湖北黃石二中2019年iii測試一

1、湖北黃石二中2019年iii測試一選擇題每題只有.1個選項符合題意，每題 2分，共60分1、以下各組元素都屬于 p區(qū)的是A、原子序數(shù)為 1，6，7 的元素 B、O S, PC Fe, Cu, CID、Na, Li，Mg2、元素：氦、銣、銫等元素是用以下哪種科學(xué)方法發(fā)明的A、紅外光譜B原子光譜C、質(zhì)譜D、X射線衍射實驗3、在以下性質(zhì)的比較中，正確的選項是A、微粒半徑：CvF-vNa+vLi + B、單質(zhì)的熔點：LiNaKH2OCOD、共價鍵的鍵能： C CC- SiSi Si4、 鎂一239原子核內(nèi)有148個中子?，F(xiàn)有 A元素的一種同位素，比鎂一 239的原子核內(nèi) 少 54個質(zhì)子和100個中子，

2、那么 A元素在周期表中的位置是A、第3周期第I A族B、第4周期第I A族C、第5周期第I A族D第3周期第H A族5、以下原子的價電子排布中，對應(yīng)于第一電離能最大的是21222324A、4s 4p B 3s 3p C 2s 2p D、2s 3p6、X、Y、Z三種元素組成的化合物是離子晶體，其晶胞如下圖，那么下面表示該化合物的化學(xué)式正確的選項是A ZXYB ZX2Y6C、ZX沁 ZXbY127、以下關(guān)于S元素的描述正確的選項是A、它與H2生成液態(tài)化合物一定不存在分子間氫鍵1s22s22p63s23p4B原子的電負(fù)性同周期最高 C、它的外圍電子排布式為D其電子排布圖為： 臉 逾3fe 辭 以下說

3、法不正確的選項是A、乙烯分子中b鍵與n鍵的數(shù)目比為1:1B、SQ與Q分子中均含有2個鍵C CCI4分子中有未成鍵的孤電子對，但卻為非極性分子D C7H16分子的一種同分異構(gòu)體可能含一個手性碳原子9、以下有關(guān)晶體的說法正確的選項是A、晶體中有陽離子，那么一定存在陰離子B、晶體中一定有離子鍵，可能有共價鍵C分子晶體中一定存在分子間作用力，但分子內(nèi)可能不存在化學(xué)鍵D依據(jù)構(gòu)成粒子堆積方式將晶體分為金屬晶體、離子晶體、分子晶體、原子晶體10、以下分子或離子中，能提供孤對電子與某些金屬離子形成配位鍵的是H2QNHF-CNNH；A、B、C、D11、以下含氧酸中，酸性最弱的是A HNQB HIQ4C、H2SQ

4、D HCIQ12、 以下分子或離子中，所有原子都滿足最外層為8電子結(jié)構(gòu)的是A HOB BBC.CF2CI2D PCI513、鉈81T1丨是元素周期表川A族元素，以下關(guān)于鉈的表達不.正確的選項是A鉈比鋁的金屬性更強B鉈能與鹽酸反應(yīng)放出氫氣C鉈在化合物中能夠是 +3價 D氫氧化鉈一定具有兩性14、關(guān)于氫鍵，以下說法正確的選項是A、某些含氫元素的化合物中一定有氫鍵E.氫鍵比分子間作用力強，因此它屬于化學(xué)鍵C、DNA中的堿基互補配對是通過氫鍵來實現(xiàn)的D HzC是一種特別穩(wěn)定的化合物，這是由于氫鍵所致15、下面的排序不正確的選項是A、晶體熔點由低到高：CF4CCl4CBr4MgAIC硬度由大到?。航饎偸?/p>

5、 碳化硅 晶體硅D、晶格能由大到小：NaFNaCINaBrNal16、 構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序，實質(zhì)是各能級能量高低順序假設(shè)以E表示某能級 的能量，以下能量大小順序中不正確的選項是A E(3d) E(3p) E(3s)B、E(3s) E(2s) E(1s)C E(4f) E(3d) E(4s) D E(5s) E(4s) E(4f)17、 現(xiàn)有四種元素的基態(tài)原子的電子排布式如下：1s22s22p63s23p4;1s22s22p63s23p3: 1s22s22p5o那么以下有關(guān)比較中正確的選項是A、第一電離能：B、原子半徑：C電負(fù)性：D最高正化合價：18、以下說法正確的選項是A、任何一個

6、能層最多只有s、p、d、f四個能級B用n表示能層序數(shù)，那么每一能層最多容納電子數(shù)為2n2C核外電子的運動的概率分布圖電子云確實是原子軌道D電子的運動狀態(tài)可從能層、能級、軌道3個方面進行描述19. 以下物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律與分子間作用力有關(guān)的是A HF HCI、HBr、HI熱穩(wěn)定性依次減弱 B.NaF、NaCl、NaBr、Nal的熔點依次降低C金剛石的硬度大于硅，其熔、沸點也高于硅D、F2、Cl2、B2、I 2的熔、沸點逐漸升高20. 以下關(guān)于雜化軌道的表達中，不正確的選項是A、分子中中心原子通過SP3雜化軌道成鍵時，該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)B雜化軌道只用于形成 b鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子

7、C H2SQ硫酸分子中三種原子均以雜化軌道成鍵XWYRZD N2分子中N原子沒有雜化，分子中有一個b鍵、2個n鍵21. 下表為元素周期表前四周期的一部分，以下關(guān)于R、X、Y、Z五種元素的表達中正確的選項是A W元素的第一電離能小于 Y元素的第一電離能B 丫、Z的陰離子電子層結(jié)構(gòu)都與 R原子的相同C最高價含氧酸的酸性，Y對應(yīng)的酸性強于 WD P亞層未成對電子最多的是 Z元素22. 以下表達正確的選項是A、可燃冰晶體中8CH 46HQCH與HQ分子之間以及HQ與HQ間都以氫鍵結(jié)合B氨氣易液化，是因為氨分子之間存在氫鍵C含有陽離子的晶體一定是離子晶體D金屬晶體的熔沸點一定比分子晶體高23、以下表達正

8、確的選項是A、干冰、SiCl 4熔化時不需要破壞化學(xué)鍵B、32gS分子含8molS S共價鍵C H2S和CS分子基本上含極性鍵的極性分子D PCls和BCls分子中所有原子的最外層都達到8電子結(jié)構(gòu)24、關(guān)于氫鍵的以下說法中不 正確的選項是A、冰中平均每個水分子可形成2個氫鍵B、分子間氫鍵使物質(zhì)熔點和沸點升高C分子間形成氫鍵可使物質(zhì)在水中的溶解度增大25、D HF的穩(wěn)定性特別強，是因為其分子間能形成氫鍵 用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，以下表達不.正確的選項是A、含有NA個氖原子的氖氣在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積約為22.4LB在2.4g石墨中，含C-C共價鍵數(shù)目為0.3NaC 720gC6o晶體含有M個如

9、上圖晶胞 D 1molCu(NH3)4廣中含配位鍵42 26、關(guān)于以下幾種離子晶體，說法不正確的選項是A、由于NaCk CsCI晶體中正負(fù)離子半徑比不相等，因此兩晶體中離子的配位數(shù)不相等B CaE晶體中，Ca配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為4不相等，要緊是由于F-、CsT電荷絕 對值不相同C MgO的熔點比MgCb高要緊是因為 MgC的晶體能比MgCb大D MCO中M+半徑越大，MCO熱分解溫度越低27、以下有關(guān)金屬的說法正確的選項是A、金屬原子的核外電子在金屬晶體中基本上自由電子B、鎂型和銅型的原子堆積方式空間利用率最高C、溫度升高，金屬的導(dǎo)電性將變強D金屬原子在化學(xué)變化中失去的電子數(shù)越多，其還原性

10、越強28、以下說法中正確的選項是A、 NQ、SQ、BFs分子中所有原子的最外層電子都滿足了8e穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B、 P4和CH基本上正四面體分子且鍵角都為10928 /C、 NaCI晶體中與每個Na+距離相等且最近的 Na+共有12個D原子間通過共價鍵而形成的晶體一定具有高的熔、沸點及硬度29、關(guān)于3He和4He的以下說法正確的選項是3He 4He的化學(xué)性質(zhì)差不多相同； 3He 4He具有相同的中子數(shù)；3He核聚變是化學(xué) 變化；3He液化是物理變化；3He和4He形成的晶體類型相同， 所含化學(xué)鍵不同；3He 和4He組成的氣體單質(zhì)，在 相同條件下密度之比為 3 : 4。A、B、CD30、有X、YZ、W

11、M五種短周期元素，其中X、Y、Z、W同周期，Z、M同主族；X+與M-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)；離子半徑：Z2- W； Y的單質(zhì)晶體熔點高、硬度大，是一種重要的半導(dǎo)體材料。以下說法中，正確的選項是A、X、MB、由于C、元糸D元糸12161731.8分兩種元素只能形成X2M型化合物W Z、M元素的氫氣化物相對分子質(zhì)量依次減小, Y、Z、W的單質(zhì)晶體屬于同種類型的晶體W和 M的某些單質(zhì)可作為水處理中的消毒劑345678918192021222324因此其沸點依次降低10251112131415262728元素X的某價態(tài)離子X1+中所有電子正好充滿層，它與N3-形成的晶體結(jié)構(gòu)如下圖。(1) 該晶體的陽離子

12、與陰離子個數(shù)比為 。(2) 該晶體中X1+中n=。(3)X元素的原子序數(shù)是 晶體中每個nT被個等距離的乂+包圍。32、 14分超細(xì)銅粉要緊應(yīng)用于導(dǎo)電材料、催化劑等領(lǐng)域中。超細(xì)銅粉的某 制備方法如下：K、L、M三個電子2930o表示用-Cu(NH3)4SO4通入SQ2NH4CuSQ3水溶液過濾白色沉淀足量10 mol/L硫酸微熱 過濾超細(xì)銅粉試回答以下問題：1以下關(guān)于Cu(NH3)4SQ4的說法中，正確的有 :。A、Cu(NH3)4SQ4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵B Cu(NH3)4SQ4含有NH分子，其水溶液中也含有 NH分子C CU(NH3)4SQ4的組成元素中第一電離能最大的是

13、氧元素D Cu(NHJ 4SQ4的外界離子的空間構(gòu)型為正四面體2NHCuSQ中的金屬陽離子的核外電子排布式為。3SC3離子中S硫原子的雜化方式為，與其互為等電子體的一種分子的分子式是。4NH易液化的緣故是。5上圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，由此可確定該氧化物的化學(xué)式為。6NHCuSO與硫酸微熱反應(yīng)的離子方程式為。33. 6分如圖晶體硼的差不多結(jié)構(gòu)單元基本上由硼原子組成的正二十 面體的晶體，其中含有20個等邊三角形和一定數(shù)目的頂角，每個頂角上各有1個硼原子，觀看圖形。試回答：那個差不多結(jié)構(gòu)單元由 個硼原子組成，鍵角是，共含有個B B鍵。34、 10分A B、C、D E基本上短周期元素，原子

14、序數(shù)依次增大，B、C同周期，C的非金屬性最強， A D同主族隔周期，E元素原子最外層的p能級電子數(shù)是s能級電子數(shù)的一半。A、B能形成兩種液態(tài)化合物甲和乙，原子個 數(shù)比分別為2 : 1和1 ： 1。依照以上信息回答以下問題：(1) 甲、乙兩分子中含有非極性共價鍵的物質(zhì)的電子式是，C元素在周期表中的位置是(2) C和D的離子中，半徑較小的是(填離子符號)。(3) 將D的單質(zhì)投入甲中，待 D消逝后再向上述溶液中加入E的單質(zhì)，如今發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是。(4) C、D E可組成離子化合物，其晶胞(晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復(fù)單元)結(jié)構(gòu)如下圖，陽離子D+(用 表示)位于正方體的棱的中點和正方體內(nèi)部

15、；陰離子EC(用 表示)位于該正方體的頂角和面心。該化合物的化學(xué)式是。35、OrO - 1-jt)ocj晶胞的+12分乙炔是有機合成工業(yè)的一種原料。工業(yè)上曾用(1) CaC2中C2與d+互為等電子體，d的電子式可表示為;(2) 將乙炔通入Cu(NH3)2CI溶液生成CibC2紅棕色沉淀。陽離子D*陰離子ECTCaC與水反應(yīng)生成乙炔。1mol&+中含有的n鍵數(shù)目為。Cf基態(tài)核外電子排布式為。(3)乙炔與氫氰酸反應(yīng)可得丙烯腈 (H2CCH- CN)。丙烯腈分子中碳原子軌道雜化類型是;分子中處于同一直線上的原子數(shù)目最多為。個Ca +周圍距離最近的 Ct的數(shù)目為。123456789101112BBDC

16、CAAACBDCDCB161718192021222324252627282930DABDCCBADCDBCBD31.解析：n(1)X位于晶胞的棱上，其數(shù)目為12X14=3個，nT位于晶胞的頂CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與 NaCl晶體的相似(如下圖)，但CaC晶 體中含有啞鈴形 C2-的存在，使晶胞沿一個方向拉長。CaC晶體中102: A門 3d 2 分3spsp 雜化、sp2 雜化 3(4)4、NF3或 PF3、NCb、PCI3等各 2 分4NH分子間可形成氫鍵。2分5CuO 2 分62NHCuSOMH+ .微熱 2NH+C+Cu+2SOf +2HbO 2 分133解析：由圖可知，每個頂角上的硼

17、原子被5個正三角形共有，故每個三角形占石，每個三1 1角形含有5X 3個硼原子，每個結(jié)構(gòu)單元含硼原子數(shù)為 20 X 5 x 3 = 12(個)，而B- B鍵為：201X 3 X 2 = 30(個)；因為是正三角形，故鍵角為60。答案：1260 3034. 解析：依照題中信息得出A為氫元素，B為氧元素，C為氟元素，D為鈉元素，E為鋁元素。(1) 甲為H2O乙為含有非極性共價鍵的物質(zhì)是HLQ。(2) C和D的離子分別是 L和NaJ二者的核外電子排布相同，Na的原子序數(shù)大，因此r(Na +)較小。(3) 將Na投入水中發(fā)生反應(yīng)生成氫氧化鈉溶液，Al和氫氧化鈉溶液發(fā)生的反應(yīng)為：2Al+ 2NaOHF 2HO=2NaAIO+ 3H2 f。1 11一個晶胞中含有 12X4+ 9= 12個Na*和8X8 + 6X 2= 4個AlFl，化學(xué)式為 NaAIFe。X , X答案：(1)H .Q .Q H第二周期、第四A族(2) Na +(3) 2AI + 2NaO+ 2HzO=2NaAI( 3H4(4) Na 3AIF635. 解析：(1)等電子體電子式相似，應(yīng)參照CT