《電子電路分析與實(shí)踐》課件-半導(dǎo)體三極管的特性曲線_第1頁
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文檔簡介

電子電路分析與實(shí)踐半導(dǎo)體三極管的特性曲線張家口職業(yè)技術(shù)學(xué)院《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)類型：NPN型、PNP型半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件高頻管、低頻管頻率：小、中、大功率管功率：硅管、鍺管材料：半導(dǎo)體三極管iB是輸入電流vBE是加在B、E兩極間的輸電壓。輸入特性曲線—iB=f(vBE)

vCE=常數(shù)導(dǎo)通電壓鍺管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V半導(dǎo)體三極管的特性曲線共發(fā)射極接法的輸入特性曲線其中vCE=0V的那一條相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當(dāng)vCE≥1V時(shí)，vCB=vCE-vBE>0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復(fù)合減少，IC/IB

增大，特性曲線將向右稍微移動(dòng)一些vCE再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 半導(dǎo)體三極管的特性曲線⑴放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏⑵截止區(qū)：IB=0以下的區(qū)域⑶飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏I(xiàn)C隨著VCE的變化而迅速變化工程上以VCE=0.3伏作為放大區(qū)和飽和區(qū)的分界線VCE大于0.7

V左右(硅管)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反偏輸出特性曲線

—

iC=f(vCE)

iB=常數(shù)放大區(qū)：條件VCE>0.7V,iB>0,iC隨iB成正比變化，iC=βΔiB飽和區(qū)：條件VCE<0.7V,iB>0,VCE近似等于0.3c—e間“導(dǎo)通”截止區(qū)：條件VBE<0.5V,iB=0,iC=0,c—e間“斷開”輸出特性曲線

—

iC=f(vCE)

iB=常數(shù)溫

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