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文檔簡介
1、 實驗五 電容式傳感器的位移特性實驗一、實驗?zāi)康恼莆针娙菔絺鞲衅鹘Y(jié)構(gòu)及其特點。二、基本原理利用平板電容和其它結(jié)構(gòu)的關(guān)系式通過相應(yīng)的結(jié)構(gòu)和測量電路可以選擇、S、d中三個參數(shù)中,保持兩個參數(shù)不變,而只改變其中一個參數(shù),則可以有測谷物干燥度(變)測微小位移(變d)和測量液位(變S)等多種電容傳感器。變面積型電容傳感器中,平板結(jié)構(gòu)對極距特別敏感,測量精度受到影響,而圓柱形結(jié)構(gòu)受極板徑向變化的影響很小,且理論上具有很好的線性關(guān)系,(但實際由于邊緣效應(yīng)的影響,會引起極板間的電場分布不均,導致非線性問題仍然存在,且靈敏度下降,但比變極距型好得多。)成為實際中最常用的結(jié)構(gòu),其中線位移單組式的電容量C在忽略邊緣
2、效應(yīng)時為:式中,為外圓筒與內(nèi)圓柱覆蓋部分的長度; 分別為外圓筒內(nèi)半徑和內(nèi)圓柱外半徑。當兩圓筒相對移動時,電容變化量為于是,可得其靜態(tài)靈敏度為:可見靈敏度與有關(guān),越接近,靈敏度越高,雖然內(nèi)外極筒原始覆蓋長度與靈敏度無關(guān),但不可太小,否則邊緣效應(yīng)將影響到傳感器的線性。本實驗為變面積式電容傳感器,采用差動式圓柱形結(jié)構(gòu),可以減小非線性誤差和增加傳感器的靈敏度。 電容傳感器位移實驗電路如圖5-1所示,555時基集成電路組成方波信號產(chǎn)生電路,CX1、CX2是電容傳感器的兩個差動電容,四臂二極管橋路實現(xiàn)把兩個差動電容器電容量的變化轉(zhuǎn)換成電壓變化,經(jīng)過RW調(diào)節(jié)和放大后輸出。三、需用器件與單元電容傳感器、電容傳
3、感器實驗?zāi)0?、測微頭、數(shù)顯單元、直流穩(wěn)壓源。四、實驗步驟及注意事項1、將電容式傳感器裝于電容傳感器實驗?zāi)0迳希瑢鞲衅饕€插頭用標記電容的專用電纜插入實驗?zāi)0宓牟遄校?5V地與放大器的地線相連,如圖5-1。圖5-1電容傳感器位移實驗接線圖2、將電容傳感器實驗?zāi)0宓妮敵龆薞o1與數(shù)顯單元Vi相接(插入主控箱Vi孔)Rw調(diào)節(jié)到中間位置。3、接入15V電源,旋動測微頭改變電容傳感器動極板的位置,初始位置為內(nèi)園筒在中間位置,這時輸出電壓最小,時線性較好。每隔0.2mm記下位移X與輸出電壓值,填入表5-1。測微頭刻度變化1代表位移10m。4、注意事項:(1)傳感器要輕拿輕放,絕不可掉到地上。(2)做實
4、驗時,不要接觸傳感器,否則將會使線性變差。表51 電容傳感器位移與輸出電壓值記錄表(數(shù)字電壓表選20V量程,下表數(shù)據(jù)已換算)X(mm)0.20.40.60.81.01.21.41.61.82.0U(v)0.040.060.080.100.120.150.170.200.220.24五、數(shù)據(jù)處理1、根據(jù)表51數(shù)據(jù),畫出傳感器的擬合曲線,如下圖所示2、 根據(jù)擬合直線,計算靈敏度S=(240-40)mv/(2.0-0.2)mm=111.11 (mv/mm)3、 計算非線性誤差將圖放大后易知,非線性誤差應(yīng)用(1,0.12)這個點求。=0.0275=2.75%六、思考題 電容式傳感器可分成哪三種類型,實
5、驗中使用的電容傳感器是哪一類?答:根據(jù)公式知道,影響C的因素有三個,由此將電容分為三種,即變介電常數(shù)型、變面積型、變極距型,實驗中用到的是變極距型電容式傳感器。實驗六 直流激勵時霍爾傳感器位移特性實驗1、 實驗?zāi)康恼莆栈魻柺絺鞲衅髟砼c應(yīng)用。二、基本原理金屬或半導體薄片置于磁場中,當有電流流過時,在垂直于磁場和電流的方向上將產(chǎn)生電動勢,這種物理現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。具有這種效應(yīng)的元件成為霍爾元件,根據(jù)霍爾效應(yīng),霍爾電勢,當保持霍爾元件的控制電流恒定,而使霍爾元件在一個均勻梯度的磁場中沿水平方向移動,則輸出的霍爾電動勢為,式中k為位移傳感器的靈敏度。這樣它就可以用來測量位移?;魻栯妱觿莸臉O性表示磁場
6、的方向。磁場梯度越大,靈敏度越高;磁場梯度越均勻,輸出線性度就越好。三、需用器件與單元霍爾傳感器實驗?zāi)0?、霍爾傳感器?5V直流電源、測微頭、數(shù)顯單元。四、實驗步驟及注意事項1、將霍爾傳感器安裝在霍爾傳感器實驗?zāi)K上,將傳感器引線插頭用標記霍爾的專用電纜插入實驗?zāi)0宓牟遄校?5V地與放大器的地線相連,實驗板的連接線按圖6-1進行。2、開啟電源,將RW1大約旋到中間位置,調(diào)節(jié)測微頭使霍爾片大致在磁鐵中間位置,這時磁場最弱,產(chǎn)生霍爾電勢最小,使數(shù)字電壓表指示為零。圖6-1 直流激勵時霍爾傳感器位移實驗接線圖3、測微頭往軸向方向推進,每轉(zhuǎn)動0.2mm記下一個讀數(shù),將讀數(shù)填入表6-1。測微頭刻度變化
7、1代表位移10m。4、注意事項:(1)對傳感器要輕拿輕放,絕不可掉到地上。(2)不要將霍爾傳感器的激勵電壓錯接成15V,否則將可能燒毀霍爾元件。表61霍爾傳感器位移與輸出電壓值記錄表X(mm)0.20.40.60.81.01.21.41.61.82.0U(V)0.130.280.400.520.640.720.780.810.840.86五、實驗數(shù)據(jù)處理1、根據(jù)表61數(shù)據(jù),畫出傳感器的擬合曲線,如下圖所示2、根據(jù)擬合直線,計算靈敏度S=(860-130)mv/(2.0-0.2)mm=405.6 (mv/mm)3、計算非線性誤差非線性誤差的計算用(2,0.86)進行計算得:=0.1203=12.03%所以,非線性誤差為12.03%。六、思考題
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