• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2025-04-23 頒布
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【正版授權(quán)-英語版】 IEC 62047-46:2025 EN Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 46: Silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of tensile strength of_第1頁
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基本信息：

  • 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：IEC 62047-46:2025 EN
  • 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件-微機(jī)電設(shè)備-第46部分：硅基MEMS制造技術(shù)-納米厚度膜拉伸強(qiáng)度的測量方法
  • 英文名稱：Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 46: Silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of tensile strength of nanoscale thickness membrane
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期：2025-04-23

文檔簡介

硅基MEMS制造技術(shù)-納米厚度膜拉伸強(qiáng)度的測量方法標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容如下：

該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了納米厚度膜（厚度在幾納米到幾百納米之間）拉伸強(qiáng)度的測量方法，適用于硅基MEMS器件的生產(chǎn)和測試。該標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的測試方法和要求，以確保膜的拉伸強(qiáng)度符合設(shè)計(jì)要求和性能標(biāo)準(zhǔn)。

測試步驟如下：

1.準(zhǔn)備樣品：選擇合適的硅基MEMS器件樣品，確保其符合生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)格要求。

2.切割和制備樣品：根據(jù)測試要求，對樣品進(jìn)行切割和制備，確保膜的平整度和完整性。

3.測量膜的厚度：使用適當(dāng)?shù)臏y量設(shè)備和方法，精確測量膜的厚度，確保其符合設(shè)計(jì)要求。

4.加載和測量拉伸強(qiáng)度：使用適當(dāng)?shù)脑O(shè)備和方法，對膜進(jìn)行加載，并測量其拉伸強(qiáng)度。拉伸強(qiáng)度是指膜在受到拉伸應(yīng)力時(shí)所能承受的最大應(yīng)力值。

5.數(shù)據(jù)分析和報(bào)告：根據(jù)測試結(jié)果，對數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和報(bào)告，確保膜的拉伸強(qiáng)度符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了測試過程中的注意事項(xiàng)和要求，例如測試環(huán)境的控制、測試設(shè)備的校準(zhǔn)和驗(yàn)證、測試數(shù)據(jù)的記錄和保存等。此外，標(biāo)準(zhǔn)還對測試過程中的異常情況進(jìn)行了說明和處理方法，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

該標(biāo)準(zhǔn)為硅基MEMS器件生產(chǎn)商提供了詳細(xì)的測試方法和要求

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