雙極結(jié)型三極管及其放大電路ppt課件

.,電子技術(shù)基礎(chǔ),模擬部分（第六版）,.,電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分,1緒論2運(yùn)算放大器3二極管及其基本電路4場(chǎng)效應(yīng)三極管及其放大電路5雙極結(jié)型三極管及其放大電路6頻率響應(yīng)7模擬集成電路8反饋放大電路9功率放大電路10信號(hào)處理與信號(hào)產(chǎn)生電路11直流穩(wěn)壓電源,.,5雙極結(jié)型三極管及其放大電路,5.1BJT5.2基本共射極放大電路5.3BJT放大電路的分析方法5.4BJT放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問(wèn)題5.5共集電極放大電路和共基極放大電路5.6FET和BJT及其基本放大電路性能的比較5.7多級(jí)放大電路5.8光電三極管,.,5.1BJT,5.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介5.1.2放大狀態(tài)下BJT的工作原理5.1.3BJT的V-I特性曲線5.1.4BJT的主要參數(shù)5.1.5溫度對(duì)BJT參數(shù)及特性的影響,.,5.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管,.,5.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,.,5.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型：NPN型和PNP型。,NPN型,PNP型,.,5.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介,結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：,發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；,集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；,基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低。,集成電路中典型NPN型BJT的截面圖,.,載流子的傳輸過(guò)程,5.1.2放大狀態(tài)下BJT的工作原理,三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過(guò)載流子傳輸體現(xiàn)出來(lái)的。外部條件：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏,1.內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程,發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子（以NPN為例）,由于三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。,IC=ICN+ICBO,IE=IB+IC,.,載流子的傳輸過(guò)程,2.電流分配關(guān)系,根據(jù)傳輸過(guò)程可知,IC=InC+ICBO,通常ICICBO,IE=IB+IC,.,且令,2.電流分配關(guān)系,.,3.三極管的三種組態(tài),共集電極接法，集電極作為公共電極，簡(jiǎn)稱CC。,共基極接法，基極作為公共電極，簡(jiǎn)稱CB；,共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，簡(jiǎn)稱CE；,iE,iC,iB,iC,iB,iE,iC=iE,iC=iB,iE=(1+)iB,輸出口,輸入口,輸出口,輸入口,輸出口,輸入口,.,共基極放大電路,4.放大作用,電壓放大倍數(shù),vO=-iCRL=0.98V，,.,5.1.2放大狀態(tài)下BJT的工作原理,綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過(guò)基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。實(shí)現(xiàn)這一傳輸過(guò)程的兩個(gè)條件是：（1）內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。（2）外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。,.,5.1.3BJT的I-V特性曲線,iB=f(vBE)vCE=const,(2)當(dāng)vCE1V時(shí)，vCB=vCE-vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，收集載流子能力增強(qiáng)，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的vBE下IB減小，特性曲線右移。,(1)當(dāng)vCE=0V時(shí)，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。,1.輸入特性曲線,（以共射極放大電路為例）,.,5.1.3BJT的I-V特性曲線,(3)輸入特性曲線的三個(gè)部分,死區(qū),非線性區(qū),近似線性區(qū),1.輸入特性曲線,.,5.1.3BJT的I-V特性曲線,飽和區(qū)：iC明顯受vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般vCE0.7V(硅管)。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。,iC=f(vCE)iB=const,輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域:,截止區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時(shí)，vBE小于死區(qū)電壓。,放大區(qū)：iC平行于vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。,2.輸出特性曲線,.,5.1.4BJT的主要參數(shù),(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù),1.電流放大系數(shù),(2)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)=IC/IBvCE=const,.,5.1.4BJT的主要參數(shù),(3)共基極直流電流放大系數(shù)=（ICICBO）/IEIC/IE,(4)共基極交流電流放大系數(shù)=IC/IEVCB=const,當(dāng)ICBO和ICEO很小時(shí)，、，可以不加區(qū)分。,1.電流放大系數(shù),.,5.1.4BJT的主要參數(shù),(1)集電極基極間反向飽和電流ICBO發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流。,2.極間反向電流,.,5.1.4BJT的主要參數(shù),(2)集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO,ICEO=（1+）ICBO,即輸出特性曲線IB=0那條曲線所對(duì)應(yīng)的Y坐標(biāo)的數(shù)值。ICEO也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。,2.極間反向電流,.,5.1.4BJT的主要參數(shù),(1)集電極最大允許電流ICM,(2)集電極最大允許功率損耗PCM,PCM=ICVCE,3.極限參數(shù),(3)反向擊穿電壓,V(BR)CBO發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的集電結(jié)反向擊穿電壓。,V(BR)EBO集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓。,V(BR)CEO基極開(kāi)路時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。,.,5.1.4BJT的主要參數(shù),由PCM、ICM和V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過(guò)損耗區(qū)、過(guò)電流區(qū)和擊穿區(qū)。,輸出特性曲線上的過(guò)損耗區(qū)和擊穿區(qū),過(guò)流區(qū),過(guò)壓區(qū),.,5.1.5溫度對(duì)BJT參數(shù)及特性的影響,(1)溫度對(duì)ICBO的影響,溫度每升高10，ICBO約增加一倍。,(2)溫度對(duì)的影響,溫度每升高1，值約增大0.5%1%。,(3)溫度對(duì)反向擊穿電壓V(BR)CBO、V(BR)CEO的影響,溫度升高時(shí)，V(BR)CBO和V(BR)CEO都會(huì)有所提高。,2.溫度對(duì)BJT特性曲線的影響,1.溫度對(duì)BJT參數(shù)的影響,.,5.2基本共射極放大電路,5.2.1基本共射極放大電路的組成5.2.2基本共射極放大電路的工作原理,.,5.2.1基本共射極放大電路的組成,.,5.2.2基本共射極放大電路的工作原理,1.靜態(tài),輸入信號(hào)vi0時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)或直流工作狀態(tài)。,直流通路,VCEQ=VCCICQRc,.,5.2.2基本共射極放大電路的工作原理,2.動(dòng)態(tài),輸入正弦信號(hào)vs后，電路將處在動(dòng)態(tài)工作情況。此時(shí)，BJT各極電流及電壓都將在靜態(tài)值的基礎(chǔ)上隨輸入信號(hào)作相應(yīng)的變化。,交流通路,.,BJT放大電路的其它組成形式,信號(hào)源不共地,.,BJT放大電路的其它組成形式,.,5.3BJT放大電路的分析方法,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法5.3.2BJT放大電路的小信號(hào)模型分析法,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,1.靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析,采用該方法分析靜態(tài)工作點(diǎn)，必須已知三極管的輸入輸出特性曲線。,共射極放大電路,首先，畫(huà)出直流通路,直流通路,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,列輸入回路方程vBE=VBBiBRb,列輸出回路方程（直流負(fù)載線）vCE=VCCiCRc,直流通路,1.靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,在輸入特性曲線上，作出直線vBE=VBBiBRb，兩線的交點(diǎn)即是Q點(diǎn)，得到IBQ。,在輸出特性曲線上，作出直流負(fù)載線vCE=VCCiCRc，與IBQ曲線的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)，從而得到VCEQ和ICQ,1.靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,2.動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析,根據(jù)vs的波形，在BJT的輸入特性曲線圖上畫(huà)出vBE、iB的波形,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,2.動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析,根據(jù)iB的變化范圍在輸出特性曲線圖上畫(huà)出iC和vCE的波形,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,2.動(dòng)態(tài)工作情況的圖解分析,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,3.靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)波形失真的影響,靜態(tài)工作點(diǎn)太高容易出現(xiàn)飽和失真,飽和失真的波形,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,3.靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)波形失真的影響,靜態(tài)工作點(diǎn)太低容易出現(xiàn)截止失真,截止失真的波形,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,例5.3.1阻容耦合共射極放大電路圖解,與前一個(gè)電路相比，靜態(tài)時(shí)輸入回路方程略有差別,vBE=VCCiBRb,輸出回路方程相同vCE=VCCiCRc,動(dòng)態(tài)時(shí)，輸入信號(hào)vi疊加Cb1上已充的靜態(tài)電壓VBEQ，然后加在BJT的b-e間，即,且電容Cb1充電完成后，其電壓等于VBEQ,vBE=VBEQ+vi,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,例5.3.1阻容耦合共射極放大電路圖解,由于輸出端有隔直電容，所以動(dòng)態(tài)和靜態(tài)時(shí)有差別。,由交流通路可得交流負(fù)載線：,交流通路,vce=-ic(Rc|RL),因?yàn)榻涣餍盘?hào)過(guò)零時(shí)，電路中電壓、電流值就等于靜態(tài)值，所以交流負(fù)載線必過(guò)Q點(diǎn)，即vce=vCE-VCEQic=iC-ICQ同時(shí)，令RL=Rc|RL,則交流負(fù)載線為,iC=(-1/RL)vCE+(1/RL)VCEQ+ICQ,.,5.3.1BJT放大電路的圖解分析法,交流負(fù)載線是有交流輸入信號(hào)時(shí)Q點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡。,交流負(fù)載線,例5.3.1阻容耦合共射極放大電路圖解,iC=(-1/RL)vCE+(1/RL)VCEQ+ICQ,.,5.3.2BJT放大電路的小信號(hào)模型分析法,1.BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,與FET類似，也可通過(guò)BJT的小信號(hào)模型來(lái)分析其放大電路的動(dòng)態(tài)指標(biāo)。當(dāng)放大電路的輸入信號(hào)電壓很小時(shí)，就可以把BJT小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來(lái)代替，從而可以把三極管這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來(lái)處理。,.,1.BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,H參數(shù)的引出,在小信號(hào)情況下，對(duì)上兩式取全微分得,用小信號(hào)交流分量表示,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,對(duì)于BJT雙口網(wǎng)絡(luò)，已知輸入輸出特性曲線如下：,iB=f(vBE)vCE=const,iC=f(vCE)iB=const,可以寫(xiě)成：,.,輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻；,輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù)；,輸入端交流開(kāi)路時(shí)的反向電壓傳輸比；,輸入端交流開(kāi)路時(shí)的輸出電導(dǎo)。,其中：,四個(gè)參數(shù)量綱各不相同，故稱為混合參數(shù)（H參數(shù)）。,H參數(shù)的引出,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,1.BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,.,H參數(shù)小信號(hào)模型,根據(jù),可得小信號(hào)模型,BJT的H參數(shù)模型,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,受控電流源hfeib，反映了BJT的基極電流對(duì)集電極電流的控制作用。電流源的流向由ib的流向決定。hrevce是一個(gè)受控電壓源。反映了BJT輸出回路電壓對(duì)輸入回路的影響。,1.BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,.,H參數(shù)小信號(hào)模型,H參數(shù)都是小信號(hào)參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。H參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān)，在放大區(qū)基本不變。H參數(shù)都是微變參數(shù)，所以只適合對(duì)交流信號(hào)的分析。,模型的簡(jiǎn)化,hre和hoe都很小，常忽略它們的影響。常用習(xí)慣符號(hào)rbe=hie，=hfe,BJT的H參數(shù)數(shù)量級(jí)一般為,1.BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,.,H參數(shù)的確定,一般用測(cè)試儀測(cè)出,rbe與Q點(diǎn)有關(guān)，可用圖示儀測(cè)出,一般也用公式估算rbe（忽略re）,=rb+(1+)re,對(duì)于低頻小功率管rb200,則,而,(T=300K),(估算公式),#若用萬(wàn)用表的“歐姆”檔測(cè)量b、e兩極之間的電阻，是否為rbe?,1.BJT的H參數(shù)及小信號(hào)模型,.,5.3.2BJT放大電路的小信號(hào)模型分析法,2.用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,（1）利用直流通路求Q點(diǎn),共射極放大電路,一般硅管VBE=0.7V，鍺管VBE=0.2V，已知。,vs=0,.,5.3.2BJT放大電路的小信號(hào)模型分析法,（2）畫(huà)小信號(hào)等效電路,2.用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,H參數(shù)小信號(hào)等效電路,.,5.3.2BJT放大電路的小信號(hào)模型分析法,（3）求放大電路動(dòng)態(tài)指標(biāo),已知，估算rbe,則電壓增益為,（可作為公式）,電壓增益,2.用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,根據(jù),.,5.3.2BJT放大電路的小信號(hào)模型分析法,輸入電阻,（3）求放大電路動(dòng)態(tài)指標(biāo),2.用H參數(shù)小信號(hào)模型分析基本共射極放大電路,令,輸出電阻,.,1.放大電路如圖所示。已知BJT的=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：,（1）放大電路的Q點(diǎn)。此時(shí)BJT工作在哪個(gè)區(qū)域？,（2）當(dāng)Rb=100k時(shí)，放大電路的Q點(diǎn)。此時(shí)BJT工作在哪個(gè)區(qū)域？（忽略BJT的飽和壓降）,解：（1）,（2）當(dāng)Rb=100k時(shí)，,靜態(tài)工作點(diǎn)為Q（40A，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大區(qū)。,其最小值也只能為0，即IC的最大電流為：,，所以BJT工作在飽和區(qū)。,VCE不可能為負(fù)值，,此時(shí)，Q（120uA，6mA，0V），,例題,.,解：,（1）,（2）,2.放大電路如圖所示。試求：（1）Q點(diǎn)；（2）,、,、,。已知=50。,例題,.,2.放大電路如圖所示。試求：（1）Q點(diǎn)；（2）,、,、,。已知=50。,例題,.,5.4BJT放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定問(wèn)題,5.4.1溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響5.4.2射極偏置電路,.,5.4.1溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響,5.1節(jié)曾討論過(guò)，溫度變化將導(dǎo)致下列結(jié)果：,要想使ICQ基本穩(wěn)定不變，就要求在溫度升高時(shí)，電路能自動(dòng)地適當(dāng)減小基極電流IBQ。,溫度T,(內(nèi)部)VBE,ICBO、ICEO、,ICQ,.,5.4.2射極偏置電路,（1）穩(wěn)定工作點(diǎn)的原理,目標(biāo)：溫度變化時(shí)，使ICQ維持恒定,如果溫度變化時(shí)，b點(diǎn)電位能基本不變，則可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。,T,ICQ,IEQ,VE、VB不變,VBEQ,IBQ,（反饋控制）,1.基極分壓式射極偏置電路,.,5.4.2射極偏置電路,b點(diǎn)電位基本不變的條件：,I1IBQ，,此時(shí)，,VB與溫度無(wú)關(guān),VBVBEQ,Re取值越大，反饋控制作用越強(qiáng),一般取I1=(510)IBQ，VB=35V,（1）穩(wěn)定工作點(diǎn)的原理,1.基極分壓式射極偏置電路,直流通路,.,5.4.2射極偏置電路,（2）放大電路指標(biāo)分析,靜態(tài)工作點(diǎn),1.基極分壓式射極偏置電路,直流通路,.,5.4.2射極偏置電路,電壓增益,畫(huà)小信號(hào)等效電路,（2）放大電路指標(biāo)分析,1.基極分壓式射極偏置電路,.,電壓增益,輸出回路：,輸入回路：,電壓增益：,確定模型參數(shù),已知，求rbe,增益,（2）放大電路指標(biāo)分析,（可作為公式用）,.,輸入電阻,根據(jù)定義,由電路列出方程,則輸入電阻,放大電路的輸入電阻不包含信號(hào)源的內(nèi)阻,（2）放大電路指標(biāo)分析,.,輸出電阻,求輸出電阻的等效電路,網(wǎng)絡(luò)內(nèi)獨(dú)立源置零,負(fù)載開(kāi)路,輸出端口加測(cè)試電壓,對(duì)回路1和2列KVL方程,為便于分析考慮rce的影響,其中,則,（2）放大電路指標(biāo)分析,.,5.4.2射極偏置電路,2.含有雙電源的射極偏置電路,穩(wěn)定工作點(diǎn)作用？,（1）阻容耦合,靜態(tài)工作點(diǎn),.,5.4.2射極偏置電路,電壓增益,小信號(hào)等效電路,2.含有雙電源的射極偏置電路,（1）阻容耦合,.,5.4.2射極偏置電路,（2）直接耦合,電路如圖所示，求：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)（2）畫(huà)出小信號(hào)等效電路（3）電壓增益（Av=vo/vi）、輸入電阻和輸出電阻,Re,2.含有雙電源的射極偏置電路,.,5.4.2射極偏置電路,靜態(tài)工作點(diǎn)由恒流源提供,3.含有恒流源的射極偏置電路,恒流源對(duì)交流信號(hào)而言相當(dāng)于開(kāi)路,.,5.5共集電極放大電路和共基極放大電路,5.5.1共集電極放大電路5.5.2共基極放大電路5.5.3BJT放大電路三種組態(tài)的比較,.,三種組態(tài)的判別,以輸入、輸出信號(hào)的位置為判斷依據(jù)：信號(hào)由基極輸入，集電極輸出共射極放大電路信號(hào)由基極輸入，發(fā)射極輸出共集電極放大電路信號(hào)由發(fā)射極輸入，集電極輸出共基極電路,.,5.5.1共集電極放大電路,1.靜態(tài)分析,共集電極電路結(jié)構(gòu)如圖示,該電路也稱為射極輸出器,直流通路,得,.,5.5.1共集電極放大電路,小信號(hào)等效電路,2.動(dòng)態(tài)分析,.,5.5.1共集電極放大電路,電壓增益,輸入回路：,2.動(dòng)態(tài)分析,輸出回路：,電壓增益：,其中,一般,，則電壓增益接近于1，,電壓跟隨器,.,5.5.1共集電極放大電路,輸入電阻,根據(jù)定義,由電路列出方程,則輸入電阻,時(shí)，,輸入電阻大,2.動(dòng)態(tài)分析,.,5.5.1共集電極放大電路,輸出電阻,由電路列出方程,輸出電阻小,2.動(dòng)態(tài)分析,其中,則輸出電阻,.,5.5.1共集電極放大電路,#既然共集電極電路的電壓增益小于1（接近于1），那么它對(duì)電壓放大沒(méi)有任何作用。這種說(shuō)法是否正確？,.,5.5.2共基極放大電路,1.靜態(tài)工作點(diǎn),直流通路與射極偏置電路相同,.,5.5.2共基極放大電路,2.動(dòng)態(tài)指標(biāo),交流通路,小信號(hào)等效電路,.,5.5.2共基極放大電路,2.動(dòng)態(tài)指標(biāo),電壓增益,輸出回路：,輸入回路：,電壓增益：,輸入電阻,.,5.5.2共基極放大電路,#共基極電路的輸入電阻很小，最適合用來(lái)放大何種信號(hào)源的信號(hào)？,輸出電阻,2.動(dòng)態(tài)指標(biāo),.,5.5.3BJT放大電路三種組態(tài)的比較,.,5.5.3BJT放大電路三種組態(tài)的比較,三種組態(tài)的特點(diǎn)及用途,共射極放大電路：電壓和電流增益都大于1，輸入電阻在三種組態(tài)中居中，輸出電阻與集電極電阻有很大關(guān)系。適用于低頻情況下，作多級(jí)放大電路的中間級(jí)。,共集電極放大電路：只有電流放大作用，沒(méi)有電壓放大，有電壓跟隨作用。在三種組態(tài)中，輸入電阻最大，輸出電阻最小，頻率特性好?？捎糜谳斎爰?jí)、輸出級(jí)或緩沖級(jí)。,共基極放大電路：只有電壓放大作用，沒(méi)有電流放大，有電流跟隨作用，輸入電阻小，輸出電阻與集電極電阻有關(guān)。高頻特性較好，常用于高頻或?qū)掝l帶低輸入阻抗的場(chǎng)合，模擬集成電路中亦兼有電位移動(dòng)的功能。,.,5.6FET和BJT及其基本放大電路性能的比較,5.6.1FET和BJT重要特性的比較5.6.2FET和BJT放大電路性能的比較,.,5.6.1FET和BJT重要特性的比較,FET和BJT內(nèi)部都含有兩個(gè)PN結(jié)，外部都有3個(gè)電極。它們有如下的對(duì)應(yīng)關(guān)系：FETBJT柵極g基極b源極s發(fā)射極e漏極d集電極c,.,5.6.1FET和BJT重要特性的比較,雖然這兩類器件的工作原理不相同，但它們都可以利用兩個(gè)電極之間的電壓控制流過(guò)第三個(gè)電極的電流來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入對(duì)輸出的控制。MOS管：柵-源電壓vGS控制漏極iDBJT：基-射極間電壓vBE控制集電極電流iC在放大區(qū)域內(nèi)，MOS管的iD與vGS之間是平方律關(guān)系，而B(niǎo)JT的iC與vBE之間是指數(shù)關(guān)系。顯然，指數(shù)關(guān)系更加敏感，所以通常BJT管的跨導(dǎo)要大于MOS管的跨導(dǎo)。因MOS管的柵極電流iG=0，而B(niǎo)JT管的基極電流iB0，且電壓vBE首先影響iB（或iE），然后通過(guò)iB（或iE）實(shí)現(xiàn)對(duì)iE的控制，故常將BJT稱為電流控制器件，MOS管稱為電壓控制器件，以示兩者之差別。,.,5.6.1FET和BJT重要特性的比較,MOS管的跨導(dǎo)gm不僅與VGSQ和開(kāi)啟（夾斷）電壓的差值（或IDQ）有關(guān)，而且還與其溝道的寬長(zhǎng)比W/L有關(guān)。而B(niǎo)JT的gm僅與ICQ有關(guān)。這兩類器件的輸出電阻ro都等于Early電壓VA與靜態(tài)電流（IDQ或ICQ）的比值。通常BJT的VA比MOS管的VA大。意味著B(niǎo)JT的輸出電阻ro比MOS管的大。MOS管的Kn與BJT的或具有類似的性質(zhì)，即它們主要取決于管子的固有參數(shù)（如，尺寸、參雜濃度