PLASMA原理ppt課件

1、等離子體技術(shù)在高級封裝行業(yè)的應(yīng)用節(jié)目of PLASMA technology in advanced packaging industries，PLASMA CLEANING原理簡介，Presented by Chao Fang，目錄Agenda。等離子技術(shù)簡介Introduction to Plasma Technology，概覽Overview:微電子學(xué)產(chǎn)業(yè)微電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)閃存，EEPROM dram，SRAM analog/linear micro controllers， 不良籌碼粘接poor die attach insufficient heat dissipation due to

2、 poor die attach不良接線強度poor wire bond strength contamination on bond pad翻轉(zhuǎn)籌碼填充線Flip Chip Under fifield 表面污染物去除contamination removal wire bonding encapsulation ball attach(contamination sources 3360 fluorine，nickel hydroxide，photore 什么是“等離子體”？物質(zhì)形態(tài)：固體、液體、氣體、等離子體，所謂等離子體是離子電子和中性粒子，或部分游動的氣體。(Partially Ion

3、ized Gas)。內(nèi)部的組成包括有各種電荷的電子、離子(Ion)和沒有電的激發(fā)態(tài)分子和原子團(Radicals)、自由基、紫外線等。nebula、lightning、volcano、magnetic fusing reactor、fluorescent lamp、plasma、neon light、自然電場和電場的生成利用電離粒子和通過極板提供的電場加速粒子之間的碰撞作用。碰撞引起的二次電子和通往密封空間的氣體粒子，特別是沒有電荷的氣體分子和原子團再次碰撞。沖擊之間產(chǎn)生了傳記漿和燈光。通過碰撞電子和粒子的結(jié)合成為原子團。人工等離子體，等離子體的配置Components of a Plasma

4、，電子電子電子電子離子ions positive ar e-ar 2e-negative Cl2 2e-2cl-自由基Free Radicals: CH4 eH e光子光子photons Ar E-Ar E-HN中性粒子Neutrals，PLASMA工作原理演示了Plasma with RF是如何生成的。例如，給電極板提供13.56MHZ的交流電，電子在陽極板之間加速以獲得能量。牙齒高能電子沖擊反應(yīng)氣體分子(如Ar，H2)、傳記漿中有機污染物的去除方法有兩種：化學(xué)反應(yīng)：氧原子或氫原子與污染物結(jié)合，實現(xiàn)等離子體處理的物理反應(yīng)：使用正離子沖擊方法(如氬)分離包含C-H鍵的污染物，實現(xiàn)去除目的。在傳

5、記紙漿處理過程中，影響最大的因素是反應(yīng)溫度。由功率、密度、壓力和處理時間確定。氣體的流動影響蝕刻速度和反應(yīng)時間，可以按R=(P*V)/r P:壓力(Torr)R 3360滯流時間(秒v3360反應(yīng)室體積(liter)計算。R:填充氣體的流量(每秒通過的Torr-liter)。當(dāng)一種氣體滲透到一種或多種額外氣體時，這種元素的混合氣體組合可以產(chǎn)生所需的蝕刻和清洗效果。常用的氣體有氧、氫、四氟烷、氬、氦。通過等離子屬性、Gas and Concentration、離子或高活性原子撞擊表面污染物或形成揮發(fā)性氣體，然后通過真空系統(tǒng)取用，實現(xiàn)表面清潔。氬離子濺射(ARGON SPUTTERING)是離子，

6、利用電場和基板所問的電位差高速撞擊基板。用碰撞動力濺出污染物或分解碳氫污染物化學(xué)鍵，形成氣體的揮發(fā)?？蔀R射金屬氧化膜去除。Ar (Ar)離子沖擊，氫電氣還原(HYDROGEN REDUCTION)用處于此狀態(tài)的自由基氫分解碳污染物，還原金屬氧化膜。h2cxhyh 2 cxh(Y2)2p3h 2 2 ph 3 Oxide H2O，氧離子去除(OXYGEN ASHING)利用高能氧離子在低溫下燃燒碳氫污染物。燃燒效率高，但不能去除金屬氧化膜，反而能制造金屬氧化膜。O2 c O2 CO2 cxhy O2 CO2 H2O oxide O2 no reaction，反應(yīng)器，物理，化學(xué)，化學(xué)，PLASMA工作原理說明，Plasma with RF clean原理，Plasma clean中常用的氣體是O2和Ar反應(yīng)A: H*有機物CXH (Y2) B3360AR *有機物體積小、重量輕的有機物在Wire bonding strength的過程、運輸或處理過程(如鋁墊)中受到污染。牙齒污染物可以作為有機物通過A型化學(xué)反應(yīng)或B型物理反應(yīng)去除污染物。如果污染物不是有機物，可以通過B型物理反