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文檔簡介
1、2.1 產(chǎn)品1 smt實習(xí)(fm收音機(jī))(訓(xùn)練6)(訓(xùn)練7)電子系統(tǒng)的微型化和集成化是當(dāng)代技術(shù)革命的重要標(biāo)志,也是未來發(fā)展的重要方向。 日新月異的各種高性能、高可靠、高集成、微型化、輕型化的電子產(chǎn)品,正在改變我們的 世界,影響人類文明的進(jìn)程。安裝技術(shù)是實現(xiàn)電子系統(tǒng)微型化和集成化的關(guān)鍵。20世紀(jì)70年代問世,80年代成熟的表面安裝技術(shù)(suface mounting technology簡稱smt),從元器件到安裝方式, 從pcb 設(shè)計到連接方法都以全新面貌出現(xiàn),它使電子產(chǎn)品體積縮小,重量變輕,功能增強(qiáng),可靠性提高,推動信息產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。smt已經(jīng)在很多領(lǐng)域取代了傳統(tǒng)的通孔安裝( through
2、hole technology簡稱tht ),并且這種趨勢還在發(fā)展,預(yù)計未來9 0 %以上產(chǎn)品將采用smt。通過smt實習(xí),了解smt的特點,熟悉他的基本工藝過程,掌握最起碼的操作技藝 是跨進(jìn)電子科技大廈的第一步。2.1.1 smt 簡介、tht 與 smt圖2.1.1是tht與 smt的安裝尺寸比較,表 2.1.1是tht與smt的區(qū)別表2.1.1 tht與 smt的區(qū)別年代技術(shù)縮寫代表元器件一安裝基板安裝方法焊接技術(shù)通孔 安裝20世紀(jì)6070年 代tht晶體管,軸向引 線元件單、雙面pcb手工/半 自動插裝手工焊浸 焊7080 年 代單、雙列直插ic, 軸向引線元器 件編帶單面及多層pcb
3、自動插裝波峰焊, 浸焊, 手工焊表面 安裝20世紀(jì)80 年代開始smtsmc、 smd 片 式封裝vsi、vlsi高質(zhì)量smb自動貼片 機(jī)波峰焊, 再流焊圖2.1.1 tht與 smt的安裝尺寸比較:、smt主要特點1 .高密集 smc、smd的體積只有傳統(tǒng)元器件的 1/31/10左右,可以裝在 pcb的 兩面,有效利用了印制板的面積,減輕了電路板的重量。一般采用了smt后可使電子產(chǎn)品的體積縮小 40%60%,重量減輕60%80%。2 .高可靠 smc和smd無引線或引線很短,重量輕,因而抗振能力強(qiáng),焊點失效率 可比tht至少降低一個數(shù)量級,大大提高產(chǎn)品可靠性。3 .高性能 smt密集安裝減小
4、了電磁干擾和射頻干擾,尤其高頻電路中減小了分布參數(shù)的影響,提高了信號傳輸速度,改善了高頻特性,使整個產(chǎn)品性能提高。4 .高效率 smt更適合自動化大規(guī)模生產(chǎn)。采用計算機(jī)集成制造系統(tǒng)(cims)可使整個生產(chǎn)過程高度自動化,將生產(chǎn)效率提高到新的水平。5 .低成本 smt使pcb面積減小,成本降低;無引線和短引線使smd, smc成本降低,安裝中省去引線成型、打彎,剪線的工序;頻率特性提高,減少調(diào)試費用;焊smt后可使廣品總成本下點可靠性提高,減小調(diào)試和維修成本。一般情況下采用 降3 0 %以上。三、smt工藝及設(shè)備簡介smt有兩種基本方式,主要取決于焊接方式。1 .采用波峰焊:見圖 2.1.21、
5、點膠2、貼片3、固化用手動/自動手動/自動用加熱使點膠機(jī)貼片機(jī)貼片固化波峰焊機(jī)4、焊接用波峰焊機(jī) 焊接圖 2.1.2 smt 工藝(1)此種方式適合大批量生產(chǎn)。對貼片精度要求高,生產(chǎn)過程自動化程度要求也很高。在pcb上用印刷機(jī)印制焊錫膏貼片 (c) 焊接2 .采用再流焊(見圖2.1.3)用手動/半自動/用再流焊機(jī)焊接自動貼片機(jī)貼片圖 2.1.3 smt 工藝(2)這種方法較為靈活,視配置設(shè)備的自動化程度,既可用于中小批量生產(chǎn),又可用 于大批量生產(chǎn)?;旌习惭b方法,則需根據(jù)產(chǎn)品實際將上述兩種方法交替使用2.1.2 smt元器件及設(shè)備一、表面貼裝元器件 smd(surface mounting de
6、vices)smt元器件由于安裝方式的不同,與tht元器件主要區(qū)別在外形封裝。另一方面由于smt點在減小體積,故 smt元器件以小功率元器件為主。又因為大部分smt元器件為片式,故通常又稱片狀元器件或表貼元器件,一般簡稱smd1 .片狀元件表貼元件包括表貼電阻、電位器、電容、電感、開關(guān)、連接器等。使用最廣泛的是 片狀電阻和電容。片狀電阻電容的類型、尺寸、溫度特性、電阻電容值、允差等,目前還沒有統(tǒng) 一標(biāo)準(zhǔn),各生產(chǎn)廠商表示的方法也不同。目前我國市場上片狀電阻電容以公制代碼表示外型尺寸。(1)片狀電阻。表2.1.2是常用片狀電阻尺寸等主要參數(shù)表2.1.2常用片狀電阻主要參數(shù)弋碼參數(shù)“一1608*06
7、032012*08053216*12063225*12105025*20106332*2512外型長x寬1.6 x 0.82.0 x 1.253.2 x 1.63.2 x2.55.0 x 2.56.3 x3.2功率(w)1/161/101/81/41/21電壓(v)100200200200200注:1.*英制代號2 .片狀電阻厚度為 0.4-0.6mm3. 最新片狀元件為 1005 (0402), 0603 (0201), 0402(01005)目前應(yīng)用較少。4. 電阻值采用數(shù)碼法直接標(biāo)在元件上(參見教材p60),阻值小于10用r代替小數(shù)點,例如8r2表示8.2 q , 0r為跨接片,電流容量
8、不超過2a(2)片狀電容片狀電容主要是陶瓷疊片獨石結(jié)構(gòu),其外型代碼與片狀電阻含義相同,主要有: 1005/*0402 , 1608/*0603 , 2012/*0805, 3216/*1206 , 3225/*1210, 4532/ *1812 , 5664/*2225 等。片狀電容元件厚度為 0.94.0片狀陶瓷電容依所用陶瓷不同分為三種,其代號及特性分別為:npo : i類陶瓷,性能穩(wěn)定,損耗小,用于高頻高穩(wěn)定場合x7r : n類陶瓷,性能較穩(wěn)定,用于要求較高的中低頻的場合。y5v:出類低頻陶瓷,比容大,穩(wěn)定性差,用于容量、損耗要求不高的場合。表2.1.3常用表面貼分立器件封裝封s0t-2
9、3sot-89to-252l :.l引1.發(fā)射極腳 2.基極功3.集電極能1.發(fā)射極2.基極3.集電極1.基極2.集電極3.發(fā)射極& 300mw0.3-2w2-50w片狀陶瓷電容的電容值也采用數(shù)碼法表示,但不印在元件上。其它參數(shù)如偏差、耐 壓值等表示方法與普通電容相同。2表貼器件表面貼裝器件包括表面貼裝分立器件(二極管、三極管、fet/晶閘管等)和集成電路兩大類。表面貼裝分立器件除部分二極管采用無引線圓柱外型,主要外形封裝為小外形封裝sop(smalloutline package)型和to型。表2.1.3是幾種常用外型封裝。此外還有sc-70 (2.0x1.25)、so-8 (5.0 x 4
10、.4)等封裝。 表面貼裝集成電路常用so尋口四歹u扁平封裝 qfp(quad flat package) 封裝。見圖 2.1.4和2.1.5 , 這種封裝屬于有引線封裝。smd 集成電路一種稱為 bga的封裝應(yīng)用日益廣泛,主要用于引線多、要求微型化 的電路,圖2.1.6是一個bga的電路示例。16條引線節(jié)距1.27100條引線節(jié)距0.65圖2.1.4 sop封裝圖2.1.5 qfp封裝側(cè)面圖2.1.6 bga封裝底面/ 焊球、印制板 smbsurface mounting board)1.smb的特殊要求:(1) 外觀要求光滑平整,不能有翹曲或高低不平(2) 熱脹系數(shù)小,導(dǎo)熱系數(shù)高,耐熱性好.
11、(3) 銅箔粘合牢固,抗彎強(qiáng)度大。(4)基板介電常數(shù)小,絕緣電阻高。2 .焊盤設(shè)計片狀元器件焊盤形狀對焊點強(qiáng)度和可靠性關(guān)系重大,以片狀阻容元件為例。a=b或 b-0.3b=h+t+0.3 (電阻)b=h+t-0.3 (電容)g=l-2t圖2.1.6片狀元件焊盤大部分smc smd0.1科)除可測短路和漏電外,還可估測電容量,電解電容須注意極性。 方法是:a.先將電容器兩端短接放電。b.用表筆接觸兩端正常情況下表針將發(fā)生擺動,容量越大擺動角度越大;且回擺越接近出發(fā)點,電容器質(zhì)量越好(漏電越?。?,見圖2.2.3。c.利用己知容量電容對比可估測電容量。表筆電容器c圖2.2.3用指針表檢測電容器四、電
12、感器檢測(用萬用表可測量線圈短路和斷路)方法是測線圈電阻及線圈間絕緣電阻。一般線圈電阻值較小, 約幾十到零點幾q ,宜用數(shù)字表測。線圈之間絕緣電阻應(yīng)為無窮大。五、二極管檢測(用數(shù)字表和指針表均可)1 .普通二極管i用指針表:采用測量二極管正反向電阻法,正常二極管正向電阻幾 ka以下,反 向幾百kq以上。!特別提示:指針表中,黑表筆為內(nèi)部電池正極,紅表筆為內(nèi)部電池負(fù)極。用數(shù)字表:用二極管檔,測量的是二極管的電壓降,正常二極管正向壓降約 0.1v(錯 管)到0.7v(硅管),反向顯示“ 1”2 .發(fā)光二極管led用指針表 mf368 qx1檔,表筆 紅負(fù)黑正,led亮,從li刻度讀正向電流,lv
13、刻度讀正向電壓。用數(shù)字表 dt9236 hfe檔,led正負(fù)極分別插入 npn的c、e孑l(或pnp的e, c),led 發(fā)光(注意!由于電流較大,點亮?xí)r間不要太長)。3.變?nèi)荻O管采用測量普通二極管方法可測好壞。進(jìn)一步測試需借助輔助電路。六、開關(guān)及連接器檢測用測量小電阻的方法可檢測開關(guān)及連接器好壞和性能,接觸電阻越小越好(常 用開關(guān)及連接器 rc1q),用數(shù)字表較方便。用高阻檔可檢測開關(guān)及連接器的絕緣性能。七、三級管的檢測1 .判定基極和管型(npn或pnp型):半導(dǎo)體三極管是具有兩個 pn結(jié)的半導(dǎo)體器件,如圖2.2.4(a) 、(b)所示,其中35(a)為pnp型三極管,(b)為npn型三
14、極管。(a) pnp型(b) npnin站正向?qū)Х絧n h反向覦止基極判斷(。圖2.2.4 三極管管型、內(nèi)部pn結(jié)及基極判斷用指針表:用電阻檔的 x 100或q x1k擋,以黑表筆(接表內(nèi)電池正極)接三極管的 某一個管腳,再用紅表筆(接表內(nèi)電池負(fù)極)分別去接另外兩個管腳,直到出現(xiàn)測 得的兩個電阻值都很小(或者很大),那么黑表筆所接的那一管腳就應(yīng)是基極.為了 進(jìn)一步確定基極,可再將紅黑表筆對調(diào),這時測得的兩個電阻值應(yīng)當(dāng)與上面的情況 剛好相反,即都是很大(或都是很?。@樣三極管的基極就確認(rèn)無誤了,參見圖2.2.4(c).當(dāng)黑表筆接基極時,如果紅表筆分別接其它兩腳,所測得的電阻值都很小.說 明這是
15、npn三極管。如果電阻都很大,說明這是pnm三極管。用數(shù)字表:要用二極管檔用電阻檔時各管腳電阻均為無窮大(顯示1),方法同上,只是要注意數(shù)字表筆接表內(nèi)電池極性與指針表相反,顯示的是pn結(jié)的正反向壓降。2 .判定發(fā)射極和集電極及放大倍數(shù):判定三極管的發(fā)射極 e和集電極c,通常用放大性能比較法。圖2.2.5 發(fā)射極和集電極及放大倍數(shù)檢測 (npn型三極管)(1) 一般方法:用指針表找到基極 b并確定為npn(或pnb型三極管后,在剩下的兩個管腳 中可以假定一個為集電極,另一個為發(fā)射極;觀察放大性能,方法如圖2.2.5所示:將黑表筆接假設(shè)的集電極,紅表筆接假設(shè)的發(fā)射極,并在集電極極與基極之間加一個100k左右的電阻(通常測量時可用人體電阻代替,即用手指捏住兩管腳,下同),觀察測得的電阻值。然后對調(diào)表筆,并在假設(shè)的發(fā)射極與基極之間加一個100k 的電阻,觀察測得電阻值。將兩次測得的電阻值作一個比較,電阻值較小的那一次測量,黑表筆所接的是npn型三極管的集電極 c,紅表筆所接的是三極管的發(fā)射極e,假設(shè)正確
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