四川省2012-2013學(xué)年高中化學(xué)34《離子晶體》學(xué)案新人教版選修3

1、3-4離子晶體班級(jí)姓名【使用課時(shí)】2課時(shí)第一課時(shí)【學(xué)習(xí)目標(biāo)】知識(shí)目標(biāo)：1 .理解組成離子晶體的微粒及依靠什么作用力結(jié)合成晶體。2. 了解離子晶體的物理性質(zhì)及引起原因。能力目標(biāo)：通過對(duì)離子晶體物理性質(zhì)的決定因素的分析及四種晶體類型間性質(zhì)的比較和歸納，培養(yǎng)學(xué)生分析問題、解決問題以及歸納總結(jié)的能力?！緦W(xué)習(xí)重點(diǎn)】1、離子晶體的物理性質(zhì)的特點(diǎn)。2、四種晶體類型間性質(zhì)的比較?！緦W(xué)習(xí)方法】 閱讀自學(xué)，分析探究，歸納總結(jié)【導(dǎo)學(xué)問題】1、組成離子晶體的是何種微粒？它們依靠什么作用力結(jié)合成晶體？2、離子晶體與離子化合物是什么關(guān)系？下列物質(zhì)那些能形成離子晶體？3、離子晶體有哪些物理特性？（請(qǐng)從熔沸點(diǎn)，硬度這些方面去

2、分析）4、離子晶體的熔沸點(diǎn)是由什么來決定的？【學(xué)習(xí)過程】復(fù)習(xí)引入：1、判斷下列物質(zhì)那些是分子晶體，哪些是原子晶體：干冰 sio2晶體僦 naclkohhfnaq金剛石 al分子晶體： ,原子晶體： 2、書寫下列物質(zhì)的電子式，并判斷其所含化學(xué)鍵類型：8naclkohna 2o2電子式:化學(xué)鍵類型：課題一離子晶體一、離子晶體【問題1】組成離子晶體的是何種微粒？它們依靠什么作用力結(jié)合成晶體?【問題2】離子晶體與離子化合物是什么關(guān)系？哪些物質(zhì)能形成離子晶體?（練習(xí)）：下列物質(zhì)中：干冰 sio2晶體僦naclkohhfnaq 金剛石 a能形成離子晶體的有：【問題3】離子晶體有哪些物理特性？（請(qǐng)從熔沸點(diǎn)，

3、硬度，固態(tài)、熔融狀態(tài)下和水溶液 中是否導(dǎo)電這些方面去分析）【問題4】離子晶體的熔沸點(diǎn)高低是由什么來決定的？。離子晶體的熔沸點(diǎn)決定 （ 強(qiáng)度）決定 （） （練習(xí)）：比較下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)：mgow mgc2： nacl 與 cscl ： 【歸納總結(jié)】四種類型晶體的比較晶體類型分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子粒子間相互作用可能的相互作用硬度熔沸點(diǎn)導(dǎo)電性溶解性典型實(shí)例晶體的熔沸點(diǎn)比較：1、不同晶體類型比較：原子晶體離子晶體分子晶體金屬晶體（除少數(shù)外）分子晶體2、同種晶體比較：分子晶體：結(jié)構(gòu)和組成相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高。若存在氫鍵，也會(huì)使熔沸點(diǎn)升高。對(duì)于有機(jī)物中的同分異構(gòu)體

4、，支鏈越多熔沸點(diǎn)越低。原子晶體：鍵長越短，鍵能越大，則熔沸點(diǎn)越高。金屬晶體：金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)、硬度越高。一般規(guī)律：原子半徑越小，金屬鍵越強(qiáng)。價(jià)電子數(shù)越多（即陽離子所帶的電荷越多）金屬鍵越強(qiáng)。離子晶體：離子的半徑越小，所帶的電荷越多，則離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。3、根據(jù)物質(zhì)在相同的條件下狀態(tài)的不同，熔沸點(diǎn)：固體液體氣體。例如：s hg q【課堂反饋】1.關(guān)于晶體的下列說法正確的是（）a.在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子b.在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子c.離子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高d.分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低2 .下列各對(duì)物質(zhì)中，化學(xué)鍵類型和晶體類型完全相同的是（）a. na

5、cl 和 naohb. br2 和 h2c. cc14和 fecl3d. co和 sio23 .下列敘述正確的是（）a.任何晶體中，若含有陽離子也一定含有陰離子b.離子晶體中可能含有共價(jià)鍵c.離子晶體中只含有離子鍵不含有共價(jià)鍵d.分子晶體中只存在分子作用力，不含有其他化學(xué)鍵4 .下列說法一定正確的是（）a.水溶液能導(dǎo)電的-離子晶體b.熔融態(tài)導(dǎo)電的一定是離子晶體c.固態(tài)導(dǎo)電的一定是金屬晶體d.固態(tài)不導(dǎo)電、熔融態(tài)導(dǎo)電的一定是離子晶體5 .離子晶體熔點(diǎn)的高低決定于晶體中陽離子與陰離子之間的靜電引力，靜電引力大則熔點(diǎn)高，引力小則反之。試根據(jù)你學(xué)到的電學(xué)知識(shí)，判斷kcl、nacl、cao bao四種晶體

6、熔點(diǎn)的高低順序（）a . kclnaclbaocao b . naclkclcaobaoc . caobaonaclkcld . caobaokclnacl6 .下列物質(zhì)中，導(dǎo)電性能最差的是a .熔融氫氧化鈉b.石墨棒d.固態(tài)氯化鈉7 .含有共價(jià)鍵的離子晶體是a . mgcl2.naoh c , h2sd . (nh) 2s8 .離子晶體一般不具有的特征是a.熔點(diǎn)較高，硬度較大b .易溶于水而難溶于有機(jī)溶劑c .固體時(shí)不能導(dǎo)電d .離子間距離較大，其密度較小9 .下列物物質(zhì)中，可證明某晶體是離子晶體的是（）a.易溶于水b.晶體不導(dǎo)電，熔化時(shí)能導(dǎo)電c.熔點(diǎn)較高d.晶體不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電10 .

7、同主族元素所形成的同一類型的化合物，其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)往往相似，化合物phi是一種無色晶體，下列對(duì)它的描述中不正確的是（）a .在加熱時(shí)此化合物可以分解b.它是一種離子化合物c .這種化合物不能跟強(qiáng)堿發(fā)生化學(xué)反應(yīng)d .該化合物在一定條件下由ph,與hi化合而成11 .右圖為氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)。（1）晶體中，每個(gè) na+周圍有 個(gè)cl-,每個(gè)c周圍與它最接近且距離相等的 cl 一共有 個(gè)。（2） nacl晶體中，與na+距離等同且最近的幾個(gè) cl 一所圍成 的空間構(gòu)型為 （填序號(hào)）a.正四面體 b .正六面體c .正八面體d .正十二面體第二課時(shí)主備人：李容玲班級(jí)姓名【學(xué)習(xí)目標(biāo)】知識(shí)目標(biāo)：1.能識(shí)別氯化鈉

8、、氯化葩、氟化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)。2.學(xué)會(huì)離子晶體的性質(zhì)與晶胞結(jié)構(gòu)的關(guān)系。能力目標(biāo)：通過碳酸鹽的熱分解溫度與陽離子半徑的自學(xué)，拓展學(xué)生視野。通過分析數(shù)據(jù)和信息，能說明晶格能的大小與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系?！緦W(xué)習(xí)重點(diǎn)】晶格能的定義和應(yīng)用 【學(xué)習(xí)方法】 閱讀自學(xué)，實(shí)驗(yàn)探究 【導(dǎo)學(xué)問題】1 .影響晶格能大小的原因有哪些?2 .晶格能大小與離子晶體的性質(zhì)有什么關(guān)系?【學(xué)習(xí)過程】1、離子晶體的典型代表:nacl、cscl晶體模型nacl晶體：1）在一個(gè)nacl晶胞中，有 個(gè)na+,有 個(gè)cl，2）在nacl晶體中，每個(gè) na+同時(shí)強(qiáng)烈吸引 個(gè)c，每個(gè)c同時(shí)強(qiáng)烈吸引 個(gè)na+。離子晶體中與某離子距離最近的異性離子的

9、數(shù)目叫該離子的配位數(shù)。則nacl晶體中，na+和c的配位數(shù)分別為 、。3）在nacl晶體中，每個(gè) na+周圍與它最接近且距離相等的na+共有 個(gè)。同理：每個(gè)c/周圍與它最接近且距離相等的c/共有 個(gè)。cscl晶體：1）在一個(gè)cscl晶胞中，有 個(gè)cs+,有 個(gè)cl o2）在cscl晶體中，每個(gè)cs+同時(shí)強(qiáng)烈吸引 個(gè)cl ,即cs+的配位數(shù)為 每個(gè)c/同 時(shí)強(qiáng)烈吸引 個(gè)cs+,即c的配位數(shù)為 。3）在cscl晶體中，每個(gè) cs+周圍與它最接近且距離相等的cs+共有 個(gè)同理：在cscl晶體中，每個(gè)c周圍與它最接近且距離相等的c共有 個(gè)。討論：為什么nacl、cscl化學(xué)式相似，空間結(jié)構(gòu)不同？結(jié)論：

10、ab型離子晶體的配位數(shù)與陰、陽離子的半徑比有關(guān)（練習(xí)）zns晶胞：1） 1個(gè)zns晶胞中，有 個(gè)/，有 個(gè)zn2 02） zn的配位數(shù)為。2 s的配位數(shù)為。2.決定離子晶體結(jié)構(gòu)（即配位數(shù)）的因素1）幾何因素晶體中正、負(fù)離子的半徑比半徑比（r+/r-）0.2 0.40.4 0.70.7 1.0 1.0配位數(shù)46810代表物znsnaclcsclcsf2結(jié)論：ab型離子晶體中，陰、陽離子的配位數(shù)相等，但正、負(fù)離子的半徑比越大，離子的配位數(shù)越大。2)電荷因素-晶體中正、負(fù)離子的電荷比a)1個(gè)caf2的晶胞中，有 個(gè)ca有 個(gè)f。b)caf2的晶體中，ca和l的配位數(shù)不同，cst配位數(shù)是, 口的配位數(shù)

11、是。義：。2 .規(guī)律：(1)離子電荷越 ,離子半徑越 ,則離子晶體的晶格能越 。(2)晶格能越 ,形成的離子晶體越 ,熔點(diǎn)越 ,硬度越大。3 .巖漿晶出規(guī)則：晶格能越高的晶體，越穩(wěn)定，越容易在巖漿冷卻過程中先結(jié)晶析出。(美國礦物學(xué)家鮑文)【當(dāng)堂檢測(cè)】1 .決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素是a.陽離子的半徑b.陰離子的半徑c.正負(fù)離子的半徑比d.正負(fù)離子的電荷比2 .離子晶體之間的決定于離子鍵的大小，下列按離子鍵由大到小排列的是a. nafnaclnabrnaib. nao n&snaclnaic. naclcacl2mgcl2alcl 3d, mgco cacq srco3 bacq3 .認(rèn)真分析

12、nacl和 cscl的晶體結(jié)構(gòu)，判斷下列說法錯(cuò)誤的是a. nacl和cscl者b屬于ab型的離子晶體b. nacl和cscl晶體中陰、陽離子個(gè)數(shù)比相同，所以陰、陽離子的配位數(shù)相等c. nacl和cscl晶體中陰、陽離子的配位數(shù)分別為 6和8d. nacl和cscl者b屬于ab型的離子晶體，所以陰、陽離子半徑比相同4 .某物質(zhì)的晶體中，含 a、b c三種元素，其排列方式如右圖所示（其中前后兩面心上的b原子不能畫出），晶體中a b、c的原子個(gè)數(shù)比依次為a. 1: 3: 1b. 2: 3: 1c. 2: 2: 1d, 1:3:35 .下面有關(guān)離子晶體的敘述中，不正確的是a. 1mol氯化鈉中有 na

13、個(gè)nacl分子b.氯化鈉晶體中，每個(gè) na+周圍距離相等的 c共有6個(gè)c.氯化葩晶體中，每個(gè) cs周圍緊鄰8個(gè)cd.平均每個(gè) nacl晶胞中有4個(gè)na+、4個(gè)c/a. na、k、cs的熔點(diǎn)依次升高b. hcl、ph、h2s的穩(wěn)定性依次減弱c. naoh koh csoh勺堿性依次增強(qiáng)d.單晶硅、cscl、干冰的熔點(diǎn)依次降低6 .下列性質(zhì)遞變正確的是7 .有關(guān)晶格能的敘述正確的是a.晶格能是氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量8 .晶格能通常取正值，但是有時(shí)也取負(fù)值c.晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定d.晶格能越大，物質(zhì)的硬度反而越小8 .下列物質(zhì)中晶格能大小比較正確的是a. baocaomgob. nafnaclnabrc. naimgobaod. pbsznsmgo9 .下列有關(guān)晶體的敘述中，錯(cuò)誤