(數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ))第七章_清華

1、 ！單元數(shù)龐大 ！輸入/輸出引腳數(shù)目有限 EPROM ROM ROM 可擦除的可編程 可編程 掩模 RAM RAM 動態(tài) 靜態(tài) A0An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 寫是一次性編程，不能改！ 編程時將不用的熔斷 有出廠時，每個結(jié)點上都 熔絲由易熔合金制成 寫入時，要使用編程器 管疊柵注入MOS MOSInjuctiongateStackedSIMOS)( 浮置柵 控制柵 : : f c G G 通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負電荷，則若 導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負電荷，則若 工作原理： cf cf GG GG 年）光燈下分鐘（陽光下一周，熒紫外線照射 空穴對，提供泄放通道生電子“

2、擦除”：通過照射產(chǎn) 形成注入電荷到達吸引高速電子穿過 寬的正脈沖，上加同時在 發(fā)生雪崩擊穿）間加高壓（“寫入”：雪崩注入 33020 5025 2520 2 , , , f c GSiO msVG VSD )(管浮柵隧道氧化層采用 點擦除慢，操作不便的缺為克服 MOSFLOTOX UVEPROM “隧道效應(yīng)” 電子會穿越隧道）當場強達到一定大?。?厚度之間有小的隧道區(qū)，與 ,/ cmV mSiODG f 7 8 2 10 102 導(dǎo)通）下，電壓（未充電荷時，正常讀出 截止）下，電壓（充電荷后，正常讀出 工作原理： TVG TVGG C Cf 3 3 f jCi G BmsVGW 電子隧道區(qū) 接

3、的正脈沖，加充電：01020 , 上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電 加正脈沖，接放電： f jiC G BWG,0 （隧道區(qū)）區(qū)有極小的重疊區(qū)與 ）更薄（與襯底間 SG nmOSG f if 1510 2 的正脈沖，加 接），加正壓（ ，充電利用雪崩注入方式向 工作原理： usVG VVSD G c ss f 1012 06 * 上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電 的正脈沖加 放電，利用隧道效應(yīng) f ssc f G nsVVG G 100120, 作存儲單元 觸發(fā)器，為基本RSTT 41 相通、與、導(dǎo)通， 行中被選中，時，能在 jj i BBQQTT X 65 11 , 單元與緩沖器相連 列第 行第 導(dǎo)通，這時 時，所在列

4、被選中， j i TT Yj 87 1 , ，讀操作 截止，與導(dǎo)通，則若 時，當 O I Q AAA W R SC 321 1 0 , ，寫操作 導(dǎo)通，與截止，則若 Q O I AAA W R 321 0, 六管N溝道增強型MOS管 SC WR AA OIOI 片選信號： 寫信號：讀 地址線： 數(shù)據(jù)線： / 70 70 1024 x 8 RAM 70 OIOI. 9870 AAAA,.WR WR AAAA OIOI 寫信號：讀 地址線： 數(shù)據(jù)線： / 9870 70 , ):( 1100256256 70 A個地址個字，需要每一片提供 SCYYAA AA 分別接四片的譯成即將 兩位代碼區(qū)分四片用 , , 3089 89 10237687675125112562550 11100100 07070707 ,AAAAAAAA 四片的地址分配就是： 89 AA 4321 SCSCSCSC 11100100 29292929 AAAAAAAA, 四片的地址分配就是： 01 AA 4321 SCSCSCSC 0 1 A A 9 1 2 A A A A0An-1 W0 W(2n-1) ABCDDCBAY DCBADABCY BCDADBCDCBAY CBABC