BT33單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理

1、.單結(jié)晶體管（雙基極二極管）原理體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當(dāng)出現(xiàn)兩次低電阻時(shí)，黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測(cè)量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應(yīng) 當(dāng)說(shuō)明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管都適用，有個(gè)別管子的E-B1間的正向電阻值較小。不過(guò)準(zhǔn)確地判斷哪極是B1，哪極是 B2在實(shí)際使用中并不特別重要。即使B1、B2用顛倒了，

2、也不會(huì)使管子損壞，只影響輸出脈沖的幅度（單結(jié)晶體管多作脈沖發(fā)生器使用），當(dāng)發(fā)現(xiàn)輸出的脈沖幅 度偏小時(shí)，只要將原來(lái)假定的B1、B2對(duì)調(diào)過(guò)來(lái)就可以了。單結(jié)晶體管工作原理-雙基極二極管伏安特性曲線-單結(jié)管 雙基極二極管(單結(jié)晶體管)的結(jié)構(gòu) 雙基極二極管又稱為單結(jié)晶體管，它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。在一片高電阻率的N型硅片一側(cè)的兩端各引出一個(gè)電極，分別稱為第一基極B1和第二基極B2。而在硅片是另一側(cè)較靠近B2處制作一個(gè)PN結(jié)，在P型硅上引出一個(gè)電極，稱為發(fā)射極E。兩個(gè)基極之間的電阻為RBB，一般在215kW之間，RBB一般可分為兩段，RBB =RB1+ RB2，RB1是第一基極B1至PN結(jié)的電阻；RB2是第一

3、基極B2至PN結(jié)的電阻。雙基極二極管的符號(hào)見圖1的右側(cè)。 圖1 雙基極二極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 等效電路 雙基極二極管的工作原理 將雙基極二極管按圖2(a)接于電路之中，觀察其特性。首先在兩個(gè)基極之間加電壓UBB，再在發(fā)射極E和第一基極B1之間加上電壓UE，UE可以用電位器RP進(jìn)行調(diào)節(jié)。這樣該電路可以改畫成圖2(b)的形式，雙基極二極管可以用一個(gè)PN結(jié)和二個(gè)電阻RB1、RB2組成的等效電路替代。 (a) (b) 圖2 雙基極二極管的特性測(cè)試電路當(dāng)基極間加電壓UBB時(shí)，RB1上分得的電壓為 式中稱為分壓比，與管子結(jié)構(gòu)有關(guān)，約在0.50.9之間。 2.當(dāng)UEUBBUD時(shí)，單結(jié)晶體管內(nèi)在PN結(jié)導(dǎo)通，發(fā)射極

4、電流IE突然增大。把這個(gè)突變點(diǎn)稱為峰點(diǎn)P。對(duì)應(yīng)的電壓UE和電流IE分別稱為峰點(diǎn)電壓UP和峰點(diǎn)電流IP。顯然，峰點(diǎn)電壓 UpUBBUD 式中UD為單結(jié)晶體管中PN結(jié)的正向壓降，一般取UD0.7V。在單結(jié)晶體管中PN結(jié)導(dǎo)通之后，從發(fā)射區(qū)（P區(qū)）向基壓（N區(qū)）發(fā)射了大量的空穴型載流子，IE增長(zhǎng)很快，E和B1之間變成低阻導(dǎo)通狀態(tài)，RB1迅速減小，而E和B1之間的電壓UE也隨著下降。這一段特性曲線的動(dòng)態(tài)電阻為負(fù)值，因此稱為負(fù)阻區(qū)。而B2的電位高于E的電位，空穴型載流子不會(huì)向B2運(yùn)動(dòng)，電阻RB2基本上不變。 當(dāng)發(fā)射極電流IE增大到某一數(shù)值時(shí)，電壓UE下降到最低點(diǎn)。特性由線上的這一點(diǎn)稱為谷點(diǎn)V。與此點(diǎn)相對(duì)應(yīng)

5、的是谷點(diǎn)電壓UV和谷點(diǎn)電流IV。此后，當(dāng)調(diào)節(jié)RP使發(fā)射極電流繼續(xù)增大時(shí)，發(fā)射極電壓略有上升，但變化不大。谷點(diǎn)右邊的這部分特性稱為飽和區(qū)。綜上所述，單結(jié)晶體管具有以下特點(diǎn)：（1）當(dāng)發(fā)射極電壓等于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管導(dǎo)通。導(dǎo)通之后，當(dāng)發(fā)射極電壓小于谷點(diǎn)電壓UV時(shí)，單結(jié)晶體管就恢復(fù)截止。（2）單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP與外加固定電壓UBB及其分壓比有關(guān)。而分壓比是由管子結(jié)構(gòu)決定的，可以看做常數(shù)。對(duì)于分壓比不同的管子，或者外加電壓UBB的數(shù)值不同時(shí)，峰值電壓UP也就不同。（3）不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓UV和谷點(diǎn)電流IV都不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在25V之間。在觸發(fā)電路中，常選用稍大一些、UV低一些和IV大一些的單結(jié)管，以增大輸出脈沖幅度和移相范圍。單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相半控橋式整流電路 圖3 單結(jié)晶體管的伏安特性曲線1調(diào)節(jié)RP，使UE從零逐漸增加。當(dāng)UE比較小時(shí)（UEUBBUD），單結(jié)晶體管內(nèi)的PN結(jié)處于反向偏置，E與B1之間不能導(dǎo)通，呈現(xiàn)很大電阻