光電子發(fā)射探測器.ppt

光電信號檢測,第三章 光電子發(fā)射探測器,光電子發(fā)射探測器是基于外光電效應(yīng)的光電探測器，也稱為真空光電探測器。在光輻照下，探測器內(nèi)光敏材料的電子得到足夠的光子能量后，就會逸出光敏材料表面而進(jìn)入外界空間，在空間電場的作用下便形成電流。 光電子發(fā)射探測器主要包括光電管和光電倍增管兩類。 光電倍增管的特點(diǎn)： 具有較高的內(nèi)增益，其二次發(fā)射增益因子可高達(dá)107； 響應(yīng)速度快。 應(yīng)用：廣泛應(yīng)用于航天、遙感、材料、生物、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。 用于探測微弱光信號及快速脈沖弱光信號。,當(dāng)光照射某種物質(zhì)時(shí)，若入射光子能量h足夠大，它和物質(zhì)中的電子相互作用，致使電子逸出物質(zhì)表面，這就是光電子發(fā)射效應(yīng)（外光電效應(yīng)），逸出物質(zhì)表面的電子叫光電子。 愛因斯坦方程電子能量轉(zhuǎn)換公式,3-1 光電子發(fā)射效應(yīng),逸出功 或功函數(shù),電子逸出物質(zhì)表面時(shí)的動(dòng)能,一、 金屬的光電子發(fā)射,金屬中自由電子的能量服從費(fèi)米分布。,散射損耗,表面勢壘高度，即金屬對電子的親和勢,費(fèi)米能級，也是能量最大的電子的能量,入射光子能量,光電子動(dòng)能,T0的電子：,T0K時(shí)，有一部分電子的能量比費(fèi)米能級EF高出E，電子的最大動(dòng)能高于T0K時(shí)的情況。,性能優(yōu)異的原因： 反射系數(shù)小，吸收系數(shù)大 陰極導(dǎo)電性適中能量損耗小，電子補(bǔ)充不困難 大量的發(fā)射中心（價(jià)帶電子密度高） 逸出功小量子效率高,二、半導(dǎo)體的光電子發(fā)射,半導(dǎo)體中光電子發(fā)射的過程： 1. 對光子的吸收： 本征發(fā)射：光電子來源于價(jià)帶；量子效率高（2030） 雜質(zhì)發(fā)射：光電子來源于雜質(zhì)能級；量子效率低（1） 自由載流子發(fā)射：光電子來源于自由電子；可忽略,2. 光電子向表面的運(yùn)動(dòng)： 要克服晶格散射，與價(jià)電子碰撞等的能量耗散（表面特性影響其量子效率）。 吸收系數(shù)越大，光子穿越深度越淺，發(fā)射效率越高。 另外，要選擇Eg值，避免二次電子空穴的產(chǎn)生。,3. 克服表面勢能的逸出： 光電子從發(fā)射中心激發(fā)后，從導(dǎo)帶底逸出所需的最低能量要大于逸出功,半導(dǎo)體的逸出功由兩部分組成：,光電子發(fā)射材料的分類： 純金屬材料 摻雜金屬或半導(dǎo)體：表而吸附一層其他元素原子的金屬和半導(dǎo)體材料； 光電陰極應(yīng)用最廣：用作光電管、光電倍增管、變像管、像增強(qiáng)器和一些攝像管等光電器件中的光電陰極。 作用：將不同波長的各種輻射信號轉(zhuǎn)換為電信號，因此，光電子發(fā)射材料決定了光電器件的各項(xiàng)性能。,3-2 光電子發(fā)射材料,一、光電陰極的主要參數(shù),1. 光照靈敏度（光照靈敏度色光靈敏度光譜靈敏度） （1）光照靈敏度：表示光電陰極在一定的白光(通常為色溫2856K的鎢絲燈)照射下，陰極光電流與入射的光通量之比。光照靈敏度也稱白光靈敏度或積分靈敏度，單位為A/lm。,(2)色光靈敏度：就是局部光譜區(qū)域的積分靈敏度。它表示在某些特定的波長區(qū)，通常用特性已知的濾光片(藍(lán)色為QB24、紅色為HB11、紅外為HWB3)插入光路，然后測得,的光電流與未插入濾光片時(shí)陰極所受光照的光通量之比。 根據(jù)插入濾光片的光譜透射比的不同，它又分別稱為藍(lán)光靈敏度、紅光靈敏度及紅外靈敏度。 它們與光照靈敏度的比值分別稱為藍(lán)白比、紅白比和紅外白比。,(3)光譜靈敏度：表示某一波長的單色輻射照到光電陰極上，陰極光電流與入射的單色輻射通量之比。 用S()表示，單位為mA/W或AW。,2量子效率 量子效率：它表示一定波長的光子入射到光電陰極時(shí)，該陰極所發(fā)射的光電子數(shù)Ne()與入射的光子數(shù)NP()之比值，稱為量子產(chǎn)額，用符號Q()表示，即 量子效率和光譜靈敏度是一個(gè)物理量的兩種表示方法。它們之間的關(guān)系如下：,3光譜響應(yīng)曲線 光電陰極的光譜靈敏度（或量子效率）與入射輻射波長的關(guān)系曲線，稱為光譜響應(yīng)曲線。真空光電器件中的長波靈敏度極限，主要由光電陰極材料的長波限0決定。 4熱電子發(fā)射 光電陰極中有少數(shù)電子的熱能大于光電陰極逸出功，因而產(chǎn)生熱電子發(fā)射。室溫下典型陰極每秒每平方厘米發(fā)射二個(gè)數(shù)量級的電子，相當(dāng)于10161017Acm2的電流密度。這些熱發(fā)射電子會引起噪聲，限制著探測器的靈敏度極限。,二、常用的光電發(fā)射材料,一個(gè)良好的光電發(fā)射材料應(yīng)具備下述條件： (1)光吸收系數(shù)大； (2)光電子在體內(nèi)傳輸過程中受到的能量損失?。?(3)表面勢壘低，使表面逸出幾率大。 金屬由于其反射系數(shù)大、吸收系數(shù)小、體內(nèi)自由電子多而引起碰撞損失能量大、逸出功大等原因而不滿足上述三個(gè)條件。大多數(shù)金屬的光譜響應(yīng)都在紫外或遠(yuǎn)紫外區(qū)，只能適應(yīng)對紫外靈敏的光電探測器。 半導(dǎo)體光發(fā)射材料的光吸收系數(shù)比金屬要大得多，體內(nèi)自由電子少，散射能量損失小，因此其量子效率比金屬大得多，光發(fā)射波長延伸至可見光和近紅外波段范圍。,1. 銀氧銫陰極 銀氧絕陰極是以Ag為基底、氧化銀為中間層，上面再有一層帶有過剩Cs原子及Ag原子的氧化銫，而表面由Cs原子組成。其靈敏度較低。,2單堿銻化物光電陰極 堿金屬與銻、鉛、鉍、鉈等生成的金屬化合物具有極其優(yōu)越的光電發(fā)射性能，量子效率高。,3多堿銻化物光電陰極 當(dāng)銻和幾種堿金屬形成化合物時(shí)，具有較高的響應(yīng)度，其中有雙堿、三堿和四堿等，統(tǒng)稱多堿光電陰極。從紫外到近紅外的光譜區(qū)都具有較高的量子效率。 4紫外光電陰極 對可見光靈敏的光電陰極，對紫外光也具有較高的量子效率。為了消除背景輻射的影響，要求光電陰極只對所探測的紫外輻射信號靈敏，而對可見光無響應(yīng)，這種陰極通常稱為“日盲”型光電陰極。 目前比較實(shí)用的“日盲”型光電陰極有銻化銫(CeTe)和碘化銫(CeI)兩種，銻化銫陰極長波限為0.32m，而碘化銫陰極的長波限為0.2m。,三、負(fù)電子親和勢材料,前面討論的常規(guī)光電陰極都屬于正電子親和勢(PEA)類型，表面的真空能級位于導(dǎo)帶之上。 但如果給半導(dǎo)體的表面作特殊處理，使表面區(qū)域能帶彎曲，真空能級降到導(dǎo)帶之下，從而使有效的電子親和勢為負(fù)值，經(jīng)這種特殊處理的陰極稱作負(fù)電子親和勢光電陰極(NEA)。,負(fù)電子親和勢（NEA）材料特點(diǎn)：,（1）量子效率高 負(fù)電子親和勢陰極因其表向無表面勢壘，所以受激電子躍遷到導(dǎo)帶并遷移到表面后，不需克服表面勢壘就可以較容易地逸出表面。 受激電子在向表面遷移過程中，因與晶格碰撞，使其能量降到導(dǎo)帶底而變成熱化電子后，仍可繼續(xù)向表面擴(kuò)散并逸出表面。 對于正電子親和勢光電陰極來說，激發(fā)到導(dǎo)帶的電子必須克服表面勢壘，只有高能電子才能發(fā)射出去，所以負(fù)電子親和勢光電陰極的有效逸出深度要比正電子親和勢陰極大得多。,（2）光譜響應(yīng)延伸到紅外，響應(yīng)率均勻,正電子親和勢長波限為 負(fù)電子親和勢長波限為,(3)熱電子發(fā)射小，噪聲小 (4)光電子的能量集中空間分辨率、時(shí)間分辨率 (5)光譜響應(yīng)率平坦,常用陰極有：GaAs/InGaAs/GaAsP 光譜特性曲線： 量子效率高 譜線平坦,3-3 光電倍增管,光電倍增管(PMT)是一種建立在光電子發(fā)射效應(yīng)、二次電子發(fā)射和電子光學(xué)理論基礎(chǔ)上的，把微弱入射光轉(zhuǎn)換成光電子并獲倍增的重要的真空光電發(fā)射器件。,構(gòu)成：光電陰極、電子光學(xué)聚焦系統(tǒng)、倍增極（打拿極）、陽極,K是光電陰極，可根據(jù)設(shè)計(jì)需要采用不同的光電發(fā)射材料制成。 D為聚焦極，它與陰極共同形成電子光學(xué)聚焦系統(tǒng)，將光電陰極發(fā)射的電子會聚成束并通過膜孔打到第一倍增極D1上。 D1D10為倍增極（打拿極），所加電壓逐級增加。 a為收集電子的陽極。 在高速初電子的激發(fā)下，第一倍增極被激發(fā)出若干二次電子，這些電子在電場作用下，又打到第二倍增極處，又引起更多的二次電子發(fā)射，此過程一直繼續(xù)到D10。最后，經(jīng)倍增的光電子被陽極a收集而輸出光電流，在負(fù)載RL上產(chǎn)生信號電壓。,一、光電倍增管的工作原理,二、光電倍增管結(jié)構(gòu),光電倍增管由光電陰極，電子光學(xué)輸入系統(tǒng)（光電陰極到第一倍增極D1之間的系統(tǒng)）、二次發(fā)射倍增系統(tǒng)及陽極等構(gòu)成。 電子光學(xué)系統(tǒng)有兩方面的作用： (1)使光電陰極發(fā)射的光電子盡可能全部會聚到第一倍增極上，而將其他部分的雜散電子散射掉，提高信噪比； (2)使陰極面上各處發(fā)射的光電子在電子光學(xué)系統(tǒng)中有盡可能相等的渡越時(shí)間，以保證光電倍增管的快速響應(yīng)。,電子學(xué)系統(tǒng) 1,1.是光電陰級， 2.是與光電陰極同電位的金屬筒或鍍在玻殼上的金屬導(dǎo)電層， 3.是帶孔膜片， 4.是第一倍增極。 這種電子光學(xué)系統(tǒng)的收集率在85以上，渡越時(shí)間的離散性(指陰極面上各點(diǎn)所發(fā)射的光電子到達(dá)第一倍增極上各處時(shí)產(chǎn)生的時(shí)間差) t 約為10ns。,電子學(xué)系統(tǒng) 2,為了使小型光電倍增管的倍增極合理安排在管殼內(nèi)（具有對稱性），充分利用玻璃管內(nèi)的空間，同時(shí)保證有高的電子收集率，可采用圖示的電子光學(xué)系統(tǒng)。 圖中增加了斜劈式圓柱筒電極4，該電極固定在偏心的帶孔膜片上，其軸線與陰極的軸線之間的夾角取20o。這種結(jié)構(gòu)的性能與前者相近。,電子學(xué)系統(tǒng) 3,性能最好的一種電子光學(xué)系統(tǒng)，它采用了球面形光電陰極，并附加了3個(gè)圓筒形電極。 此時(shí)，陰極表面電位分布比較均勻，而且從陰極中心和邊緣發(fā)射的電子軌跡長度相差甚小，可使渡越時(shí)間的離散性接近于零。,倍增極結(jié)構(gòu),光電倍增管的倍增極結(jié)構(gòu)分為聚焦型和非聚焦型兩種。 非聚焦型：百葉窗式結(jié)構(gòu)和盒網(wǎng)式結(jié)構(gòu)兩種； 聚焦型：直列聚焦式結(jié)構(gòu)和圓形鼠籠聚焦式結(jié)構(gòu)兩種。,倍增極結(jié)構(gòu) 1,百葉窗式結(jié)構(gòu)：在每一倍增極中采用了若干小板，這些小板與光電倍增管軸線成45o角，其傾斜方向與前一倍增極相反，互成90o角。 為了從相鄰的前一倍增極引出低能量的初級電子，每個(gè)倍增極前面都接金屬柵網(wǎng)，形成等電位體，以屏蔽前一級的影響。,倍增極結(jié)構(gòu) 2,盒網(wǎng)式結(jié)構(gòu)：它的倍增極由1/4圓弧盒組成，前面接有金屬網(wǎng)，金屬網(wǎng)的作用與百葉窗式結(jié)構(gòu)相同。 盒網(wǎng)式結(jié)構(gòu)便于做得體積小，小型光電倍增管大多采用這種結(jié)構(gòu)；而百葉窗式結(jié)構(gòu)則往往適用于大直徑的器件，因?yàn)檫@種倍增極的直徑可以做得較大，易于收集光電陰極所發(fā)射的電子。,非聚焦式光電倍增管,在以上兩種形式的倍增極中，倍增極表面的電場比較低，因而所發(fā)射的電子究竟打到下一倍增極的哪一點(diǎn)上，在很大程度上取決于電子的初始位置和速度。因此，這種光電倍增管叫做非聚焦式光電倍增管。 這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是： 倍增極的效率高，在低的極間電壓下能給出高的倍增系數(shù)； 每一對倍增極的工作狀態(tài)基本上與鄰近的倍增極電壓無關(guān)； 非聚焦式結(jié)構(gòu)由于電子散射效應(yīng)，使得在同一時(shí)間從光電陰極中心和邊緣處發(fā)射并經(jīng)倍增極倍增的一束電子不能在同一時(shí)間到達(dá)陽極，導(dǎo)致電子渡越時(shí)間的散差。這種時(shí)間散差使脈沖信號的前沿變斜。因此，非聚焦型光電倍增管的響應(yīng)時(shí)間比聚焦型差。,倍增極結(jié)構(gòu) 3,直列聚焦式結(jié)構(gòu) 倍增極的形狀類似瓦片，它的曲度能提供一個(gè)聚焦電場，使前一級電子流射到下級倍增極中央。 另外，倍增極的表面電場強(qiáng)度比較高，而且住往有一個(gè)或多個(gè)附加電極，用以抑制空間電荷效應(yīng)或渡越時(shí)間的“散差”，因此，它的響應(yīng)時(shí)間快，脈沖信號的上升時(shí)間小到1ns。,倍增極結(jié)構(gòu) 4,圓形鼠籠式結(jié)構(gòu)和不透明光電陰極相配合，可以做成小巧緊湊的聚焦型光電倍增管。 它的渡越時(shí)間“散差”也很小，脈沖信號的上升時(shí)間可達(dá)納秒級。,聚焦型結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)：每對倍增極的工作狀態(tài)與鄰近倍增極的電壓有關(guān)，所以對供電電源的穩(wěn)定度要求很高。,光電倍增管的陽極,采用柵網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。,柵網(wǎng)狀陽極,末級倍增極,二次電子,一次電子,三、光電倍增管的基本特性參數(shù),1靈敏度和光譜響應(yīng)度 陰極靈敏度SK： (Alm) 陰極電流 iK：由光電陰極發(fā)射到第一倍增極D上的電流。 入射到光電陰極的光通量為， 陽極靈敏度Sa： (Alm) 陽極電流 ia：光電信增管的輸出電流。,陰極電流光譜響應(yīng)度RK() RK()是入射光波長為時(shí)的陰極電流，()是量子效率，PI()是波長為時(shí)的光功率，q為電子電荷電量。 陽極電流光譜響應(yīng)度Ra() 陰極積分電流響應(yīng)度RK 陽極積分電流響應(yīng)度RA,G為放大倍數(shù)（電流增益）,2. 暗電流 引起暗電流的因素： (1)光電陰極和第一倍增極的熱電子發(fā)射。在室溫下即使無光照也會有部分電子逸出表面，經(jīng)放大到達(dá)陽極成為暗電流。這是光電倍增管的主要暗電流。 (2)極間漏電流。由于光電倍增管各級絕緣強(qiáng)度不夠或極間灰塵放電引起漏電流。 (3)離子和光的反饋?zhàn)饔?。由于抽真空技術(shù)限制，管內(nèi)總存在一些殘余氣體，它們被運(yùn)動(dòng)電子碰撞電離，電離的電子經(jīng)放大形成暗電流。另外，這些離子打在管壁上產(chǎn)生熒光再反射至陰極造成光反饋，形成暗電流。 (4)場致發(fā)射。場致發(fā)射是一種自持放電。其原因是因?yàn)殡姌O上的尖端、棱角、粗糙邊緣在高壓下(一般場強(qiáng)達(dá)105Vcm或極間電壓大于200V)才發(fā)生。 (5)放射性同位素和宇宙射線的影響。因光電倍增管的光窗材料含K40(鉀)，它衰變產(chǎn)生一種發(fā)光的粒子；宇宙射線中的介子穿過窗而成為光子。它們射到光電陰極上而產(chǎn)生種暗電流(可采用一種無鉀的石英窗來大大減弱)。,減少暗電流的方法： 主要是選好光電倍增管的極間電壓。有了合適的極間電壓可避開光反饋、場致發(fā)射及宇宙射線等造成的不穩(wěn)定狀態(tài)的影響。其余還可按下述方法來減少： 在陽極回路中加上與暗電流相反的直流成份來補(bǔ)償； 在倍增輸出電路中加一選頻或鎖相放大器濾掉暗電流； 利用冷卻法減小熱電子發(fā)射。,3伏安特性 (1)陰極伏安特性 當(dāng)入射照度E一定時(shí)，陰極發(fā)射電流IK與陰極和第一倍增極之間的電壓(簡稱陰極電壓)VK的關(guān)系稱為陰極伏安特性。 圖為不同照度下測得的特性曲線。當(dāng)陰極電壓大于一定值(幾十伏)后，陰極電流開始趨向飽和，與入射光通量成線性變化。,(2)陽極伏安特性 當(dāng)入射光照度一定時(shí)，陽極電流Ia與最后一級倍增極之間的電壓(簡稱陽極電壓)Va的關(guān)系稱為陽極伏安特性。圖為不同照度下測得的特性曲線，當(dāng)陽極電壓達(dá)50V以后，陽極電流趨向飽和，與入射到陰極面上的照度成線性關(guān)系。,4. 線性 光電倍增管的線性是光電測量系統(tǒng)中的一個(gè)重要指標(biāo)。 它既與光電倍增管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)，在很大程度上也取決于外部的高壓供電電路及信號輸出電路。 造成非線性的原因可分為兩類： 內(nèi)因空間電荷、光電陰極的電阻率、聚焦或收集效率的變化； 外因由于信號電流造成負(fù)載電阻的負(fù)反饋和電壓的再分配。,5. 穩(wěn)定性 光電倍增管的穩(wěn)定性主要是指陽極電流隨工作時(shí)間的變化。 光電倍增管的不穩(wěn)定性主要表現(xiàn)在以下方面： (1)在長期工作過程中，靈敏度的慢漂移。 如圖所示，慢漂移主要是由于最后幾級倍增極在大量電子轟擊下受損，引起二次發(fā)射系數(shù)變化。這種漂移主要取決于陽極電流的大小，而與所加的高壓關(guān)系不太大。因此，在穩(wěn)定性要求比較高的場合，陽極光電流應(yīng)控制在1A以下。,(2)滯后效應(yīng) 在光電倍增管加上高壓或開始光照的短時(shí)間(幾秒或幾十秒)內(nèi)，陽極輸出電流存在短暫的不穩(wěn)定，電流可能比穩(wěn)定值大些，也可能小一些，這種不穩(wěn)定現(xiàn)象稱為滯后效應(yīng)。 滯后效應(yīng)主要由于電子偏離設(shè)計(jì)的軌跡以及倍增極的陶瓷支架和玻殼等靜電作用引起的。當(dāng)入射的光照變化，而所加的電壓也跟隨著變化時(shí)滯后效應(yīng)特別明顯。,先使光電倍增管在正常條件下工作5分鐘，然后停止光照1分鐘，再重新升啟光照，測量光電倍增管在受照1分鐘內(nèi)輸出電流的變化。,滯后系數(shù),(3)老化 光電倍增管的殘余氣體與光電陰極作用，玻璃中的Na離子滲入光電陰極而使靈敏度下降的現(xiàn)象稱為老化，是一種不可逆過程。 解決辦法： 把新的光電倍增管自然老化一段時(shí)間后再使用； 使用的陽極電流小一些可減慢老化過程。 (4)疲勞 是可逆過程，同陽極電流、倍增極材料以及使用前存放條件有關(guān)。 靈敏度降低后，在黑暗中放置幾小時(shí)可恢復(fù)到原來狀態(tài)。,6時(shí)間特性和頻率特性 (1)上升時(shí)間 光電倍增管的陽極輸出脈沖上升時(shí)間定義為整個(gè)光電陰極在函數(shù)的光脈沖照射下，陽極電流從脈沖峰值的10上升到90所需的時(shí)間。,(2)渡越時(shí)間 一個(gè)函數(shù)的光脈沖到達(dá)光電陰極至陽極輸出脈沖電流達(dá)到最大值的時(shí)間間隔定義為光電子的渡越時(shí)間。,(3)渡越時(shí)間離散 表示函數(shù)光脈沖照到光電陰極的不同區(qū)域，發(fā)射的電子到達(dá)陽極的渡越時(shí)間的不一致性。,聚焦型倍增極的渡越時(shí)間離散低,7. 磁場特性 大部分光電倍增管都會受到周圍環(huán)境磁場的影響。光電子在磁場的作用下將會偏離正常的運(yùn)動(dòng)軌跡，引起光電倍增管靈敏度下降，噪聲增加。 外部磁場對光電倍增管的影響程度與管子的結(jié)構(gòu)和磁場的方向有關(guān)。 圖中是直徑為51mm的百葉窗式光電倍增管的典型特性曲線。從圖中可見，即使在地球磁場作用下，管子旋轉(zhuǎn)或換一個(gè)方向工作，輸出信號都會產(chǎn)生明顯的變化。,(a)沿軸向指向陽極 (b)沿軸向指向陰極 (c)垂直軸線和百葉方向 (d)垂直軸線沿百葉方向,減小外部磁場影響的方法： 在管子外部加一個(gè)磁屏蔽筒，但屏蔽筒邊緣的磁屏蔽作用明顯減弱。,磁屏蔽度,8空間均勻性 主要由光電陰極表面的均勻性和倍增極的結(jié)構(gòu)決定。 在光電倍增管聚焦極設(shè)計(jì)時(shí)，雖然考慮到從光電陰極或倍增極發(fā)射的電子能被第一或以后各級有效地收集，但一些電子仍可能會偏離設(shè)計(jì)軌跡，使收集效率降低，收集效率隨發(fā)射光電子的光電陰極位置變化而變化，從而影響光電倍增管的空間均勻性。 圖中表示在某一端窗式光電倍增管的光電陰極上分別用波長為400nm和800nm，直徑為1mm的光點(diǎn)在X和Y兩個(gè)方向上掃描，測出的陽極輸出電流與光點(diǎn)位置的函數(shù)關(guān)系，即光譜靈敏度與光電陰極位置的關(guān)系。,措施：1)光斑均勻 2)加漫射器(對于偏振光，降低偏振度，減小偏振誤差),9偏振效應(yīng) 如果用恒定的線偏振光以某一角入射到光電陰極面上，當(dāng)不斷改變偏振面時(shí)，陽極輸出電流也會發(fā)生相應(yīng)的變化。 圖中為用不同波長的線偏振光測量時(shí)得到的特性曲線。一般的光電測量系統(tǒng)中，測量光往往都存在一定程度的偏振，如果測量光的偏振度或偏振方向是隨時(shí)變化的，就可能會引起較大的偏振誤差。 解決方法：在光電倍增管前安裝漫射器，以減少這類誤差。,相對輸出,偏振光偏振角度/（o）,10. 噪聲 光電倍增管的噪聲主要是散粒噪聲，包括陰極電流產(chǎn)生的散粒噪聲和各級倍增極產(chǎn)生的散粒噪聲。 陰極散粒噪聲的均方值 陽極散粒噪聲的均方值 K為過剩噪聲因子，表征倍增系統(tǒng)所引入的散粒噪聲。 降噪措施：增加第一倍增極的倍增系數(shù)1,：其他各級的倍增系數(shù),四、光電倍增管材料 1）窗口材料： 考慮波段、材料本身特性的影響。 常用材料：硼硅玻璃、透紫外玻璃、熔融石英、藍(lán)寶石、Mg