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文檔簡介

P-Si與A-Si的區(qū)別 什么是低溫多晶硅：低溫多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的縮寫，一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應低于攝氏600度，尤其對LTPS區(qū)別于a-Si制造的制造程序“激光照射”（laser anneal）要求更是如此。與a-Si相比，LTPS的電子移動速度要比a-Si快100倍，這個特點可以解釋兩個問題：首先，每個LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反應速度快；其次，LTPS PANEL 外觀尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS與a-Si 相比所持有的顯著優(yōu)點：1、把驅動IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強；2、反應速度更快，外觀尺寸更小，聯(lián)結和組件更少；3、面板系統(tǒng)設計更簡單；4、面板的穩(wěn)定性更強；5、解析度更高，激光照射：p-Si 與 a-Si的顯著區(qū)別是LTPS TFT在制造過程中應用了激光照射。LTPS制造過程中在a-Si層上進行了激光照射以使a-Si結晶。由于封裝過程中要在基板上完成多晶硅的轉化，LTPS必須利用激光的能量把非結晶硅轉化成多晶硅，這個過程叫做激光照射。 電子移動性：a-Si TFT的電子移動速率低于1 cm2/V.sec，同時驅動IC需要較高的運算速率來驅動電路。這就是為什么a-Si TFT不易將驅動IC集成到基板上。相比之下，p-Si電子的移動速率可以達到100 cm2/V.sec，同時也更容易將驅動IC集成到基板上。結果是，首先由于將驅動IC、PCB和聯(lián)結器集成到基板上而降低了生產(chǎn)成本，其次使產(chǎn)品重量更輕、厚度更薄。 解析度：由于p-Si TFT 比傳統(tǒng)的a-Si小，所以解析度可以更高。穩(wěn)定性：p-Si TFT的驅動IC合成在玻璃基板上有兩點好處：首先，與玻璃基板相連

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