基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn).doc

基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)0引言隨著電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、商業(yè)等領(lǐng)域的發(fā)展，人們對(duì)數(shù)據(jù)傳輸率的要求越來(lái)越高，傳統(tǒng)的單片機(jī)早已不能滿足這種高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊?。與此同時(shí)，可編程的邏輯器件FPGA/CPLD以其強(qiáng)大的功能，開(kāi)發(fā)過(guò)程投資小、周期短，可反復(fù)編程修改，開(kāi)發(fā)工具智能化等特點(diǎn)，成為當(dāng)今硬件設(shè)計(jì)的潮流；相比而言，F(xiàn)PGA即現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列，它的集成度高，可完成極其復(fù)雜的時(shí)序與組合邏輯電路功能，更適用于高速、高密度的高端數(shù)字邏輯電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域1。SDRAM即：同步動(dòng)態(tài)隨即存儲(chǔ)器，與傳統(tǒng)的DRAM有很大區(qū)別。它可以與系統(tǒng)總線以同頻率工作，用同一個(gè)CPU時(shí)鐘周期即可完成數(shù)據(jù)的訪問(wèn)和刷新，進(jìn)而大大的提高了數(shù)據(jù)傳輸率，其速度遠(yuǎn)大于DRAM。因而，SDRAM常作為數(shù)據(jù)緩存應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中。目前，許多嵌入式設(shè)備的大容量、高速度存儲(chǔ)器都采用SDRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)，而且大多都是用專用芯片完成其控制電路，這不但提高了設(shè)計(jì)成本，而且使系統(tǒng)的硬件電路變得復(fù)雜。隨著FPGA在嵌入式系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用，如果我們能夠結(jié)合具體的需要，利用FPGA來(lái)設(shè)計(jì)自己的SDRAM控制器，這些問(wèn)題就迎刃而解了。然而，SDRAM的控制邏輯復(fù)雜、時(shí)序要求嚴(yán)格，常常困擾設(shè)計(jì)人員。有很多文章2，3，4，5詳細(xì)的介紹了SDRAM的工作原理、控制時(shí)序和指令特點(diǎn)，以及基于FPGA的SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)方法，但是并沒(méi)有詳細(xì)的給出控制器內(nèi)部結(jié)構(gòu)和指令時(shí)序的控制問(wèn)題。因此。本文將介紹一種基于FPGA的通用SDRAM控制器，并著重介紹設(shè)計(jì)方案中各模塊的功能和實(shí)現(xiàn)方法。該控制器用VHDL語(yǔ)言程序?qū)崿F(xiàn)，完成了SDRAM指令狀態(tài)轉(zhuǎn)換、信號(hào)仲裁判斷，并巧妙的用三個(gè)移位寄存器解決了指令的邏輯和時(shí)序的問(wèn)題。1.SDRAM簡(jiǎn)介SDRAM具有空間存儲(chǔ)量大、讀寫速度快、價(jià)格相對(duì)便宜的特點(diǎn)。但其控制邏輯復(fù)雜，需要周期性刷新操作、行列管理、不同延時(shí)和命令序列等。1.1SDRAM地址結(jié)構(gòu)SDRAM的存儲(chǔ)地址分為頁(yè)（bank）地址，行（row）地址和列（column）地址。例如一個(gè)8MByte的SDRAM，被分為4個(gè)bank，即1個(gè)bank為2MByte，每個(gè)bank包括12行8列。1.2SDRAM的指令SDRAM的一系列指令如表1所示，每個(gè)指令最終都是通過(guò)控制RAS、CAS、WE信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)。通常對(duì)SDRAM的操作過(guò)程如下：表1SDRAM命令（1）SDRAM初始化操作：上電后至少等待100ns，然后至少執(zhí)行1條空操作；對(duì)所有頁(yè)執(zhí)行預(yù)充電操作；向各頁(yè)發(fā)出兩條刷新操作指令；最后執(zhí)行SDRAM工作模式的設(shè)定LMR命令用來(lái)配置SDRAM工作模式寄存器，SDRAM工作寄存器如表2所示。其中A11A10是用戶保留位；A9用來(lái)配置寫突發(fā)模式；A8A7是操作模式，通常為“00”,代表標(biāo)準(zhǔn)操作模式；A6A4設(shè)置CAS延遲時(shí)間；A3決定突發(fā)操作模式是順序還是間隔型；最后的三位A2A0用來(lái)配置突發(fā)長(zhǎng)度。表2SDRAM工作寄存器A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0ReserveWriteburstmodeOperatingmodeLatencymodeBursttypeBurstlength（2）SDRAM讀、寫操作：根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需要，發(fā)出讀、寫指令。SDRAM可實(shí)現(xiàn)突發(fā)式讀寫，支持的突發(fā)長(zhǎng)度可配置為1個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)數(shù)據(jù)周期或者頁(yè)模式。并且突發(fā)的模式可以配置為順序或者間隔型。對(duì)SDRAM進(jìn)行訪問(wèn)的最主要操作就是讀RD和寫WR操作。SDRAM在進(jìn)行讀寫操作時(shí)，必須要先進(jìn)行頁(yè)激活A(yù)CT操作，以保證存儲(chǔ)單元是打開(kāi)的，以便從中讀取地址或者寫入地址，關(guān)閉存儲(chǔ)單元通過(guò)預(yù)充電PHC命令實(shí)現(xiàn)。在進(jìn)行寫操作時(shí)，內(nèi)部的列地址和數(shù)據(jù)就會(huì)被寄存；進(jìn)行讀操作時(shí)，內(nèi)部地址被寄存，等待CAS延遲時(shí)間（通常為13個(gè)時(shí)鐘周期）后，讀出的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上，具體時(shí)序詳見(jiàn)SDRAM數(shù)據(jù)手冊(cè)，此處不再贅述。（3）操作終止：當(dāng)SDRAM接收到讀、寫指令后，開(kāi)始進(jìn)行順次的讀寫操作，直到達(dá)到突發(fā)長(zhǎng)度或者突發(fā)終止指令BT出現(xiàn)。2SDRAM控制器方案SDRAM控制器【6】針對(duì)SDRAM的指令操作特點(diǎn)，為SDRAM提供同步命令接口和時(shí)序邏輯控制，下面將以ALTERA公司的Cyclone系列FPGA為例，主機(jī)系統(tǒng)時(shí)鐘為100MHz，使用三星公司的K4S641632E，8MByteSDRAM【7】，介紹SDRAM控制器的具體設(shè)計(jì)方法。圖1為SDRAM控制器的接口原理圖。圖1SDRAM控制器接口原理圖接口信號(hào)介紹：（1）與主機(jī)接口信號(hào)：CLK：系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)；RESET:：系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)；CMD2:0：譯碼指令，如表3所示；CMDACK：指令應(yīng)答信號(hào)，通知主機(jī)命令已被SDRAM執(zhí)行；ADDR：地址線，根據(jù)具體情況確定位數(shù)，本例中為22位，A21、A20代表頁(yè)地址BA1,BA0；A19A8代表行地址；A7A0代表列地址；DATAIN/DATAOU：輸入、輸出數(shù)據(jù)總線；DM：數(shù)據(jù)掩碼；（2）與SDRAM接口信號(hào)：SADDR：12位地址線，在讀、寫操作時(shí)，地址線分時(shí)復(fù)用為行地址和列地址；BA：頁(yè)地址，BA0，BA1；CS：片選信號(hào)；CKE：時(shí)鐘使能信號(hào)；RAS、CAS、WE：命令控制信號(hào)；DQM：SDRAM數(shù)據(jù)掩碼；DQ：雙向數(shù)據(jù)線；SDRAM控制器作為頂層模塊，由3個(gè)主要模塊組成：接口控制模塊、命令生成模塊、數(shù)據(jù)路徑模塊。下面將詳細(xì)的介紹各個(gè)模塊的功能和關(guān)鍵設(shè)計(jì)的VHDL實(shí)現(xiàn)方法。表3CMD命令字2.1接口控制模塊接口控制模塊主要實(shí)現(xiàn)的功能包括：將CMD2:0翻譯成接口指令和對(duì)刷新計(jì)數(shù)器的控制，如圖2所示。首先通過(guò)狀態(tài)機(jī)來(lái)完成對(duì)CMD2:0的翻譯，在VHDL程序中聲明一個(gè)用戶自定義類型states，根據(jù)CMD2:0輸入來(lái)決定狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，完成對(duì)CMD2:0的解碼，如下所示：typestatesis(nop,reada,writea,refresh,precharge,load_mode)；signalstate:states；casecmdiswhen011=statestate=nop；SDRAM需要周期性刷新操作以保持?jǐn)?shù)據(jù)，數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常會(huì)給出在一定的時(shí)間T內(nèi)，SDRAM至少刷新X次，如果用戶使用頻率為FrMHz的時(shí)鐘，則刷新周期Tf可以通過(guò)下面的公式計(jì)算出：Tf（T*Fr）/X。例如，本例中數(shù)據(jù)手冊(cè)要求64ms內(nèi)至少刷新4096次，系統(tǒng)時(shí)鐘周期為100MHz，則刷新周期為(64ms*100MHz)/4096，得出結(jié)果等于1562.5，所以至多1562個(gè)時(shí)鐘周期的時(shí)間就必須對(duì)SDRAM刷新一次。刷新控制在程序中通過(guò)一個(gè)計(jì)數(shù)器來(lái)完成，當(dāng)?shù)竭_(dá)規(guī)定的計(jì)數(shù)周期，就向SDRAM發(fā)出REF_REQ刷新請(qǐng)求，直到SDRAM完成刷新操作，發(fā)出REF_ACK刷新應(yīng)答信號(hào)，計(jì)數(shù)器才重新賦值開(kāi)始下一次的計(jì)數(shù)。圖2接口控制模塊2.2命令生成模塊圖3是命令生成模塊，主要實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸入的指令請(qǐng)求進(jìn)行仲裁判斷，并將仲裁后要執(zhí)行的指令解碼成SDRAM需要的RAS、CAS等信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)SDRAM的控制。圖3命令生成模塊之所以需要仲裁機(jī)制，是因?yàn)樵谥噶顖?zhí)行之前可能會(huì)發(fā)生以下情況：其它指令和刷新請(qǐng)求同時(shí)到來(lái)；刷新請(qǐng)求到來(lái)時(shí)，其它指令正在執(zhí)行。仲裁機(jī)制實(shí)現(xiàn)方法如下：（1）SDRAM在每一刻只有一個(gè)指令在執(zhí)行；（2）先到的指令先執(zhí)行，即：如果刷新請(qǐng)求到來(lái)時(shí)，其它命令正在執(zhí)行中，要等到當(dāng)前命令執(zhí)行完成后，才能執(zhí)行刷新指令；（3）其它指令和刷新請(qǐng)求同時(shí)到來(lái)時(shí)刷新操作先執(zhí)行。經(jīng)過(guò)仲裁判斷后，指令將傳入命令生成器。命令生成器不僅要把指令解碼成可控制SDRAM的信號(hào)，同時(shí)還要用三個(gè)移位寄存器對(duì)命令執(zhí)行的延遲時(shí)間進(jìn)行控制。第一個(gè)為指令延時(shí)寄存器，用來(lái)保證SDRAM有充足時(shí)間完成最終指令。例如，如果命令的執(zhí)行需要8各時(shí)鐘周期的時(shí)間，則指令延時(shí)寄存器com_delay的初值設(shè)為“11111111”，同時(shí)聲明一個(gè)內(nèi)部信號(hào)com_done，作為指令執(zhí)行完成的標(biāo)志的。在指令執(zhí)行期間，每一個(gè)時(shí)鐘上升沿到來(lái)時(shí)，移位寄存器向右移位一次，com_delay0的移入com_done，同時(shí)“0”移入最高位com_delay7。當(dāng)com_done為“0”時(shí)，就說(shuō)明指令的延遲時(shí)間已到，即通過(guò)com_done的值，就可以判斷當(dāng)前指令是否執(zhí)行完成。要注意的是：移位寄存器的位數(shù)和初值，應(yīng)該根據(jù)SDRAM的數(shù)據(jù)手冊(cè)中命令完成需要的時(shí)間和系統(tǒng)的時(shí)鐘周期來(lái)確定。下面得例程僅供參考。if(do_state=refreshordo_state=readaordo_state=writeaordo_state=prechargeordo_state=load_mode)thencommand_delay(7downto0)=11111111；-移位寄存器初值command_done=1；elsecommand_done=command_delay(0)；-移位操作command_delay(6downto0)=command_delay(7downto1)；command_delay(7)=0；endif；當(dāng)輸入的指令為writea和reada指令，將引發(fā)一系列指令的執(zhí)行，和其它指令相比需要附加時(shí)間。所以，聲明第二個(gè)移位寄存器rw_shift，來(lái)計(jì)算這兩個(gè)指令的附加時(shí)間，其工作原理和第一個(gè)移位寄存器是一樣的。最后一個(gè)移位寄存器oe_shift用來(lái)為數(shù)據(jù)通道生成oe，即數(shù)據(jù)輸入、輸出使能信號(hào)。對(duì)于非頁(yè)模式的讀寫來(lái)說(shuō)，oe保持有效的時(shí)間取決于突發(fā)長(zhǎng)度。并且oe有效的起始時(shí)間對(duì)讀操作和寫操作時(shí)不同的：讀操作時(shí)，oe有效的起始時(shí)間取決于CAS延時(shí)時(shí)間，而對(duì)于寫操作時(shí)則在寫指令開(kāi)始時(shí)oe就是有效的。23數(shù)據(jù)路徑模塊數(shù)據(jù)路徑模塊主要是在writea和reada命令期間處理數(shù)據(jù)的路徑操作。模塊的結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。DQ是雙向數(shù)據(jù)線，用來(lái)傳輸從SDRAM讀出數(shù)據(jù)和向SDRAM寫入的數(shù)據(jù)。無(wú)論是數(shù)據(jù)在讀出還是寫入時(shí)，都是在oe有效，即oe為高電平時(shí)才能進(jìn)行傳輸。DM是由主機(jī)輸出的數(shù)據(jù)掩碼，通過(guò)DQM輸出到SDRAM的LDQM和UDQM管腳，進(jìn)而控制SDRAMI/O緩沖的低字節(jié)和高字節(jié)。圖4數(shù)據(jù)路徑模塊3總結(jié)本文結(jié)合SDRAM控制指令的特點(diǎn)，詳細(xì)的介紹了一種基于FPGA的通用SDRAM控制器的設(shè)計(jì)方案。本文所介紹的指令狀態(tài)的轉(zhuǎn)移、仲裁機(jī)制的實(shí)現(xiàn)和移位寄存器控制指令延遲時(shí)間的方法，提供了一種SDRAM控制器的設(shè)計(jì)思想，由于SDRAM的控制機(jī)制比較復(fù)雜，具有多種突發(fā)讀寫的工作模式，我們可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用中的需求情況來(lái)編寫程序，實(shí)現(xiàn)最基本的讀寫和刷新操作，不必要顧全到每一種情況。SDRAM作為高速數(shù)據(jù)緩存，在基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA的控制下，將在高速、高密度、高端的數(shù)字電路領(lǐng)域中得到更加廣泛的應(yīng)用。參考文獻(xiàn)1王誠(chéng),吳華,范麗珍,等.AlteraFPGA/CPLD設(shè)計(jì)(基礎(chǔ)篇).人民郵電出版社,2005,7.2田豐,鄧建國(guó),李巍,賈治華.SDRAM的設(shè)計(jì)與VHDL實(shí)現(xiàn).電子技術(shù)應(yīng)用,2003,(31)2:74-77.3劉云清,佟首峰,姜會(huì)林.利用FPGA實(shí)現(xiàn)SDRAM控制器的設(shè)計(jì).長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)報(bào).2005,28(4):47-50.4宋一鳴,謝煜,李春茂.基于FPGA的SDRAM控制器設(shè)計(jì).電子工程師,2003,29(9):10-13.5周正昆.基于FPGA的SDRAM控制器設(shè)計(jì).現(xiàn)代電子技術(shù),2003,