L6680手機(jī)主板維修指導(dǎo)書(shū).doc

L6680主板維修指導(dǎo)書(shū)L6680主板維修指導(dǎo)書(shū)V 1.0 2005年12月1 概述手機(jī)主板的維修是手機(jī)后端生產(chǎn)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，維修的速度和質(zhì)量關(guān)系到整個(gè)生產(chǎn)的良品率和生產(chǎn)效率。對(duì)一個(gè)設(shè)計(jì)合理的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，在后端生產(chǎn)中所發(fā)現(xiàn)不良板中占較大比例的應(yīng)該是SMT不良和元器件來(lái)料不良，所以維修時(shí)應(yīng)首先從這兩方面入手。故障判斷的主要手段有：1. 鏡檢目測(cè)發(fā)現(xiàn)不良焊點(diǎn)或元件；2. 從故障現(xiàn)象推測(cè)故障部位；3. 信號(hào)檢測(cè)確定故障單元。2 原理框圖2.1 L6680主板系統(tǒng)框圖圖1 L6680主板系統(tǒng)框圖L6680手機(jī)電路從功能上分為數(shù)字基帶、模擬基帶芯片(集成電源管理)、存儲(chǔ)器(NOR+NAND), 圖像處理DSP IC，SENSOR模塊，鍵盤、LCD，音頻電路、射頻電路等幾個(gè)部分。2.2 L6680主板射頻原理框圖圖2 射頻部分原理框圖L6680手機(jī)射頻部分采用的是RENESAS的B6E 射頻方案, 該射頻接收發(fā)射模塊HD155166PEB采用零中頻直接變換接收方案，支持13M或26M VCTCXO作為時(shí)鐘輸入，集成時(shí)鐘buffer，集成LO VCO和 TX VCO，所以只需外接一個(gè)LDO供電。PA選用PF08151B，集成功率控制。圖3 射頻收發(fā)模塊HD155166PEB框架圖接收部分電路處于射頻選頻saw filter器件和基帶處理器之間。接收信號(hào)進(jìn)入HD155166PEB，經(jīng)過(guò)內(nèi)部相對(duì)應(yīng)的900MHZ、1800MHZ,1900MHZ帶寬低噪聲放大器（LNA），混頻，本振，低通濾波器等，得到頻率較低的I、Q信號(hào)，輸入模擬基帶IC AD6535。發(fā)送部分電路連接基帶處理器和功放。AD6539從模擬基帶接收到270.833kbit/s 的I、Q信號(hào)，調(diào)制成900MHz或1800MHz或1900MHZ的 GSM,DCS,PCS信號(hào)，經(jīng)過(guò)功放，射頻前端開(kāi)關(guān)，最后從天線把信號(hào)發(fā)射出去。見(jiàn)圖3。2.3 模擬基帶模擬基帶主要為模擬基帶芯片AD6535（D2），該ABB芯片集成了PMU模塊，主要包括基帶傳送和接收部分(I,Q信號(hào)),輔助控制部分(AFCDAC,ADC,Light Control),音頻編碼部分(提供8KHz和16KHz語(yǔ)音采樣,對(duì)一般音頻數(shù)據(jù)提供9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的采樣率(8KHz-48KHz),電源管理部分(11個(gè)Regulator,主要包括VCORE 1.8V,VMEM 2.8V,MEXT 2.8V,VSIM 1.8 Or 2.85V, VRTC 1.8V, VMIC 2.5V,VVCXO 2.75V),數(shù)字處理接口部分(為控制數(shù)據(jù)提供串行接口). 內(nèi)部原理框圖請(qǐng)參考下圖: 圖 4 AD6535內(nèi)部原理框圖2.4 數(shù)字基帶-Hermes數(shù)字基帶部分主要由AD6529B（D1）組成，如圖5。AD6529B是主要用于多媒體通信及便攜式應(yīng)用的GSM基帶處理器，在內(nèi)部集成了包括信道編解碼器、交織/解交織、加密/解密在內(nèi)的信道編解碼子系統(tǒng)。AD6529B主要包括三個(gè)主要的子系統(tǒng)：1.MCU處理器 包括32位ARM7TDMI內(nèi)核，其核心電壓1.8V的情況下支持58.5MHz，2Mb片上系統(tǒng)SRAM；2.DSP子系統(tǒng) 包括16位定點(diǎn)DSP處理器，1.8V的情況下可達(dá)91MIPS，支持全速率(FR)、增強(qiáng)全速率（EFR）和半速率(HR)及AMR語(yǔ)音編解碼算法。3.外設(shè)子系統(tǒng) 提供多種接口功能：并行和串行的顯示接口、鍵盤接口、存儲(chǔ)器接口(Burst and page mode)、1.8V和3V的64Kbps SIM卡接口、USB 2.0接口等。除此之外，此芯片有四個(gè)可編程的背光輸出，一個(gè)服務(wù)指示燈、RTC時(shí)鐘、支持13MHz和26MHz時(shí)鐘輸入、支持GSM數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)/GPRS/HSCSD， IrDA收發(fā)接口、SD/MMC卡接口1.8V核操作電壓。圖5. AD6529D內(nèi)部構(gòu)造框圖2.5 存儲(chǔ)器L6680手機(jī)采用兩種組合方案，一種是PSRAM(32)+ NORFLASH(128)（D7）加上NAND(512)（D18）；另一種是用三合一的Flash，即PSRAM(32)+ NORFLASH(128)+ NAND(512) （D7）。NORFlash部分主要用于存儲(chǔ)手機(jī)軟件、射頻校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、用戶設(shè)置的數(shù)據(jù)以及用戶下載的數(shù)據(jù)等內(nèi)容，PSRAM主要用于手機(jī)軟件運(yùn)行所需要的空間并臨時(shí)保存程序運(yùn)行中的中間數(shù)據(jù)。NANDFLASH主要為作高密度，大容量的存儲(chǔ)之用，如當(dāng)U盤，下MP3鈴聲。內(nèi)部構(gòu)造如下圖所示。圖6. Flash內(nèi)部構(gòu)造框圖3. 故障現(xiàn)象分析3.1 不能下載不能正常下載的主板絕大多數(shù)是由于虛焊或連焊造成的，這多數(shù)發(fā)生在模擬基帶芯片AD6535（D2），和連接器XJ6的焊接不良上。檢查故障時(shí)應(yīng)首先用放大鏡仔細(xì)觀察這些器件的焊接情況，然后插上下載線觀察電流是否正常，如果電流很大（例如在300mA以上），則說(shuō)明CHARGE或BAT有對(duì)地短路現(xiàn)象，此時(shí)應(yīng)盡快切斷電源，然后查找出短路點(diǎn)；如果電流大于正常值（約30多mA）但不是特別大，則有可能是某路穩(wěn)壓電路的輸出對(duì)地短路，此時(shí)應(yīng)檢查VMEM（2.8V）、VCORE（1.8V）、Vext（2.95V）、VVCXO（2.75V）、VDD（2.8V）等電壓是否正常，如有異常則可查出焊接不良處；如果電流很小或沒(méi)有，應(yīng)重點(diǎn)檢查D2是否焊接不良，另外下載線的插頭由于長(zhǎng)期使用有可能造成接觸不良，此時(shí)應(yīng)重新拔下插上看看是否插頭接觸不良造成；下載時(shí)除了以上幾個(gè)電源以外還有一個(gè)26MHz時(shí)鐘信號(hào)是必需的，可用示波器測(cè)試R219看經(jīng)過(guò)與非門D16輸出的26MHz信號(hào)是否正常。如果信號(hào)異常，可以沿著信號(hào)來(lái)源，檢查26M晶振輸出和RF2的G9腳是否有26M時(shí)鐘信號(hào)輸出。還有一種情況，在下載過(guò)程中，下載軟件的界面底部的狀態(tài)條上出現(xiàn)“Device Error”字樣，并且Device Name和Size項(xiàng)均不能正常識(shí)別。通?？梢耘袛酁镕lash焊接不良，從而使下載軟件無(wú)法正確識(shí)別所用的flash器件類型，因而也無(wú)法下載軟件。這種情況下，應(yīng)重新焊接Flash芯片。3.2 射頻故障由于L6680主板射頻部分的集成度比較高：主要由二大塊IC組成-射頻功放(PF08151B)和射頻收發(fā)芯片(HD155166PEB)。所以一般不會(huì)有什么大的問(wèn)題。目前遇到的一些問(wèn)題和分析解決方法如下：1：沒(méi)有發(fā)射 分析：首先量測(cè)是否有從AD6535的IQ信號(hào)輸入，然后控制手機(jī)單向最大功率發(fā)射，正常情況下：此時(shí)的電流消耗大約在200300mA,說(shuō)明功放正常工作如果電流很小，說(shuō)明功放這部分有問(wèn)題?？梢詸z查功放是否虛焊或更換HD155166PEB來(lái)解決2：其他問(wèn)題(例如：無(wú)信號(hào)條，找不到網(wǎng)等情況)分析：主要考慮替換PF08151B、HD155166PEB、前端的開(kāi)關(guān)模塊（HWXQ511）來(lái)對(duì)比驗(yàn)證是哪個(gè)芯片的問(wèn)題 .3.3 功能測(cè)試故障功能測(cè)試故