光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示器

1、光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 概 述 氣體放電的物理基礎(chǔ) 交流等離子體顯示板 彩色AC-PDP 彩色AC-PDP的制造材料和工藝 彩色AC-PDP制造技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r 彩色AC-PDP電路系統(tǒng) 顯示動態(tài)圖像時(shí)的干擾及解決措施 直流等離子體顯示板 PDP的應(yīng)用 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 指所有利用氣體放電而發(fā)光的平板顯示器件的總稱。 它屬于冷陰極放電管，利用加在陰極和陽極間一定的電 壓，使氣體產(chǎn)生輝光放電。 一、PDP的定義與分類 按工作方式的不同主要分為直流型(DC-PDP)和交流型 (AC-PDP)兩大類。AC-PDP根據(jù)電極結(jié)構(gòu)的不同，分為對 向放電型和表面放電型兩種。 光電

2、顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 二、PDP的發(fā)展史 1、DCPDP的發(fā)展史 20世紀(jì)50年代初，Burroughs公司開發(fā)出一種用于數(shù)碼 顯示的直流氣體放電管； 1954年， Burroughs公司研制出直流矩陣結(jié)構(gòu)PDP顯 示板； 1972年， Burroughs研制出具有自掃描功能的DC PDP板； 1978年，G.E.Holz提出脈沖存儲技術(shù)，使得DC PDP可工作于存儲模式。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 2、ACPDP的發(fā)展史 1964年，美國Illinois大學(xué)的Bitzer和Slottow發(fā)明了單 色AC- PDP； 1967 年，Illinois大學(xué)開發(fā)出對向放電型AC-

3、PDP； 1976，G.W.Dick和M.R.Biazzo提出單一基板面放電結(jié)構(gòu)； 1990年，富士通提出尋址與顯示分離ADS驅(qū)動方法； 1984年，G.W.Dick、內(nèi)池等提出了三電極表面放電反射 型AC-PDP； 90年代后期，日本提出了邊尋址邊顯示AWD驅(qū)動方 法，富士通公司提出表面交替發(fā)光ALIS驅(qū)動方法，新 的驅(qū)動方法層出不窮。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 三、PDP的特點(diǎn) 易于實(shí)現(xiàn)薄型大屏幕顯示； 具有高速響應(yīng)特性； 可實(shí)現(xiàn)全彩色顯示； 視角寬，可達(dá)1600； 伏安特性非線性強(qiáng)，具有很陡的閾值特性； 具有存儲功能； 長壽命。 無圖像畸變，不受磁場干擾； 應(yīng)用的環(huán)境范圍寬；

4、工作于全數(shù)字化模式； 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 一、氣體放電的伏安特性 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 由于弧光放電產(chǎn)生的大電流容易燒毀顯示器，而且 在其輻射光譜中，常含有陰極材料蒸氣的光譜，因而 PDP總是選擇工作在正常輝光和反常輝光放電區(qū)。為此， 必須在PDP放電回路中串聯(lián)電阻、電感、電容來確定放 電工作點(diǎn)。 DC-PDP通常串聯(lián)薄膜電阻來限制電流，而AC PDP放電單元電極上涂覆的介質(zhì)層也起到了限制電流 的阻抗作用。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 二、氣體的擊穿和巴邢定律 1、氣體的擊穿（由非自持放電轉(zhuǎn)變?yōu)樽猿址烹姷倪^程） 陰極表面發(fā)射的電子在電場作用下運(yùn)動，與氣體原

5、 子發(fā)生碰撞電離，電子在空間雪崩。湯生第一電離系數(shù) 系數(shù)。 新產(chǎn)生的離子打上陰極又引起新的二次電子發(fā)射， 從而使陰極發(fā)射增強(qiáng)，使氣體導(dǎo)電率不斷增加。湯生第 三電離系數(shù)系數(shù)。 自持放電的條件： 0 1(1) d a d n e n e 放電穩(wěn)定后到達(dá)陽極的電子數(shù)為： 1(1)0 d e 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 2、巴邢定律 min 1 2.72ln(1) f B V A min 11 ()2.72ln(1)pd A 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 三、影響氣體放電著火電壓的因素 1、pd值的影響； PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙決定著火電壓。 2、氣體種類和成份的影響； 當(dāng)原子

6、的電離能較低時(shí)，其著火電壓低。 在基本氣體中混入微量雜質(zhì)氣體時(shí)，若兩種氣體間 滿足潘寧電離條件，著火電壓下降。如在Ne氣中混入 Ar氣或Xe氣，可使著火電壓下降。 3、陰極材料和表面狀況的影響； 4、電場分布的影響； 5、輔助電離源的影響。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 四、輝光放電的發(fā)光 陰極暗區(qū)，產(chǎn)生大量的碰撞電離，雪崩放電集中在 這個(gè)區(qū)域發(fā)生。 負(fù)輝區(qū)，在陰極暗 區(qū)電離產(chǎn)生的大量電子 進(jìn)入這一區(qū)域，電子能 量大于或接近激發(fā)能， 產(chǎn)生明亮的輝光。 正柱區(qū)，任何位置電 子密度和正離子密度相等， 表現(xiàn)為均勻的光柱或明暗 相間的層狀光柱。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 五、氣體放電延

7、遲 從在電極間加上一個(gè)大于著火電壓的瞬時(shí)到氣體擊穿 所需的時(shí)間稱為氣體放電延遲或擊穿時(shí)滯。 總的氣體放電延遲由兩部分組成： 統(tǒng)計(jì)性時(shí)間延遲ts 形成性時(shí)間延遲tf 氣體放電延遲是關(guān)系到PDP單元放電穩(wěn)定性的因素之 一，是進(jìn)行PDP單元結(jié)構(gòu)和驅(qū)動波形設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮的 一個(gè)問題。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 一、基本結(jié)構(gòu) 顯示電極（包括透明電極和匯流電極）制作在前基板 上，尋址電極制作在后基板上并與顯示電極正交， 一對顯示電極與 一條尋址電極的 交叉區(qū)域就是一 個(gè)放電單元，維 持放電在兩組顯 示電極間進(jìn)行。 匯流電極 三電極表面放電型ACPDP 壁障(隔斷) 熒光粉 選址電極 后玻璃基板

8、紫外線 介質(zhì)層 透明電極 放電區(qū) 前玻璃基板 透明介電質(zhì)層 保護(hù)層 發(fā)光區(qū) 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 行電 極 列電極 放 電 胞 電壓 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 無論是哪種結(jié)構(gòu)的AC-PDP，在電極上均有一介質(zhì)層， 該介質(zhì)層使氣體放電產(chǎn)生的空間電荷存儲在介質(zhì)壁上， 這些電荷稱為壁電荷，壁電荷的建立可使AC-PDP工作 在存儲模式，并有利于降低放電的維持電壓。 由于介質(zhì)層材料的抗離子濺射性能較差，因此為延 長顯示器的壽命，增加工作電壓的穩(wěn)定性，降低器件 的著火電壓，在介質(zhì)層上再覆蓋一層抗濺射和二次電 子發(fā)射系數(shù)高的薄膜作為保護(hù)膜，通常為MgO膜。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體

9、顯示 器 二、工作原理 以對向放電型為例，AC-PDP的驅(qū)動脈沖由維持脈沖 Vs、書寫脈沖Vw和擦除脈沖Ve組成。AC-PDP在維持脈 沖的每個(gè)周期內(nèi)產(chǎn)生兩次放電發(fā)光。 維持電壓脈沖寬度通常5s 10s，幅度90V100V， 主要工作頻率范圍30KHz50KHz，因此光脈沖重復(fù)頻 率在數(shù)萬次以上，人眼不會感到閃爍。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 一、實(shí)施途徑 彩色AC-PDP通常利用稀有混合氣體放電產(chǎn)生的VUV 來激發(fā)三基色光致熒光粉發(fā)光。 1、放電氣體 要求： 著火電壓低； 輻射的真空紫外光譜與熒光粉的激勵(lì)光譜相匹配； 放電本身發(fā)出的可見光對熒光粉發(fā)光色純影響??； 放電產(chǎn)生的離子對介質(zhì)

10、保護(hù)膜材料濺射??； 化學(xué)性能穩(wěn)定。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 彩色AC-PDP 必須合理選擇氣體配比。目前，在量產(chǎn) 的彩色AC-PDP中，通常充入的放電氣體有Ne-Xe(4 6)、He-Ne(2030)-Xe(4)。 2、三基色熒光粉 要求： 在真空紫外線的激發(fā)下，發(fā)光效率高； 色彩飽和度高，色彩再現(xiàn)區(qū)域大； 余輝適宜； 熱穩(wěn)定性和輻照穩(wěn)定性好； 有良好的真空性能； 涂覆性能良好： 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 彩色AC-PDP通常選用的熒光粉有： 紅粉：(Y，Gd)BO3:Eu3+； 綠粉：BaAl12O19:Mn2+，Zn2SiO4:Mn2+； 藍(lán)粉：BaMgAl10O17

11、:Eu2+，BaMgAl14O23:Eu2+。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 二、發(fā)光機(jī)理 彩色AC-PDP的發(fā)光由兩個(gè)基本過程組成： 氣體放電過程，即利用稀有混合氣體在外加電壓的 作用發(fā)射出真空紫外線(VUV)的過程； *1 4 ()(147)XeSXehnm m NeXeNeXee * eXeXeh 混合氣體放電過程： 潘寧電離 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 熒光粉發(fā)光過程，即利用氣體放電產(chǎn)生的紫外線， 激發(fā)光致熒光粉發(fā)射出可見光的過程。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 三、結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 彩色AC-PDP有對向放電型和表面放電型兩種。對向 放電型的三個(gè)放電單元R、G、B成三角形

12、分布，表面放 電型的放電單元為直條溝狀。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 彩色AC-PDP按熒光粉的涂敷方式分為透射式和反射 式。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 四、多灰度級顯示的實(shí)現(xiàn)方法 彩色AC-PDP利用調(diào)節(jié)維持脈沖個(gè)數(shù)的方法來實(shí)現(xiàn)多 灰度級顯示。 以尋址與顯示分離的子場驅(qū)動方法（ADS）為例： 將某一種顏色的電平信號量化為n位數(shù)據(jù)，對顯示數(shù) 據(jù)按位進(jìn)行顯示。發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)和該位的權(quán)重相關(guān)聯(lián)， 權(quán)重越大，該顯示期的發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)越多，反之，則發(fā) 光脈沖個(gè)數(shù)越少。各位顯示的亮度也就不同，一位的顯 示時(shí)間稱為一個(gè)子場。每個(gè)子場包括準(zhǔn)備期、尋址期和 維持顯示期。 光電顯示技術(shù)第4章等離子

13、體顯示 器 以顯示數(shù)據(jù)量化為8位為例，將一場時(shí)間分為8個(gè)子 場，其維持期的時(shí)間(即維持脈沖個(gè)數(shù))不同，例如18 子場分別對應(yīng)顯示從圖像數(shù)據(jù)的最低位至最高位，則8 個(gè)子場的維持期的時(shí)間成1:2:4:8:16:32:64:128的關(guān)系。 每種顏色可顯示28級灰度，三基色可顯示224種顏色。 若一個(gè)數(shù)據(jù)為0000，0000，則所有子場都不點(diǎn)亮， 顯示為最暗的0級灰度；當(dāng)數(shù)據(jù)為0000，1001時(shí)，只有 第一和第四子場點(diǎn)亮，對應(yīng)灰度級為9的亮度。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 例：若彩色AC-PDP采用分子場顯示來實(shí)現(xiàn)128級灰度， 顯示數(shù)據(jù)如何量化？ 若采用

14、ADS驅(qū)動法，則各子場的維持顯示時(shí)間比 是多少？ 該彩色AC-PDP可以實(shí)現(xiàn)多少種顏色的彩色顯示？ 若某一像素要實(shí)現(xiàn)85級灰度顯示，各子場顯示情 況如何？ 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 以富士通公司開發(fā)的三電極結(jié)構(gòu)表面放電型AC-PDP 為例，制造過程總體上可分為3部分：前基板制造工序、 后基板制造工序和總裝工序。 一、彩色AC-PDP的主要部件及其制作材科 1、前后基板 普遍使用的玻璃基 板為采用浮法工藝制 作的平板鈉鈣玻璃。 障壁 (隔斷) 透明介電質(zhì)層 保護(hù)層 透明電極 放電氣體 前玻璃基板 熒光粉 選址電極 后玻璃基板 匯流電極 介質(zhì)層 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 采用復(fù)

15、合式電極結(jié)構(gòu)，即顯示電極用較寬的透明電極 和較細(xì)的金屬電極構(gòu)成。透明電極仍用ITO薄膜。 2、透明電極 常用的匯流電極的材料有薄膜Cr-Cu-Cr電極、厚膜Ag 電極。常用的尋址電極材料為厚膜Ag電極。 3、匯流電極和尋址電極 匯流電極用來增加電極的導(dǎo)電性，要求寬度在100m 以下。 4、介質(zhì)層 用來保護(hù)電極，為低熔點(diǎn)玻璃。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 為低熔點(diǎn)破璃，作用： 保證兩基板間的放電間隙，確保一定的放電空間； 防止相鄰單元間的放電干擾。 5、介質(zhì)保護(hù)膜MgO 6、障壁 另外還有熒光粉層和放電氣體。 要求二次電子發(fā)射系數(shù)高，電阻率高，耐濺射。 作用是延長顯示器的壽命，增加工作電

16、壓的穩(wěn)定性， 并且能夠降低器件的著火電壓，減小放電的時(shí)間延遲。 要求：高度一致(偏差在5m），寬度窄，熱膨脹 系數(shù)應(yīng)與基板玻璃相匹配。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 二、前基板的關(guān)鍵制造工藝 1、透明電極的制作 方法同液晶顯示屏的ITO膜制作，先在基板上濺射一 層SiO2，然后濺射一層ITO膜，再光刻出電極。 2、匯流電極的制作 可采用薄膜光刻技術(shù)（Cr-Cu-Cr）和厚膜技術(shù)（Ag漿 料）。厚膜技術(shù)有兩種方法： 用厚膜光刻技術(shù)制作，使用的材料是光敏Ag漿料。 用絲網(wǎng)印刷法直接制作出電極，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。 最常用的材料是Ag漿料。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 3、介質(zhì)層的制作，

17、采用絲網(wǎng)印刷法。 要求四條邊的厚度和寬度均勻一致，以保證密封質(zhì)量。 采用絲網(wǎng)印刷法或噴涂法制作。 4、封接層的制作 5、MgO介質(zhì)保護(hù)膜的制作 利用電子束蒸發(fā)的方法制備。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 三、后基板的關(guān)鍵制造工藝 采用絲網(wǎng)印刷法或厚膜光 刻技術(shù)制作。 1、尋址電極的制作 2、介質(zhì)層的制作 高度一般在l00200m 的范圍，制作技術(shù)有絲網(wǎng) 印刷法和噴砂法。 3、障壁的制作 采用絲網(wǎng)印刷法或厚膜光刻 法制作。 4、熒光粉層的制作 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 四、總裝工藝 在前、后基板都制作好后，進(jìn)入總裝工序，該工序包 括前后基板封接，屏的排氣、充氣，AC-PDP的老練和

18、 電極引出。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 五、彩色AC-PDP制造技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r 1、PDP結(jié)構(gòu)的發(fā)展 （1）waffle障壁和T型電極結(jié)構(gòu)（日本先鋒公司） 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 （2）柵欄型Cr-Cu-Cr電極結(jié)構(gòu)（美國Plasmaco公司） （3）彎曲障壁結(jié)構(gòu) （日本富士通） 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 （4）非對稱單元結(jié)構(gòu)和彩色濾光膜（松下和NEC） 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 一、三電極表面放電型彩色AC-PDP的工作原理 彩色AC-PDP要實(shí)現(xiàn)圖像的顯示，首先根據(jù)顯示數(shù)據(jù) 選擇在要點(diǎn)亮的單元中形成或保留壁電荷到維持期，使 維持放電得以進(jìn)行，積累了

19、壁電荷的單元就會發(fā)生維持 放電，實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。稱一個(gè)有壁電荷(壁電壓與維 持電壓的絕對值之和大于著火電壓)的顯示單元處于點(diǎn) 亮狀態(tài)，否則稱該單元處于熄滅狀態(tài)。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 三電極表面放電型彩色AC-PDP的三個(gè)電極分別為： 維持電極（X電極）、掃描電極（Y電極）、尋址電極 （A電極）。維持顯示放電發(fā)生在X電極和 Y電極之間， 尋址放電發(fā)生在A電極和Y電極之間。 使單元點(diǎn)亮可使尋址電極和掃描電極間發(fā)生放電，積 累維持放電所需的壁電荷。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 使一個(gè)單元由點(diǎn)亮到熄滅，即擦除單元中的壁電荷， 有如下方式： 加一個(gè)遠(yuǎn)大于著火電壓Vf的電壓脈沖，使

20、放電結(jié)束 后單元內(nèi)的壁電壓還大于著火電壓，壁電荷本身形成的 壁電壓使單元內(nèi)發(fā)生放電，在脈沖下降后，使單元中各 電極的外加電壓相同，由于此時(shí)外電路并不提供電流， 放電使壁電荷基本中和，單元回到熄滅狀態(tài)； 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 是利用A電極和Y電極放電，在單元內(nèi)積累額外的 壁電荷，使壁電荷的電壓超過著火電壓，引起單元內(nèi)放 電，后面的放電進(jìn)行時(shí)外電路不提供電流，則壁電荷因 該放電而被中和。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 利用窄脈沖(脈沖寬度約1s左右)的擦除作用，窄 脈沖引起放電，而且要在放電未結(jié)束時(shí)使脈沖結(jié)束， 放電造成壁電荷中和。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 加上合適

21、的電壓脈沖序列，可以實(shí)現(xiàn)顯示單元中壁 電荷的建立、擦除以及維持顯示等操作。采用不同時(shí) 序的電壓脈沖序列就構(gòu)成了不同的驅(qū)動方法。 （4）用緩慢上升的脈沖，使單元?jiǎng)傔_(dá)到著火電壓時(shí)， 就進(jìn)行一次放電，壁電荷被中和掉一部分，電壓再上 升，重復(fù)以上過程，最終接除掉大多數(shù)壁電荷。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 維持期 二、驅(qū)動方法 1、尋址與顯示分離的子場驅(qū)動方法（ADS） 準(zhǔn)備期尋址期 minminsxyfxy VVVV maxayfay VVV 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 缺點(diǎn)：顯示亮度低。 以VGA顯示為例，工作于場頻60Hz，則場周期為 16.7ms。 假設(shè)掃描一行的時(shí)間為3s，掃描

22、480行所需的時(shí)間 為1.44ms，則在一場時(shí)間16.7ms內(nèi)，8個(gè)子場掃描尋址 所用的時(shí)間為11.52ms，留給維持放電顯示的時(shí)間只有 5.15ms，維持顯示時(shí)間占一場總時(shí)間的31。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 2、尋址并顯示的驅(qū)動方法（AWD） 尋址電極分為上、下兩 部分，兩部分同時(shí)掃描尋 址。將一個(gè)行周期H分成 8個(gè)長度為 ( 3.7s) 的時(shí)間段，作為每一子場 的尋址期。 占空比： 50048 93.4% 500 HHH H 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 3、表面交替發(fā)光(ALIS)驅(qū)動法 普通驅(qū)動方法驅(qū)動的PDP應(yīng)用于HDTV時(shí)亮度下降 的原因： HDTV顯示像素多，放

23、電空間減小； 發(fā)光面積與像素面積之比下降，開口率下降； 像素尺寸減小，放電產(chǎn)生的電荷向障壁擴(kuò)散，造成 相當(dāng)程度的能量損失； 顯示時(shí)間縮短。 彩色AC-PDP一般使用條狀障壁結(jié)構(gòu)，相鄰顯示行之 間設(shè)置了非發(fā)光區(qū)域。大量電極的存在，非發(fā)光區(qū)不 能設(shè)計(jì)太寬，相鄰像素間會產(chǎn)生放電的相互干擾。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 基本思路：充分利用兩行之間的非發(fā)光區(qū)域。 所有的維持電極和掃描電極等間距排列，相鄰兩個(gè) 維持電極和掃描電極之間的間距作為一個(gè)顯示行，掃 描電極分成奇數(shù)行和偶數(shù)行分別在兩場顯示，奇數(shù)場 和偶數(shù)場交替顯示，構(gòu)成一幀圖像。 表面交替發(fā)光(ALIS)驅(qū)動法 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯

24、示 器 顯示奇數(shù)行時(shí)，在電極X1和Y1之間，X2和Y2之間施 加維持電壓Vs，使其發(fā)生維持放電，同時(shí)由于Y1和X2電 極電位相等，使偶數(shù)行沒有維持放電發(fā)生而不顯示。顯 示偶數(shù)行的操作與奇數(shù)行相似，只在Yl和X2電極之間存 在維持電壓，進(jìn)行維持放電。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 以奇數(shù)場顯示為例分析其工作原理： 從準(zhǔn)備期開始，通過在X電極施加全屏寫脈沖使顯示 屏上的所有單元的壁電荷得到擦除，處于一致狀態(tài)。 在尋址期，將尋址期分為前后兩部分，在奇場的前半 部分尋址期，尋址顯示1、5、9等行，在其后半部分尋 址期，尋址顯示3、7、11等行； 在維持放電期，只在構(gòu)成奇數(shù)顯示行的電極之間施加 維

25、持電壓脈沖，使之發(fā)生維持放電；偶數(shù)顯示行上電極 之間電壓為0V，不發(fā)生放電。 1 2 3 4 5 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 ALIS驅(qū)動方法的優(yōu)點(diǎn)： 可實(shí)現(xiàn)高清晰度和高亮度的顯示； 經(jīng)濟(jì)性好； 壽命長； 一根掃描電極就可驅(qū)動兩個(gè)顯示行，顯示電極中掃 描驅(qū)動集成電路個(gè)數(shù)和以前的相比數(shù)量減半。 一個(gè)像素的發(fā)光時(shí)間只有以前的1/2，因此發(fā)光時(shí)間 短，壽命延長。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 4、CLEAR驅(qū)動法 屬于擦除尋址的驅(qū)動方法：先點(diǎn)亮所有顯示單元，在 尋址期根據(jù)顯示數(shù)據(jù)擦除非點(diǎn)亮單元中的壁電荷，使其 熄滅，在維持期，那些點(diǎn)亮的單元會維持發(fā)光。 CLEAR驅(qū)動用各個(gè)子場的維持發(fā)

26、光的單純累積來顯示 灰度。在一場中，只有在第一子場的開頭有一個(gè)準(zhǔn)備期 的發(fā)光，使全屏所有顯示單元處于點(diǎn)亮狀態(tài)。對于一個(gè) 顯示單元，一場中只有一次尋址放電。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 若單純使用CLEAR驅(qū)動方法，可顯示的灰度數(shù)為 “子場數(shù)1”，但灰度級不夠?？墒姑繄鲋械母鱾€(gè)子場 的維持脈沖數(shù)發(fā)生變化顯示更多的灰度級，例如1場由 m個(gè)子場構(gòu)成，使n場中的維持脈沖數(shù)發(fā)生變化時(shí)，得 到的灰度數(shù)為mn+1。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 三、驅(qū)動電路 場同步 行同步 數(shù)據(jù) 時(shí)鐘 數(shù)據(jù)存儲 與 控制電路 顯示數(shù)據(jù) 掃描時(shí)序 控制信號 驅(qū)動時(shí)序 控制信號 顯示數(shù) 據(jù)緩沖 尋址電極驅(qū)動器 維

27、持脈沖產(chǎn)生電路 掃描脈沖產(chǎn)生電路 掃描 電極 驅(qū)動 器 開關(guān) 電源 DC/DC 轉(zhuǎn)換電路 ACPDP 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 1、數(shù)據(jù)存儲與控制電路 是彩色AC-PDP電路中對圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)字處理，實(shí) 現(xiàn)分子場顯示的主要控制部分。 其主要功能是將圖像數(shù)據(jù)按照顯示屏的結(jié)構(gòu)和ADS分 子場驅(qū)動技術(shù)的要求進(jìn)行轉(zhuǎn)換、存儲和處理（按位進(jìn)行 分離、分塊存儲），向驅(qū)動電路傳送顯示數(shù)據(jù)，并提供 顯示所需的一些驅(qū)動集成電路的控制信號（掃描時(shí)序信 號和驅(qū)動時(shí)序信號等 ）。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 2、高壓驅(qū)動電路 主要功能是按一定的邏輯控制時(shí)序，產(chǎn)生驅(qū)動顯示 屏的高壓驅(qū)動波形。包括掃描電極

28、驅(qū)動脈沖產(chǎn)生電路， 維持電極驅(qū)動脈沖電路，尋址電極和掃描電極驅(qū)動器 等。 3、高壓集成塊 邏輯電路，負(fù)責(zé)控制顯示屏信號和顯示數(shù)據(jù)； 高壓驅(qū)動電路，負(fù)責(zé)將信號電平移位和對顯示屏施加 發(fā)光所需的高壓脈沖。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 4、能量恢復(fù)電路 彩色AC-PDP顯示屏可看作是一個(gè)容性負(fù)載。 在對電容的充放電過程中電容本身并不消耗能量， 但對其進(jìn)行充放電引起的電流將導(dǎo)致在回路電阻上消 耗能量。電容的一個(gè)充放電過程中，電路損耗的總能 量為CV2。 當(dāng)屏的總電容為C1F，用幅值為100V，頻率f為 100kz的脈沖驅(qū)動時(shí)，回路中電阻消耗的功率： 2 1 WWfCVk 應(yīng)用能量恢復(fù)電路以減小對屏電容的充放電過程 中在回路電阻中能量的消耗。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 儲能電容Cs經(jīng)S1、D1、L對屏電容Cp充電； 電源V給屏電容Cp充電并使之維持在電壓V； 屏電容Cp經(jīng)L、D2、S2對儲能電容Cs充電； 屏電容Cp對地放電。 Cs為儲能電容，Cp為屏電容。電路的工作過程包括： 使用能量恢復(fù)電路后的能量恢復(fù)率可達(dá)80%。 光電顯示技術(shù)第4章等離子體顯示 器 一、顯示動態(tài)圖像時(shí)的干擾及其形成機(jī)理 人們在觀看運(yùn)動的物體時(shí)，觀察者的視點(diǎn)會跟隨運(yùn)動 物體一起移動，由于人眼的視覺暫留