú)任何立場(chǎng)。專利名:晶體硅切割廢料制備超冶金級(jí)硅的方法專利號(hào):2019113636671號(hào)專利名:一種提高金剛線切割硅泥熔煉制備金屬硅收率的方法專利號(hào):202210459233.2專利權(quán)人:中國(guó)科學(xué)院贛江創(chuàng)新研究院,中國(guó)科學(xué)院過(guò)程工程研究所專利發(fā)明人姓名:王東,王志,錢國(guó)余,王長(zhǎng)治地址:江西省贛州市科學(xué)院路1號(hào)T/CSP12-2024T/CSP12-2024PAGEPAGE1顆粒技術(shù)硅泥中硅顆?;厥展に囈?guī)范熔煉法范圍10wt%()GB12348-2008工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)GB18599GBZ2.1-2019工作場(chǎng)所有害因素職業(yè)接觸限值第1部分:化學(xué)有害因素GB/T2881-2014GB31574-2015再生銅、鋁、鉛、鋅工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1硅泥wirecutsiliconslime3.2粉狀料siliconpowdermaterial硅泥烘干后形成的粉料。3.3塊狀料massivesiliconmaterial硅泥烘干后形成的塊料。3.4球團(tuán)料granularsiliconmaterial粉狀料經(jīng)成型后形成的球團(tuán)料。3.5再生硅recycledsiliconproducts硅泥熔煉回收后獲得的符合工業(yè)硅標(biāo)準(zhǔn)的再生品。3.6回收率recovery再生硅占粉狀料和塊狀料之和的百分比。3.7助熔劑fluxingagent熔煉過(guò)程中,加速硅泥熔化所使用的多組元渣劑。金剛線切割產(chǎn)生的硅泥成分應(yīng)符合表1要求:表1序號(hào)成分含量(wt%)1H2O≤602SiO2*≤203Fe*≤24Al*≤.55Ca*≤26Ni*<0.027Si*余量*:均為干基含量111用于晾干后硅泥的烘干,宜選用帶式干燥機(jī)、滾筒烘干機(jī)或烘房等。用于烘干過(guò)程中粉狀料的成型,宜選用圓盤造粒機(jī)、對(duì)輥成型機(jī)等設(shè)備。2000kW·h/用于將得到的再生硅破碎成特定粒度的顆粒硅。助熔劑主劑包括CaO、Na2O中的至少一種,輔劑包括Al2O3、MgO、CaF2、CaCl2、SiO2中的至少一種,工業(yè)級(jí)。水玻璃、淀粉中的至少一種,工業(yè)級(jí)。2米。硅泥經(jīng)自然晾干含水率:低于25wt%。溫度:120℃~170℃。料層厚度:≤10cm。技術(shù)指標(biāo):硅泥烘干后含水率≤2wt%。造粒工序:水+粘結(jié)劑,質(zhì)量分?jǐn)?shù)占烘干料的2wt%~5wt%。粘結(jié)劑:濃度0wt%~20wt%。表觀密度:0.8g/cm3~2.0g/cm3。1500℃~1800℃。30min/t~100min/t。(330:1SiO290%。再生硅產(chǎn)品經(jīng)粗破、細(xì)破和篩分,獲得目標(biāo)粒徑的產(chǎn)品。GB/T2881-2014AlCa2。用于多晶硅原料的BP3表2再生硅的分級(jí)標(biāo)準(zhǔn)牌號(hào)化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù))/%名義硅含量,不小于主要雜質(zhì)元素含量,不大于FeAlCaSi110199.790.100.100.01Si220299.580.200.200.02Si330399.370.300.300.03Si411099.400.400.100.10Si421099.300.400.200.10Si441099.100.400.400.10Si521099.2099.2099.2099.20Si553098.7098.7098.7098.70表3用于多晶硅原料硅產(chǎn)品的B、P含量要求產(chǎn)品等級(jí)微量元素含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù),不大于×10-6BP1級(jí)10202級(jí)5103級(jí)25熔煉工序產(chǎn)生的粉塵應(yīng)符合GB/Z2.1-2019表2中硅微粉的工作場(chǎng)所空氣中粉塵職業(yè)接觸限值,總塵濃度小于5mg/m3。宜采用導(dǎo)流管進(jìn)入各單元灰斗,在灰斗導(dǎo)流系統(tǒng)的引導(dǎo)下大顆粒粉塵分離后直接落入灰斗處理。熔煉工序產(chǎn)生的硅渣屬于一般固體廢物,其中的二氧化硅含量在70wt%以上,硅渣存儲(chǔ)需要滿足GB18599中的規(guī)定。GB12348和GB31574附錄A(資料性)硅泥熔煉制備再生硅示例金剛線切割產(chǎn)生的硅泥。通過(guò)高溫熔煉將金剛線切割產(chǎn)生硅泥中的硅顆粒進(jìn)行再生。烘房、電弧爐。2.5噸<1wt%

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