材料物理知到智慧樹期末考試答案題庫2025年南開大學

材料物理知到智慧樹期末考試答案題庫2025年南開大學高溫結構材料Al2O3可以用ZrO2來實現(xiàn)增韌，也可以用MgO來促進Al2O3的燒結，如加入0.3mol%ZrO2和0.3mol%MgO對Al2O3進行復合取代，固溶體分子式為：（）

答案:Zr0.003Mg0.003Al1.994O3高溫結構材料Al2O3可以用ZrO2來實現(xiàn)增韌，也可以用MgO來促進Al2O3的燒結，如加入0.2mol%ZrO2，固溶體分子式為：（）

答案:Al1.998Zr0.002O3.001高溫時固體熱容服從德拜T3定律，低溫時固體熱容服從杜隆-珀替定律。（）

答案:錯頻率很高時，無松弛極化，只存在電子和離子位移極化。（）

答案:對面心立方格子的倒格子是體心立方，倒格矢的長度(基矢的長度)為（）

答案:面心立方格子的倒格子是體心立方，倒格矢的長度(基矢的長度)為（）非線性光學晶體的主要應用是激光頻率轉換。（）

答案:對霍爾系數(shù)只與金屬中的（）有關。

答案:自由電子密度陶瓷介質(zhì)由于介電系數(shù)大、表面吸濕等原因，引起離子式高壓極化(空間電荷極化)，使表面電場畸變，提高表面擊穿電壓。（）

答案:錯陽離子電荷高低對活化能也有影響。一價陽離子尺寸小，電荷少，活化能低，電導率大；相反，高價正離子，價鍵強，激活能高，故遷移率就低，電導率也低。（）

答案:對鐵磁物質(zhì)所表現(xiàn)的順磁性和一般順磁性在性質(zhì)上是相同的，但在溫度的起點上有所不同，鐵磁性物質(zhì)的順磁性是以居里溫度為起點，而順磁性物質(zhì)是以0K為起點。（）

答案:對鐵磁性的本質(zhì)是在外電場作用下的疇壁運動和磁籌內(nèi)磁矩轉向。（）

答案:對鐵電性是由離子位移引起的，而鐵磁性則是由原子取向引起的。（）

答案:對鐵氧體是指含鐵酸鹽的陶瓷磁性材料，都存在自發(fā)磁化和磁疇，顯亞鐵磁性。（）

答案:對鐵氧體包含：石榴石型，磁鉛石型、鈣鐵礦型，鈦鐵礦型，烏青銅型等。（）

答案:對鉀長石K[AlSi3O8]硅酸鹽礦結構屬何種結構類型？（）

答案:架狀鈦酸鎂瓷是在正鈦酸鎂（2MgO·TiO2）中加入2%-3%的CaTiO3，正鈦酸鎂和CaTiO3粒度都非常小，分布又很均勻，已知純的正2MgO·TiO2的ε=16，CaTiO3的ε=130，調(diào)制后的鈦酸鎂瓷的ε=（）

答案:16.68鈦酸鋇晶體的獨立的壓電常數(shù)為哪三個？（）

答案:d15、d31和d33金屬的電導率隨溫度的升高而升高；無機非金屬材料的電導率隨溫度的升高而降低。（）

答案:錯金屬氧化物MO中氧原子過剩時形成n型半導體，金屬原子過剩時形成p型半導體。（）

答案:錯金剛石是最理想的紅外透過材料。（）

答案:對金剛石、硅和鍺導熱率的大小順序為（）

答案:λ金剛石＞λ硅＞λ鍺量子自由電子學說認為自由電子的行為服從（）

答案:Fermi-Dirac統(tǒng)計規(guī)律透輝石CaMg[Si2O6]硅酸鹽礦結構屬何種結構類型？（）

答案:鏈狀,單鏈還原性氣氛生成n型半導體，以下缺陷反應生成陰離子空位(MaXb-x)型非化學計量化合物Oo=Vo+2e’+1/2O2(g)（）

答案:對軟磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滯損耗低、穩(wěn)定性好的特點。（）

答案:對費密能EF表示T＞0K時電子占有幾率為（）的能級能量

答案:1/2設有某種多晶材料，內(nèi)部含有大量的均勻晶粒，當材料內(nèi)部的起始裂紋與晶粒的尺度相當，則當晶粒大小變?yōu)樵瓉淼?倍時，其斷裂強度σf與σf0的關系是（）

答案:σf=2-0.5σf0設有某種多晶材料，內(nèi)部含有大量的均勻晶粒，當材料內(nèi)部的起始裂紋與晶粒的尺度相當，則當晶粒大小變?yōu)樵瓉淼?.5倍時，其斷裂強度σf與σf0的關系是（）

答案:σf=0.5-0.5σf0設有無限大板A，含有邊緣穿透裂紋，其中裂紋長度為2a，受拉應力作用，A板拉應力為σ，其裂紋尖端應力強度因子為多少（）

答案:設有無限大板A，含有邊緣穿透裂紋，其中裂紋長度為2a，受拉應力作用，A板拉應力為σ，其裂紋尖端應力強度因子為多少（）設有無限大板A，含有貫穿性裂紋，其中裂紋長度為2a，受拉應力作用，A板拉應力為σ，其裂紋尖端應力強度因子為多少（）

答案:設有無限大板A，含有貫穿性裂紋，其中裂紋長度為2a，受拉應力作用，A板拉應力為σ，其裂紋尖端應力強度因子為多少（）設有一條內(nèi)徑為30mm的厚壁管道，被厚度為0.1mm的鐵膜隔開，通過向管子一端向管內(nèi)輸入氮氣，以保持膜片一側氮氣濃度為1200mol/m3，而另一側的氮氣濃度為100mol/m3。如在700℃下測得通過管道的氮氣流量為2.8×10-4mol/s，求此時氮氣在鐵中的擴散系數(shù)。()

答案:3.6×10-12m2/s計算能量為54eV電子的德布羅意波長以及它的波數(shù)（）

答案:1.67×10-10m，3.76×1010m-要使LED發(fā)光，有源層的半導體材料必須是直接帶隙材料。（）

答案:對裂紋擴展是能量不會以何種方式放出（）

答案:斷裂面減少，降低系統(tǒng)的總能量裂紋擴展對應的彈性應變能的降低的過程中，裂紋擴展形成新的表面，部分彈性應變能轉換為表面能。（）

答案:對融熔石英玻璃的性能參數(shù)為：E=73Gpa；γ=1.56J/m2；理論強度σth=28Gpa。如材料中存在最大長度為2μm的內(nèi)裂，且此內(nèi)裂垂直于作用力方向，計算由此導致的強度折減系數(shù)。()

答案:0.99若把溫度T從超導轉變溫度下降,則超導體的臨界磁場也隨之增加。（）

答案:對若將氯化鈉置于氯氣中加熱時，得到的是陽離子空位型非化學計量化合物，陽離子空位和束縛空穴，這類缺陷稱為“F心”，這類陽離子空位缺陷也會使氯化鈉帶色。（）

答案:錯自發(fā)磁化是指在外部交換場作用下，原子磁矩趨于同向排列，自生出磁化強度。（）

答案:錯自發(fā)磁化是指在內(nèi)部交換場作用下，原子磁矩趨于同向排列，自生出磁化強度。（）

答案:對能斯脫-愛因斯坦（Nernst-Einstein）方程表明離子的擴散系數(shù)大，離子電導率就高。（）

答案:對結晶各向異性隨溫度升高而降低，自發(fā)極化重新取向克服的應力阻抗較小;同時由于熱運動，電疇運動能力加強，所以在極化電場和時間一定的條件下，極化溫度高電疇取向排列較易，極化效果好。（）

答案:對結合電子位移極化率的公式判斷，離子體積越大其電子位移極化率越大。（）

答案:對純銅的剛性模量為39GPa，泊松比為0.35，它的彈性模量為（）

答案:105.3GPa粉末材料和纖維材料的熱導率比燒結材料的熱導率高得多。（）

答案:錯粉末材料和纖維材料的熱導率比燒結材料的熱導率低得多。（）

答案:對簡單立方格子的倒格子也是簡立方，倒格矢的長度(基矢的長度)為（）

答案:2π/a空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導率降低。（）

答案:對空間電荷層中多數(shù)載流子的濃度比內(nèi)部小，稱為積累層。（）

答案:錯空間電荷層中多數(shù)載流子的濃度比內(nèi)部大，稱為耗盡層。（）

答案:錯空位隨溫度升高而增加，在和之間，由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%，而密度減少2.0%，假設在時，此金屬中每1000個單位晶胞中有1個空位，試估計在時每1000個單位晶胞中有多少個空位？（bcc鐵單位晶胞中有2個原子，假設晶格不變）（）

答案:11離子晶體中的離子電導常溫下以本征電導為主，高溫下以雜質(zhì)電導為主。（）

答案:錯離子位移極化和電子位移極化的表達式一樣，都具有彈性偶極子的極化性質(zhì)，由于離子質(zhì)量遠高于電子質(zhì)量,因此極化建立的時間也較電子慢。（）

答案:對磁滯回線中飽和磁感應強度Bs（磁化強度Ms）是指在指定溫度下，用足夠大的磁場強度磁化物質(zhì)時，磁化曲線接近水平時，不再隨外磁場增大而明顯增大。（）

答案:對磁滯回線中矯頑力Hc：鐵磁物質(zhì)磁化到飽和后，由于磁滯現(xiàn)象，要使磁介質(zhì)中B為零，須施加一定的反向磁場強度-H，該磁場強度的絕對值為矯頑力Hc。（）

答案:對磁滯回線中對應的B值（M值），此時材料內(nèi)部磁矩取向基本完全與外磁場反向相同，材料磁感應強度達到飽和。（）

答案:對碳鋼的剛性模量為79GPa，泊松比為0.25，它的彈性模量為（）

答案:197.5GPa硬磁材料是指矯頑力Hc很高的磁性材料。（）

答案:對硫化鉛晶體的禁帶寬度為0.35eV，等效狀態(tài)密度N=8.8×1018/cm3,計算300K時硫化鉛價帶空穴濃度和導帶電子的濃度。（k=8.6×10-5eV/K）（）

答案:1×1014/cm3砷化鎵中替代鎵位的硅原子起施主作用；這樣的砷化鎵是n型半導體。（）

答案:對研究堿鹵化合物的電導激活能發(fā)現(xiàn)，負離子半徑增大，其正離子激活能顯著降低，這樣離子電導率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）

答案:錯石英晶體有壓電效應，但無自發(fā)極化，所以它是壓電晶體，而不是鐵電體。鈦酸鋇晶體具有自發(fā)極化，又有壓電效應，所以鈦酸鋇晶體被稱為鐵電晶體。（）

答案:對矯頑場強和飽和場強隨溫度升高而降低。所以在一定條件下，極化溫度較高,可以在較低的極化電壓下達到同樣的效果。()

答案:對矩磁材料常用作記憶元件、開關元件、邏輯元件等等。（）

答案:對矩磁材料具有高剩磁化比Br/Bs，Hc小，穩(wěn)定損耗低，開關系數(shù)Sw小的特點。（）

答案:對相對于材料抗彎曲強度，材料的抗彎強度更大，因為它的應力分布不均勻，提高了斷裂強度。（）

答案:對直徑為10mm、厚度為1mm的介質(zhì)電容器，其電容為2000pF，損耗角正切為0.02,計算電介質(zhì)的相對介電系數(shù)。()

答案:2877電子很輕,它們對電場的反應很快,可以以光頻跟隨外電場變化。（）

答案:對電子導電材料中溫度對載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對電子的散射起主要作用，高溫下聲子對電子的散射起主要作用。（）

答案:對電介質(zhì)的相對介電常數(shù)(實部和虛部)隨所加電場的頻率而變化。在低頻時,相對介電常數(shù)與頻率無關。()

答案:對由理論結合強度是計算公式，可以看出材料的理論結合強度與材料的彈性模量、斷裂表面能以及原子間距離的關系為：材料的理論結合強度與其彈性模量和斷裂表面能成正相關，與原子間距成負相關。（）

答案:對由樣品的電容充電所造成的電流，簡稱電容電流，引起的損耗稱為電導損耗。（）

答案:錯由彈性理論臨界強度公式，下面各選項中不是提高材料強度的思路的是（）

答案:降低斷裂表面能γ用同種材料制成的不同厚度的板材，如果厚度為2.0mm時其所能承受的最大降溫速度為0.04K/s，厚度為4.0mm時所能承受的最大降溫速度是多少？()

答案:0.01K/s物質(zhì)磁性的來源是電子軌道磁矩和電子自旋磁矩，電子自旋磁矩為主。（）

答案:對灰鑄鐵彈性模量為111.8GPa，剛性模量為44GPa，它的泊松比為（）

答案:0.27滑石Mg[Si4O10](OH)2硅酸鹽礦結構屬何種結構類型？（）

答案:層狀溫度越高，材料的屈服強度越高，上下屈服強度的差值越大。（）

答案:錯溫度對致密的穩(wěn)定氧化鋯的熱導率的影響最低。因此，致密穩(wěn)定氧化鋯是良好的高溫耐火材料。（）

答案:對法向應力又叫正應力，使材料形狀發(fā)生改變；剪應力又叫切應力，使材料尺寸發(fā)生改變。（）

答案:錯求融熔石英的結合強度，設估計的表面能為1.75J/m2;Si-O的平衡原子間距為1.6*10-8cm;彈性模量從60到75Gpa。()

答案:25.62~28.64GPa氯化銀晶體中缺陷的主要形式為Frenkel缺陷Agi·和VAg’，間隙銀離子更容易遷移，可能遷移方式有間隙擴散和亞晶格間隙擴散。（）

答案:對氧化鋯在1000℃附近發(fā)生晶型的轉變，會造成4%左右的體積變化，使所組成的材料的熱穩(wěn)定性降低，加入MgO、CaO、Y2O3等氧化物作為穩(wěn)定劑，與ZrO2形成立方晶型的固溶體，能做成穩(wěn)定的氧化鋯。（）

答案:對氧化鋁晶體，硬質(zhì)橡膠，硼硅酸鹽玻璃三者彈性模量的大小關系為（）

答案:氧化鋁晶體＞硼硅酸鹽玻璃＞硬質(zhì)橡膠氧化性氣氛生成p型半導體，以下缺陷反應生成陰離子填隙（MaXb+y）型非化學計量化合物1/2O2(g)=Oi’’+2h?（）

答案:對氧化性氣氛生成p型半導體，以下缺陷反應生成陽離子空位（Ma-yXb）型非化學計量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）

答案:對氣孔率增大，材料的最大剪應力減小，蠕變速度減小。（）

答案:錯氣孔對固體的摩爾熱容，體積熱容有無影響？（）

答案:摩爾熱容與氣孔無關，體積熱容須考慮氣孔比較堿金屬元素Li、Na、K、Rb、Cs的費密能大小（）

答案:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs正應力的方向平行于作用面，剪應力的方向垂直于作用面。（）

答案:錯正應力的方向____于作用面，剪應力的方向____于作用面（）

答案:垂直；平行橡膠，鐵，氧化鋁三者彈性模量的關系為E橡膠＜E鐵＜E氧化鋁。（）

答案:對根據(jù)本征擊穿模型可知，擊穿強度與試樣形狀無關,特別是擊穿場強與試樣厚度無關。（）

答案:對根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關系示意圖，表示形成連續(xù)固溶體電阻率變化情況的是（）。

答案:根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關系示意圖，表示形成連續(xù)固溶體電阻率變化情況的是（）。根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關系示意圖，表示形成正常價化合物電阻率變化情況的是（）。

答案:根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關系示意圖，表示形成正常價化合物電阻率變化情況的是（）。某種玻璃的折射率為1.5，若將其放入水中（水的折射率為1.33），求布儒斯特角。（）

答案:48.4°某種材料在空氣中的布儒斯特角為58°，求該材料的折射率（空氣的折射率約為1）。（）

答案:1.60某種介質(zhì)的吸收系數(shù)αa=0.32cm-1，透射光強為入射光強的10%時，該介質(zhì)的厚度為（）cm。

答案:7.20某種介質(zhì)的吸收系數(shù)α=0.62cm-1，要使入射光線能量的35%不能穿過它，該介質(zhì)的厚度至少是（）cm。（）

答案:0.695某種介質(zhì)的吸收系數(shù)α=0.51cm-1，透射光強為入射光強的1/4時，該介質(zhì)的厚度為（）cm。

答案:2.72某種介質(zhì)的吸收系數(shù)α=0.45cm-1，透射光強為入射光強的一半時，該介質(zhì)的厚度為()cm。（）

答案:1.54某單晶硅本征半導體的電子遷移率為1600cm2/（s·v），空穴遷移率為400cm2/（s·v），空穴的電量與電子的電量相同，其電子遷移數(shù)為（）

答案:0.8極細的纖維或晶須等材料的強度可以接近其理論結合強度。（）

答案:對材料表面制造大量細小裂紋可以降低能量，減緩裂紋的擴展，從而使材料的強度增加。（）

答案:對材料的尺寸效應是指尺寸越大的材料包含的缺陷（危險裂紋）越多，因此同材質(zhì)大試件的強度偏低。（）

答案:對本征硅在室溫下可作為紅外光導探測器材料，試確定探測器的最大波長。（本征硅的禁帶寬度為1.12eV）（）

答案:1109nm本征半導體材料的霍爾系數(shù)RH為0（假定電子和空穴的遷移率相同）。（）

答案:對有一實際使用應力σ=6×108Pa的構件，使用兩種鋼材：A鋼：σys=8.2×108Pa，KIC=4.5×107Pa·m1/2；B鋼：σys=6.6×108Pa，KIC=7.5×107Pa·m1/2，斷裂力學觀點，兩種鋼材的臨界應力分別是多少，應該選用哪一種鋼材？（設最大裂紋尺寸為0.1mm，裂紋幾何形狀因子為1.3）（）

答案:3.46GPa/5.77GPaB有一厚度t=5mm，寬2b=340mm的平板，具有中心貫穿裂紋，裂紋長為2a=16mm，板端受拉力F=1.3MN。若材料σs=1210MPa,KIc=4030MPa(mm)0.5。板的應力強度因子為多少，能否正常工作。（）

答案:3833MPa(mm)0.5可以晶面指數(shù)較小的面，原子的面密度越大，面間距越大，原子間的作用力______，___產(chǎn)生相對滑動。（）

答案:越?。灰拙w和非晶體材料的導熱系數(shù)在高溫時比較接近。（）

答案:對晶體產(chǎn)生Frenkel缺陷時，晶體體積變大，晶體密度變小。（）

答案:錯晶體中的缺陷、雜質(zhì)和晶粒界面都會引起格波的散射，等效于聲子平均自由程的減少從而降低熱導率。（）

答案:對無限大板A、B受拉力，已知板A含貫穿裂紋長度為2a=40.8mm，板B含邊緣穿透裂紋長度為2a=37mm，外加應力均為250MPa，材料的斷裂韌度KC=63.25MPam2，則板A、B是否會發(fā)生斷裂。()

答案:A板斷裂，B板斷裂無限大板A、B受拉力，已知板A含貫穿裂紋長度為2a=40.8mm，板B含貫穿裂紋長度為2a=5.7mm，外加應力均為250MPa，材料的斷裂韌度KC=63.25MPam2，則板A、B是否會發(fā)生斷裂。()

答案:A板斷裂，B板不會斷裂無機材料的抗拉強度和抗壓強度差異明顯，抗拉強度約為抗壓強度十倍。（）

答案:錯無機（多晶）材料的強度與其晶粒大小有關：晶粒越小，強度越高。（）

答案:對方鎂石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常數(shù)是0.42nm，計算MgO中每個晶胞中肖特基缺陷的數(shù)目（MgO為立方晶系，1個MgO晶胞中有4個MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（）

答案:0.04形變速度越慢，材料的屈服強度越大，上下屈服強度的差值越大。（）

答案:錯形變速度越快，材料的脆性越差，塑性越強。（）

答案:錯當表面能級低于半導體的費米能級，即為受主表面能能級時，從半導體內(nèi)部俘獲電子而帶負電，內(nèi)層帶正電在表面附近形成表面空間電荷層。（）

答案:對當氯化鈉在鈉蒸氣中加熱再冷卻后，就會帶上黃色，生成陰離子空位型非化學計量化合物：(1-x)NaCl+xNa(g)=NaCl(1-x)，陰離子空位和束縛電子，被稱為“V心”。（）

答案:錯當正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時，Cd離子仍保持正型分布。試計算當正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時，Cd離子仍保持正型分布。試計算下列組成的磁矩：CdzFe2.9O4。（）

答案:z=0.1，μ=4.6μB當正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時，Cd離子仍保持正型分布。試計算下列組成的磁矩：CdzFe3O4。（）

答案:z=0，μ=4μB當正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時，Cd離子仍保持正型分布。試計算下列組成的磁矩：CdzFe2.5O4。（）

答案:z=0.5，μ=μB當某材料的氣孔率為0.5時，材料的強度與理論強度的關系是（假設n為5）（）

答案:σf=0.0821σ0當某材料的氣孔率為0.1時，材料的強度與理論強度的關系是（）

答案:σf=σ0exp(-0.1n)當外加電場頻率ω很低,即ω→0,介質(zhì)的各種極化機制都能跟上電場的變化,此時不存在極化損耗,相對介電常數(shù)最大。()

答案:對彈性模量是材料正應力與正應變的比值，又叫剪切彈性模量；剛性模量是剪應力與剪應變的比值，又叫楊氏模量。（）

答案:錯彈性材料的特點是具有極大的彈性形變，沒有殘余形變。（）

答案:對建筑材料、黏土質(zhì)耐火磚、保溫磚的熱導率隨溫度的升高而線性降低。（）

答案:錯平面應變斷裂韌性即臨界應力場強度因子。（）

答案:對平面應變斷裂強度小于平面應力斷裂強度。（）

答案:對平行于受拉應力方向上投影最長的裂紋是材料的最危險裂紋。（）

答案:錯布儒斯特定律提供一種測定不透明電介質(zhì)折射率的方法，今測得某一電介質(zhì)的起偏角為57°，試求這一電介質(zhì)的折射率（空氣的折射率約為1）。（）

答案:1.54已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10-8cm，固有振動頻率為1012Hz，晶格勢能壘為0.5eV，求300K時的離子遷移率為（）。

答案:6.19×10-11cm2/s·V已知室溫下硅的本征載流子密度ni=1.5′1010cm-3，試求摻磷濃度為1.5′1013cm-3，摻硼濃度為1.0′1013cm-3的硅樣品在室溫熱平衡狀態(tài)下的電子密度n0、空穴密度p0和費米能級的位置（Ec-EF）。已知此時硅中雜質(zhì)原子已全部電離，硅的導帶底和價帶頂有效態(tài)密度分別為2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()

答案:n0=5′1012cm-3,p0=4.5′107cm-3,Ec-EF=0.404eV已知NaI的A1=1.0×106s·m-1，W1=118kJ/mol，A2=6s·m-1，W2=59kJ/mol；計算在300K時的電導率。（）s·m-1

答案:3.27×10-10已知NaCl的A1=5.0×107s·m-1，W1=169kJ/mol，A2=50s·m-1，W2=82kJ/mol；計算在300K時的電導率。（）

答案:2.7×10-13s·m-1已知NaBr的A1=2.0×107s·m-1，W1=168kJ/mol，A2=20s·m-1，W2=77kJ/mol；計算在300K時的電導率（）s·m-1

答案:8.05×10-13已知CaO的肖特基缺陷生成能為6ev，欲使Ca2+在CaO中的擴散直至CaO的熔點（2600℃）都是非本征擴散，要求三價雜質(zhì)離子的濃度是多少？（）

答案:1.1×10-5居里溫度是指鐵磁性和順磁性的轉變溫度或者鐵磁性體表現(xiàn)出鐵磁性的最高溫度。（）

答案:對導體從正常態(tài)轉變?yōu)槌瑢B(tài)的溫度是超導體的臨界溫度Tc。（）

答案:對對于激光器，三能級系統(tǒng)比四能級系統(tǒng)工作效率更高。（）

答案:錯對于二維正方格子，第一布里淵區(qū)角上π/a(1,1)的自由電子動能是區(qū)邊中心點π/a(1,0)的幾倍（）

答案:2安全系數(shù)是指屈服強度或斷裂強度與允許應力的比值。（）

答案:對如電子占據(jù)某一能級的幾率為1/4，另一能級被占據(jù)的幾率為3/4，分別計算兩個能級的能量比費密能高出多少kT（）

答案:1.099kT，-1.099kT如果輸入電流所產(chǎn)生的磁場與外加磁場之和超過超導體的臨界磁場Bc時,則超導態(tài)被破壞。（）

答案:對如果對某試樣測得的霍爾系數(shù)RH為負值，則其電導載流子為空穴。（）

答案:錯如果對某試樣測得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導載流子為電子。（）

答案:錯如果二氧化鈦多晶材料中含有7.00%體積的氣孔，假定無氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導率為0.0400J/(s·cm·℃)，試計算這種材料的熱導率大約是多少?()

答案:0.0372J/(s·cm·℃)如果二氧化鈦多晶材料中含有5.00%體積的氣孔，假定無氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導率為0.0400J/(s·cm·℃)，試計算這種材料的熱導率大約是多少?()

答案:0.0380J/(s·cm·℃)如果CaF2晶體中，含有百萬分之一的YF3雜質(zhì)，則在1600℃時，CaF2晶體中是熱缺陷濃度小于雜質(zhì)缺陷濃度（CaF2晶體中弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV）？（）

答案:錯如圖所示，穿過偏振片B的偏振光強度為I0，偏振片B與N的夾角為30°，不計偏振片對光能量的吸收，則透過檢偏器N的出射光強為（）

答案:如圖所示，穿過偏振片B的偏振光強度為I0，偏振片B與N的夾角為30°，不計偏振片對光能量的吸收，則透過檢偏器N的出射光強為（）如圖所示，單色自然光（光強為I0）垂直入射于偏振片M，偏振片M與N的透振方向相互平行，并在M與N間平行地插入另一偏振片B，B與M透振方向夾角為60°，求透過檢偏器N后的出射光強。（不計偏振片對光能量的吸收）（）

答案:如圖所示，單色自然光（光強為I0）垂直入射于偏振片M，偏振片M與N的透振方向相互平行，并在M與N間平行地插入另一偏振片B，B與M透振方向夾角為60°，求透過檢偏器N后的出射光強。（不計偏振片對光能量的吸收）（）多晶材料的晶粒越小，其蠕變速率越大。（）

答案:對多晶材料多是沿晶界斷裂。（）

答案:對多晶體材料和相同組成的固溶體材料的熱導率更大，在氧化鎂中摻入氧化鈣或氧化鋇，造成的熱導率的變化大。（）

答案:多晶體，氧化鋇。多價陽離子固溶體中非金屬原子過剩時形成n型半導體；金屬原子過剩時形成p型半導體。（）

答案:錯外磁場使物質(zhì)中的磁矩有規(guī)則取向，使物質(zhì)表現(xiàn)出宏觀磁性。（）

答案:對處于超導態(tài)的超導體是一抗磁體，此時超導體具有屏蔽磁場和排除磁通的功能。（）

答案:對聲子的頻率和溫度如何影響固體的熱導率？（）

答案:頻率ν為音頻時，波長長，熱導率大。溫度升高，熱導率降低。聲子平均自由程越大，晶體熱導率越小。（）

答案:錯垂直于受拉應力方向上投影最長的裂紋是材料的最危險裂紋。（）

答案:對均勻的介質(zhì)（折射率n處處相等）可以發(fā)生散射。（）

答案:錯在高純度BaTiO3原料中添加微量鑭用普通陶瓷工藝燒成，得到的陶瓷具有p型半導體的性質(zhì)。()

答案:錯在金屬中形成一個空位所需要的激活能為2.0eV（或0.32×10-18J）。在時，1×104個原子中有一個空位，問在何種溫度下，1000個原子中含有1個空位？（）

答案:928℃在較高溫度下，固溶體材料的熱導率的雜質(zhì)效應與溫度無關。（）

答案:錯在直流電下，介質(zhì)損耗不僅與自由電荷的電導有關，還與松弛極化過程有關，所以它不僅決定于自由電荷電導，還與束縛電荷產(chǎn)生有關（與頻率有關的量）。（）

答案:錯在用MgCl2摻雜的NaCl晶體中，鈉離子空位VNa’缺陷占優(yōu)勢（）

答案:對在氧化鋁中摻雜摩爾百分數(shù)分別為0.5%的NiO和0.02%的Cr2O3,制成金黃色的人造黃玉，經(jīng)分析是形成了置換型固溶體。寫出人造黃玉的固溶分子式為（）

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975在材料表面制造大量細小裂紋可以降低表面長裂紋出現(xiàn)的幾率。（）

答案:對在外磁場存在下材料內(nèi)磁化強度為負時，固體表現(xiàn)為抗磁性。（）

答案:對在單晶體、多晶體、多孔燒結體、纖維和粉末五種材料中，哪幾種常用作隔熱保溫材料？（）

答案:多孔燒結體、纖維、粉末在半導體硅中雜質(zhì)P起施主作用；Al起受主作用，同時含磷和鋁，但鋁濃度高的Si是p型半導體。（）

答案:對在元素周期表中，相應單質(zhì)彈性模量的大小關系為：同一周期，彈性模量逐漸減??；同一主族，彈性模量逐漸增大。（）

答案:錯在中低溫下，傳熱以聲子傳導為主；在高溫下，傳導以光子傳導為主。（）

答案:對在不改變材料結構的情況下，氣孔率的增大總是使材料的熱導率降低。（）

答案:對在不改變材料結構的情況下，氣孔率的增大總是使材料的熱導率升高。（）

答案:錯在一種還原性氣氛中加熱的WO3晶體中，氧空位VO..和W(V)缺陷占優(yōu)勢。（）

答案:對在p-n結兩端接電壓時可以形成正偏壓和負偏壓。P區(qū)接負極，n區(qū)接正極，形成負偏壓。（）

答案:對在p-n結兩端接電壓時可以形成正偏壓和負偏壓。P區(qū)接負極，n區(qū)接正極，形成正偏壓。（）

答案:錯在p-n結兩端接電壓時可以形成正偏壓和負偏壓。p區(qū)接電壓正極，n區(qū)接電壓負極，形成負偏壓。（）

答案:錯在p-n結兩端接電壓時可以形成正偏壓和負偏壓。p區(qū)接電壓正極，n區(qū)接電壓負極，形成正偏壓。（）

答案:對在CaF2晶體中，弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV，計算在25℃時熱缺陷的濃度？（）

答案:2.21×10-24在CaF2晶體中，弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV，計算在1600℃時熱缺陷的濃度？（）

答案:1.72×10-4在800℃時1010個原子中有1個原子具有足夠能量可在固體內(nèi)移動；而在900℃時，109個原子中就有1個原子實現(xiàn)上述情況，試求其激活能（J/原子）。（）

答案:4.0×10-19J/原子在（773K）所做擴散實驗指出，在金屬1010個原子中有一個原子具有足夠的激活能可以跳出其平衡位置而進入間隙位置，在時，此比例會增加到109，問：（1）此跳躍所需要的激活能？（2）在（973K）具有足夠能量的原子所占的比例為多少？()

答案:①2.14×10-19J/atom②6.2×10-9因為金屬中自由電子濃度很大，遠遠超過半導體的載流子密度，故半導體的霍爾系數(shù)小于金屬。（）

答案:錯因為金屬中自由電子濃度很大，遠遠超過半導體的載流子密度，故半導體的霍爾系數(shù)大于金屬。（）

答案:對含玻璃相的多晶多相材料的電導率主要取決于其玻璃相。（）

答案:對同種物質(zhì)的單晶體與多晶體相比，單晶體的熱導率低。（）

答案:錯同種物質(zhì)，單晶材料強度小于多晶材料。（）

答案:錯同種物質(zhì)，單晶材料強度大于多晶材料。（）

答案:對同一種材料的薄板和厚版相比，斷裂韌性更大。（）

答案:對同一種晶體中電子的遷移率μe小于空穴的遷移率μh。（）

答案:錯同一種晶體中電子的遷移率μe大于空穴的遷移率μh。（）

答案:錯只要有被未充滿的電子的原子就一定顯示出磁性。（）

答案:錯發(fā)磷光的材料往往含有雜質(zhì)并在能隙附近建立了施主能級。（）

答案:對反鐵磁性物質(zhì)在奈爾點以下磁化率隨溫度增加而增加，在奈爾點以上隨溫度增加而減小，抗磁性物質(zhì)磁化率為負值，順磁性物質(zhì)隨溫度增加磁化率減小。（）

答案:對反型尖晶石結構Zn0.2Mn0.8Fe2O4的單位體積飽和磁矩為（）

答案:4μB反型尖晶石結構MgFe2O4的單位體積飽和磁矩為()

答案:0反型尖晶石結構CoFe2O4的單位體積飽和磁矩為（）

答案:3μB原子間結合力越大，彈性模量E越小。（）

答案:錯壓敏效應為對電壓變化敏感的非線性電阻效應，即在某一臨界電壓下，電阻值非常高，幾乎無電流通過，超過該臨界電壓，電阻迅速降低，讓電流通過。（）

答案:對單晶硅半導體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3,求在273K時該半導體中的本征載流子濃度ni為（）。

答案:6.7×108/cm3單晶氧化鋁、致密多晶氧化鋁、多孔燒結氧化鋁、粉體氧化鋁的熱導率從大到小的順序依次為（）

答案:單晶氧化鋁、致密多晶氧化鋁、多孔燒結氧化鋁、粉體氧化鋁半導體中費米能級隨著溫度的升高向禁帶中央移動，隨著雜質(zhì)濃度的提高向禁帶邊沿移動。（）

答案:對化合物半導體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄，如GaN＞GaP。（）

答案:對決定裂紋快速擴展的條件是應力大于臨界應力或裂紋超過臨界尺寸。（）

答案:對具有對稱中心或結構任意混亂的介質(zhì)，既具有一次電光效應，又具有二次電光效應。（）

答案:錯具有對稱中心或結構任意混亂的介質(zhì)，不具有一次電光效應，只具有二次電光效應。（）

答案:對關于應變?nèi)渥兒蛻Τ谠?，以下說法正確的是（）

答案:應變?nèi)渥冎笇︷椥泽w施加恒定應力，應變隨時間而增加的現(xiàn)象關于剪應力與粘度的關系，正確的說法是（）

答案:當剪應力小時，粘度和應力無關；當剪應力大時，隨溫度升高，粘度下降關于不同因素對蠕變的影響，錯誤的是（）

答案:玻璃相粘度越小，蠕變率越小。光子熱傳導的表示方法正確的是（）

答案:光子熱傳導的表示方法正確的是（）假定無氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導率為0.0400J/(s·cm·℃)，若某含有氣孔的二氧化鈦多晶材料的熱導率為0.0380J/(s·cm·℃)，試計算這種材料的氣孔率大約是多少?（）

答案:5.00%俘獲了空穴的陽離子空位為F心。（）

答案:錯作為紅外透過材料使用時，晶體的透過長波限較大。（）

答案:對體心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的長度(基矢的長度)為（）

答案:體心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的長度(基矢的長度)為（）低溫時有較高熱導率的材料的熱導率隨溫度的升高而降低，低溫時有較低熱導率的材料的熱導率隨溫度的升高而升高。（）

答案:對低溫時有較高熱導率的材料的熱導率隨溫度的升高而升高，低溫時有較低熱導率的材料的熱導率隨溫度的升高而降低。（）

答案:錯以四價原子、二維正方空晶格為例計算自由電子的費密波矢為（）

答案:以四價原子、二維正方空晶格為例計算自由電子的費密波矢為（）以下哪種材料的折射率最大？（）

答案:PbS以下哪一項時用矩陣表示的鈦酸鋇晶體壓電常數(shù)。（）

答案:以下哪一項時用矩陣表示的鈦酸鋇晶體壓電常數(shù)。（）以下關于應力與應變的說法中，錯誤的是（）

答案:對于剪應力，如果體積元任一面上的法向應力與坐標軸的正方向相同，則該面上的剪應力指向坐標軸的負方向者為正，反之則為負。以下不屬于非金屬產(chǎn)生滑移條件的是（）

答案:柏格斯矢量大以下不屬于容易引起滑移面增多的條件是（）

答案:材料塑性較差從磁疇的角度解釋磁化的原理：由于各個磁疇之間彼此取向不同，無外磁場條件下首尾相連，形成閉合磁路，磁性材料在空氣中的自由靜磁能為0，對外不顯磁性，只有通過充分磁化，使材料各磁疇的空間取向趨于一致，才能使材料呈現(xiàn)出很大的磁化強度，從而得到應用。（）

答案:對從對磁疇組織的觀察中，可以看到有的磁疇大而長，稱為主疇，其自發(fā)磁化方向必定沿晶體的易磁化方向。（）

答案:對什么材料更容易發(fā)生脆性斷裂。()

答案:無機非金屬材料亞間隙機構與空位機構相比，造成的晶格變形大；與間隙機構相比，晶格變形小。AgBr晶體中的間隙Ag+的擴散，螢石型結構UO2+x晶體中間隙O2-的擴散屬于亞間隙擴散機構。（）

答案:對下圖屬于四價原子二維正方格子的近自由電子費密面的是（）

答案:下圖屬于四價原子二維正方格子的近自由電子費密面的是（）下圖屬于三價原子二維正方格子的自由電子費密面的是（）

答案:下圖屬于三價原子二維正方格子的自由電子費密面的是（）下圖中二維正方格子的第二布里淵區(qū)的形狀為（）

答案:下圖中二維正方格子的第二布里淵區(qū)的形狀為（）下列的磁性中屬于強磁性的是（）

答案:亞鐵磁性下列四種物質(zhì)，導熱率最小的是（）

答案:ZrO下列四種物質(zhì)，導熱率最大的是（）

答案:CaO下列關于激光的說法中錯誤的是（）。

答案:半導體激光器的特點是體積小,效率較高,運行簡單，單色性好。三維晶體的布里淵區(qū)的界面構成一多面體，下圖中為體心立方晶格第一布里淵區(qū)的為（）

答案:三維晶體的布里淵區(qū)的界面構成一多面體，下圖中為體心立方晶格第一布里淵區(qū)的為（）一陶瓷材料的斷裂韌性為1.62MPa.m2，該材料制成的零件上有一垂直于拉應力的邊裂，如邊裂長度為2mm，求零件的臨界應力。()

答案:18.25MPa一陶瓷材料的斷裂韌性為1.62MPa.m2，該材料制成的零件上有一垂直于拉應力的邊裂，如邊裂長度為2um，求零件的臨界應力。()

答案:577.04MPa一陶瓷含體積百分比為95%的氧化鋁（E=380GPa）和5%的玻璃相（E=84GPa），則其上限及下限彈性模量分別為（）

答案:365.2GPa，323.1GPa一陶瓷含體積百分比為95%的TiC（E=310GPa）和5%的玻璃相（E=74GPa），則其上限及下限彈性模量分別為（）

答案:298.2GPa，267.4GPa一陶瓷含體積百分比為95%的MoSi2（E=407GPa）和5%的玻璃相（E=61GPa），則其上限及下限彈性模量分別為（）

答案:389.7GPa，317.1GPa一陶瓷三點彎曲試件，在受拉面上于跨度中間有一豎向切口如圖。如果E=380Gpa，μ=0.24，求KIc值，設極限荷載達50Kg。計算此材料的斷裂表面能。()

答案:3.28J/m2一般材料,在高溫、低頻下,主要為電離損耗,在常溫、高頻下,主要為松馳極化損耗,在高頻、低溫下主要為結構損耗。（）

答案:錯一般折射率小、結構松散的電介質(zhì)，如硅酸鹽玻璃、綠寶石、堇青石等礦物，主要表現(xiàn)為空間電荷極化。（）

答案:錯一般折射率小、結構松散的電介質(zhì)，如硅酸鹽玻璃、綠寶石、堇青石等礦物，主要表現(xiàn)為離子松弛極化。（）

答案:對一般折射率大、結構緊密、內(nèi)電場大、電子電導大的電介質(zhì)，如含鈦瓷，主要表現(xiàn)為空間電荷極化。（）

答案:錯一般在外電場用下(人工極化)，90°電疇轉向比較充分，同時由于“轉向”時結構畸變小，內(nèi)應力小，因而這種轉向比較穩(wěn)定，而180°電疇的轉向是不充分的。（）

答案:錯一種半導體E(k)曲線的導帶底曲率大于其價帶頂曲率,由此知其電子有效質(zhì)量小于空穴有效質(zhì)量，其電子遷移率大于空穴遷移率。（）

答案:對一熱機部件由反應燒結氮化硅（第一熱應力因子R=547℃）制成，一些基本性能參數(shù)如下：熱導率λ=0.184J/(cm·s·℃)，α=2.5×10-6/℃;σf=310MPa.E=172GPa,μ=0.24.則其第一及第二熱沖擊斷裂抵抗因子的值分別為（）

答案:547℃，100.65J/(cm·s)判斷題一塊1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介質(zhì)，其電容為2.4*10-6μF，損耗因子tgδ為0.02。求相對介電常數(shù)（）

答案:3.39一個波爾磁子的大小為（）

答案:一個波爾磁子的大小為（）一CaF2（E=160GPa）陶瓷材料的氣孔率為5%，根據(jù)公式計算其彈性模量約為（）

答案:145GPa一BaTiO3（E=123GPa）陶瓷材料的氣孔率為5%，根據(jù)公式計算其彈性模量約為（）

答案:112GPaZnS禁帶寬度為3.6eV，ZnS中雜質(zhì)形成的陷阱能級為導帶下的1.38eV，試計算發(fā)光波長并確定發(fā)光類型。（）

答案:560nm，磷光ZnO屬六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每個晶胞中含有2個ZnO分子，測得晶體密度為5.74g/cm3，這種情況下產(chǎn)生置換型固溶體。（）

答案:錯ZnO屬六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每個晶胞中含有2個ZnO分子，測得晶體密度為5.606g/cm3，這種情況下產(chǎn)生間隙型固溶體。（）

答案:錯TiO2等金屬氧化物，在還原氣體中焙燒時，還原氣氛奪取了TiO2中的部分氧在晶格中產(chǎn)生氧空位。每個氧離子在離開晶格時要交出兩個電子。這兩個電子可將兩個Ti4+還原成Ti3+，但三價Ti3+離子不穩(wěn)定，會恢復四價放出兩個電子，由于氧離子缺位，分子表達式為TiO2-x。此時電子濃度、氧空位濃度和氧分壓的關系為：（）

答案:TiO2等金屬氧化物，在還原氣體中焙燒時，還原氣氛奪取了TiO2中的部分氧在晶格中產(chǎn)生氧空位。每個氧離子在離開晶格時要交出兩個電子。這兩個電子可將兩個Ti4+還原成Ti3+，但三價Ti3+離子不穩(wěn)定，會恢復四價放出兩個電子，由于氧離子缺位，分子表達式為TiO2-x。此時電子濃度、氧空位濃度和氧分壓的關系為：（）SiC的一些基本性能參數(shù)為：α=3.8×10-6/℃;σf=414MPa.E=400GPa,μ=0.17.則其第一及熱沖擊斷裂抵抗因子R的值為（）℃