微型計(jì)算機(jī)的組成.ppt

微型計(jì)算機(jī)的組成,一、CPU 二、硬盤(pán) 三、內(nèi)存 四、光驅(qū) 五、顯示卡 六、顯示器 七、主板,八、網(wǎng)卡 九、聲卡 十、機(jī)箱 十一、電源 十二、CPU風(fēng)扇 十三、機(jī)箱風(fēng)扇,CPU主要參數(shù)及規(guī)格型號(hào),一、CPU架構(gòu)，就是CPU核心的設(shè)計(jì)方案。目前CPU大致可以分為X86、IA64、RISC等多種架構(gòu)，而個(gè)人電腦上的CPU架構(gòu)，其實(shí)都是基于X86架構(gòu)設(shè)計(jì)的，稱為X86下的微架構(gòu)，常常被簡(jiǎn)稱為CPU架構(gòu)。 更新CPU架構(gòu)能有效地提高CPU的執(zhí)行效率，但也需要投入巨大的研發(fā)成本，因此CPU廠商一般每2-3年才更新一次架構(gòu)。近幾年比較著名的X86微架構(gòu)有Intel的Netburst（Pentium 4/Pentium D系列）、Core（Core 2系列）、Nehalem（Core i7/i5/i3系列），以及AMD的K8（Athlon 64系列）、K10（Phenom系列）、K10.5（Athlon II/Phenom II系列）。,二、CPU制造工藝：,我們常說(shuō)的CPU制作工藝是指生產(chǎn)CPU的技術(shù)水平，改進(jìn)制作工藝，就是通過(guò)縮短CPU內(nèi)部電路與電路之間的距離，使同一面積的晶圓上可實(shí)現(xiàn)更多功能或更強(qiáng)性能。制作工藝以納米（nm）為單位，目前CPU主流的制作工藝是45nm和32nm。對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō)，更先進(jìn)的制作工藝能帶來(lái)更低的功耗和更好的超頻潛力。,三、CPU位寬,32/64位指的是CPU位寬，更大的CPU位寬有兩個(gè)好處：一次能處理更大范圍的數(shù)據(jù)運(yùn)算和支持更大容量的內(nèi)存。對(duì)于前者，普通用戶暫時(shí)沒(méi)法體驗(yàn)到其優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于后者，很多用戶都碰到過(guò)，一般情況下32位CPU只支持4GB以內(nèi)的內(nèi)存，更大容量的內(nèi)存無(wú)法在系統(tǒng)識(shí)別（服務(wù)器級(jí)除外）。于是就有了64位CPU，然后就有了64位操作系統(tǒng)與軟件。,四、主頻、倍頻、外頻、前端總線頻率、超頻：,CPU主頻，就是CPU運(yùn)算時(shí)的工作頻率，一般以MHz和GHz為單位。主頻=外頻x倍頻。而我們常說(shuō)的超頻，就是通過(guò)手動(dòng)提高外頻或倍頻來(lái)提高主頻。前端總線FSB（Front Side Bus）是處理器與主板北橋芯片或內(nèi)存控制集線器之間的數(shù)據(jù)通道,五、核心數(shù)、線程數(shù)：,雖然提高頻率能有效提高CPU性能，但受限于制作工藝等物理因素，早在2004年，提高頻率便遇到了瓶頸，于是 Intel/AMD只能另辟途徑來(lái)提升CPU性能，雙核、多核CPU便應(yīng)運(yùn)而生。目前主流CPU有雙核、三核和四核， 六核也將在今年發(fā)布。 其實(shí)增加核心數(shù)目就是為了增加線程數(shù)，因?yàn)椴僮飨到y(tǒng)是通過(guò)線程來(lái)執(zhí)行任務(wù)的，一般情況下它們是1:1對(duì)應(yīng)關(guān)系，也就是說(shuō)四核CPU一般擁有四個(gè)線程。但I(xiàn)ntel引入超線程技術(shù)后，使核心數(shù)與線程數(shù)形成1:2的關(guān)系，如四核Core i7支持八線程（或叫作八個(gè)邏輯核心），大幅提升了其多任務(wù)、 多線程性能。,六、緩存：,緩存，Cache，它也是決定CPU性能的重要指標(biāo)之一。為什么要引入緩存？在解釋之前必須先了解程序的執(zhí)行過(guò)程，首先從硬盤(pán)執(zhí)行程序，存放到內(nèi)存，再給CPU運(yùn)算與執(zhí)行。由于內(nèi)存和硬盤(pán)的速度相比CPU實(shí)在慢太多了，每執(zhí)行一個(gè)程序CPU都要等待內(nèi)存和硬盤(pán)，引入緩存技術(shù)便是為了解決此矛盾，緩存與CPU速度一致，CPU從緩存讀取數(shù)據(jù)比CPU在內(nèi)存上讀取快得多，從而提升系統(tǒng)性能。當(dāng)然，由于CPU芯片面積和成本等原因，緩存都很小。目前主流級(jí)CPU都有一級(jí)和二級(jí)緩存，高端的甚至有三級(jí)緩存。,CPU的工作電壓就是CPU正常工作所需的電壓，與制作工藝及集成的晶體管數(shù)相關(guān)。正常工作的電壓越低，功耗越低，發(fā)熱減少。CPU的發(fā)展方向，也是在保證性能的基礎(chǔ)上，不斷降低正常工作所需要的電壓。例如老核心Athlon XP的工作電壓為1.75v，而新核心的Athlon XP其電壓為1.65v,七、工作電壓,TDP功耗：TDP的英文全稱是“Thermal Design Power”，中文翻譯為“熱設(shè)計(jì)功耗”，是反應(yīng)一顆處理器熱量釋放的指標(biāo)，它的含義是當(dāng)處理器達(dá)到負(fù)荷最大的時(shí)候，釋放出的熱量，單位為瓦（W）。 CPU的TDP功耗并不是CPU的真正功耗。CPU的功耗（功率）等于流經(jīng)處理器核心的電流值與該處理器上的核心電壓值的乘積。而TDP是指CPU電流熱效應(yīng)以及其他形式產(chǎn)生的熱能，他們均以熱的形式釋放。顯然CPU的TDP小于CPU功耗。換句話說(shuō)，CPU的功耗很大程度上是對(duì)主板提出的要求，要求主板能夠提供相應(yīng)的電壓和電流；而TDP是對(duì)散熱系統(tǒng)提出要求，要求散熱系統(tǒng)能夠把CPU發(fā)出的熱量散掉，也就是說(shuō)TDP功耗是要求CPU的散熱系統(tǒng)必須能夠驅(qū)散的最大總熱量。,八、TDP功耗：,封裝是采用特定的材料將CPU芯片或CPU模塊固化在其中以防損壞的保護(hù)措施，從大的分類來(lái)看通常采用Socket插座進(jìn)行安裝的CPU使用PGA(Ceramic Pin Grid Arrau Package插針柵格陣列)方式封裝，現(xiàn)在還有PLGA(Plastic Land Grid Array)、OLGA(Organic Land Grid Array)等封裝技術(shù)。由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，目前CPU封裝的發(fā)展方向以節(jié)約成本為主。,九、封裝形式（體積、散熱、安裝方便可靠）,PLGA即塑料焊盤(pán)柵格陣列封裝。由于沒(méi)有使用針腳，而是使用了細(xì)小的點(diǎn)式接口，具有更小的體積、更少的信號(hào)傳輸損失和更低的生產(chǎn)成本，可以有效提升處理器的信號(hào)強(qiáng)度、提升處理器頻率，同時(shí)也可以提高處理器生產(chǎn)的良品率、降低生產(chǎn)成本。目前Intel公司Socket 775接口的CPU采用了此封裝。,OPGA封裝（有機(jī)管腳陣列）。這種封裝的基底使用的是玻璃纖維，類似印刷電路板上的材料。 此種封裝方式可以降低阻抗和封裝成本。OPGA封裝拉近了外部電容和處理器內(nèi)核的距離，可以更好地改善內(nèi)核供電和過(guò)濾電流雜波。AMD公司的AthlonXP系列CPU大多使用此類封裝。,自處理器誕生起,處理器命名編號(hào)的變化便貫穿其中.早期處理器的命名方式相當(dāng)直接、明了,比如P3-933、P4-2.4GHzC,讓大家一看就知道處理器的規(guī)格及功能. 現(xiàn)在引入了新的“數(shù)字”命名規(guī)范.這項(xiàng)命名方式的改變主要是希望將處理器的重點(diǎn)不再只集中在“頻率”, 凸顯出每個(gè)產(chǎn)品的性能差異. 如T開(kāi)頭的為筆記本CPU,E、X、Q開(kāi)頭的為臺(tái)式PC的CPU,其中E開(kāi)頭的是雙核,X、Q開(kāi)頭的是四核.,10、規(guī)格型號(hào),臺(tái)式CPU 、 CPU內(nèi)核 Conroe CPU架構(gòu) EM64T 雙核心 內(nèi)核電壓（V） 0.85V-1.3525V 制作工藝（微米） 0.065 微米 CPU頻率主頻（MHz） 2660MHz 總線頻率（MHz） 1066MHz 倍頻（倍） 10 外頻 266MHz,E6700,Socket 775 針腳數(shù) 775pin CPU緩存L1緩存（KB） 64KB L2緩存（KB） 2MB*2 CPU技術(shù)超線程技術(shù) 不支持,i3 530 CPU頻率 主頻 2930MHz 外頻 133MHz 倍頻 22倍 插槽類型 LGA 1156 針腳數(shù)目 1156pin CPU內(nèi)核 核心數(shù)量 雙核心 線程數(shù) 四線程 制作工藝 32納米 核心類型 Clarkdale CPU架構(gòu) Nehelem 熱設(shè)計(jì)功耗(TDP) 73W 內(nèi)核電壓 0.6-1.4V 晶體管數(shù)量 1.77億 核心面積 114平方毫米 CPU緩存 一級(jí)緩存 264K 二級(jí)緩存 2256K 三級(jí)緩存 4MB,i3 530,二、硬盤(pán)參數(shù)及規(guī)格型號(hào),1、硬盤(pán)參數(shù) （1）硬盤(pán)外形：3.5英寸全高硬盤(pán)，3.5英寸半高硬盤(pán)， 2.5英寸硬盤(pán) （2）硬盤(pán)容量：?jiǎn)挝籊B，如320GB、500GB。 （3）硬盤(pán)盤(pán)片數(shù)：?jiǎn)纹?、兩片?（4）硬盤(pán)接口類型：ATA、SCSI，SATA硬盤(pán) （5）硬盤(pán)轉(zhuǎn)速： 4200轉(zhuǎn)/分，5400轉(zhuǎn)/分，7200轉(zhuǎn)/分，10000轉(zhuǎn)/分，15000轉(zhuǎn)/分。 （6）硬盤(pán)緩存容量：2MB緩存，8MB緩存、16MB緩存等。,2 硬盤(pán)規(guī)格型號(hào),例如: HDP725050GLA360 H = Hitachi（日立標(biāo)識(shí)） D = Deskstar P = P7K500系列（S代表Standard） 72 = 7200轉(zhuǎn) 50 = 此系列產(chǎn)品的最大容量為500GB（10=1000GB） 50 = 此款硬盤(pán)容量為500GB（16=160GB，25=250GB，32=320GB, 50=500GB, 75=750GB，10=1000GB） G = 系列代號(hào) L = 標(biāo)準(zhǔn)尺寸 A3 = SATA 3.0Gb/s 接口（AT=PATA 133接口） 6 = 16MB緩存（8=8MB 緩存，6=16MB緩存，3=32MB緩存） 0 = 保留位,例如: ST3500320AS ST = Seagate（希捷） 3 = 3.5英寸（1=3.5英寸全高硬盤(pán)，3=3.5英寸半高硬盤(pán)） 500 = 500GB容量（160=160GB，250=250GB， 320=320GB，以此類推） 3 = 32MB緩存（8=8MB，6=16MB） 2 = 兩張碟片（1=單碟，3=三碟，4=四碟） 0 = 保留位 S = Serial ATA串行接口（A=PATA并行接口）,例如: WD2500JS-00SGB0 WD = Western Digital（西部數(shù)據(jù)） 2500 = 250GB容量（1600=160GB，5000=500GB，以此類推） J = 7200rpm/8MB緩存（B=7200轉(zhuǎn)2MB，E=5400轉(zhuǎn)Protege系列，G=10000轉(zhuǎn)8MB） S = SATA 300MB/s接口（B=ATA接口，D=SATA 150MB/s接口） 00 = 零售市場(chǎng)（非00則是面向OEM客戶） S = 單碟容量 G = 代表同系列硬盤(pán)的版本 B0 = 代表硬盤(pán)Firmware版本（我們常見(jiàn)的就是A0和B0）,三、內(nèi)存參數(shù)及規(guī)格型號(hào),1、速度。,內(nèi)存速度一般用于存取一次數(shù)據(jù)所需的時(shí)間（單位一般都 ns）來(lái)作為性能指標(biāo)，時(shí)間越短，速度就越快。,2、容量。,單條內(nèi)存的容量通常為 512M、1G、2G、4G等,3、內(nèi)存電壓。,SDRAM 使用 3.3V電壓，而 DDR 使用 2.5V 電壓，DDR二代的電壓是1.8V， DDR3是1.5V,4、數(shù)據(jù)寬度和帶寬。,內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以bit為單位， SDRAM 32位， DDR1、DDR2、DDR3為64bit 。 內(nèi)存的帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率(Mbps) 。 DDR1 (200400)、DDR2 （400800）、 DDR3 （ 8002000 ）1Byte=8bit,五、內(nèi)存的線數(shù),內(nèi)存的線數(shù)是指內(nèi)存條與主板接觸時(shí)接觸點(diǎn)的個(gè)數(shù)，這些接觸點(diǎn)就是金手指，有 168線、184線和240線等。,六、工作頻率（Mhz),DDR1頻率分別有266 333 400 DDR2頻率分別有400 533 667 800 1066 DDR3頻率分別有1066 1333 1600,七、內(nèi)存的工作方式,SDRAM（同步動(dòng)態(tài)RAM）使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開(kāi)始傳遞數(shù)據(jù),DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM 是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。,DDR2（Double Data Rate 2）：它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取）。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。,DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓, 從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好，更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀.DDR3目前最高能夠達(dá)到2000Mhz的速度,盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3內(nèi)存模組仍會(huì)從1066Mhz起跳. DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì): 1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì),而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz. 2.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān).,在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器將只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道 只能一個(gè)插槽。因此內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn) （Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。,3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能.,當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3 內(nèi)存將停止所有的操作，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所以有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān) 閉。所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的 目的。,ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引 腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘 周期，在退出自刷新操作后用256時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。,ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的， 終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。 因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。,4.參考電壓分成兩個(gè)：對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF，在DDR3系統(tǒng)中將分為兩個(gè)信號(hào)。一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA，另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。）,DDR4內(nèi)存的有效運(yùn)行頻率初步設(shè)定在2133-4266MHz之間，運(yùn)行電壓則會(huì)進(jìn)一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會(huì)有1.05V的超低壓節(jié)能版，生產(chǎn)工藝預(yù)計(jì)首批采用36nm或者32nm。,5.根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新：為 了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新，DDR3也不例外。不過(guò)，為了最大的節(jié)省電力，DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)，因?yàn)樗⑿骂l率高的話，消電就大，溫度也隨之 升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。,八、內(nèi)存的校驗(yàn),（1）奇偶校驗(yàn).內(nèi)存中最小的單位是比特,也稱為“位“,位有只有兩種狀態(tài)分別以1和0來(lái)標(biāo)示,每8個(gè)連續(xù)的比特叫做一個(gè)字節(jié)(byte).不帶奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存每個(gè)字節(jié)只有8位,如果其某一位存儲(chǔ)了錯(cuò)誤的值,就會(huì)導(dǎo)致其存儲(chǔ)的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生變化,進(jìn)而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯(cuò)誤.而奇偶校驗(yàn)就是在每一字節(jié)(8位)之外又增加了一位作為錯(cuò)誤檢測(cè)位.在某字節(jié)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)之后,在其8個(gè)位上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是固定的,因?yàn)槲恢荒苡袃煞N狀態(tài)1或0,假設(shè)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)用位標(biāo)示為1、1、1、0、0、1、0、1,那么把每個(gè)位相加(1+1+1+0+0+1+0+1=5),結(jié)果是奇數(shù).對(duì)于偶校驗(yàn),校驗(yàn)位就定義為1,反之則為0;對(duì)于奇校驗(yàn),則相反.當(dāng)CPU讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí),它會(huì)再次把前8位中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相加,計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)位相一致.從而一定程度上能檢測(cè)出內(nèi)存錯(cuò)誤,奇偶校驗(yàn)只能檢測(cè)出錯(cuò)誤而無(wú)法對(duì)其進(jìn)行修正,同時(shí)雖然雙位同時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤的概率相當(dāng)?shù)?但奇偶校驗(yàn)卻無(wú)法檢測(cè)出雙位錯(cuò)誤.,ECC(Error Checking and Correcting,錯(cuò)誤檢查和糾正)內(nèi)存,它同樣也是在數(shù)據(jù)位上額外的位存儲(chǔ)一個(gè)用數(shù)據(jù)加密的代碼.當(dāng)數(shù)據(jù)被寫(xiě)入內(nèi)存,相應(yīng)的ECC代碼與此同時(shí)也被保存下來(lái).當(dāng)重新讀回剛才存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí),保存下來(lái)的ECC代碼就會(huì)和讀數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的ECC代碼做比較.如果兩個(gè)代碼不相同,他們則會(huì)被解碼,以確定數(shù)據(jù)中的那一位是不正確的.然后這一錯(cuò)誤位會(huì)被拋棄,內(nèi)存控制器則會(huì)釋放出正確的數(shù)據(jù).被糾正的數(shù)據(jù)很少會(huì)被放回內(nèi)存.假如相同的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)再次被讀出,則糾正過(guò)程再次被執(zhí)行.重寫(xiě)數(shù)據(jù)會(huì)增加處理過(guò)程的開(kāi)銷,這樣則會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)性能的明顯降低.如果是隨機(jī)事件而非內(nèi)存的缺點(diǎn)產(chǎn)生的錯(cuò)誤,則這一內(nèi)存地址的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)會(huì)被再次寫(xiě)入的其他數(shù)據(jù)所取代.如果數(shù)據(jù)位是8位,則需要增加5位來(lái)進(jìn)行ECC錯(cuò)誤檢查和糾正,數(shù)據(jù)位每增加一倍,ECC只增加一位檢驗(yàn)位,也就是說(shuō)當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)ECC位為6位,32位時(shí)ECC位為7位,數(shù)據(jù)位為64位時(shí)ECC位為8位,依此類推,在內(nèi)存中ECC能夠容許錯(cuò)誤,并可以將錯(cuò)誤更正,使系統(tǒng)得以持續(xù)正常的操作,不致因錯(cuò)誤而中斷,且ECC具有自動(dòng)更正的能力,可以將Parity無(wú)法檢查出來(lái)的錯(cuò)誤位查出并將錯(cuò)誤修正.,1、tRAS在內(nèi)存規(guī)范的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預(yù)充電時(shí)間。是指從收到一個(gè)請(qǐng)求后到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開(kāi)始接受數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間。 2.tRCD 是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對(duì)應(yīng)于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS(數(shù)據(jù)請(qǐng)求后首先被激發(fā))和CAS(RAS完成后被激發(fā))并不是連續(xù)的，存在著延遲。 3.CAS （Column Address Strobe，列地址選通信號(hào)），準(zhǔn)確的說(shuō)應(yīng)該是CL（CAS Latency，縱列存取延遲時(shí)間），它用時(shí)鐘周期數(shù)表示。在某一固定外頻下，其數(shù)值越小越好，一般為2個(gè)時(shí)鐘周期。,九、內(nèi)存時(shí)間參數(shù),4.tRP 指RAS Precharge Time ，行預(yù)充電時(shí)間。也就是內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問(wèn)結(jié)束到重新開(kāi)始的間隔時(shí)間。簡(jiǎn)單而言，在依次經(jīng)歷過(guò)tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要結(jié)束當(dāng)前的狀態(tài)然后重新開(kāi)始新的循環(huán)，再?gòu)膖RAS開(kāi)始。這也是內(nèi)存工作最基本的原理。如果你從事的任務(wù)需要大量的數(shù)據(jù)變化，例如視頻渲染，此時(shí)一個(gè)程序就需要使用很多的行來(lái)存儲(chǔ)，tRP的參數(shù)值越低表示在不同行切換的速度越快。以時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2 。 5.tAC 數(shù)據(jù)存取時(shí)間。一般是6ns或6.5ns，其值越小越好 tAC是Access Time from CLK的縮寫(xiě),是指最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘,是以納秒為單位的, 存取時(shí)間(tAC)代表著讀取、寫(xiě)入的時(shí)間 。 6.tCLK時(shí)鐘周期。tCLK決定內(nèi)存芯片的額定最高工作頻率。額定最高工作頻率=1000/tCLK，如：tCLK=10ns，則額定最高工作頻率=100MHz。 7.Burst Cycle Time 突發(fā)周期時(shí)間（突發(fā)長(zhǎng)度決定了READ或者WRITE命令能夠訪問(wèn)的列地址的最大數(shù)目 ）,顯示卡參數(shù)及規(guī)格型號(hào),（1）顯卡核心： ATI系列、 nVIDIA 比如ATI方面 4650/4670/4830/4850 nVIDIA方面 Geforce 9600GSO/9800GTX+ （2）顯存類型：DDRII 或者DDRIII （3）顯存位寬與顯存容量 128位、256位 256M、512M、1G （4）總線接口： AGP、PCI-E PCI-E 有1X到16X 速度,（5）輸出接口 VGA(模擬接口)DVI(數(shù)字接口)HDMI(高清接口),HDMI是終結(jié)以往影音分離傳輸?shù)娜陆涌?其最大傳輸速度可達(dá)5Gb/s,除影像數(shù)據(jù)外,更可同時(shí)傳輸高達(dá)8聲道的音訊信號(hào);非壓縮式的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸,可有效降低數(shù)/類轉(zhuǎn)換所造成的信號(hào)干擾與衰減.HDMI是首個(gè)支持在單線纜上傳輸,不經(jīng)過(guò)壓縮的全數(shù)字高清晰度、多聲道音頻和智能格式與控制命令數(shù)據(jù)的數(shù)字接口.HDMI接口由Silicon Image美國(guó)晶像公司倡導(dǎo),聯(lián)合索尼、日立、松下、飛利浦、湯姆遜、東芝等八家著名的消費(fèi)類電子制造商聯(lián)合成立的工作組共同開(kāi)發(fā)的.,（6）顯卡的分辨率: 640X480、1024X768、1280X1024等,（7）散熱系統(tǒng)：散熱器、風(fēng)扇,顯示器技術(shù)參數(shù)及規(guī)格信號(hào),1、顯示器分類： CRT顯示器、液晶顯示器 CRT顯示器顯示組件是銀光粉和電子束掃描。 液晶顯示器的顯示組件是液晶材料和背光燈。通俗地說(shuō)液晶顯示器就是兩塊玻璃中間夾了一層（或多層）液晶材料，玻璃后面有幾根燈管持續(xù)發(fā)光，液晶材料在信號(hào)控制下改變自己的透光狀態(tài)，于是你就能在玻璃面板前看到圖像了。,2、可視面積和比例： 顯示器的對(duì)角線距離（英寸）如：19英寸、23英寸等 比例是寬高比，如：16:9, 16:10,4:3等,3、色彩： 現(xiàn)實(shí)中的顏色是有無(wú)限種的, 而液晶由于自身的限制,是不能表現(xiàn)出無(wú)數(shù)種顏色的.我們常用的就是16.2M和16.7M, 顏色越多,在一些比較復(fù)雜的畫(huà)面,尤其是顏色逐漸過(guò)度逐漸變化的畫(huà)面中,顯示器的表現(xiàn)就越好. 16.7M.就是1670萬(wàn)種顏色,4、點(diǎn)距和分辨率： 點(diǎn)距是指組成液晶顯示屏的每個(gè)像素點(diǎn)之間的間隔大小 （毫米）， 分辨率為：指屏幕多少個(gè)像素點(diǎn) 如1024768、1440900等。 最佳分辨率（物理分辨率），也叫最大分辨率，在該分辨率下，才能顯現(xiàn)最佳圖像。液晶顯示器也可在較低分辨率的顯示，有兩種方式進(jìn)行顯示。 第一種為居中顯示：例如在 1024768的屏幕上顯示 800600的畫(huà)面時(shí)，只有屏幕居中的800600個(gè)像素被呈現(xiàn)出來(lái)，其它被呈現(xiàn)出來(lái)的像素則維持黑暗。目前該方法較少采用。 另一種稱為擴(kuò)展顯示：在顯示低于最佳分辨率的畫(huà)面時(shí)，各像素點(diǎn)通過(guò)差動(dòng)算法擴(kuò)充到相鄰像素點(diǎn)顯示，從而使整個(gè)畫(huà)面被充滿。這樣也使畫(huà)面失去原來(lái)的清晰度和真實(shí)的色彩。,5、亮度： 顯示器亮度是指物體明暗的程度（單位面積的發(fā)光強(qiáng)度），它的單位是nits (尼特)或稱堪德拉每平米(cd/m2) ，1nits=1坎特拉/平方米，亮度越高，顯示器對(duì)周圍環(huán)境的抗干擾能力就越強(qiáng)，顯示效果顯得更明亮。此參數(shù)至少要達(dá)到200cdm2，最好在250cdm2以上。,6、對(duì)比度（動(dòng)態(tài)對(duì)比度）： 對(duì)比度是指在規(guī)定的照明條件和觀察條件下，顯示器亮區(qū)與暗區(qū)的亮度之比。對(duì)比度是直接體現(xiàn)該液晶顯示器能否體現(xiàn)豐富色階的參數(shù)，對(duì)比度越高，還原的畫(huà)面層次感就越好。 如 10001。 對(duì)比度必須與亮度配合才能產(chǎn)生最好的顯示效果。 動(dòng)態(tài)對(duì)比度：在背光可控下達(dá)到的最大對(duì)比度 如 5000000:1 動(dòng)態(tài)對(duì)比度對(duì)于那些需要頻繁在明亮場(chǎng)景和昏暗場(chǎng)景切換的應(yīng)用才有較為明顯的實(shí)際意義，如：影視，而文本處理、上網(wǎng)、辦公、編程全部基本沒(méi)有明暗變化較大的情況出現(xiàn),7、可視角度： 液晶顯示器屬于背光型顯示器件，其發(fā)出的光由液晶模塊背后的背光燈提供，這必然導(dǎo)致液晶顯示器只有一個(gè)最佳的欣賞角度正視。當(dāng)你從其他角度觀看時(shí)，由于背光可以穿透旁邊的像素而進(jìn)入人眼，就會(huì)造成顏色的失真，不失真的范圍就是液晶顯示器的可視角度。液晶顯示器的視角還分為水平視角和垂直視角，水平視角一般大于垂直視角。目前來(lái)看，只要在水平視角上達(dá)到120度就可以滿足大多數(shù)用戶的應(yīng)用需求了。,8、響應(yīng)時(shí)間： 響應(yīng)時(shí)間指的是LCD顯示器對(duì)于輸入信號(hào)的反應(yīng)速度，也就是液晶由暗轉(zhuǎn)亮或者是由亮轉(zhuǎn)暗的反應(yīng)時(shí)間。一般來(lái)說(shuō)分為兩個(gè)部分：Tr（上升時(shí)間）、Tf（下降時(shí)間），而我們所說(shuō)的響應(yīng)時(shí)間指的就是兩者之和，響應(yīng)時(shí)間越小越好，如果超過(guò)40毫秒，就會(huì)出現(xiàn)運(yùn)動(dòng)圖像的遲滯現(xiàn)象。,9、接口：VGA 、 DVI 、 HDMI,10、液晶面板類型： VA型：VA型液晶面板在目前的顯示器產(chǎn)品中應(yīng)用較為廣泛的，使用在高端產(chǎn)品中，16.7M色彩和大可視角度是它最為明顯的技術(shù)特點(diǎn)，目前VA型面板分為兩種：MVA、PVA。 MVA型：全稱為（Multi-domain Vertical Alignment），是一種多象限垂直配向技術(shù)。它是利用突出物使液晶靜止時(shí)并非傳統(tǒng)的直立式，而是偏向某一個(gè)角度靜止；當(dāng)施加電壓讓液晶分子改變成水平以讓背光通過(guò)則更為快速，這樣便可以大幅度縮短顯示時(shí)間，也因?yàn)橥怀鑫锔淖円壕Х肿优湎颍屢曇敖嵌雀鼮閷拸V。在視角的增加上可達(dá)160度以上，反應(yīng)時(shí)間縮短至20ms以內(nèi)。 PVA型：是三星推出的一種面板類型，是一種圖像垂直調(diào)整技術(shù)，該技術(shù)直接改變液晶單元結(jié)構(gòu)，讓顯示效能大幅提升，可以獲得優(yōu)于MVA的亮度輸出和對(duì)比度。此外在這兩種類型基礎(chǔ)上又延出改進(jìn)型S-PVA和P-MVA兩種面板類型，在技術(shù)發(fā)展上更趨向上，可視角度可達(dá)170度，響應(yīng)時(shí)間被控制在20毫秒以內(nèi)，而對(duì)比度可輕易超過(guò)700:1的高水準(zhǔn)，,IPS型：IPS型液晶面板具有可視角度大、顏色細(xì)膩等優(yōu)點(diǎn)，看上去比較通透，這也是鑒別IPS型液晶面板的一個(gè)方法，PHILIPS不少液晶顯示器使用的都是IPS型的面板。而S-IPS則為第二代IPS技術(shù)，它又引入了一些新的技術(shù)，以改善IPS模式在某些特定角度的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。 LG和飛利浦自主的面板制造商也是以IPS為技術(shù)特點(diǎn)推出的液晶面板。 TN型：這種類型的液晶面板應(yīng)用于入門(mén)級(jí)和中端的產(chǎn)品中，價(jià)格實(shí)惠、低廉，被眾多廠商選用。在技術(shù)上，與前兩種類型的液晶面板相比在技術(shù)性能上略為遜色，它不能表現(xiàn)出16.7M艷麗色彩，只能達(dá)到16.7M色彩（6bit面板）但響應(yīng)時(shí)間容易提高?？梢暯嵌纫彩艿搅艘欢ǖ南拗?，現(xiàn)在市場(chǎng)上一般在8ms響應(yīng)時(shí)間以內(nèi)的產(chǎn)品大多都采用的是TN液晶面板。 液晶面板連系著液晶顯示器自身的質(zhì)量、價(jià)格和市場(chǎng)走向。其中液晶面板關(guān)系著玩家最看重的響應(yīng)時(shí)間、色彩、可視角度、對(duì)比度等參數(shù),（1）CCFL Cold Cathode Fluorescent Lamp簡(jiǎn)稱CCFL,中文譯名為冷陰極螢光燈管,（2）LED是發(fā)光二極管( Light Emitting Diode, LED)的簡(jiǎn)稱,11、背光 一般來(lái)說(shuō)有CCFL和LED兩種！,三星BX2350的技術(shù)參數(shù),尺寸：23英寸 面板類型：TN 背光類型：LED背光 色彩：16.7M 點(diǎn)距：0.266mm 分辨率：19201080 屏幕比例：16:9 亮度：250nits 對(duì)比度：1000:1(5000000:1動(dòng)態(tài)) 可視角度(水平/垂直)：176/170. 灰階響應(yīng)時(shí)間：2ms 接口類型：VGA, HDMI2 支持HDCP,HDCP是High-bandwidth Digital Content Protection的縮寫(xiě)，中文可稱作“HDCP數(shù)字內(nèi)容保護(hù)”。不支持HDCP協(xié)議的顯示器無(wú)法正常播放有版權(quán)的高清節(jié)目。,主板技術(shù)參數(shù)及規(guī)格信號(hào),PCB板是一塊多層印刷電路板，通過(guò)它主板才能把CPU、內(nèi)存以及各種總線擴(kuò)展槽鏈接起來(lái)。PCB板一般為4層、6層或8層，板的層數(shù)越多，主板的根基就越扎實(shí)，能夠保證電子元器件不相干擾，這樣主板性能也就越穩(wěn)定。,1.PCB基板,2.CPU插座,3.電源插座,4.主板芯片組,主板芯片組主要由北橋芯片和南橋芯片組成。位于CPU和內(nèi)存插槽附近的是北橋芯片，通常會(huì)有散熱片，它是CPU與外部設(shè)備之間的聯(lián)系紐帶，主要負(fù)責(zé)控制主板的CPU、內(nèi)存、AGP等高速設(shè)備。,南橋(SouthBridge)與北橋共同組成了芯片組，主要連接ISA設(shè)備和I/O設(shè)備。南橋芯片負(fù)責(zé)管理中斷及DMA通道，其作用是讓所有的資料都能有效傳遞。,5.插槽,AGP、PCI-E、PCI、ISA、內(nèi)存插槽,微機(jī)維修方法,觀察法、最小系統(tǒng)法、逐步添加去除法、隔離法、替換法、比較法、升降溫法、敲打法、清潔法，這些可以機(jī)動(dòng)搭配使用，以求快而準(zhǔn)地找出電腦故障點(diǎn)。,一、觀察法 觀察，是維修斷定進(jìn)程中第一要法。視察不僅要當(dāng)真，而且要全面。要察看的內(nèi)容包含： 四周的環(huán)境； 硬件環(huán)境。包括接插頭、座和槽等；軟件環(huán)境； 用戶操作的習(xí)慣、過(guò)程,二、最小系統(tǒng)法 最小系統(tǒng)是指，從維修判斷的角度能使電腦開(kāi)機(jī)或運(yùn)行的最基本的硬件和軟件環(huán)境。最小系統(tǒng)有兩種情勢(shì)： 硬件最小系統(tǒng)：由電源、主板和CPU組成。在這個(gè)系統(tǒng)中，不任何信號(hào)線的連接，只有電源到主板的電源連接。在判斷過(guò)程中是通過(guò)聲音和診斷卡上的代碼來(lái)判斷這一中心組成部分是否可正常工作； 軟件最小系統(tǒng)：由電源、主板、CPU、內(nèi)存、顯示卡/顯示器、鍵盤(pán)和硬盤(pán)組成。這個(gè)最小系統(tǒng)主要用來(lái)判斷系統(tǒng)是否可實(shí)現(xiàn)畸形的啟動(dòng)與運(yùn)行。 最小系統(tǒng)法，主要是要先判斷在最基本的軟、硬件環(huán)境中，系統(tǒng)是否可正常工作。如果不能正常工作，即可斷定最基本的軟、硬件部件有故障，從而起到故障隔離的作用。 最小系統(tǒng)法與逐步添加法聯(lián)合，能較疾速地定位故障點(diǎn),三、逐步添加/去除法 逐步增添法，以最小系統(tǒng)為基礎(chǔ)，每次只向系統(tǒng)添加一個(gè)部件/設(shè)備或軟件，來(lái)檢查故障現(xiàn)象是否消失或產(chǎn)生變更，以此來(lái)判斷并定位故障部位。 逐步去除法，正好與逐步增加法的操作相反。 逐步添加/去除法正常要與替換法配合，可較為正確地定位故障部位。 四、隔離法 是將可能妨害故障判斷的硬件或軟件屏蔽起來(lái)的一種判斷方法。它也可用來(lái)將懷疑互相抵觸的硬件、軟件隔分開(kāi)以判斷故障是否發(fā)生變化的一種方法。 上提到的軟硬件屏蔽，對(duì)于軟件來(lái)說(shuō)，等于結(jié)束其運(yùn)行，或者是卸載；對(duì)于硬件來(lái)說(shuō)，是在設(shè)備管理器中，禁用、卸載其驅(qū)動(dòng)，或?qū)⒂布南到y(tǒng)中去除。,五、調(diào)換法 替換法是用好的部件去取代可能有故障的部件，以判斷故障現(xiàn)象是否消逝的一種維修方法。好的部件可以是同型號(hào)的，也可能是不同型號(hào)的。替換的順序一般為： 故障率高底來(lái)考慮最先替換的部件。故障率高的部件先替換 最先考核與懷疑有故障的部件相連接的連接線、信號(hào)線等，之后是替換懷疑有故障的部件，再后是替換供電部件，最后是與之相關(guān)的其它部件。,六、比較法 比較法與替代法相似，即用好的部件與猜忌有故障的部件進(jìn)行外觀、配置、運(yùn)行景象等方面的比較，也可在兩臺(tái)電腦間進(jìn)行比較，以判定故障電腦在環(huán)境設(shè)置，硬件配置方面的不同，從而找出故障部位。,七、升降溫法 1）一般抉擇環(huán)境溫度較低的時(shí)段，如一清早或較晚的時(shí)光； 2）使電腦停機(jī)1224小時(shí)以上等方法實(shí)現(xiàn)； 3）用電風(fēng)扇對(duì)著故障機(jī)吹，以加快降溫速度。 4）電烙鐵、熱風(fēng)槍吹，以加快升溫速度。,八、敲打法 敲打法普通用在疑惑電腦中的某部件有接觸不良的故障時(shí)，通過(guò)振動(dòng)、恰當(dāng)?shù)呐で?，用橡膠錘敲打部件或設(shè)備的特定部件來(lái)使故障復(fù)現(xiàn)，從而判斷故障部件的一種維修方法。,九、對(duì)電腦產(chǎn)品進(jìn)行清潔的建議 有些電腦故障，往往是因?yàn)闄C(jī)器內(nèi)灰塵較多引起的，這就要求我們?cè)诰S修過(guò)程中，注意觀察故障機(jī)內(nèi)、外部是否有較多的灰塵，如果是，應(yīng)當(dāng)先進(jìn)行除塵，再進(jìn)行后續(xù)的判斷維修。在進(jìn)行除塵操作中，以下幾個(gè)方面要特別注意： 1、 注意風(fēng)扇的清潔 3、 注意接插頭、座、槽、板卡金手指部分的清潔 金手指的清潔，可以用橡皮擦拭金手指部分，或用酒精棉擦拭也可以。 插頭、座、槽的金屬引腳上的氧化現(xiàn)象的去除： 一是用酒精擦拭，一是用金屬片（如小一字改錐）在金屬引腳上微微刮擦。,4、 注意大范圍集成電路、元器件等引腳處的清潔 清潔時(shí)，應(yīng)用小毛刷或吸塵器等除掉灰塵，同時(shí)要觀察引腳有無(wú)虛焊和潮濕的現(xiàn)象，元器件是否有變形、變色或漏液現(xiàn)象。 5、 注意使用的清潔工具 清潔用的工具，首先是防靜電的。如清潔用的小毛刷，應(yīng)使用自然毛料制成的毛刷，禁用塑料毛刷。其次是如使用金屬工具進(jìn)行清潔時(shí)，必需堵截電源，且對(duì)金屬工具進(jìn)行泄放靜電的處置。 用于清潔的工具包括：小毛刷、皮老虎、吸塵器、抹布、酒精（不可用來(lái)擦拭機(jī)箱、顯示器等的塑料外殼）。 6、 對(duì)于比較濕潤(rùn)的情況，使其干燥后,主板常見(jiàn)故障,一、主板故障產(chǎn)生的原因 主板故障產(chǎn)生的原因有多種，主要可以分為人為因素、環(huán)境因素、元器件質(zhì)量等。 1.人為因素 人為造成的故障比外界因素造成的故障多，主要是操作不當(dāng)。如帶電插拔電纜、數(shù)據(jù)線、控制卡、網(wǎng)卡、顯示卡、內(nèi)存條等，這容易造成元器件的短路，嚴(yán)重時(shí)，有可能燒毀主板;開(kāi)關(guān)設(shè)置不對(duì)或跳線接錯(cuò)，也可能會(huì)造成主板的損壞。 2.環(huán)境因素 瞬間電壓的變化會(huì)由于感應(yīng)電壓峰值太大而對(duì)主板造成損壞;人體帶電可以高達(dá)千伏，如果用手觸摸CMOS、BIOS器件，會(huì)把它們擊穿;灰塵、溫度、濕度及外界的影響、干擾也會(huì)損壞主板的功能。有條件的用戶應(yīng)配備穩(wěn)壓電源和不間斷電源UPS。工作電源的地線要真正接地，接地電阻應(yīng)盡可能小。應(yīng)該保持正常的溫度和濕度，定期打開(kāi)機(jī)箱用毛刷和吸塵器除去主板上的灰塵 。,3.元器件質(zhì)量 主板上有很多芯片、電容、電阻、功率管、穩(wěn)壓管等元器件。這些元器件可能會(huì)因?yàn)榉N種原因損壞，比如CPU插座附近的電容如果有質(zhì)量問(wèn)題，很可能在使用一段時(shí)間后出現(xiàn)“爆漿”的嚴(yán)重故障。若電源質(zhì)量不好，主板I/O插槽中的控制卡超載運(yùn)行、適配卡出現(xiàn)故障時(shí)沒(méi)有及時(shí)排除或者其他配件短路往往會(huì)讓主板上的芯片、電阻、功率管、穩(wěn)壓管燒毀。,二、開(kāi)機(jī)鳴叫故障,主板BIOS有一項(xiàng)重要功能就是POST上電自檢程序，微機(jī)接通電源后，系統(tǒng)首先由該程序來(lái)對(duì)主板本身及內(nèi)存等主要配件進(jìn)行檢查，一旦在自檢中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，系統(tǒng)將給出提示信息或鳴笛警告。 1短：系統(tǒng)正常啟動(dòng) 2短：常規(guī)錯(cuò)誤 1長(zhǎng)1短：RAM或主板出錯(cuò)。 1長(zhǎng)2短：顯示器或顯示卡錯(cuò)誤 1長(zhǎng)3短：鍵盤(pán)控制器錯(cuò)誤。 1長(zhǎng)9短：主板Flash RAM或EPROM錯(cuò)誤，BIOS損壞。 重復(fù)長(zhǎng)響：內(nèi)存條未插緊或損壞 重復(fù)短響：電源有問(wèn)題。,三、CMOS易掉電、時(shí)鐘不準(zhǔn) 在開(kāi)機(jī)自檢時(shí)總出現(xiàn)“CMOS checksum error-Defaults loades”的提示，此時(shí)必須按F1 ，Load BIOS default才能正常開(kāi)機(jī)。這種情況很可能就是主板上給CMOS供電的紐扣電池沒(méi)電了，換一顆電池。有些朋友的電腦時(shí)鐘總是不太準(zhǔn)確，一天快慢的誤差會(huì)達(dá)到10分鐘以上，而且CMOS電池電量會(huì)很快耗盡，可能的原因是主板CMOS電池插座、CMOS供電電路濾波電容、CMOS芯片有短路或漏電現(xiàn)象。,四、電源類故障 1、開(kāi)機(jī)后，過(guò)幾秒鐘就自動(dòng)關(guān)機(jī)。 電源開(kāi)關(guān)或RESET鍵按下后彈不起來(lái)。 2、不定期的出現(xiàn)重啟現(xiàn)象 電源供電插座有虛接，松動(dòng) 3、不能開(kāi)機(jī) 電源開(kāi)關(guān)、電源開(kāi)關(guān)線、主板電源模塊壞,五、主板上的保險(xiǎn)電阻熔斷 出現(xiàn)找不到鍵盤(pán)鼠標(biāo)、USB移動(dòng)設(shè)備不能使用等現(xiàn)象,六、主板上的電容損壞 當(dāng)電容因電壓過(guò)高或長(zhǎng)時(shí)受高溫熏烤，會(huì)冒泡或淌液，這時(shí)電容的容量減小或失容，電容便會(huì)失去濾波的功能，使提供負(fù)載電流中的交流成份加大，造成CPU、內(nèi)存、相關(guān)板卡工作不穩(wěn)定，表現(xiàn)為容易死機(jī)或系統(tǒng)不穩(wěn)定，經(jīng)常出現(xiàn)藍(lán)屏。,七、主板自動(dòng)保護(hù)鎖定 有的主板具有自動(dòng)偵測(cè)保護(hù)功能，當(dāng)電源電壓有異常、或者CPU超頻、調(diào)整電壓過(guò)高等情況出現(xiàn)時(shí)，會(huì)自動(dòng)鎖定停止工作。表現(xiàn)就是主板不啟動(dòng)，這時(shí)可把CMOS放電后再加電啟動(dòng)，有的主板需要在打開(kāi)主板電源時(shí)，按住RESET鍵即可解除鎖定。,八、主板溫控、及溫控失常 由于現(xiàn)在CPU發(fā)熱量非常大，主板都提供了嚴(yán)格的溫度監(jiān)控和保護(hù)裝置。一般CPU溫度過(guò)高，或主板上的溫度監(jiān)控系統(tǒng)出現(xiàn)故障（如溫控線脫落），主板就會(huì)自動(dòng)進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。拒絕加電啟動(dòng)，或報(bào)警提示。 （機(jī)器突然藍(lán)屏死機(jī)，馬上不能重啟或開(kāi)機(jī)，雖過(guò)一段時(shí)間能開(kāi)機(jī)，但故障會(huì)再次出現(xiàn)。）,九、南橋芯片壞 1、主板大電流，無(wú)法開(kāi)機(jī) 2、南橋芯片表面變色或有燒焦痕跡 3、硬盤(pán)、光驅(qū)、USB設(shè)備、控制卡等控制異?；驘o(wú)法識(shí)別,十、北橋芯片壞 1、主板大電流，無(wú)法開(kāi)機(jī) 2、北橋芯片表面變色或有燒焦痕跡 3、顯示設(shè)備、內(nèi)存控制異?；驘o(wú)法識(shí)別 4、無(wú)法啟動(dòng)，無(wú)法安裝、隨機(jī)性死機(jī)或藍(lán)屏,十一、BIOS芯片壞 1、無(wú)法開(kāi)機(jī) 2、自檢異常、無(wú)法識(shí)別硬盤(pán)、光驅(qū)、 USB設(shè)備等，無(wú)法引導(dǎo)操作系統(tǒng),電腦主板故障診斷卡 代碼,01 處理器測(cè)試1，處理器狀態(tài)核實(shí),如果測(cè)試失敗，循環(huán)是無(wú)限的。處理器寄存器的測(cè)試即將開(kāi)始，不可屏蔽中斷即將停用。 CPU寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或者失敗。 02 如果鍵盤(pán)緩沖器含有數(shù)據(jù)就會(huì)失效。停用不可屏蔽中斷；通過(guò)延遲開(kāi)始。 CMOS寫(xiě)入讀出正在進(jìn)行或者失靈。 03 清除8042鍵盤(pán)控制器，發(fā)出TESTKBRD命令（AAH） 通電延遲已完成。 ROM BIOS檢查部件正在進(jìn)行或失靈。,04 使8042鍵盤(pán)控制器復(fù)位，核實(shí)TESTKBRD。鍵盤(pán)控制器軟復(fù)位通電測(cè)試?？删幊涕g隔計(jì)時(shí)器的測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 05 如果不斷重復(fù)測(cè)試1至5，可獲得8042控制狀態(tài)。已確定軟復(fù)位通電；即將啟動(dòng)ROM。 DMA初如準(zhǔn)備正在進(jìn)行或者失靈。,06 使電路片作初始準(zhǔn)備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁(yè)面寄存器和CMOS停機(jī)字節(jié)。已啟動(dòng)ROM計(jì)算ROM BIOS檢查總和，以及檢查鍵盤(pán)緩沖器是否清除。 DMA初始頁(yè)面寄存器讀寫(xiě)測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 07 處理器測(cè)試2，核實(shí)CPU寄存器的工作。 ROM BIOS檢查總和正常，鍵盤(pán)緩沖器已清除，向鍵盤(pán)發(fā)出BAT（基本保證測(cè)試）命令。 . 08 使CMOS計(jì)時(shí)器作初始準(zhǔn)備，正常的更新計(jì)時(shí)器的循環(huán)。已向鍵盤(pán)發(fā)出BAT命令，即將寫(xiě)入BAT命令。 RAM更新檢驗(yàn)正在進(jìn)行或欏? 09 EPROM檢查總和且必須等于零才通過(guò)。核實(shí)鍵盤(pán)的基本保證測(cè)試，接著核實(shí)鍵盤(pán)命令字節(jié)。 第一個(gè)64K RAM測(cè)試正在進(jìn)行。 0A 使視頻接口作初始準(zhǔn)備。發(fā)出鍵盤(pán)命令字節(jié)代碼，即將寫(xiě)入命令字節(jié)數(shù)據(jù)。 第一個(gè)64K RAM芯片或數(shù)據(jù)線失靈，移位。,0B 測(cè)試8254通道0。寫(xiě)入鍵盤(pán)控制器命令字節(jié)，即將發(fā)出引腳23和24的封鎖解鎖命令。第一個(gè)64K RAM奇偶邏輯失靈。 0C 測(cè)試8254通道1。鍵盤(pán)控制器引腳23、24已封鎖解鎖；已發(fā)出NOP命令。 第一個(gè)64K RAN的地址線故障。 0D 1、檢查CPU速度是否與系統(tǒng)時(shí)鐘相匹配。2、檢查控制芯片已編程值是否符合初設(shè)置。3、視頻通道測(cè)試，如果失敗，則鳴喇叭。已處理NOP命令；接著測(cè)試CMOS停開(kāi)寄存器。 第一個(gè)64K RAM的奇偶性失靈 0E 測(cè)試CMOS停機(jī)字節(jié)。 CMOS停開(kāi)寄存器讀寫(xiě)測(cè)試；將計(jì)算CMOS檢查總和。初始化輸入輸出端口地址。 0F 測(cè)試擴(kuò)展的CMOS。已計(jì)算CMOS檢查總和寫(xiě)入診斷字節(jié)；CMOS開(kāi)始初始準(zhǔn)備。 . 10 測(cè)試DMA通道0。 CMOS已作初始準(zhǔn)備，CMOS狀態(tài)寄存器即將為日期和時(shí)間作初始準(zhǔn)備。第一個(gè)64K RAM第0位故障。,11 測(cè)試DMA通道1。 CMOS狀態(tài)寄存器已作初始準(zhǔn)備，即將停用DMA和中斷控制器。 第一個(gè)64DK RAM第1位故障。 12 測(cè)試DMA頁(yè)面寄存器。停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器并使端口B作初始準(zhǔn)備。第一個(gè)64DK RAM第2位故障。 13 測(cè)試8741鍵盤(pán)控制器接口。視頻顯示器已停用，端口B已作初始準(zhǔn)備；即將開(kāi)始電路片初始化存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)。第一個(gè)64DK RAM第3位故障。 14 測(cè)試存儲(chǔ)器更新觸發(fā)電路。電路片初始化存儲(chǔ)器處自動(dòng)檢測(cè)結(jié)束；8254計(jì)時(shí)器測(cè)試即將開(kāi)始。第一個(gè)64DK RAM第4位故障。 15 測(cè)試開(kāi)頭64K的系統(tǒng)存儲(chǔ)器。第2通道計(jì)時(shí)器測(cè)試了一半；8254第2通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。 第一個(gè)64DK RAM第5位故障。 16 建立8259所用的中斷矢量表。第2通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；8254第1通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。 第一個(gè)64DK RAM第6位故障。,17 調(diào)準(zhǔn)視頻輸入輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。第1通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；8254第0通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。 第一個(gè)64DK RAM第7位故障。 18 測(cè)試視頻存儲(chǔ)器，如果安裝選用的視頻BIOS通過(guò)，由可繞過(guò)。第0通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；即將開(kāi)始更新存儲(chǔ)器。 第一個(gè)64DK RAM第8位故障。 19 測(cè)試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。已開(kāi)始更新存儲(chǔ)器，接著將完成存儲(chǔ)器的更新。 第一個(gè)64DK RAM第9位故障。 1A 測(cè)試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。正在觸發(fā)存儲(chǔ)器更新線路，即將檢查15微秒通斷時(shí)間。 第一個(gè)64DK RAM第10位故障。 1B 測(cè)試CMOS電池電平。完成存儲(chǔ)器更新時(shí)間30微秒測(cè)試；即將開(kāi)始基本的64K存儲(chǔ)器測(cè)試。第一個(gè)64DK RAM第11位故障。 1C 測(cè)試CMOS檢查總和。第一個(gè)64DK RAM第12位故障。 1D 調(diào)定CMOS配置。 . 第一個(gè)64DK RAM第13位故障。,1E 測(cè)定系統(tǒng)存儲(chǔ)器的大小，并且把它和CMOS值比較。 . 第一個(gè)64DK RAM第14位故障。 1F 測(cè)試64K存儲(chǔ)器至最高640K。 . 第一個(gè)64DK RAM第15位故障。 20 測(cè)量固定的8259中斷位。 開(kāi)始基本的64K存儲(chǔ)器測(cè)試；即將測(cè)試地址線。從屬DMA寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 21 維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入輸出通道的檢查）。通過(guò)地址線測(cè)試；即將觸發(fā)奇偶性。主DMA寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 22 測(cè)試8259的中斷功能。 結(jié)束觸發(fā)奇偶性；將開(kāi)始串行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)測(cè)試。主中斷屏蔽寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。,23 測(cè)試保護(hù)方式8086虛擬方式和8086頁(yè)面方式?；镜?4K串行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)測(cè)試正常；即將開(kāi)始中斷矢量初始化之前的任何調(diào)節(jié)。從屬中斷屏蔽存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 24 測(cè)定1MB以上的擴(kuò)展存儲(chǔ)器。矢量初始化之前的任何調(diào)節(jié)完成，即將開(kāi)始中斷矢量的初始準(zhǔn)備。設(shè)置ES段地址寄存器注冊(cè)表到內(nèi)存高端。,25 測(cè)試除頭一個(gè)64K之后的所有存儲(chǔ)器。完成中斷矢量初始準(zhǔn)備；將為旋轉(zhuǎn)式斷續(xù)開(kāi)始讀出8042的輸入輸出端口。裝入中斷矢量正在進(jìn)行或失靈。 26 測(cè)試保護(hù)方式的例外情況。讀出8042的輸入輸出端口；即將為旋轉(zhuǎn)式斷續(xù)開(kāi)始使全局?jǐn)?shù)據(jù)作初始準(zhǔn)備。開(kāi)啟A20地址線；使之參入尋址。 27 確定超高速緩沖存儲(chǔ)器的控制或屏蔽RAM。全1數(shù)據(jù)初始準(zhǔn)備結(jié)束；接著將進(jìn)行中斷矢量之后的任何初始準(zhǔn)備。鍵盤(pán)控制器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 28 確定超高速緩沖存儲(chǔ)器的控制或者特別的8042鍵盤(pán)控制器。完成中斷矢量之后的初始準(zhǔn)備；即將調(diào)定單色方式。 CMOS電源故障檢查總和計(jì)算正在進(jìn)行。 29 . 已調(diào)定單色方式，即將調(diào)定彩色方式。 CMOS配置有效性的檢查正在進(jìn)行。 2A 使鍵盤(pán)控制器作初始準(zhǔn)備。已調(diào)定彩色方式，即將進(jìn)行ROM測(cè)試前的觸發(fā)奇偶性。置空64K基本內(nèi)存。,2B 使磁碟驅(qū)動(dòng)器和控制器作初始準(zhǔn)備。觸發(fā)奇偶性結(jié)束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調(diào)節(jié)。屏幕存儲(chǔ)器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 2C 檢查串行端口，并使之作初始準(zhǔn)備。完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM并加以控制。屏幕初始準(zhǔn)備正在進(jìn)行或失靈。 2D 檢測(cè)并行端口，并使之作初始準(zhǔn)備。已完成任選的視頻ROM控制，即將進(jìn)行視頻ROM回復(fù)控制之后任何其他處理的控制。屏幕回掃測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。 2E 使硬磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和控制器作初始準(zhǔn)備。從視頻ROM控制之后的處理復(fù)原；如果沒(méi)有發(fā)現(xiàn)EGAVGA就要進(jìn)行顯示器存儲(chǔ)器讀寫(xiě)測(cè)試。檢測(cè)視頻ROM