光刻膠生產項目建議書樣例模板

1、泓域咨詢/光刻膠生產項目建議書光刻膠生產項目建議書MACRO 泓域咨詢承諾書申請人鄭重承諾如下：“光刻膠生產項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關手續(xù)，報告內容及附件資料準確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔相關法律法規(guī)的處罰以及由此導致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx科技公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要光刻膠是電子領域微細圖形加工的關鍵性材料，在半導體、LCD、PCB等行業(yè)的生產中具有重要作用。光刻膠是利用光化學反應，經光刻工藝將所需要的微細圖形從掩膜板轉移到代加工基片上的圖形轉移介質，是光電信息產

2、業(yè)的微細圖形線路加工制作的關鍵性材料。目前，在顯示面板行業(yè)中，光刻膠主要應用于TFT-LCD陣列制造，濾光片制造和觸摸屏制造三個應用領域。其中，TFT-LCD陣列和濾光片都是LCD面板結構的組成部分，觸摸屏則是以觸摸控制為目的的功能單元。該光刻膠項目計劃總投資17125.75萬元，其中：固定資產投資14400.81萬元，占項目總投資的84.09%；流動資金2724.94萬元，占項目總投資的15.91%。達產年營業(yè)收入19389.00萬元，總成本費用15278.48萬元，稅金及附加263.73萬元，利潤總額4110.52萬元，利稅總額4941.22萬元，稅后凈利潤3082.89萬元，達產年納稅總

3、額1858.33萬元；達產年投資利潤率24.00%，投資利稅率28.85%，投資回報率18.00%，全部投資回收期7.06年，提供就業(yè)職位330個。依據國家產業(yè)發(fā)展政策、相關行業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃、地方經濟發(fā)展狀況和產業(yè)發(fā)展趨勢，同時，根據項目承辦單位已經具體的資源條件、建設條件并結合企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，闡述投資項目建設的背景及必要性。報告主要內容：項目承擔單位基本情況、項目技術工藝特點及優(yōu)勢、項目建設主要內容和規(guī)模、項目建設地點、工程方案、產品工藝路線與技術特點、設備選型、總平面布置與運輸、環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進度、項目投資與資金來源、財務評價等。第一章 項目承辦單位基本情

4、況一、公司概況公司堅持誠信為本、鑄就品牌，優(yōu)質服務、贏得市場的經營理念，秉承以人為本，賓客至上服務理念，將一整套針對用戶使用過程中完善的服務方案。公司研發(fā)試驗的核心技術團隊來自知名的外企，具有豐富的行業(yè)經驗，公司還聘用多名外籍專家長期擔任研發(fā)顧問。公司是強調項目開發(fā)、設計和經營服務的科技型企業(yè)，嚴格按照高新技術企業(yè)規(guī)范財務制度。截止2017年底，公司經濟狀況無不良資產發(fā)生，并嚴格控制企業(yè)高速發(fā)展帶來的高資產負債率。同時，為了創(chuàng)新需要及時的資金作保證，公司對研究開發(fā)經費的投入和使用制定了相應制度，每季度審核一次開發(fā)經費支出情況，適時平衡各開發(fā)項目經費使用，最大限度地保證開發(fā)項目的資金落實。為了確

5、保研發(fā)團隊的穩(wěn)定性，提升技術創(chuàng)新能力，公司在研發(fā)投入、技術人員激勵等方面實施了多項行之有效的措施。公司自成立以來，一直奉行“誠信創(chuàng)新、科學高效、持續(xù)改進、顧客滿意”的質量方針，將產品的質量控制貫穿研發(fā)、采購、生產、倉儲、銷售、服務等整個流程中。公司依靠先進的生產、檢測設備和品質管理系統，確保了品質的穩(wěn)定性，贏得了客戶的肯定。未來公司將加強人力資源建設，根據公司未來發(fā)展戰(zhàn)略和發(fā)展規(guī)模，建立合理的人力資源發(fā)展機制，制定人力資源總體發(fā)展規(guī)劃，優(yōu)化現有人力資源整體布局，明確人力資源引進、開發(fā)、使用、培養(yǎng)、考核、激勵等制度和流程，實現人力資源的合理配置，全面提升公司核心競爭力。鑒于未來三年公司業(yè)務規(guī)模將

6、會持續(xù)擴大，公司已制定了未來三年期的人才發(fā)展規(guī)劃，明確各崗位的職責權限和任職要求，并通過內部培養(yǎng)、外部招聘、競爭上崗的多種方式儲備了管理、生產、銷售等各種領域優(yōu)秀人才。同時，公司將不斷完善績效管理體系，設置科學的業(yè)績考核指標，對各級員工進行合理的考核與評價。 二、所屬行業(yè)基本情況光刻膠決定芯片的最小特征尺寸。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝，其中光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大?。ü獾母缮婧脱苌湫?。決定著芯片的最小特征尺寸，占芯片制造時間的40-50%，占制造成本的30%。比如一塊半導體芯片在制造過程中

7、需要進行10-50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。三、公司經濟效益分析上一年度，xxx（集團）有限公司實現營業(yè)收入15599.45萬元，同比增長25.02%（3122.

8、38萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務光刻膠生產及銷售收入為13111.70萬元，占營業(yè)總收入的84.05%。上年度主要經濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入3275.884367.854055.863899.8615599.452主營業(yè)務收入2753.463671.283409.043277.9313111.702.1光刻膠(A)908.641211.521124.981081.724326.862.2光刻膠(B)633.30844.39784.08753.923015.692.3光刻膠(C)468.09624.12579.54557.252228.992.4光刻膠(D)330

9、.41440.55409.09393.351573.402.5光刻膠(E)220.28293.70272.72262.231048.942.6光刻膠(F)137.67183.56170.45163.90655.592.7光刻膠(.)55.0773.4368.1865.56262.233其他業(yè)務收入522.43696.57646.82621.942487.75根據初步統計測算，公司實現利潤總額3329.61萬元，較去年同期相比增長440.84萬元，增長率15.26%；實現凈利潤2497.21萬元，較去年同期相比增長377.64萬元，增長率17.82%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬

10、元15599.45完成主營業(yè)務收入萬元13111.70主營業(yè)務收入占比84.05%營業(yè)收入增長率（同比）25.02%營業(yè)收入增長量（同比）萬元3122.38利潤總額萬元3329.61利潤總額增長率15.26%利潤總額增長量萬元440.84凈利潤萬元2497.21凈利潤增長率17.82%凈利潤增長量萬元377.64投資利潤率26.40%投資回報率19.80%財務內部收益率25.32%企業(yè)總資產萬元25754.29流動資產總額占比萬元29.01%流動資產總額萬元7472.34資產負債率43.12%第二章 項目技術工藝特點及優(yōu)勢一、技術方案（一）技術方案選用方向1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動

11、控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統，由計算機統一控制整個生產線的各項工藝參數，使產品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產品和良好的服務。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則。積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設備的配置上，依據節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設備，根據有利于環(huán)境保護的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護型設備，滿足項目所制訂的產品方案要求，優(yōu)

12、選具有國際先進水平的生產、試驗及配套等設備，充分顯現龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產和物流方式。4、生產工藝設計要滿足規(guī)?；a要求，注重生產工藝的總體設計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據該項目的產品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產品制造的要求，同時，加強員工技術培訓，嚴格質量管理，按照工藝流程技術要求進行操作，提高產品合格率，努力追求產品的“零缺陷”，以關鍵生產工序為質量控制點，確保該項目產品質量。6、在項目建設和實施過程中，認真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護和安全生產的“三同時”原則，注重環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措

13、施的貫徹落實。（三）工藝技術方案選用原則1、在基礎設施建設和工業(yè)生產過程中，應全面實施清潔生產，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產品和服務過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質量、專業(yè)化、經濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則，積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術方案要求1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統，控制

14、整個生產線的各項工藝參數，使產品質量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴格按照電氣機械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優(yōu)質的產品和良好的服務。2、建立完善柔性生產模式；本期工程項目產品具有客戶需求多樣化、產品個性差異化的特點，因此，產品規(guī)格品種多樣，單批生產數量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產效率、生產成本及交付周期；益而益（集團）有限公司將建設先進的柔性制造生產線，并將柔性制造技術廣泛應用到產品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產規(guī)模優(yōu)勢和質量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比，使產品性能和質量達到國內領先、國際先

15、進水平。二、項目工藝技術設計方案（一）技術來源及先進性說明項目技術來源為公司的自有技術，該技術達到國內先進水平。（二）項目技術優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內先進的技術，該技術具有資金占用少、生產效率高、資源消耗低、勞動強度小的特點，其技術特性屬于技術密集型，該技術具備以下優(yōu)勢：1、技術含量和自動化水平較高，處于國內先進水平，在產品質量水平上相對其他生產技術性能費用比優(yōu)越，結構合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術能夠保證產品質量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據初步測算，利用該技術生產產品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術使用的設備自動控

16、制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術與國內資源條件適應，具有良好的技術適應性；該技術工藝路線可以適應國內主要原材料特性，技術工藝路線簡潔，有利于流程控制和設備操作，工藝技術已經被國內生產實踐檢驗，證明技術成熟，技術支援條件良好，具有較強的可靠性。3、技術設備投資和產品生產成本低，具有較強的經濟合理性；本期工程項目采用本技術方案建設其主要設備多數可按通用標準在國內采購。4、節(jié)能設施先進并可進行多規(guī)格產品轉換，項目運行成本較低，應變市場能力很強。第三章 背景及必要性一、光刻膠項目背景分析光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產

17、酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%。預計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長，至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。光刻膠按應用領域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡。受益于半導體、顯示面板、PCB產業(yè)東移的趨勢，自2011年至今，光刻膠中國

18、本土供應規(guī)模年華增長率達到11%，高于全球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。在平板顯示行業(yè)；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產環(huán)節(jié)中，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。在PCB行業(yè)；主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上，進行曝光顯影；濕膜和光

19、成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上，待其干燥后進行曝光顯影。干膜與濕膜各有優(yōu)勢，總體來說濕膜光刻膠分辨率高于干膜，價格更低廉，正在對干膜光刻膠的部分市場進行替代。在半導體集成電路制造行業(yè)；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到硅片上。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯

20、片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學結構分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯型和化學放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性光刻膠；光交聯型光刻膠采用聚乙烯醇

21、月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。在半導體集成電路光刻技術開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學放大（CAR）技術逐漸成為行業(yè)應用的主流。在化學放大光刻膠技術中，樹脂是具有化學基團保護因而難以溶解的聚乙烯?；瘜W放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。當光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解。化學放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對深紫外光源具有良好的光學敏感性，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點。按照曝光波長分類；

22、光刻膠可分為紫外光刻膠（300-450nm）、深紫外光刻膠（160-280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展在我國國民經濟和社會發(fā)展中，制造業(yè)領域民營企業(yè)數量占比已達90%以上，民間投資的比重超過85%，成為推動制造業(yè)發(fā)展的重要力量。近年來，受多重因素影響，制造業(yè)民間投資增速明顯放緩，2015年首次低于10%，2016年繼續(xù)下滑至3.6%。黨中央、國務院高度重視民間投資工作，近年來部署出臺了一系列有針對性的

23、政策措施并開展了專項督查，民間投資增速企穩(wěn)回升，今年1-10月，制造業(yè)民間投資增長4.1%，高于去年同期1.5個百分點。2016年7月，工業(yè)和信息化部與發(fā)展改革委等11部門聯合發(fā)布了關于引導企業(yè)創(chuàng)新管理提質增效的指導意見，并采取了一系列卓有成效的具體措施。認真貫徹落實十八屆三中全會提出“鼓勵有條件的私營企業(yè)建立現代企業(yè)制度”，會同發(fā)展改革委等有關部門，推動有條件的地區(qū)開展非公有制企業(yè)建立現代企業(yè)制度試點工作，引導企業(yè)樹立現代企業(yè)經營管理理念，增強企業(yè)內在活力和創(chuàng)造力。開展管理咨詢服務，建立中小企業(yè)管理咨詢服務專家信息庫，并在中國中小企業(yè)信息網和中國企業(yè)家聯合會網站公布，供廣大民營企業(yè)、中小企業(yè)

24、選用，為各地開展管理咨詢服務提供支撐；鼓勵和支持管理咨詢機構和志愿者開展管理診斷、管理咨詢服務，幫助企業(yè)提升管理水平。實施企業(yè)經營管理人才素質提升工程和中小企業(yè)銀河培訓工程，全年完成對50萬中小企業(yè)經營管理者和1000名中小企業(yè)領軍人才的培訓，推動企業(yè)提升管理水平。國家發(fā)改委出臺關于鼓勵和引導民營企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略性新興產業(yè)的實施意見，對各地、各部門在鼓勵和引導民營企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略性新興產業(yè)方面提出了十條要求，包括清理規(guī)范現有針對民營企業(yè)和民間資本的準入條件、戰(zhàn)略性新興產業(yè)扶持資金等公共資源對民營企業(yè)同等對待、支持民營企業(yè)充分利用新型金融工具，等等。這一系列的措施，目的是鼓勵和引導民營企業(yè)在節(jié)能環(huán)保、新

25、一代信息技術、生物、高端裝備制造、新能源、新材料、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產業(yè)領域形成一批具有國際競爭力的優(yōu)勢企業(yè)。中小企業(yè)促進法完全符合新時期中國經濟發(fā)展的實際，是時代的需要，歷史的必然，它順應了中小企業(yè)改革與發(fā)展的客觀要求，中小企業(yè)的快速發(fā)展和提高從此有了強有力的法律保障。立法是基礎，但關鍵在于付諸實施。因此，要動員社會各界認真學習、宣傳和貫徹中小企業(yè)促進法，提高全社會促進中小企業(yè)發(fā)展的法律意識和思想觀念，形成全社會關心和支持中小企業(yè)發(fā)展的良好氛圍。各地區(qū)、各部門要按照“三個代表”要求，認真貫徹中小企業(yè)促進法，切實維護中小企業(yè)的合法權益，落實好中小企業(yè)扶持政策。要以中小企業(yè)促進法為基礎，加快

26、制定與之配套的法規(guī)和實施辦法，并根據中小企業(yè)促進法規(guī)定的促進中小企業(yè)改革與發(fā)展的基本方針、政策和原則，盡快制定相應的地方性法規(guī)，使我國中小企業(yè)立法形成一個科學、完備、有序的體系。“十三五”時期，促進中小企業(yè)發(fā)展的總體目標是：整體水平進一步提高。中小企業(yè)整體發(fā)展質量和效益穩(wěn)步提高，對經濟發(fā)展的支撐作用進一步鞏固；單位產值能耗逐年下降，高技術產品增加值占比顯著提高，結構進一步優(yōu)化；年均吸納新增就業(yè)800萬人左右，吸納就業(yè)能力進一步得到發(fā)揮。創(chuàng)新能力進一步增強。創(chuàng)新型中小企業(yè)對國家創(chuàng)新能力的貢獻進一步提高，科技型中小企業(yè)的創(chuàng)新帶動作用進一步增強。中小企業(yè)研發(fā)支出占主營業(yè)務收入比重不斷提高，發(fā)明專利和

27、新產品開發(fā)數量保持較快增長；互聯網和信息技術應用能力進一步提高，新產品、新技術、新業(yè)態(tài)、新模式不斷涌現；與大企業(yè)協同創(chuàng)新、協同制造能力持續(xù)提高，在創(chuàng)新鏈中發(fā)揮更大作用。培育一批可持續(xù)發(fā)展的“專精特新”中小企業(yè)。企業(yè)素質進一步提升。中小企業(yè)管理水平進一步提高，人力資源結構進一步優(yōu)化，人員素質進一步提升，安全生產意識和社會責任意識進一步增強，誠信經營水平進一步提高。完成不少于5000名中小企業(yè)經營管理領軍人才、250萬經營管理人員培訓，培育一批具有企業(yè)家精神的經營管理者和一大批具有工匠精神的高素質企業(yè)員工。中小企業(yè)品牌影響力不斷提升。發(fā)展環(huán)境進一步優(yōu)化。簡政放權、商事制度和財稅金融改革等取得顯著成

28、效，企業(yè)負擔進一步減輕，市場準入環(huán)境更加寬松，經營環(huán)境更加公平，對外合作更加務實，政務服務更加高效。服務體系進一步完善，扶持和培育300個國家小型微型企業(yè)創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新示范基地，3000個省級小型微型企業(yè)創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新基地。三、宏觀經濟形勢分析激發(fā)市場活力，培育更具競爭力的優(yōu)質企業(yè)。堅持“兩個毫不動搖”，深入貫徹中小企業(yè)促進法，促進各種所有制經濟依法平等使用生產要素、公平參與市場競爭。推動落實金融支持小型微型企業(yè)發(fā)展的政策措施。引導擔保機構擴大小型微型企業(yè)低收費融資擔保業(yè)務規(guī)模。開展中小企業(yè)質量提升幫扶、企業(yè)管理提升專項行動。推動優(yōu)化企業(yè)兼并重組市場環(huán)境。鼓勵和支持非公資本參與制造業(yè)領域國有企業(yè)改制重組。

29、加強政策文件公平競爭審查，完善反壟斷審查機制。實施促進大中小企業(yè)融通發(fā)展三年行動計劃。推動構建激發(fā)和保護企業(yè)家精神的長效機制。發(fā)展工業(yè)文化，促進實業(yè)精神振興。四、光刻膠項目建設必要性分析光刻膠是電子領域微細圖形加工的關鍵性材料，在半導體、LCD、PCB等行業(yè)的生產中具有重要作用。光刻膠是利用光化學反應，經光刻工藝將所需要的微細圖形從掩膜板轉移到代加工基片上的圖形轉移介質，是光電信息產業(yè)的微細圖形線路加工制作的關鍵性材料。按照下游應用，光刻膠可分為半導體用光刻膠、LCD用光刻膠、PCB用光刻膠等，其技術壁壘依次降低。相應地，PCB光刻膠是目前國產替代進度最快的，LCD光刻膠替代進度相對較快，半導

30、體光刻膠目前國產技術較國外先進技術差距最大。隨著電子信息產業(yè)發(fā)展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，預計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。中國光刻膠市場需求增速高于國際平均，但中國本土供應量在全球的占比僅有10%左右，發(fā)展空間巨大。受益半導體、顯示面板、PCB產業(yè)東移的趨勢，2019年我國光刻膠市場本土供應量約70億元，自2011年至今CAGR達到11%，遠高于全球平均5%的增速，但市場規(guī)模全球占比僅為10%左右，發(fā)展空間巨大。全球市場中，半導體、LCD、PC

31、B用光刻膠的供應結構較為均衡；但中國市場中，本土供應以PCB用光刻膠為主，LCD、半導體用光刻膠供應量占比極低。由于極高的行業(yè)壁壘，全球光刻膠行業(yè)呈現寡頭壟斷格局，長年被日本、歐美專業(yè)公司壟斷。目前前五大廠商占據了全球光刻膠市場87%的份額，行業(yè)集中度較高。其中，日本JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。半導體是光刻膠最重要的應用領域。光刻和刻蝕技術是半導體芯片在精細線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小特征尺寸。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的30%，耗時約占整個芯片工藝的40%50%，是芯片制造中最核心的工藝。光刻膠及其配套化學品在芯片制造材料成本中的占比

32、高達12%，是繼硅片、電子氣體的第三大IC制造材料。光刻膠市場需求快速增長。隨著半導體線路圖形越來越小，光刻工藝對光刻膠的需求量也越來越大。2018年全球半導體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，預計未來5年年均增速約8%10%；中國半導體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，預計未來5年年均增速約10%。PCB光刻膠主要品種有干膜光刻膠、濕膜光刻膠（又稱液態(tài)光致抗蝕劑、線路油墨）、光成像阻焊油墨等。濕膜性能優(yōu)于干膜，未來濕膜光刻膠有望逐步替代干膜光刻膠。濕膜相比干膜具有高精度、低成本的優(yōu)勢，容易得到高分辨率，滿足PCB高性能的要求。PCB行業(yè)成本中，光刻膠及油墨的占比約35%。全球PCB光刻膠市場規(guī)模

33、在20億美元左右，中國市場規(guī)模占比達50%以上。隨著PCB光刻膠外企東移和內資企業(yè)的不斷發(fā)展，中國已成為全球最大的PCB光刻膠生產基地。PCB光刻膠全球市場行業(yè)集中度較高。干膜光刻膠方面，臺灣長興化學、日本旭化成、日本日立化成三家公司就占據了全球80%以上的市場份額；光成像阻焊油墨方面，日本太陽油墨占據全球60%左右的市場份額，前十家公司合計占據全球80%以上的市場份額。國內市場中，PCB光刻膠的國產化滲透率較高，中國內資企業(yè)已在國內PCB市場中占據50%以上的市場份額。PCB光刻膠技術壁壘較低，國內市場中，容大感光、廣信材料、東方材料、北京力拓達等內資企業(yè)已占據國內50%左右的濕膜光刻膠和光

34、成像阻焊油墨市場份額。國內企業(yè)中，飛凱材料、容大感光、廣信材料等已有相應PCB光刻膠產品投產。LCD光刻膠全球市場規(guī)模約23億美元，其中中國市場規(guī)模約9億美元。2019年全球LCD用光刻膠市場規(guī)模約23億美元，過去5年平均增速在4%左右，預計未來3年增速也在4%左右。2019年中國LCD面板產能占全球比重已達40%左右，據此測算中國LCD光刻膠市場規(guī)模約9億美元。LCD光刻膠的全球供應集中在日本、韓國、中國臺灣等地區(qū)，海外企業(yè)市占率超過90%。彩色濾光片所需的高分子顏料和顏料的分散技術主要集中在Ciba等日本顏料廠商手中，因此彩色光刻膠和黑色光刻膠的核心技術基本被日本和韓國企業(yè)壟斷。由于光刻膠

35、用于微米級甚至納米級圖形加工，光刻膠產品需要嚴格控制質量。光刻膠及其專用化學品的化學結構特殊，品質要求高，微粒子及金屬離子含量極低，生產工藝復雜，其研發(fā)和生產具有較高的技術門檻。光刻膠的品種非常多，針對不同應用需求，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商最核心的技術。光刻膠需要有相應的光刻機與之配對調試，資金壁壘較高。目前全球光刻機核心技術處于壟斷狀態(tài)，只有荷蘭ASML公司可制造EUV光刻機，售價超過1億歐元；而技術水平稍低的DUV光刻機，售價為20005000萬美元；目前國內只有一家企業(yè)可制造光刻機，且技術等級較低。光刻膠企業(yè)存在較高的資金壁壘，相對于國內廠商，國外光刻膠

36、廠商的公司規(guī)模更大，具有資金和技術優(yōu)勢，供應產品齊全，光刻膠種類豐富，同時有著較為全面的配套化學品，方便下游客戶采購和共同研發(fā)合作。五、光刻膠行業(yè)分析目前，在顯示面板行業(yè)中，光刻膠主要應用于TFT-LCD陣列制造，濾光片制造和觸摸屏制造三個應用領域。其中，TFT-LCD陣列和濾光片都是LCD面板結構的組成部分，觸摸屏則是以觸摸控制為目的的功能單元。TFT-LCD技術利用半導體精確控制顯示效果。TFT(ThinFilmTransistor)LCD即薄膜晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。TFT-LCD的主要特點是為每個原色像素點都配臵了一個半導體開關器件。通過控制TF

37、T單元的電極電壓，就可以使對應像三原色像素點上的透光率發(fā)生變化。這樣，每種原色像素點的灰度都可以得到精確的控制。若每個原色像素點可以有255個灰度階數，那么三原色像素點就可以構成一千六百多萬種顏色。這是TFT-LCD也被稱為“真彩”屏幕技術的原因之一。由于TFT-LCD每個像素點都相對獨立，并可以進行連續(xù)控制，所以這樣的設計方法還提高了顯示屏的反應速度。TFT-LCD陣列制造與半導體制造存在共通之處。TFT陣列由一系列半導體三極管控制器組成。在玻璃面板上通過沉積，光刻和刻蝕流程制造TFT三極管的過程與在集成電路上制造三極管的過程十分相似。因此在光刻膠的使用上，TFT陣列構造與集成電路制造有共通

38、的地方。其主要區(qū)別在于，TFT陣列的結構比較簡單且標準化，以及TFT陣列對于尺寸的要求比先進集成電路低很多。因此一般g-line光刻膠就可以滿足要求。TFT陣列正膠也是在中國首先得到發(fā)展的光刻膠產品之一。在觸摸屏應用中，光刻工藝用于ITOsensor的制造。ITO是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫；將ITO材料按照特定的圖案，涂在玻璃或者Film上，然后貼在一層厚的保護玻璃上，就得到了ITOsensor。ITOsensor是觸摸屏的重要組成部分。觸摸屏通過ITOsensor與ITOsensor之間的電容變化（雙層ITO感應電容）或者ITOsensor與觸摸屏幕的人體部位之間構成的電容變化（單層I

39、TO表面電容）來感知觸摸動作，并進而做出相對應的反應。觸摸屏中ITO結構的制造需要以氧化銦錫半導體材料在基底上構造出一定的圖案，因此光刻和光刻膠技術在這個過程當中同樣是必不可少的。PCB光刻膠材料分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠干膜與感光油墨。二者的用途都是把底板上的線路布局圖形轉移到銅箔基底上，完成印刷電路板的“印刷”過程。其區(qū)別主要在于涂敷的方式。濕膜光刻膠直接以液態(tài)的形式涂敷在待加工基材的表面；干膜光刻膠則是由預先配制好的液態(tài)光刻膠涂布在載體薄膜上，經處理形成固態(tài)光刻膠薄膜后在被直接貼附到待加工基材上。PCB用干膜與濕膜光刻膠各有特點。從總體上來說，濕膜具有分辨率高，成本低廉，顯影與刻蝕速度更

40、快等優(yōu)勢。因此，在PCB應用中，濕膜光刻膠正逐漸實現對干膜光刻膠的替代。但是干膜光刻膠在特定應用場景下具有濕膜光刻膠不具備的特點。比如在淹孔加工場景中，濕膜光刻膠會浸沒基材上的孔洞，造成后期加工和清理的不便。而干膜光刻膠就不存在這個問題。PCB加工所用的油墨主要分三類：線路油墨、阻焊油墨、字符油墨。線路油墨可以作為防止PCB線路被腐蝕的保護層，在蝕刻工藝中保護線路。線路油墨一般是液態(tài)感光型的；阻焊油墨可以在PCB線路加工完成后涂在線路上作為保護層。阻焊油墨可以具有液態(tài)感光，熱固化，或者紫外線硬化的性質。通過在PCB板上保留焊盤，阻焊油墨可以方便之后的元件焊接，起到絕緣防氧化的作用。字符油墨就是

41、用來做板子表面的標示的，比如標上元器件符號，一般不需要具備感光性質。全球光刻膠市場規(guī)模持續(xù)增長。2015全球光刻膠市場規(guī)模大概在73.6億美金左右，光刻膠下游應用主要為三大領域：TFT-LCD顯示、PCB、集成電路，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占比26.6%，半導體光刻膠占比24.1%，其他類光刻膠占比24.8%。而具體中國市場近100億元，其中PCB市場接近70億元，平板顯示領域15-16億元，半導體領域8-10億元。國內市場預計整體每年保持10-15%的增長，消費總量占據全球消費量約15%左右，光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體行業(yè)，有2-3代差距，隨著下游半導

42、體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間較大。六、光刻膠市場分析預測光刻膠決定芯片的最小特征尺寸。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，光刻和刻蝕技術是精細線路圖形加工中最重要的工藝，其中光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小（光的干涉和衍射效應）。決定著芯片的最小特征尺寸，占芯片制造時間的40-50%，占制造成本的30%。比如一塊半導體芯片在制造過程中需要進行10-50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。光刻膠分辨率隨

43、IC集成度提高而提高。半導體光刻膠隨著市場對半導體產品小型化、功能多樣化的要求，而不斷通過縮短曝光波長提高極限分辨率，從而達到集成電路更高密度的集積。目前光刻膠根據使用的不同波長的曝光光源分類，波長由紫外寬譜向線(436nm)線(365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2（157nm）方向轉移。不同波長的光刻膠用途、材料也大不相同。另外20世紀80年代以前，負膠一直在光刻工藝中占據主導地位，隨著集成電路與2-5um圖形尺寸范圍的出現使得正膠在分辨率優(yōu)勢逐步凸顯，目前來看對于小尺寸圖像領域正膠占據絕大部分市場份額。半導體隨著晶圓廠擴產2020年市場規(guī)模約為25億元。2015年國內半

44、導體光刻膠市場規(guī)模假設為10億元，隨著半導體存儲、功率等器具的發(fā)展以及未來三年本土26座晶圓廠的落地，將有力帶動上游光刻膠需求，我們預計未來2016-2020年國內半導體光刻膠市場將保持18-20%增速(2011-2015國內半導體光刻膠GAGR=13.6%)，則2020年全國半導體光刻膠市場規(guī)模將達到24.8億元復合增速近20%。光刻膠主要制作彩色濾光片用光刻膠。TFT-LCD是由兩片偏光板，兩片玻璃，中間加上液晶，另外再加上背光源組成的。液晶顯示器里還有一片很多電晶體的玻璃，一片有紅綠藍（R.G.B）三種顏色的彩色濾光片及背光源，例如當屏幕顯示藍色的時候，有電晶體的玻璃就會發(fā)出訊號。只讓藍

45、光可以穿透彩色濾光片，而將紅色光及紅色光留在顯示器里面，這樣我們在顯示器上就只能看到藍色的光。TFT-LCD制程分陣列、組立和模組，其中LCD中光刻膠主要用在制程工序在原始玻璃上制作電晶體的圖案，類似半導體中的堅膜、清洗、曝光、顯影、蝕刻、脫膜、檢測等工序，主要制作彩色光刻膠及黑色光刻膠、LCD襯墊料光刻膠、TFT配線用光刻膠等。新增高世代線面板產能持續(xù)促進面板光刻膠需求。隨著全球高世代線陸續(xù)投產，面板出貨面積有所增長，對上游面板光刻膠需求穩(wěn)定增長，全球2015年面板光刻膠市場規(guī)模突破19.57億美元，假設復合增速約為4%，則全球光刻膠預計2020年將達到23.7億美元，2016年我國面板產能

46、占全球比重為26%，隨著京東方等十數家國產廠商擴產項目陸續(xù)投產，預計2020年我國面板產能占比有望提升至42%以上，則整體國內市場規(guī)模有望達到10.2億美元約66.3億元，復合增速25%。光刻膠廣泛應用于印刷電路板的設計與加工中。PCB光刻膠主要包括干膜光刻膠、濕膜光刻膠和光成像阻焊油墨。PCB光刻膠市場穩(wěn)定增長。2015年全球PCB光刻膠市場規(guī)模達18億美元，從地域結構來看，隨著外資企業(yè)將產能遷至中國，國內供應商逐步掌握了PCB油墨關鍵原材料合成樹脂的合成技術，有效降低了產品成本，形成較為明顯的價格競爭優(yōu)勢，2015年中國PCB光刻膠產值占全球比重約70%，達12.6億美金（約70億元）。隨

47、著PCB板向高密度、高精度、多層化發(fā)展，對于PCB光刻膠的質與量的要求會越來越高，預計PCB光刻膠未來增速會超過PCB板行業(yè)增速（2015-2020年期間，國際市場預測為3.2%），若按4%復合增速來算，預計到2020年國內PCB光刻膠行業(yè)將達到85億元規(guī)模。第四章 項目建設主要內容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積48924.45平方米（折合約73.35畝），其中：凈用地面積48924.45平方米（紅線范圍折合約73.35畝）。項目規(guī)劃總建筑面積81214.59平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程51689.81平方米，計容建筑面積81214.59平方米；預計建筑工程投資6162.30萬元。（二

48、）設備購置項目計劃購置設備共計156臺（套），設備購置費3690.22萬元。二、產值規(guī)模項目計劃總投資17125.75萬元；預計年實現營業(yè)收入19389.00萬元。第五章 項目建設地點一、光刻膠項目建設選址原則為了更好地發(fā)揮其經濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據光刻膠項目選址的一般原則和光刻膠項目建設地的實際情況，“光刻膠項目”選址應遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產經營和管理活動。2、與光刻膠項目建設地的建成區(qū)有較方便的聯系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎設施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據，統籌考慮用地與城市發(fā)展的關系。6、兼顧環(huán)境因素

49、影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、光刻膠項目選址方案及土地權屬（一）光刻膠項目選址方案1、光刻膠項目建設單位通過對光刻膠項目擬建場地縝密調研，充分考慮了光刻膠項目生產所需的內部和外部條件：距原料產地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產成本以及擬建區(qū)域產業(yè)配套情況、基礎設施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設地區(qū)進行比選，綜合考慮后選定的光刻膠項目最佳建設地點光刻膠項目建設地，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為光刻膠項目建設提供了良好的投資環(huán)境。（二）工程地質條件1、根據建筑抗震設計規(guī)范（GB50011）標準要求，光刻膠項目建設地無活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實

50、較好，因此，本期工程光刻膠項目建設區(qū)處于地質構造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進行地質勘探，參考臨近建筑物的地質資料，地基土層由第四系全新統（Q4）雜填土、粉質粘土、淤泥質粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設區(qū)域地質抗風化能力較強，地層承載力高，工程地質條件較好，不會受到滑坡及泥石流等次生災害的影響，無不良地質現象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應本期工程光刻膠項目建設。三、光刻膠項目用地總體要求（一）光刻膠項目用地控制指標分析1、“光刻膠項目”均按照項目建設地建設用地規(guī)

51、劃許可證及建設用地規(guī)劃設計要求進行設計，同時，嚴格按照建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設光刻膠項目平面布置符合輕工產品制造行業(yè)、重點產品的廠房建設和單位面積產能設計規(guī)定標準，達到工業(yè)光刻膠項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）光刻膠項目建設條件比選方案1、光刻膠項目建設單位通過對可供選擇的建設地區(qū)進行縝密比選后，充分考慮了光刻膠項目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，光刻膠項目經營期所需的內外部條件：距原料產地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產成本以及擬建區(qū)域產業(yè)配套情況、基礎設施條件等，通過建設

52、條件比選最終選定的光刻膠項目最佳建設地點光刻膠項目建設地，本期工程光刻膠項目建設區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網絡、施工環(huán)境等條件均較好，可保證光刻膠項目的建設和正常經營，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為光刻膠項目建設提供了良好的投資環(huán)境。2、由光刻膠項目建設單位承辦的“光刻膠項目”，擬選址在光刻膠項目建設地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設施齊全，符合光刻膠項目選址要求。（三）光刻膠項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數68.48%，建筑容積率1.66，建設區(qū)域綠化覆蓋率6.52%，固定資產投資強度196.3

53、3萬元/畝。（四）光刻膠項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質基礎，也是社會經濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，光刻膠項目建設單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關行業(yè)規(guī)定的用地指標，根據建設內容、規(guī)模和建設方案，按照國家有關節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在光刻膠項目建設過程中，光刻膠項目建設單位根據總體規(guī)劃以及項目建設地期對本期工程光刻膠項目地塊的控制性指標，本著“經濟適宜、綜合利用”的原則進行科學規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設計條件光刻膠項目建設地屬于建設用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質條件優(yōu)良，水文地質條件良好，適宜本期工程光

54、刻膠項目建設。二、建筑設計規(guī)范和標準1、砌體結構設計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎設計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結構荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標準要求（一）混凝土要求根據混凝土結構耐久性設計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環(huán)境類別為一類，本工程上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋

55、鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設指標本期工程項目預計總建筑面積81214.59平方米，其中：計容建筑面積81214.59平方米，計劃建筑工程投資6162.30萬元，占項目總投資的35.98%。第七章 設備選型分析一、設備選型（一）設備選型的原則1、選用的設備必須有較高的生產效率，能降低勞動強度，滿足生產規(guī)模的要求，2、為滿足產品生產的質量要求，關鍵設備為知名廠家生產的品牌產品，3、按經濟規(guī)律辦事，講求投資經濟效益，在充分考慮設備的先進性和適用性的同時，綜合考慮

56、各設備的性價比和壽命年限。（二）設備選型方向1、以“比質、比價、比先進”為原則。選擇設備時，要著眼高起點、高水平、高質量，最大限度地保證產品質量的需要，不斷提高產品生產過程中的自動化程度，降低勞動強度提高勞動生產率，節(jié)約能源降低生產成本和檢測成本。2、主要設備的配置應與產品的生產技術工藝及生產規(guī)模相適應，同時應具備“先進、適用、經濟、配套、平衡”的特性，能夠達到節(jié)能和清潔生產的各項要求。該項目所選設備必須技術先進、性能可靠，達到目前國內外先進水平，經生產廠家使用證明運轉穩(wěn)定可靠，能夠滿足生產高質量產品的要求。3、設備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產高質量產品的生產設備。對生產設

57、備進行合理配置，充分發(fā)揮各類設備的最佳技術水平。在滿足生產工藝要求的前提下，力求經濟合理。充分考慮設備的正常運轉費用，以保證在生產本行業(yè)相同產品時，能夠保持最低的生產成本。4、以甄選優(yōu)質供應商為原則。選擇設備交貨期應滿足工程進度的需要，售后服務好、安裝調試及時、可靠并能及時提供備品備件的設備生產廠家。根據生產經驗和技術力量，該項目主要工藝設備及儀器基本上采用國產設備，選用生產設備廠家具有國內一流技術裝備，企業(yè)管理科學達到國際認證標準要求。（三）設備配置方案該項目的生產及檢測設備以工藝需要為依據，滿足工藝要求為原則，并盡量體現其技術先進性、生產安全性和經濟合理性，以及達到或超過國家相關的節(jié)能和環(huán)保要求。先進的生產技術和裝備是保證產品質量的關鍵。因此，關鍵工藝設備必須選擇國內外著名生產廠商的產品，并且在保證產品質量的前提下，優(yōu)先選用國產的名牌節(jié)能環(huán)保型產品。根據生產規(guī)模和生產工藝的要求，本著“先進、合