標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 13539.4-2005 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》相比于《GB 13539.4-1992 低壓熔斷器 半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)變化：從標(biāo)準(zhǔn)編號可見，從GB變?yōu)镚B/T，意味著該標(biāo)準(zhǔn)從強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標(biāo)準(zhǔn)，為執(zhí)行提供了更多靈活性。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新：新標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)近十年來半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對熔斷體的性能指標(biāo)、測試方法及安全要求等方面進(jìn)行了修訂，以更好地適應(yīng)現(xiàn)代半導(dǎo)體設(shè)備的保護(hù)需求。具體包括但不限于熔斷時(shí)間、分?jǐn)嗄芰?、熱穩(wěn)定性和電壽命等方面的更嚴(yán)格規(guī)定。

  3. 適用范圍擴(kuò)展：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，新標(biāo)準(zhǔn)可能擴(kuò)展了適用的半導(dǎo)體設(shè)備類型，包括更廣泛的集成電路、功率半導(dǎo)體器件等，確保了標(biāo)準(zhǔn)的廣泛適用性和前瞻性。

  4. 試驗(yàn)方法改進(jìn)：為了更準(zhǔn)確地評估熔斷體在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)，新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了新的試驗(yàn)方法或?qū)υ性囼?yàn)方法進(jìn)行了優(yōu)化，如增加模擬實(shí)際工作條件的動態(tài)試驗(yàn)、提高環(huán)境適應(yīng)性測試的標(biāo)準(zhǔn)等。

  5. 安全與環(huán)保要求提升：隨著對產(chǎn)品安全和環(huán)境保護(hù)要求的日益提高，新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了更多關(guān)于材料安全、有害物質(zhì)限制（如RoHS合規(guī)）、以及廢棄處理等方面的規(guī)定。

  6. 術(shù)語與定義調(diào)整：為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映行業(yè)最新發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)對一些專業(yè)術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂或增補(bǔ)，提高了標(biāo)準(zhǔn)的清晰度和一致性。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)化引用文件更新：考慮到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)規(guī)范的更新?lián)Q代，新標(biāo)準(zhǔn)引用了一系列最新的國家標(biāo)準(zhǔn)和國際標(biāo)準(zhǔn)，確保了技術(shù)要求的先進(jìn)性和兼容性。


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  • 2005-08-03 頒布
  • 2006-04-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 13539.4-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求_第1頁
GB/T 13539.4-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求_第2頁
GB/T 13539.4-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求_第3頁
GB/T 13539.4-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求_第4頁
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文檔簡介

ICS29.120.50K31中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13539.4-2005/IEC60269-4:1986代替GB13539.4-1992低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求Low-voltagefuses-Part4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices(IEC60269-4:1986,IDT)2005-08-03發(fā)布2006-04-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T13539.4-2005/IEC60269-4:1986次前言1總則2定義3；正常工作條件5培斷體特性6標(biāo)志………7設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)條件8試驗(yàn)··……………·……··附錄A(規(guī)范性附錄）婚斷體和半導(dǎo)體設(shè)備的配合導(dǎo)則16附錄B(資料性附錄)制造廠應(yīng)在產(chǎn)品使用說明書中列出的半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的資料·····20

GB/T13539.4-2005/IEC60269-4：1986《低壓熔斷器》是系列標(biāo)準(zhǔn)，目前包括以下7個(gè)部分GB13539.1—2002《低壓熔斷器第1部分：基本要求》idtIEC60269-1:1998)GB/T13539.2—2002《低壓熔斷器第2部分:專職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器)》idtIEC60269-2:1986)GB13539.3—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于家用和類似用途的熔斷器)》(idtIEC6O269-3:1987）GB/T13539.4—2005《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》（IEC60269-4:1986.IDT）GB/T13539.5—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于家用和類似用途的熔斷器）標(biāo)準(zhǔn)化熔斷器示例》idtIEC60269-3-1:1994）GB/T13539.6—2002《低壓熔斷器第2部分：專職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器）第1至5篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷器示例》(idtIEC60269-2-1:2000）GB/T13539.7—2005《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求：第1至3篇標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》IEC60269-4-1:2002.IDT)本部分為《低壓熔斷器》系列標(biāo)準(zhǔn)的第4部分，系等同采用IEC60269-4：1986《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》及1EC60269-4的修正件No.1(1995）、修正件No.2(2002)和修正件No.2勒誤表(2003)。本部分是對國家標(biāo)準(zhǔn)GB13539.4-1992《低壓熔斷器半半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》的修訂。本部分是對用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體的補(bǔ)充要求，同時(shí)對于具體型式的熔斷體的要求在GB/T13539.7-2005中規(guī)定，在使用時(shí)應(yīng)和GB13539.1-2002和GB/T13539.7-2005配合使用。本部分與GB13539.4—1992的主要差別為增加對半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的分類要求;規(guī)定不同類型的熔斷體的試驗(yàn)方法、標(biāo)志等內(nèi)容。本部分5.8.1引用的圖3.在IEC原文中為圖2,疑有誤.應(yīng)為圖3。IEC原文中5.8和5.9的時(shí)間常數(shù)(15～20ms)與經(jīng)修正的表12B不符,本部分此處按表12B規(guī)定。本部分8.4.3.2和8.4.3.4引用的表2,IEC原文為IEC60269-1表2,疑有誤，應(yīng)為本部分表2.本部分批準(zhǔn)實(shí)施后.代替GB13539,4—1992《低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》本部分的附錄A為規(guī)范性附錄，附錄B為資料性附錄本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本部分由全國低壓電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本部分負(fù)責(zé)起草單位：上海電器科學(xué)研究所。本部分參加起草單位：西安西整焙斷器廠、西安熔斷器廠、上海電器陶瓷廠本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云。本部分參加起草人：章永孚、伍麗華、劉雙庫、劉羅曼、林海鷗。本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T13539.4-1992。

GB/T13539.4-2005/IEC60269-4：1986低壓熔斷器第4部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求本部分與國家標(biāo)準(zhǔn)GB13539.1《低壓熔斷器第1部分：基本要求》共同使用.因此本部分的條款、分條款和表的編號與它們的編號相對應(yīng)。1總則半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用的熔斷體(以下簡稱為熔斷體)應(yīng)符合GB13539.1的所有要求.下文中沒有另外指明的.也應(yīng)符合本部分規(guī)定的補(bǔ)充要求。1.1范圍本部分的補(bǔ)充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體，熔斷體的額定電壓不超過交流1000V或標(biāo)稱電壓不超過直流1500V。如果適用.還可以用于更高的標(biāo)稱電壓的電路住1：這種熔斷體通常稱為“半導(dǎo)體熔斷體”。在2：在多數(shù)情況下,組合設(shè)備的一部分可用作熔斷器底座。由于設(shè)備的多樣性，難以作出一般的規(guī)定：組合設(shè)備是否適合作婚斷器底座.應(yīng)由用戶與制造廠協(xié)商。但是，如果采用獨(dú)立的墻斷器底座或培斷器支持件，它們應(yīng)符合GB13539.1的相關(guān)要求。12目的本部分的目的是確定半導(dǎo)體熔斷體的特性,從而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的焙斷體替換半導(dǎo)體焙斷體。因此·本部分中特別規(guī)定了：1.2.1熔斷體的特性：預(yù)定值：正常工作時(shí)的溫升；耗散功率；時(shí)間-電流特性：分?jǐn)嗄芰Γ唤財(cái)嚯娏魈匦院蛷S／特性;g)電弧電壓極限值1.2.2用于驗(yàn)證熔斷體特性的型式試驗(yàn)。1.2.3婚晰體標(biāo)志。1.2.4應(yīng)提供的技術(shù)數(shù)據(jù)（見附錄B）2定義2.2一般術(shù)語2.2.14半導(dǎo)體設(shè)備sem

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