中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目策劃方案

1、泓域咨詢/中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目策劃方案中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目策劃方案MACRO 泓域咨詢承諾書申請(qǐng)人鄭重承諾如下：“中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目”已按國家法律和政策的要求辦理相關(guān)手續(xù)，報(bào)告內(nèi)容及附件資料準(zhǔn)確、真實(shí)、有效，不存在虛假申請(qǐng)、分拆、重復(fù)申請(qǐng)獲得其他財(cái)政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實(shí)情況的行為，將愿意承擔(dān)相關(guān)法律法規(guī)的處罰以及由此導(dǎo)致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx集團(tuán)（蓋章）xxx年xx月xx日項(xiàng)目概要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)

2、備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVAT

3、ePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。該中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目計(jì)劃總投資16706.73萬元，其中：固定資產(chǎn)投資12598.50萬元，占項(xiàng)目總投資的75.41%；流動(dòng)資金4108.23萬元，占項(xiàng)目總投資的24.59%。達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入28331.00萬元，總成本費(fèi)用22234.96萬元，稅金及附加272.64萬元，利潤總額6096.04萬元，利稅總額7209.51萬元，稅后凈利潤4572.03萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅

4、總額2637.48萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率36.49%，投資利稅率43.15%，投資回報(bào)率27.37%，全部投資回收期5.15年，提供就業(yè)職位491個(gè)。報(bào)告目的是對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行技術(shù)可靠性、經(jīng)濟(jì)合理性及實(shí)施可能性的方案分析和論證，在此基礎(chǔ)上選用科學(xué)合理、技術(shù)先進(jìn)、投資費(fèi)用省、運(yùn)行成本低的建設(shè)方案，最終使得項(xiàng)目承辦單位建設(shè)項(xiàng)目所產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益達(dá)到協(xié)調(diào)、和諧統(tǒng)一。報(bào)告主要內(nèi)容：項(xiàng)目承擔(dān)單位基本情況、項(xiàng)目技術(shù)工藝特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)、項(xiàng)目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模、項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)、工程方案、產(chǎn)品工藝路線與技術(shù)特點(diǎn)、設(shè)備選型、總平面布置與運(yùn)輸、環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度、項(xiàng)目投資與資金來源、財(cái)務(wù)評(píng)

5、價(jià)等。第一章 項(xiàng)目承辦單位基本情況一、公司概況公司一直秉承“堅(jiān)持原創(chuàng)，追求領(lǐng)先”的經(jīng)營理念，不斷創(chuàng)造令客戶驚喜的產(chǎn)品和服務(wù)。成立以來，公司秉承“誠實(shí)、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規(guī)經(jīng)營”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險(xiǎn)控制能力。展望未來，公司將立足先進(jìn)制造業(yè)，加強(qiáng)國內(nèi)外技術(shù)交流合作，不斷提升自主研發(fā)與生產(chǎn)工藝的核心技術(shù)能力，以客戶服務(wù)、品質(zhì)樹品牌，以品牌推市場；致力成為產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)跑者及值得信賴的合作伙伴。公司在管理模式、組織結(jié)構(gòu)、激勵(lì)制度、科技創(chuàng)新等方面嚴(yán)格按照科技型現(xiàn)代企業(yè)要求執(zhí)行，并根據(jù)公司所具優(yōu)勢(shì)定位于高技術(shù)附加值產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)和營銷，以新產(chǎn)品開拓市場

6、，以優(yōu)質(zhì)服務(wù)參與競爭。強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品開發(fā)和市場營銷的科技型企業(yè)的組織框架已經(jīng)建立，主要崗位已配備專業(yè)學(xué)科人員，包括科技獎(jiǎng)勵(lì)政策在內(nèi)的企業(yè)各方面管理制度運(yùn)作效果良好。管理制度的先進(jìn)性和創(chuàng)新性，極大地激發(fā)和調(diào)動(dòng)了廣大員工的工作熱情，吸引了較多適用人才，并通過科研開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營得以釋放，因此，項(xiàng)目承辦單位較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。公司正處于快速發(fā)展階段，特別是隨著新項(xiàng)目的建設(shè)及未來產(chǎn)能擴(kuò)張，將需要大量專業(yè)技術(shù)人才充實(shí)到建設(shè)、生產(chǎn)、研發(fā)、銷售、管理等環(huán)節(jié)中。作為一家民營企業(yè)，公司在吸引高端人才方面不具備明顯優(yōu)勢(shì)。未來公司將通過自我培養(yǎng)和外部引進(jìn)來壯大公司的高端人才隊(duì)伍，提升公司的技術(shù)創(chuàng)新能力。公司注重建設(shè)、

7、培養(yǎng)人才梯隊(duì)，與眾多高校建立了良好的校企合作關(guān)系，學(xué)校為企業(yè)輸入滿足不同崗位需求的技術(shù)人員，達(dá)到企業(yè)人才吸收、培養(yǎng)和校企互惠的效果。公司籌建了實(shí)習(xí)培訓(xùn)基地，幫助學(xué)校優(yōu)化教學(xué)科目，并從公司內(nèi)部選拔優(yōu)秀員工為學(xué)生授課，讓學(xué)生親身參與實(shí)踐工作。在此過程中，公司直接從實(shí)習(xí)基地選拔優(yōu)秀人才，為公司長期的業(yè)務(wù)發(fā)展輸送穩(wěn)定可靠的人才隊(duì)伍。公司的良好人才梯隊(duì)和人才優(yōu)勢(shì)使得本次募投項(xiàng)目具備扎實(shí)的人力資源基礎(chǔ)。二、所屬行業(yè)基本情況半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中

8、應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運(yùn)。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條

9、，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶

10、圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。三、公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx（集團(tuán)）有限公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入27932.13萬元，同比增長20.40%（4732.25萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為24702.10萬元，占營業(yè)總收入的88.44%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目第一季度第二季度第三季度第四季度合計(jì)1營業(yè)收入5865.757821.007262.356983.0327932.132主營業(yè)務(wù)收入5187.446916.596422.556175.5224702.102.1中高頻熔煉設(shè)備(A)1711.862282.472119.442037.928151.692.2中

11、高頻熔煉設(shè)備(B)1193.111590.821477.191420.375681.482.3中高頻熔煉設(shè)備(C)881.861175.821091.831049.844199.362.4中高頻熔煉設(shè)備(D)622.49829.99770.71741.062964.252.5中高頻熔煉設(shè)備(E)415.00553.33513.80494.041976.172.6中高頻熔煉設(shè)備(F)259.37345.83321.13308.781235.112.7中高頻熔煉設(shè)備(.)103.75138.33128.45123.51494.043其他業(yè)務(wù)收入678.31904.41839.81807.51323

12、0.03根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測算，公司實(shí)現(xiàn)利潤總額5580.04萬元，較去年同期相比增長575.23萬元，增長率11.49%；實(shí)現(xiàn)凈利潤4185.03萬元，較去年同期相比增長721.00萬元，增長率20.81%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元27932.13完成主營業(yè)務(wù)收入萬元24702.10主營業(yè)務(wù)收入占比88.44%營業(yè)收入增長率（同比）20.40%營業(yè)收入增長量（同比）萬元4732.25利潤總額萬元5580.04利潤總額增長率11.49%利潤總額增長量萬元575.23凈利潤萬元4185.03凈利潤增長率20.81%凈利潤增長量萬元721.00投資利潤率40.14%投資回報(bào)率30.

13、10%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率25.01%企業(yè)總資產(chǎn)萬元26832.74流動(dòng)資產(chǎn)總額占比萬元27.43%流動(dòng)資產(chǎn)總額萬元7359.51資產(chǎn)負(fù)債率46.52%第二章 項(xiàng)目技術(shù)工藝特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)一、技術(shù)方案（一）技術(shù)方案選用方向1、對(duì)于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動(dòng)控制、安全可靠、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，由計(jì)算機(jī)統(tǒng)一控制整個(gè)生產(chǎn)線的各項(xiàng)工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時(shí)可降低物料的消耗。嚴(yán)格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動(dòng)，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、遵循“高起點(diǎn)、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)模”的建設(shè)原則。積極采用新技術(shù)、新工藝和

14、高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設(shè)備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設(shè)備，根據(jù)有利于環(huán)境保護(hù)的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護(hù)型設(shè)備，滿足項(xiàng)目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國際先進(jìn)水平的生產(chǎn)、試驗(yàn)及配套等設(shè)備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設(shè)計(jì)要滿足規(guī)?；a(chǎn)要求，注重生產(chǎn)工藝的總體設(shè)計(jì)，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲(chǔ)模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項(xiàng)目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時(shí)，加強(qiáng)員工技術(shù)培訓(xùn)，嚴(yán)格質(zhì)量管理，按照

15、工藝流程技術(shù)要求進(jìn)行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關(guān)鍵生產(chǎn)工序?yàn)橘|(zhì)量控制點(diǎn)，確保該項(xiàng)目產(chǎn)品質(zhì)量。6、在項(xiàng)目建設(shè)和實(shí)施過程中，認(rèn)真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護(hù)和安全生產(chǎn)的“三同時(shí)”原則，注重環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項(xiàng)措施的貫徹落實(shí)。（三）工藝技術(shù)方案選用原則1、在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和工業(yè)生產(chǎn)過程中，應(yīng)全面實(shí)施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費(fèi)，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質(zhì)的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務(wù)過程中，鼓勵(lì)利用可再生資源和可重復(fù)利用資源。2、遵循“高起點(diǎn)、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)模”的建設(shè)原則，積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用

16、設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術(shù)方案要求1、對(duì)于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動(dòng)控制、安全可靠、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，控制整個(gè)生產(chǎn)線的各項(xiàng)工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時(shí)可降低物料的消耗；嚴(yán)格按照電氣機(jī)械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動(dòng)，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項(xiàng)目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個(gè)性差異化的特點(diǎn)，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點(diǎn)直接影響生產(chǎn)效率

17、、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團(tuán)）有限公司將建設(shè)先進(jìn)的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術(shù)廣泛應(yīng)用到產(chǎn)品制造各個(gè)環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個(gè)性化要求的同時(shí)不犧牲生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢(shì)和質(zhì)量控制水平，同時(shí)，降低故障率、提高性價(jià)比，使產(chǎn)品性能和質(zhì)量達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。二、項(xiàng)目工藝技術(shù)設(shè)計(jì)方案（一）技術(shù)來源及先進(jìn)性說明項(xiàng)目技術(shù)來源為公司的自有技術(shù)，該技術(shù)達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平。（二）項(xiàng)目技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析本期工程項(xiàng)目采用國內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動(dòng)強(qiáng)度小的特點(diǎn)，其技術(shù)特性屬于技術(shù)密集型，該技術(shù)具備以下優(yōu)勢(shì)：1、技術(shù)含量和自動(dòng)化水平較高，處于國內(nèi)先進(jìn)水平，在產(chǎn)品質(zhì)量水平上相對(duì)其他生產(chǎn)

18、技術(shù)性能費(fèi)用比優(yōu)越，結(jié)構(gòu)合理、占地面積小、功能齊全、運(yùn)行費(fèi)用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術(shù)能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術(shù)生產(chǎn)產(chǎn)品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術(shù)使用的設(shè)備自動(dòng)控制程度和性能可靠性相對(duì)較高。2、本期工程項(xiàng)目采用的技術(shù)與國內(nèi)資源條件適應(yīng)，具有良好的技術(shù)適應(yīng)性；該技術(shù)工藝路線可以適應(yīng)國內(nèi)主要原材料特性，技術(shù)工藝路線簡潔，有利于流程控制和設(shè)備操作，工藝技術(shù)已經(jīng)被國內(nèi)生產(chǎn)實(shí)踐檢驗(yàn)，證明技術(shù)成熟，技術(shù)支援條件良好，具有較強(qiáng)的可靠性。3、技術(shù)設(shè)備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)合理性；本期工程項(xiàng)目采用本技術(shù)方案建設(shè)其

19、主要設(shè)備多數(shù)可按通用標(biāo)準(zhǔn)在國內(nèi)采購。4、節(jié)能設(shè)施先進(jìn)并可進(jìn)行多規(guī)格產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，項(xiàng)目運(yùn)行成本較低，應(yīng)變市場能力很強(qiáng)。第三章 背景及必要性一、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目背景分析在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺

20、寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細(xì)加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最

21、核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會(huì)被刻蝕液影響。光刻工藝價(jià)值巨大，ASML獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。即使是微米級(jí)的光刻工藝，也需要重復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個(gè)光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占40%-60%。而光刻機(jī)則是IC制造中最核心的設(shè)備，價(jià)值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)巨大，其EUV光刻機(jī)工藝水平已經(jīng)達(dá)到10

22、nm的級(jí)別，單臺(tái)設(shè)備售價(jià)超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個(gè)老對(duì)手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實(shí)現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟(jì)手段，并且只有ASML一家供應(yīng)商具備開發(fā)EUV光刻機(jī)的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺(tái)積電、三星均爭相投資ASML開發(fā)EUV技術(shù)，助其快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購買權(quán)。雖然我國上海微電子也研發(fā)出光刻機(jī)，但由于中國半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面

23、上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過電場對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時(shí)，更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，美國的泛林半導(dǎo)體憑借著先發(fā)優(yōu)勢(shì)和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電的5個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2015年美國商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告

24、，承認(rèn)中國已經(jīng)擁有制造具備國際競爭力刻蝕機(jī)的能力，且等離子刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機(jī)從美國對(duì)中國控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機(jī)的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機(jī)

25、領(lǐng)域，美國應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運(yùn)用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點(diǎn)，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性和重復(fù)性好，其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強(qiáng)的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生

26、長各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個(gè)基礎(chǔ)工藝，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設(shè)備投資占整體設(shè)備的14%-15%。在CVD設(shè)備領(lǐng)域，中國與世界先進(jìn)水平差距較大。美國應(yīng)用材料幾乎涵蓋了除光刻機(jī)以外的前制程設(shè)備，并在CVD及PVD設(shè)備領(lǐng)域位居全球市占率第一，而中國企業(yè)近年來在“02”專項(xiàng)的支持下也實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，其中北方華創(chuàng)的CVD設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入中芯國際28nm生產(chǎn)線，14n

27、m設(shè)備正處于驗(yàn)證階段。二、鼓勵(lì)中小企業(yè)發(fā)展在我國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中，制造業(yè)領(lǐng)域民營企業(yè)數(shù)量占比已達(dá)90%以上，民間投資的比重超過85%，成為推動(dòng)制造業(yè)發(fā)展的重要力量。近年來，受多重因素影響，制造業(yè)民間投資增速明顯放緩，2015年首次低于10%，2016年繼續(xù)下滑至3.6%。黨中央、國務(wù)院高度重視民間投資工作，近年來部署出臺(tái)了一系列有針對(duì)性的政策措施并開展了專項(xiàng)督查，民間投資增速企穩(wěn)回升，今年1-10月，制造業(yè)民間投資增長4.1%，高于去年同期1.5個(gè)百分點(diǎn)。民營企業(yè)和民間資本是培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要力量。鼓勵(lì)和引導(dǎo)民營企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，對(duì)于促進(jìn)民營企業(yè)健康發(fā)展，增強(qiáng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)

28、業(yè)發(fā)展活力具有重要意義。要激發(fā)中小企業(yè)創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新活力，就是要鼓勵(lì)創(chuàng)辦小企業(yè)，開發(fā)新崗位，以創(chuàng)業(yè)促就業(yè)，力爭使中小企業(yè)數(shù)量持續(xù)增加，向社會(huì)提供更多的就業(yè)機(jī)會(huì)和崗位。要最大限度減少對(duì)微觀事物的管理，市場機(jī)制能有效調(diào)節(jié)的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)一律取消審批，對(duì)保留的行政審批事項(xiàng)規(guī)范管理、提高效率；直接面對(duì)基層、量大面廣、屬于能交由市場解決或交由地方管理更方便有效的經(jīng)濟(jì)社會(huì)事項(xiàng)，一律下放地方和基層管理。同時(shí)，注重放管結(jié)合，切實(shí)防止審批事項(xiàng)邊減邊增、明減暗增現(xiàn)象發(fā)生。進(jìn)一步加大商事制度改革的政策宣傳。盡快建立與商事制度改革相配套的后續(xù)市場監(jiān)管體系，加強(qiáng)部門間的溝通銜接，明確監(jiān)管責(zé)任，規(guī)范監(jiān)管行為。近年來，產(chǎn)業(yè)集群已經(jīng)成為

29、我國中小企業(yè)發(fā)展的重要組織形式和載體，對(duì)于提高專業(yè)化分工與協(xié)作配套、促進(jìn)生產(chǎn)要素有效集聚和優(yōu)化配置、降低創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新成本以及節(jié)約社會(huì)資源等方面具有重要作用，是工業(yè)化和信息化發(fā)展到一定階段的必然趨勢(shì)。目前，產(chǎn)業(yè)集群已覆蓋了紡織、服裝、皮革、五金制品、工藝美術(shù)等大部分傳統(tǒng)行業(yè)，在信息技術(shù)、生物工程、新能源、新材料以及文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)等新技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展加速，涌現(xiàn)出一批龍頭骨干企業(yè)和區(qū)域品牌，在縣域經(jīng)濟(jì)發(fā)展中作用顯著。三、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)分析著眼大勢(shì)認(rèn)識(shí)當(dāng)前經(jīng)濟(jì)形勢(shì)，還要有長遠(yuǎn)眼光。影響當(dāng)前經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的各種不利因素，都是我們前進(jìn)中必然遇到的問題。這些問題，既有短期的也有長期的，既有周期性的也有結(jié)構(gòu)性的。不能只盯眼前，

30、糾結(jié)于局部，要從過往、現(xiàn)在和將來發(fā)展的大趨勢(shì)中，辨析短期因素與長期因素的不同影響；從中外發(fā)展大量實(shí)踐中，不斷深化對(duì)周期性問題與結(jié)構(gòu)性癥結(jié)的認(rèn)識(shí)。惟此，才能跳出問題解決問題，立足于我國經(jīng)濟(jì)的內(nèi)在韌性和巨大潛力，更加精準(zhǔn)地抓住主要矛盾，有針對(duì)性地一一化解，最終贏得經(jīng)濟(jì)發(fā)展長期向好的未來。四、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)必要性分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進(jìn)步依托于設(shè)備

31、提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達(dá)到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價(jià)格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設(shè)計(jì)，到最終的下線檢測，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個(gè)制造過程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯(cuò)誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對(duì)設(shè)備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價(jià)，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來看，半導(dǎo)體制造過程可以分為IC設(shè)計(jì)（電路與邏輯設(shè)計(jì)）、制造（前道工序

32、）和封裝與測試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對(duì)制造及測封環(huán)節(jié)，設(shè)計(jì)部分的占比較少。IC設(shè)計(jì)：是一個(gè)將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計(jì)要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)和圖形設(shè)計(jì)等。將最終設(shè)計(jì)出的電路圖制作成光罩，進(jìn)入下一個(gè)制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)主要通過計(jì)算機(jī)完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運(yùn)用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對(duì)應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構(gòu)建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大

33、工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會(huì)隨著制程工藝的升級(jí)而不斷加強(qiáng)；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機(jī)或擴(kuò)散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中的最后一個(gè)環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測試等過程，分別對(duì)應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機(jī)、鍵

34、合機(jī)、分選測試機(jī)等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個(gè)保護(hù)殼內(nèi)，防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，最后通過測試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時(shí)期硅晶片附加值增長最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到冶金級(jí)硅，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其

35、純度高達(dá)99.9999999%（7個(gè)9以上），成為電子級(jí)硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。五、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)

36、備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，原材料包括機(jī)械零件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計(jì)算機(jī)和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝升級(jí)依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設(shè)備無法運(yùn)用于

37、其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入12英寸時(shí)代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進(jìn)了其持續(xù)發(fā)展?？傮w設(shè)備市場恢復(fù)性增長，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣程度密切相關(guān)，且波動(dòng)較大。2008、2009年受到金融危機(jī)的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強(qiáng)勢(shì)回升，并于次年達(dá)到歷史最高點(diǎn)435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場規(guī)模為412億美元，同比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動(dòng)上游設(shè)備銷售，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將達(dá)494億美元，同比增長19.8%，突破歷史

38、最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預(yù)計(jì)2017年晶圓加工設(shè)備達(dá)到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計(jì)約73億美元。下游企業(yè)競爭日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)期持續(xù)向好。中國設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域?yàn)橹袊?、日本、韓國、北美和臺(tái)灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機(jī)遇。2016年中國大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)。同時(shí)，SEMI

39、預(yù)計(jì)韓國設(shè)備銷售將在2017年達(dá)到129.7億美元，超過臺(tái)灣成為全球第一大市場。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實(shí)現(xiàn)了快速增長，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來了強(qiáng)大的計(jì)算能力。為了保持成本，既有通過技術(shù)進(jìn)步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級(jí)fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時(shí)技術(shù)進(jìn)步則是每兩年一個(gè)節(jié)點(diǎn)。隨著納米尺度逼近物理極限，技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產(chǎn)能約為每月11.5百萬片，占總體產(chǎn)能的65%左右，未來12英寸產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)張。但是，更大晶圓尺寸的資本投入也會(huì)大幅增長，這為更弱小的玩家設(shè)置了

40、進(jìn)入壁壘。設(shè)備行業(yè)在12英寸平臺(tái)開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺(tái)的9倍。由于這樣的尺寸遷移會(huì)產(chǎn)生進(jìn)入壁壘，領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商的擴(kuò)張速度會(huì)遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)平均水平，促進(jìn)集中度的提升。行業(yè)前十企業(yè)的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力是技術(shù)進(jìn)步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應(yīng)用和成本降低，這給設(shè)備供應(yīng)商帶來了更大的增量空間。六、中高頻熔煉設(shè)備市場分析預(yù)測中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運(yùn)。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張

41、帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。

42、而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動(dòng)下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國大陸正在興建或宣布計(jì)劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無僅有的集建設(shè)時(shí)期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲(chǔ)器（Memory

43、）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達(dá)到14nm制程；同時(shí)還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm工藝，預(yù)計(jì)2018年正式投產(chǎn)。而作為臺(tái)灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺(tái)積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)建的進(jìn)程。其中包括SK海力士（無錫）進(jìn)行第5期擴(kuò)建工程，以及三星（西安）進(jìn)行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達(dá)到的

44、理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來中國12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴(kuò)建12英寸產(chǎn)線的同時(shí)，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴(kuò)建也隨勢(shì)展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)?，擴(kuò)建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國際（天津）Fab7?？傮w來說，國內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計(jì)21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴(kuò)建5條，共計(jì)產(chǎn)能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計(jì)了國內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來的投資軌跡來看，2017-2

45、020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團(tuán)兩條、中芯國際四條、長江存儲(chǔ)三條，臺(tái)積電、三星、美國AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計(jì)投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國際寧波產(chǎn)線，因?yàn)槠渲慌c政府簽訂合作意向，項(xiàng)目并未實(shí)際動(dòng)工）。全部投產(chǎn)后，中國的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺(tái)灣與韓國。同時(shí)，未來國內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的量產(chǎn)規(guī)模增長65%，新增投資247億元。來國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場空間測算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計(jì)的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進(jìn)行4年的平滑，

46、可以計(jì)算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開支、設(shè)計(jì)、材料等費(fèi)用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機(jī)：最高端的ASML光刻機(jī)售價(jià)高達(dá)1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺(tái)光刻機(jī)即可；ii.等離子刻蝕機(jī)：一條產(chǎn)線需要30-50臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格在200-250萬美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個(gè)晶圓廠至少需要30臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格200-300萬美元。iv.檢測設(shè)備：最貴的美國檢測機(jī)單價(jià)約為

47、100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺(tái)，而后道工序則需要上百臺(tái)。約70%的市場為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復(fù)，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價(jià)值體量也最高，其中最核心裝備光刻機(jī)、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國晶圓廠設(shè)備未來幾年的投資額將達(dá)到千億級(jí)別，對(duì)應(yīng)的設(shè)備投資額也為585億-1210億元不等，我們預(yù)計(jì)2019年設(shè)備投資額將達(dá)到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達(dá)到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)難度極高，同時(shí)國外實(shí)施技術(shù)封鎖，國產(chǎn)

48、企業(yè)無法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)域。后道的封裝測試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對(duì)較低，尤其是測試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進(jìn)和較低的勞動(dòng)力成本優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹，2017年測試設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動(dòng)了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場空間。第四章 項(xiàng)目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項(xiàng)目總征地面積42934.79平方米（折合約64.37畝），其中：凈用地面積42934.79平方米（紅線范圍折合約64.37畝）。項(xiàng)目規(guī)劃總建筑面積64402.18平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程49920.36平方米，計(jì)容建筑面積64402.18平方米；預(yù)

49、計(jì)建筑工程投資5708.51萬元。（二）設(shè)備購置項(xiàng)目計(jì)劃購置設(shè)備共計(jì)154臺(tái)（套），設(shè)備購置費(fèi)4745.03萬元。二、產(chǎn)值規(guī)模項(xiàng)目計(jì)劃總投資16706.73萬元；預(yù)計(jì)年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入28331.00萬元。第五章 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)一、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟(jì)效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目選址的一般原則和中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地的實(shí)際情況，“中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目”選址應(yīng)遵循以下原則：1、布局相對(duì)獨(dú)立，便于集中開展科研、生產(chǎn)經(jīng)營和管理活動(dòng)。2、與中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理?xiàng)l件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為

50、完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關(guān)系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目選址方案及土地權(quán)屬（一）中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目選址方案1、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)單位通過對(duì)中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目擬建場地縝密調(diào)研，充分考慮了中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動(dòng)力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件及土地成本等。2、通過對(duì)可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行比選，綜合考慮后選定的中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目最佳建設(shè)地點(diǎn)中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。（二）工

51、程地質(zhì)條件1、根據(jù)建筑抗震設(shè)計(jì)規(guī)范（GB50011）標(biāo)準(zhǔn)要求，中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地?zé)o活動(dòng)斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實(shí)較好，因此，本期工程中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)區(qū)處于地質(zhì)構(gòu)造運(yùn)動(dòng)相對(duì)良好的地帶，地下水為上層滯水，對(duì)混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進(jìn)行地質(zhì)勘探，參考臨近建筑物的地質(zhì)資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質(zhì)粘土、淤泥質(zhì)粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設(shè)區(qū)域地質(zhì)抗風(fēng)化能力較強(qiáng)，地層承載力高，工程地質(zhì)條件較好，不會(huì)受到滑坡及泥石流等次生災(zāi)害的影響，無不良地質(zhì)現(xiàn)象，地

52、殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應(yīng)本期工程中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)。三、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目用地總體要求（一）中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目用地控制指標(biāo)分析1、“中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目”均按照項(xiàng)目建設(shè)地建設(shè)用地規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計(jì)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)，嚴(yán)格按照建設(shè)規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點(diǎn)坐標(biāo)及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設(shè)中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點(diǎn)產(chǎn)品的廠房建設(shè)和單位面積產(chǎn)能設(shè)計(jì)規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到工業(yè)中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號(hào)）文件規(guī)定的具體要求。（二）中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)條件比選方案1、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)單位通過對(duì)可供選擇的

53、建設(shè)地區(qū)進(jìn)行縝密比選后，充分考慮了中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目經(jīng)營期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動(dòng)力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件等，通過建設(shè)條件比選最終選定的中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目最佳建設(shè)地點(diǎn)中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地，本期工程中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡(luò)、施工環(huán)境等條件均較好，可保證中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目的建設(shè)和正常經(jīng)營，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。2、由中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)單位承辦的“中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目”

54、，擬選址在中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運(yùn)輸條件便利、配套設(shè)施齊全，符合中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目選址要求。（三）中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目用地總體規(guī)劃方案本期工程項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)60.49%，建筑容積率1.50，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率6.92%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度195.72萬元/畝。（四）中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是社會(huì)經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)單位在利用土地資源時(shí)，嚴(yán)格執(zhí)行國家有關(guān)行業(yè)規(guī)定的用地指標(biāo)，根據(jù)建設(shè)內(nèi)容、規(guī)模和建設(shè)方案，按照國家有關(guān)節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。

55、2、在中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)過程中，中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項(xiàng)目建設(shè)地期對(duì)本期工程中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目地塊的控制性指標(biāo)，本著“經(jīng)濟(jì)適宜、綜合利用”的原則進(jìn)行科學(xué)規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設(shè)計(jì)條件中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)地屬于建設(shè)用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質(zhì)條件優(yōu)良，水文地質(zhì)條件良好，適宜本期工程中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)。二、建筑設(shè)計(jì)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)1、砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標(biāo)準(zhǔn)要求（一）混凝土

56、要求根據(jù)混凝土結(jié)構(gòu)耐久性設(shè)計(jì)規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構(gòu)筑物結(jié)構(gòu)構(gòu)件最低混凝土強(qiáng)度等級(jí)，基礎(chǔ)混凝土結(jié)構(gòu)的環(huán)境類別為一類，本工程上部主體結(jié)構(gòu)采用C30混凝土，上部結(jié)構(gòu)構(gòu)造柱、圈梁、過梁、基礎(chǔ)采用C25混凝土，設(shè)備基礎(chǔ)混凝土強(qiáng)度等級(jí)采用C30級(jí)，基礎(chǔ)混凝土墊層為C15級(jí)，基礎(chǔ)墊層混凝土為C15級(jí)。（二）鋼筋及建筑構(gòu)件選用標(biāo)準(zhǔn)要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標(biāo)準(zhǔn)熱軋鋼筋：基礎(chǔ)受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構(gòu)件為HPB300。2、HPB300級(jí)鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級(jí)鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設(shè)指標(biāo)本期工程項(xiàng)目預(yù)計(jì)總建筑面積64402.18平方米，其中

57、：計(jì)容建筑面積64402.18平方米，計(jì)劃建筑工程投資5708.51萬元，占項(xiàng)目總投資的34.17%。第七章 設(shè)備選型分析一、設(shè)備選型（一）設(shè)備選型的原則1、選用的設(shè)備必須有較高的生產(chǎn)效率，能降低勞動(dòng)強(qiáng)度，滿足生產(chǎn)規(guī)模的要求，2、為滿足產(chǎn)品生產(chǎn)的質(zhì)量要求，關(guān)鍵設(shè)備為知名廠家生產(chǎn)的品牌產(chǎn)品，3、按經(jīng)濟(jì)規(guī)律辦事，講求投資經(jīng)濟(jì)效益，在充分考慮設(shè)備的先進(jìn)性和適用性的同時(shí)，綜合考慮各設(shè)備的性價(jià)比和壽命年限。（二）設(shè)備選型方向1、以“比質(zhì)、比價(jià)、比先進(jìn)”為原則。選擇設(shè)備時(shí)，要著眼高起點(diǎn)、高水平、高質(zhì)量，最大限度地保證產(chǎn)品質(zhì)量的需要，不斷提高產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的自動(dòng)化程度，降低勞動(dòng)強(qiáng)度提高勞動(dòng)生產(chǎn)率，節(jié)約能源降低生產(chǎn)成本和檢測成本。2、主要設(shè)備的配置應(yīng)與產(chǎn)品的生產(chǎn)技術(shù)工藝及生產(chǎn)規(guī)模相適應(yīng)，同時(shí)應(yīng)具備“先進(jìn)、適用、經(jīng)濟(jì)、配套、平衡”的特性，能夠達(dá)到節(jié)能和清潔生產(chǎn)的各項(xiàng)要求。該項(xiàng)目所選設(shè)備必須技術(shù)先進(jìn)、性能可靠，達(dá)到目前國內(nèi)外先進(jìn)水平，經(jīng)生產(chǎn)廠家使用證明運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)定可靠，能夠滿足生產(chǎn)高質(zhì)量