GB 13539.4-1992 低壓熔斷器 半導體器件保護用熔斷體的補充要求

UDC621.316.923.027.2K31中華人民共和國國家標準GB13539.4-92低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01發(fā)布1993-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布中華人民共和國國家標準低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求GB13539.4-92中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月電子版制作書號：1550661-26327版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：010)68533533中華人民共和國國家標準低壓熔斷器GB13539.4-92半導體器件保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本標準參照采用國際標準IEC269-4(1986)低壓熔斷器華導體器件保護用熔斷體的補充要術(shù)本標準應與GB13539.1一92低壓熔斷器本要求一起使用。除非本標準另有說明，半導體器件保護用熔斷體，還應符合GB13539.1的規(guī)定。1主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了半導體器件保護用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時間-電流特性、分斷能力、截斷電流特性、7特性、電弧電壓特性、試驗和標志。本標準適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導體器件的設(shè)備上使用的熔斷體。注：在多數(shù)情況下，以組合設(shè)備的一部分作為塔斷體的底座。由于設(shè)備種類繁多，難以作出一般的規(guī)定。組合設(shè)備是否通合用作熔斷體的底座，應由用戶與制造廠協(xié)商。但是，當采用獨立的婚斷器底座或支持件時,則它們應符合GB13539.1的有關(guān)規(guī)定。這種熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”2引用標準GB321優(yōu)先數(shù)和優(yōu)先數(shù)系GB13539.11低壓熔斷器基本要求3術(shù)語、符號、代號3.1術(shù)語3.1.1半導體器件基本特性是由于載流子在半導體中流動引起的-j一種器件、3.1.2半導體熔斷體semiconductorfuse-link在規(guī)定條件下，能夠分斷7.2范圍內(nèi)的任何電流值的-一種限流熔斷體。注：GB13539.1中術(shù)語;“(熔斷體的)使用類別”本標準不適用.3.