自動(dòng)化專業(yè)英語(yǔ)王宏文全文翻譯

1、.自動(dòng)化專業(yè)英語(yǔ)PART 1Electrical and Electronic Engineering BasicsUNIT 1AElectrical Networks 3BThree-phase CircuitsUNIT 2AThe Operational Amplifier 5BTransistorsUNIT 3ALogical Variables and Flip-flop 8BBinary Number SystemUNIT 4APower Semiconductor Devices 11BPower Electronic ConvertersUNIT 5ATypes of DC Mo

2、tors 15BClosed-loop Control of DC DriversUNIT 6AAC Machines 19BInduction Motor DriveUNIT 7AElectric Power System 22BPower System AutomationPART 2Control TheoryUNIT 1AThe World of Control 27BThe Transfer Function and the Laplace Transformation 29UNIT 2AStability and the Time Response 30BSteady State

3、31UNIT 3AThe Root Locus 32BThe Frequency Response Methods: Nyquist Diagrams 33UNIT 4AThe Frequency Response Methods: Bode Piots 34 B Nonlinear Control System 37UNIT 5 A Introduction to Modern Control Theory 38B State Equations 40UNIT 6 A Controllability, Observability, and Stability B Optimum Contro

4、l Systems UNIT 7 A Conventional and Intelligent Control B Artificial Neural Network PART 3 Computer Control TechnologyUNIT 1 A Computer Structure and Function 42B Fundamentals of Computer and Networks 43UNIT 2 A Interfaces to External Signals and Devices 44B The Applications of Computers 46UNIT 3 A

5、PLC Overview B PACs for Industrial Control, the Future of Control UNIT 4 A Fundamentals of Single-chip Microcomputer 49B Understanding DSP and Its Uses UNIT 5 A A First Look at Embedded Systems B Embedded Systems Design PART 4 Process Control UNIT 1 A A Process Control System 50B Fundamentals of Pro

6、cess Control 52UNIT 2 A Sensors and Transmitters 53B Final Control Elements and Controllers UNIT 3 A P Controllers and PI Controllers B PID Controllers and Other Controllers UNIT 4 A Indicating Instruments B Control Panels PART 5 Control Based on Network and Information UNIT 1 A Automation Networkin

7、g Application Areas B Evolution of Control System Architecture UNIT 2 A Fundamental Issues in Networked Control Systems B Stability of NCSs with Network-induced Delay UNIT 3 A Fundamentals of the Database System B Virtual ManufacturingA Growing Trend in Automation UNIT 4 A Concepts of Computer Integ

8、rated Manufacturing B Enterprise Resources Planning and Beyond PART 6 Synthetic Applications of Automatic Technology UNIT 1 A Recent Advances and Future Trends in Electrical Machine Drivers B System Evolution in Intelligent Buildings UNIT 2 A Industrial Robot B A General Introduction to Pattern Reco

9、gnition UNIT 3 A Renewable Energy B Electric Vehicles UNIT 1A 電路電路或電網(wǎng)絡(luò)由以某種方式連接的電阻器、電感器和電容器等元件組成。如果網(wǎng)絡(luò)不包含能源，如電池或發(fā)電機(jī)，那么就被稱作無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。換句話說(shuō)，如果存在一個(gè)或多個(gè)能源，那么組合的結(jié)果為有源網(wǎng)絡(luò)。在研究電網(wǎng)絡(luò)的特性時(shí)，我們感興趣的是確定電路中的電壓和電流。因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)由無(wú)源電路元件組成，所以必須首先定義這些元件的電特性.就電阻來(lái)說(shuō)，電壓-電流的關(guān)系由歐姆定律給出，歐姆定律指出：電阻兩端的電壓等于電阻上流過(guò)的電流乘以電阻值。在數(shù)學(xué)上表達(dá)為:u=iR (1-1A-1)式中 u=電壓，伏特；

10、i =電流，安培；R = 電阻，歐姆。純電感電壓由法拉第定律定義，法拉第定律指出：電感兩端的電壓正比于流過(guò)電感的電流隨時(shí)間的變化率。因此可得到：U=Ldi/dt 式中 di/dt = 電流變化率， 安培/秒； L = 感應(yīng)系數(shù)， 享利。 電容兩端建立的電壓正比于電容兩極板上積累的電荷q 。因?yàn)殡姾傻姆e累可表示為電荷增量dq的和或積分，因此得到的等式為 u= ， 式中電容量C是與電壓和電荷相關(guān)的比例常數(shù)。由定義可知，電流等于電荷隨時(shí)間的變化率，可表示為i = dq/dt。因此電荷增量dq 等于電流乘以相應(yīng)的時(shí)間增量，或dq = i dt， 那么等式 (1-1A-3) 可寫(xiě)為式中 C = 電容量，

11、法拉。歸納式(1-1A-1)、(1-1A-2) 和 (1-1A-4)描述的三種無(wú)源電路元件如圖1-1A-1所示。注意，圖中電流的參考方向?yàn)閼T用的參考方向，因此流過(guò)每一個(gè)元件的電流與電壓降的方向一致。 有源電氣元件涉及將其它能量轉(zhuǎn)換為電能，例如，電池中的電能來(lái)自其儲(chǔ)存的化學(xué)能，發(fā)電機(jī)的電能是旋轉(zhuǎn)電樞機(jī)械能轉(zhuǎn)換的結(jié)果。有源電氣元件存在兩種基本形式：電壓源和電流源。其理想狀態(tài)為：電壓源兩端的電壓恒定，與從電壓源中流出的電流無(wú)關(guān)。因?yàn)樨?fù)載變化時(shí)電壓基本恒定，所以上述電池和發(fā)電機(jī)被認(rèn)為是電壓源。另一方面，電流源產(chǎn)生電流，電流的大小與電源連接的負(fù)載無(wú)關(guān)。雖然電流源在實(shí)際中不常見(jiàn)，但其概念的確在表示借助于等

12、值電路的放大器件，比如晶體管中具有廣泛應(yīng)用。電壓源和電流源的符號(hào)表示如圖1-1A-2所示。分析電網(wǎng)絡(luò)的一般方法是網(wǎng)孔分析法或回路分析法。應(yīng)用于此方法的基本定律是基爾霍夫第一定律，基爾霍夫第一定律指出：一個(gè)閉合回路中的電壓代數(shù)和為0，換句話說(shuō)，任一閉合回路中的電壓升等于電壓降。網(wǎng)孔分析指的是：假設(shè)有一個(gè)電流即所謂的回路電流流過(guò)電路中的每一個(gè)回 路，求每一個(gè)回路電壓降的代數(shù)和，并令其為零?？紤]圖1-1A-3a 所示的電路，其由串聯(lián)到電壓源上的電感和電阻組成，假設(shè)回路電流i ，那么回路總的電壓降為 因?yàn)樵诩俣ǖ碾娏鞣较蛏希斎腚妷捍黼妷荷姆较?，所以輸電壓在?-1A-5）式中為負(fù)。因?yàn)殡娏鞣较蚴?/p>

13、電壓下降的方向，所以每一個(gè)無(wú)源元件的壓降為正。利用電阻和電感壓降公式，可得等式(1-1A-6)是電路電流的微分方程式?；蛟S在電路中，人們感興趣的變量是電感電壓而不是電感電流。正如圖1-1A-1指出的用積分代替式(1-1A-6)中的i，可得1-1A-7B 三相電路 三相電路不過(guò)是三個(gè)單相電路的組合。因?yàn)檫@個(gè)事實(shí)，所以平衡三相電路的電流、電壓和功率關(guān)系可通過(guò)在三相電路的組合元件中應(yīng)用單相電路的規(guī)則來(lái)研究。這樣看來(lái)，三相電路比單相電路的分析難不了多少。使用三相電路的原因在單相電路中，功率本身是脈動(dòng)的。在功率因數(shù)為1時(shí)，單相電路的功率值每個(gè)周波有兩次為零。當(dāng)功率因數(shù)小于1時(shí)，功率在每個(gè)周波的部分時(shí)間里

14、為負(fù)。 雖然供給三相電路中每一相的功率是脈動(dòng)的，但可證明供給平衡三相電路的總功率是恒定的?；诖?，總的來(lái)說(shuō)三相電氣設(shè)備的特性優(yōu)于類似的單相電氣設(shè)備的特性。三相供電的機(jī)械和控制設(shè)備與相同額定容量的單相供電的設(shè)備相比： 體積小， 重量輕，效率高。除了三相系統(tǒng)提供的上述優(yōu)點(diǎn)，三相電的傳輸需要的銅線僅僅是同樣功率大小單相電傳輸所需銅線的3/4。三相電壓的產(chǎn)生三相電路可由三個(gè)頻率相同在時(shí)間相位上相差120電角度的電動(dòng)勢(shì)供電。這樣的三相正弦電動(dòng)勢(shì)如圖 1-1B-1 所示。這些電動(dòng)勢(shì)由交流發(fā)電機(jī)的三套獨(dú)立電樞線圈產(chǎn)生，這三套線圈安裝在發(fā)電機(jī)電樞上，互相之間相差120電角度。線圈的頭尾可以從發(fā)電機(jī)中全部引出，

15、組成三個(gè)獨(dú)立的單相電路。然而一般線圈無(wú)論在內(nèi)部或在外部均會(huì)相互連接，形成三線或四線三相系統(tǒng)。連接三相發(fā)電機(jī)線圈有兩種方法，一般來(lái)說(shuō)，把任何類型的裝置連接到三相電路也存在兩種方法。它們是星（Y）形聯(lián)接和角（D）形聯(lián)接。大多數(shù)發(fā)電機(jī)是星（Y）形聯(lián)接，但負(fù)載可以是星（Y）形聯(lián)接或角（D）形聯(lián)接。 星（Y）形聯(lián)接發(fā)電機(jī)的電壓關(guān)系 圖1-1B-2a 表示發(fā)電機(jī)的三個(gè)線圈或相繞組。這些繞組在電樞表面上是按它們產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)在時(shí)間相位上相差120分布的。每一個(gè)線圈的兩端均標(biāo)有字母S和F (起始和終結(jié))。圖1-1B-2a中，所有標(biāo)有S的線圈端連接到一個(gè)公共點(diǎn)N，三個(gè)標(biāo)有F的線圈端被引出到接線端A、B和C ，形成

16、三相三線電源。這種聯(lián)接形式被稱為Y形聯(lián)接。中性聯(lián)接經(jīng)常被引出接到接線板上，如圖1-1B-2a 的虛線所示，形成三相四線系統(tǒng)。交流發(fā)電機(jī)每相產(chǎn)生的電壓被稱為相電壓（符號(hào)為Ep）。如果中性聯(lián)接從發(fā)電機(jī)中引出，那么從任一個(gè)接線端A、 B或 C到中性聯(lián)接N間的電壓為相電壓。三個(gè)接線端A、 B或 C 中任意兩個(gè)間的電壓被稱為線到線的電壓，或簡(jiǎn)稱線電壓（符號(hào)為EL）。三相系統(tǒng)的三相電壓依次出現(xiàn)的順序被稱為相序或電壓的相位旋轉(zhuǎn)。這由發(fā)電機(jī)的旋轉(zhuǎn)方向決定，但可以通過(guò)交換發(fā)電機(jī)外的三條線路導(dǎo)線中的任意兩條(不是一條線路導(dǎo)線和中性線)來(lái)改變相序。將三相繞組排列成如圖1-1B-2b 所示的Y形有助于Y形聯(lián)接電路圖的

17、繪制。注意，圖1-1B-2b所示的電路與圖1-1B-2a所示的電路完全一樣，在每一種情況下，連接到中性點(diǎn)的每一個(gè)線圈的S端和F端都被引出到接線板。在畫(huà)出所有的接線點(diǎn)都標(biāo)注了字母的電路圖后，繪制的相量圖如圖1-1B-2c所示。相量圖可顯示相隔120 的三相電壓 請(qǐng)注意在圖1-1B-2中每一個(gè)相量用帶有兩個(gè)下標(biāo)的字母表示。這兩個(gè)下標(biāo)字母表示電壓的兩個(gè)端點(diǎn)，字母順序表示在正半周時(shí)電壓的相對(duì)極性。例如，符號(hào) 表示點(diǎn)A和N間的電壓，在其正半周，A點(diǎn)相對(duì)于N點(diǎn)為正。在所示的相量圖中，已假定在正半周時(shí)發(fā)電機(jī)接線端相對(duì)于中性線為正。因?yàn)殡妷好堪胫芊匆淮蜗?，所以我們也可?guī)定在電壓的正半周A點(diǎn)相對(duì)于N點(diǎn)為負(fù)，但對(duì)

18、每一相的規(guī)定要一樣。要注意到，如果是在電壓的正半周定義A點(diǎn)相對(duì)于N的極性( ) ，那么 在用于同一相量圖中時(shí)就應(yīng)該畫(huà)得同 相反，即相位差為180Y形聯(lián)接發(fā)電機(jī)的任意兩個(gè)接線端間的電壓等于這兩個(gè)接線端相對(duì)于中性線間的電位差。例如，線電壓 等于A接線端相對(duì)于中性線間的電壓()減去B接線端相對(duì)于中性線間的電壓()。為了從 中減去 ，必需將 反相，并把此相量加到 上。相量 和 幅值相等，相位相差60，如圖1-1B-2c所示。由圖形可以看出通過(guò)幾何學(xué)可以證明 等于1.73乘以 （） 或（） 。圖形結(jié)構(gòu)如相量圖所示。因此，在對(duì)稱Y形聯(lián)接中星（Y）形聯(lián)接發(fā)電機(jī)的電流關(guān)系 從發(fā)電機(jī)接線端A、 B和C (圖 1

19、-1B-2)流到線路導(dǎo)線的電流必定從中性點(diǎn)N中流出，并流過(guò)發(fā)電機(jī)線圈。因此流過(guò)每一條線路導(dǎo)線的電流( )必定等于與其相連接的相電流( )。在Y形聯(lián)接中IL=IPUNIT2 A運(yùn)算放大器運(yùn)算放大器像廣義放大器這樣的電子器件存在的一個(gè)問(wèn)題就是它們的增益AU或AI取決于雙端口系統(tǒng)(m、b、RI、Ro等)的內(nèi)部特性。器件之間參數(shù)的分散性和溫度漂移給設(shè)計(jì)工作增加了難度。設(shè)計(jì)運(yùn)算放大器或Op-Amp的目的就是使它盡可能的減少對(duì)其內(nèi)部參數(shù)的依賴性、最大程度地簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作。運(yùn)算放大器是一個(gè)集成電路，在它內(nèi)部有許多電阻、晶體管等元件。就此而言，我們不再描述這些元件的內(nèi)部工作原理。運(yùn)算放大器的全面綜合分析超越了某

20、些教科書(shū)的范圍。在這里我們將詳細(xì)研究一個(gè)例子，然后給出兩個(gè)運(yùn)算放大器定律并說(shuō)明在許多實(shí)用電路中怎樣使用這兩個(gè)定律來(lái)進(jìn)行分析。這兩個(gè)定律可允許一個(gè)人在沒(méi)有詳細(xì)了解運(yùn)算放大器物理特性的情況下設(shè)計(jì)各種電路。因此，運(yùn)算放大器對(duì)于在不同技術(shù)領(lǐng)域中需要使用簡(jiǎn)單放大器而不是在晶體管級(jí)做設(shè)計(jì)的研究人員來(lái)說(shuō)是非常有用的。在電路和電子學(xué)教科書(shū)中，也說(shuō)明了如何用運(yùn)算放大器建立簡(jiǎn)單的濾波電路。作為構(gòu)建運(yùn)算放大器集成電路的積木晶體管，將在下篇課文中進(jìn)行討論。理想運(yùn)算放大器的符號(hào)如圖1-2A-1所示。圖中只給出三個(gè)管腳：正輸入、負(fù)輸入和輸出。讓運(yùn)算放大器正常運(yùn)行所必需的其它一些管腳，諸如電源管腳、接零管腳等并未畫(huà)出。在實(shí)

21、際電路中使用運(yùn)算放大器時(shí)，后者是必要的，但在本文中討論理想的運(yùn)算放大器的應(yīng)用時(shí)則不必考慮后者。兩個(gè)輸入電壓和輸出電壓用符號(hào)U +、U -和Uo 表示。每一個(gè)電壓均指的是相對(duì)于接零管腳的電位。運(yùn)算放大器是差分裝置。差分的意思是：相對(duì)于接零管腳的輸出電壓可由下式表示 (1-2A-1)式中 A 是運(yùn)算放大器的增益，U + 和 U - 是輸入電壓。換句話說(shuō)，輸出電壓是A乘以兩輸入間的電位差。 集成電路技術(shù)使得在非常小的一塊半導(dǎo)體材料的復(fù)合 “芯片”上可以安裝許多放大器電路。運(yùn)算放大器成功的一個(gè)關(guān)鍵就是許多晶體管放大器“串聯(lián)”以產(chǎn)生非常大的整體增益。也就是說(shuō)，等式(1-2A-1)中的數(shù)A約為100,00

22、0或更多 (例如，五個(gè)晶體管放大器串聯(lián)，每一個(gè)的增益為10，那么將會(huì)得到此數(shù)值的A )。 第二個(gè)重要因素是這些電路是按照流入每一個(gè)輸入的電流都很小這樣的原則來(lái)設(shè)計(jì)制作的。第三個(gè)重要的設(shè)計(jì)特點(diǎn)就是運(yùn)算放大器的輸出阻抗(Ro )非常小。也就是說(shuō)運(yùn)算放大器的輸出是一個(gè)理想的電壓源。我們現(xiàn)在利用這些特性就可以分析圖1-2A-2所示的特殊放大器電路了。首先，注意到在正極輸入的電壓U +等于電源電壓，即U + =Us。各個(gè)電流定義如圖1-2A-2中的b圖所示。對(duì)圖 1-2A-2b的外回路應(yīng)用基爾霍夫定律，注意輸出電壓Uo 指的是它與接零管腳之間的電位，我們就可得到因?yàn)檫\(yùn)算放大器是按照沒(méi)有電流流入正輸入端和

23、負(fù)輸入端的原則制作的，即I - =0。那么對(duì)負(fù)輸入端利用基爾霍夫定律可得 I1 = I2，利用等式(1-2A-2) ，并設(shè) I1 =I2 =I ，U0 = (R1 +R2 ) I (1-2A-3)根據(jù)電流參考方向和接零管腳電位為零伏特的事實(shí)，利用歐姆定律，可得負(fù)極輸入電壓U - ：因此 U - =IR1 ，并由式 (1-2A-3)可得： 因?yàn)楝F(xiàn)在已有了U+ 和U-的表達(dá)式，所以式(1-2A-1)可用于計(jì)算輸出電壓 ，綜合上述等式 ，可得： 最后可得： 這是電路的增益系數(shù)。如果A 是一個(gè)非常大的數(shù)，大到足夠使AR1 (R1 +R2)，那么分式的分母主要由AR1 項(xiàng)決定，存在于分子和分母的系數(shù)A

24、就可對(duì)消，增益可用下式表示這表明 (1-2A-5b)，如果A 非常大，那么電路的增益與A 的精確值無(wú)關(guān)并能夠通過(guò)R1和R2的選擇來(lái)控制。這是運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)的重要特征之一 在信號(hào)作用下，電路的動(dòng)作僅取決于能夠容易被設(shè)計(jì)者改變的外部元件，而不取決于運(yùn)算放大器本身的細(xì)節(jié)特性。注意，如果A=100,000， 而(R1 +R2) /R1=10，那么為此優(yōu)點(diǎn)而付出的代價(jià)是用一個(gè)具有100,000倍電壓增益的器件產(chǎn)生一個(gè)具有10倍增益的放大器。從某種意義上說(shuō)，使用運(yùn)算放大器是以 “能量”為代價(jià)來(lái)?yè)Q取“控制” 。對(duì)各種運(yùn)算放大器電路都可作類似的數(shù)學(xué)分析，但是這比較麻煩，并且存在一些非常有用的捷徑，其涉及目前我

25、們提出的運(yùn)算放大器兩個(gè)定律應(yīng)用。1) 第一個(gè)定律指出：在一般運(yùn)算放大器電路中，可以假設(shè)輸入 端間的電壓為零，也就是說(shuō)，2) 第二個(gè)定律指出：在一般運(yùn)算放大器電路中，兩個(gè)輸入電流可被假定為零：I+=I-=0 第一個(gè)定律是因?yàn)閮?nèi)在增益A的值很大。例，如果運(yùn)算放大器的輸出是1V ，并且A=100,000, 那么 這是一個(gè)非常小、可以忽略的數(shù)，因此可設(shè)U+=U-。第二個(gè)定律來(lái)自于運(yùn)算放大器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)使得基本上沒(méi)有電流流入任何一個(gè)輸入端。B 晶體管 簡(jiǎn)單地說(shuō)，半導(dǎo)體是這樣一種物質(zhì)，它能夠通過(guò)“摻雜”來(lái)產(chǎn)生多余的電子，又稱自由電子（N型）；或者產(chǎn)生“空穴”，又稱正電荷（P型）。由N型摻雜和P型

26、摻雜處理的鍺或硅的單晶體可形成半導(dǎo)體二極管，它具有我們描述過(guò)的工作特性。晶體管以類似的方式形成，就象帶有公共中間層、背靠背的兩個(gè)二極管，公共中間層是以對(duì)等的方式向兩個(gè)邊緣層滲入而得，因此中間層比兩個(gè)邊緣層或邊緣區(qū)要薄的多。PNP 或 NPN (圖 1-2B-1)這兩種結(jié)構(gòu)顯然是可行的。PNP或NPN被用于描述晶體管的兩個(gè)基本類型。因?yàn)榫w管包含兩個(gè)不同極性的區(qū)域（例如“P”區(qū)和“N”區(qū)），所以晶體管被叫作雙向器件，或雙向晶體管因此晶體管有三個(gè)區(qū)域，并從這三個(gè)區(qū)域引出三個(gè)管腳。要使工作電路運(yùn)行，晶體管需與兩個(gè)外部電壓或極性連接。其中一個(gè)外部電壓工作方式類似于二極管。事實(shí)上，保留這個(gè)外部電壓并去掉

27、上半部分，晶體管將會(huì)象二極管一樣工作。例如在簡(jiǎn)易收音機(jī)中用晶體管代替二極管作為檢波器。在這種情況下，其所起的作用和二極管所起的作用一模一樣?？梢越o二極管電路加正向偏置電壓或反向偏置電壓。在加正向偏置電壓的情況下，如圖1-2B-2所示的PNP 晶體管，電流從底部的P極流到中間的N極。如果第二個(gè)電壓被加到晶體管的頂部和底部?jī)蓚€(gè)極之間，并且底部電壓極性相同，那么，流過(guò)中間層N區(qū)的電子將激發(fā)出從晶體管底部到頂部流過(guò)的電流。在生產(chǎn)晶體管的過(guò)程中，通過(guò)控制不同層的摻雜度，經(jīng)過(guò)負(fù)載電阻流過(guò)第二個(gè)電路電流的導(dǎo)電能力非常顯著。實(shí)際上，當(dāng)晶體管下半部為正向偏置時(shí)，底部的P區(qū)就像一個(gè)取之不竭的自由電子源（因?yàn)榈撞康?/p>

28、P區(qū)發(fā)射電子，所以它被稱為發(fā)射極）。這些電子被頂部P區(qū)接收，因此它被稱為集電極，但是流過(guò)這個(gè)特定電路實(shí)際電流的大小由加到中間層的偏置電壓控制，所以中間層被稱為基極。因此，當(dāng)晶體管外加電壓接連正確（圖1-2B-3）后工作時(shí)，實(shí)際上存在兩個(gè)獨(dú)立的“工作”電路。一個(gè)是由偏置電壓源、發(fā)射極和基極形成的回路，它被稱為基極電路或輸入電路；第二個(gè)是由集電極電壓源和晶體管的三個(gè)區(qū)共同形成的電路，它被稱為集電極電路或輸出電路。（注意：本定義僅適用于發(fā)射極是兩個(gè)電路的公共端時(shí)被稱為共發(fā)射極連接。）這是晶體管最常見(jiàn)的連接方式，但是，當(dāng)然也存在其它兩種連接方法 共基極連接和共集電極連接。但是在每一種情況下晶體管的工作

29、原理是相同的。本電路的特色是相對(duì)小的基極電流能控制和激發(fā)出一個(gè)比它大得多的集電極電流(或更恰當(dāng)?shù)卣f(shuō)，一個(gè)小的輸入功率能夠產(chǎn)生一個(gè)比它大得多的輸出功率)。換句話說(shuō)，晶體管的作用相當(dāng)于一個(gè)放大器。在這種工作方式中，基極-發(fā)射極電路是輸入側(cè)；通過(guò)基極的發(fā)射極和集電極電路是輸出側(cè)。雖然基極和發(fā)射極是公共路徑，但這兩個(gè)電路實(shí)際上是獨(dú)立的，就基極電路的極性而言，基極和晶體管的集電極之間相當(dāng)于一個(gè)反向偏置二極管，因此沒(méi)有電流從基極電路流到集電極電路。要讓電路正常工作，當(dāng)然，加在基極電路和集電極電路的電壓極性必須正確（基極電路加正向偏置電壓，集電極電源的連接要保證公共端（發(fā)射極）的極性與兩個(gè)電壓源的極性相同）

30、。這也就是說(shuō)電壓極性必須和晶體管的類型相匹配。在上述的PNP型晶體管中，發(fā)射極電壓必須為正。 因此，基極和集電極相對(duì)于發(fā)射極的極性為負(fù)。PNP 型晶體管的符號(hào)在發(fā)射極上有一個(gè)指示電流方向的箭頭，總是指向基極。（在PNP型晶體管中，“P”代表正） 。在NPN型晶體管中，工作原理完全相同，但是兩個(gè)電源的極性正好相反（圖1-2B-4）。也就是說(shuō)，發(fā)射極相對(duì)于基極和集電極來(lái)說(shuō)極性總是負(fù)的（在NPN型晶體管中，“N”代表負(fù)）。這一點(diǎn)也可以從NPN型晶體管符號(hào)中發(fā)射極上相反方向的箭頭看出來(lái)，即，電流從基極流出。 雖然現(xiàn)在生產(chǎn)的晶體管有上千種不同的型號(hào)，但晶體管各種外殼形狀的數(shù)量相對(duì)有限，并盡量用一種簡(jiǎn)單碼

31、TO（晶體管外形）后跟一個(gè)數(shù)字為統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。TO1是一種最早的晶體管外殼即一個(gè)在底部帶有三個(gè)引腳的圓柱體“外罩”，這三個(gè)引腳在底部形成三角狀。觀看底部時(shí)，“三角形”上面的管腳是基極，其右面的管腳（由一個(gè)彩色點(diǎn)標(biāo)出）為集電極，其左面的管腳為發(fā)射極。集電極引腳到基集引腳的間距也許比發(fā)射極到基集引腳的間距要大 。在其它TO外殼中，三個(gè)引腳可能有類似的三角形形狀（但是基極、集電極和發(fā)射極的位置不一定相同），或三個(gè)引腳排成一條直線。使人容易搞亂的問(wèn)題是同一TO號(hào)碼的子系列產(chǎn)品其管腳位置是不一樣的 。例如，TO92 的三個(gè)管腳排成一條直線，這條直線與半圓型“外罩”的切面平行，觀看TO92的底部時(shí)，將切面沖右

32、，從上往下讀，管腳的排序?yàn)?，2，3。（注 otherwise circular“can”中的otherwise譯為不同的，特殊的。在這里“特殊的圓形外罩”指的應(yīng)該是普通的圓柱體“外罩”在圓平面上畫(huà)一條小于等于直徑的弦，沿軸線方向切入后形成的半或大半圓柱體，切入后形成的剖面就是文中說(shuō)的a flat side ，這也是現(xiàn)在很常見(jiàn)的一種晶體管外殼。） 對(duì)TO92子系列 a (TO92a): 1=發(fā)射極2=集電極 3=基極對(duì)TO92子系列 b (TO92b): 1=發(fā)射極2=基3=集電極更容易使人搞亂的是一些晶體管只有兩個(gè)管腳（第三個(gè)管腳已在里邊和外殼連接）；一些和晶體管的外形很像的外殼底部有三個(gè)以

33、上的管腳。實(shí)際上，這些都是集成電路(ICs)，用和晶體管相同的外殼包裝的，只是看起來(lái)像晶體管。更復(fù)雜的集成電路（ICs） 用不同形狀的外殼包裝，例如平面包裝。根據(jù)外殼形狀非常容易識(shí)別功率晶體管。它們是金屬外殼，帶有延長(zhǎng)的底部平面，底部平面上還有兩個(gè)安裝孔。功率晶體管只有兩個(gè)管腳（發(fā)射極和基極），通常會(huì)標(biāo)明。集電極在內(nèi)部被連接到外殼上，因此，與集電極的連接要通過(guò)一個(gè)裝配螺栓或外殼底面。UNIT 3A邏輯變量與觸發(fā)器邏輯變量我們討論的雙值變量通常叫做邏輯變量，而象或和與這樣的操作被稱為邏輯操作。現(xiàn)在我們將簡(jiǎn)要地討論一下這些術(shù)語(yǔ)之間的關(guān)聯(lián)，并在此過(guò)程中，闡明用標(biāo)示“真”和“假”來(lái)識(shí)別一個(gè)變量的可能值

34、的特殊用途。舉例說(shuō)明， 假設(shè)你和兩個(gè)飛行員在一架空中航行的飛機(jī)中，你在客艙中，而飛行員A和 B在駕駛員座艙中。在某一時(shí)刻，A來(lái)到了你所在的客艙中，你并不擔(dān)心這種變化。然而，假設(shè)當(dāng)你和A 在客艙時(shí)，你抬頭發(fā)現(xiàn)B 也已經(jīng)來(lái)到了你所在的客艙中。基于你的邏輯推理能力，你將會(huì)推斷飛機(jī)無(wú)人駕駛；并且，大概你已聽(tīng)到了警報(bào)，以致使駕駛員之一將迅速對(duì)此緊急情況作出響應(yīng)。換句話說(shuō)，假設(shè)每一位飛行員座位下面有一個(gè)電子裝置，當(dāng)座位上有人時(shí)，其輸出電壓為V1，當(dāng)座位上無(wú)人時(shí)，其輸出電壓為V2?，F(xiàn)在我們用“真”來(lái)代表電壓V2，從而使電壓V1表示“假”。讓我們進(jìn)一步制作一個(gè)帶有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端的電路，此電路的特性是：

35、只要兩個(gè)輸入，即一個(gè)輸入同時(shí)和另一個(gè)輸入相與，結(jié)果為V2時(shí)，輸出電壓才是V2。否則，輸出是V1。最后，讓我們把輸入和飛行員A 和B 座位下的裝置聯(lián)結(jié)起來(lái)，并安裝一個(gè)與輸出Z相連的警鈴，當(dāng)輸出是V2 (“真”)時(shí)響應(yīng)，否則不響應(yīng)。這樣，我們已創(chuàng)建了一個(gè)執(zhí)行與操作的電路，這個(gè)電路能完成當(dāng)兩個(gè)駕駛員確實(shí)都離開(kāi)駕駛艙時(shí)飛機(jī)是無(wú)人駕駛的邏輯推斷。概括一下，情形如下：符號(hào)A、B和Z 代表命題A =飛行員A已離開(kāi)座位為真（T）B = 飛行員B已離開(kāi)座位為真（T）Z = 飛機(jī)無(wú)人駕駛，處于危險(xiǎn)狀況時(shí)為真（T）當(dāng)然， 、 和 分別代表相反的命題。例如， 代表的命題是當(dāng)飛行員離開(kāi)駕駛艙等時(shí)為假（F），以此類推。命

36、題間的關(guān)系可寫(xiě)為 Z=AB (1-3A-1)我們已經(jīng)選擇用電壓來(lái)表示邏輯變量A、 B和Z 。但是必須注意，實(shí)際上式 (1-3A-1) 是命題間的關(guān)系，與我們選擇的表示命題的確切方式無(wú)關(guān)，甚至可以說(shuō)與我們具有的任何物理表示形式無(wú)關(guān)。式(1-3A-1) 指出，如果命題A 和B都為真，那么命題Z就為真，否則命題Z為假。式(1-3A-1)是一個(gè)例子，這種命題代數(shù)被稱為布爾代數(shù)。和其它處理有數(shù)字意義的變量一樣，布爾代數(shù)處理的是命題，而且布爾代數(shù)對(duì)于分析僅有兩個(gè)互反變量的命題之間的關(guān)系是一種有效的工具。SR 觸發(fā)器圖1-3A-1給出的一對(duì)交叉連接的或非門電路被稱為觸發(fā)器。其有一對(duì)輸入端S 和R ，分別代表

37、“置位”和“復(fù)位”。我們不僅用符號(hào)S 和R 標(biāo)明端點(diǎn)，而且指定端點(diǎn)的邏輯電平。因此，通常S=1指的是對(duì)應(yīng)于邏輯電平為1的電壓出現(xiàn)在S 端。相似的，輸出端和相應(yīng)的輸出邏輯電平為Q和 。使用這樣的符號(hào)時(shí)，我們已經(jīng)明確了一個(gè)事實(shí)，即在我們下面將看到的符號(hào)操作中，輸出的邏輯電平是互補(bǔ)的。觸發(fā)器基本的、最重要的特性是其具有“記憶”功能。也就是說(shuō)，設(shè)置S 和R目前的邏輯電平為0和0，根據(jù)輸出的狀態(tài)，即可確定S 和R在其獲得當(dāng)前電平之前的邏輯電平。術(shù)語(yǔ)為方便銜接下面的討論內(nèi)容，介紹一些常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)，這有助于了解邏輯系統(tǒng)設(shè)計(jì)師中慣用的觀點(diǎn)。 在與非和或非門（以及與和或門）中，當(dāng)用其來(lái)達(dá)到我們的設(shè)計(jì)意圖時(shí)，我們能

38、夠任意選擇一個(gè)輸入端，并把其看成是使能-失效輸入，因此可考慮或非或或門。如果被選的一個(gè)輸入為邏輯1，那么門電路的輸出與所有的其它輸入無(wú)關(guān)。這個(gè)被選的輸入可控制門電路，其它所有輸入相對(duì)于這個(gè)門電路是失效的 (術(shù)語(yǔ)“抑制” 的同義詞為“失效”)。相反，如果被選輸入為邏輯0，那么它不能控制門電路，門電路能夠響應(yīng)其它輸入。在與非或與門中，當(dāng)被選輸入為邏輯0時(shí)，此輸入控制并截止門電路，因?yàn)橐粋€(gè)輸入為邏輯0，那么門電路的輸出不能響應(yīng)其它輸入。 注意一方面是或非門和或門間的區(qū)別，另一方面是與非門和與門間的區(qū)別。在第一種情況下，當(dāng)控制輸入轉(zhuǎn)為邏輯1時(shí)，其可獲得門電路的控制；在第二種情況下，當(dāng)控制輸入轉(zhuǎn)為邏輯0

39、時(shí)，其可獲得門電路的控制。在數(shù)字系統(tǒng)中，普遍的觀點(diǎn)是把邏輯0看成一個(gè)基本的、無(wú)干擾的、穩(wěn)定的、靜止的狀態(tài)，把邏輯1看成激勵(lì)的、活躍的、有效的狀態(tài)，就是說(shuō)，這種狀態(tài)是發(fā)生在某種操作動(dòng)作之后。因此，當(dāng)作用已產(chǎn)生時(shí)，其傾向?qū)⑹嵌x最后的狀態(tài)作為對(duì)某邏輯變量已轉(zhuǎn)為1的響應(yīng)。當(dāng)“無(wú)操作發(fā)生” 時(shí)，邏輯變量為邏輯0。類似地，如果作用將通過(guò)邏輯變量的變化產(chǎn)生，那么最好是以這樣的方式定義有關(guān)的邏輯變量，即當(dāng)邏輯變量轉(zhuǎn)為邏輯1時(shí)達(dá)到此效果。在我們對(duì)觸發(fā)器的討論中，將看到持有此種觀點(diǎn)的例子B 二進(jìn)制數(shù)字系統(tǒng)概述大約在1850年由喬治布爾提出的代數(shù)學(xué)中，變量?jī)H允許具有兩個(gè)值，真或假，通常被寫(xiě)為1和0，對(duì)這些變量的代

40、數(shù)運(yùn)算是與、或和非。在1938年，香農(nóng)認(rèn)識(shí)到了此代數(shù)形式和電氣開(kāi)關(guān)系統(tǒng)功能間的相似之處，在這種開(kāi)關(guān)中存在有通-斷兩種狀態(tài)的器件。布爾代數(shù)的推理過(guò)程由充當(dāng)邏輯電路的開(kāi)關(guān)完成。已有大量集成電路可完成脈沖信號(hào)的邏輯操作，這些脈沖信號(hào)采用二進(jìn)制數(shù)字系統(tǒng)，并利用電子器件的關(guān)斷和導(dǎo)通作為二進(jìn)制系統(tǒng)的兩種狀態(tài)。二進(jìn)制數(shù)字系統(tǒng)和其它代碼為了用晶體管直接計(jì)算十進(jìn)制數(shù)，要求晶體管認(rèn)識(shí)這10個(gè)狀態(tài) 0、1、9，此操作要求的精度是電子器件并不具備的。將導(dǎo)通和關(guān)斷作為工作狀態(tài)，這樣的裝置可以在兩態(tài)即二進(jìn)制系統(tǒng)中運(yùn)行，因此數(shù)字計(jì)算機(jī)中的內(nèi)部操作一般采用二進(jìn)制系統(tǒng)。在十進(jìn)制系統(tǒng)中，基數(shù)或底數(shù)為10，小數(shù)點(diǎn)左邊或右邊的每一個(gè)

41、位都表示其權(quán)重增加或減少10的一次冪。在二進(jìn)制系統(tǒng)中，底數(shù)為2，二進(jìn)制小數(shù)點(diǎn)左邊或右邊的位具有的權(quán)重以2的冪次增加或減少。數(shù)字可被編碼為兩個(gè)電平的脈沖串，通常標(biāo)為1或0，如圖1-3B-1所示。1-3B-1b 中的脈沖序列能夠譯為：二進(jìn)制：125 + 024 + 123 + 022 + 12 1 + 120 = 101011十進(jìn)制： 32 + 0 + 8 + 0 + 2 + 1 = 43 相反，在把十進(jìn)制數(shù)43轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制形式的過(guò)程中，可使其連續(xù)被2除。每一次除后所得余數(shù)0或1即是二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)。十進(jìn)制數(shù)43的轉(zhuǎn)化過(guò)程：等價(jià)于十進(jìn)制數(shù)43的二進(jìn)制數(shù)為101011。雖然二進(jìn)制數(shù)僅需兩個(gè)信號(hào)電平，這

42、種簡(jiǎn)化的獲得是以附加的位數(shù)為代價(jià)的。在以r 為底數(shù)的數(shù)制中表示n 位十進(jìn)制數(shù)，需要m 位。其中等式右邊是一個(gè)整數(shù)，或選擇下一個(gè)較大的整數(shù)。對(duì)于一個(gè)10位的十進(jìn)制數(shù)，可得m=33.2 ，因此必須使用34位二進(jìn)制數(shù)。二進(jìn)制位叫作比特。寫(xiě)為0.1101的二進(jìn)制小數(shù)意味著0.1101 = 12 -1 + 12 -2 + 02 -3 + 12 -4= 1/2 + 1/4 + 0 + 1/16二進(jìn)制數(shù)0.1101表示為十進(jìn)制數(shù) = 0.500 + 0.250 + 0.062 = 0.812小于1的十進(jìn)制數(shù)的轉(zhuǎn)換可通過(guò)連續(xù)乘2獲得。對(duì)于結(jié)果在小數(shù)點(diǎn)左邊為1的每一步，記錄二進(jìn)制數(shù)1，然后繼續(xù)計(jì)算所得十進(jìn)制數(shù)的

43、小數(shù)部分。對(duì)于結(jié)果在小數(shù)點(diǎn)左邊為0的每一步，記錄二進(jìn)制位0，然后繼續(xù)計(jì)算。把十進(jìn)制數(shù)0.9375轉(zhuǎn)化為二進(jìn)制數(shù)，運(yùn)算如下：等價(jià)于十進(jìn)制數(shù)0.9375的二進(jìn)制數(shù)可寫(xiě)為0.11110。最高位是第一個(gè)獲得的二進(jìn)制位，放置在二進(jìn)制小數(shù)點(diǎn)的右邊。十進(jìn)制數(shù)0到15的二進(jìn)制等值表為: 給出一串正脈沖和負(fù)脈沖，或正脈沖和零，或者零和負(fù)脈沖來(lái)表示二進(jìn)制的1和0時(shí)，就會(huì)有許多這些脈沖可以傳遞的碼。計(jì)算機(jī)輸入最常見(jiàn)的碼就是BCD碼，每一個(gè)十進(jìn)制數(shù)需要四個(gè)脈沖或二進(jìn)制數(shù)。用此種代碼，每一個(gè)十進(jìn)制位轉(zhuǎn)化為其二進(jìn)制等值數(shù)如上表所示，也就是說(shuō)，十進(jìn)制數(shù)827用BCD碼表示為 1000 0010 0111計(jì)算機(jī)通過(guò)算術(shù)運(yùn)算，

44、能夠容易地把此類輸入轉(zhuǎn)化為純二進(jìn)制形式。解碼器也能夠把BCD碼轉(zhuǎn)化為十進(jìn)制形式。BCD碼在傳輸中不需附加位的情況下，能夠擴(kuò)大到十進(jìn)制數(shù)15， 成為十六進(jìn)制碼，通常使用字母a、 b、 L、f 來(lái)表示10到15。 在某些計(jì)算機(jī)操作中應(yīng)用的另一種碼是八進(jìn)制或8為底數(shù)的數(shù)制。采用的符號(hào)為0、1、2L、7，十進(jìn)制數(shù)24可被寫(xiě)為八進(jìn)制數(shù)30(381 +080)。八進(jìn)制數(shù)字的二進(jìn)制譯碼僅需要BCD表中三個(gè)最小的有效位，八進(jìn)制數(shù)30的二進(jìn)制譯碼為011 000。因?yàn)槭M(jìn)制數(shù)24用純二進(jìn)制形式可寫(xiě)為11000 ，用八進(jìn)制譯碼形式可寫(xiě)為011 000，所以需要指出二進(jìn)制數(shù)字轉(zhuǎn)換為八進(jìn)制數(shù)字的簡(jiǎn)易方法。以三個(gè)位為一

45、組劃分二進(jìn)制數(shù)，每一組顯示為一個(gè)等值的八進(jìn)制譯碼數(shù)，例如，十進(jìn)制數(shù)1206以二進(jìn)制表示為10010110110，以三個(gè)位為一組，可得：二進(jìn)制： 010 010 110 110八進(jìn)制：2 2 6 6八進(jìn)制數(shù)是2266。通過(guò)使用導(dǎo)電塊上的電刷，光學(xué)讀卡機(jī)或碼盤，經(jīng)常用格雷碼將角位移或直線位移轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)。由于組合誤差，不能同時(shí)變化兩個(gè)數(shù)位以免產(chǎn)生不確定性。設(shè)計(jì)的格雷碼就是為了解決此問(wèn)題，其在二進(jìn)制數(shù)的每一步變換中，僅需變化一個(gè)位。此碼的一種形式是其它一些碼被設(shè)計(jì)來(lái)降低傳輸誤差，在這些碼中將1變?yōu)?或?qū)?變?yōu)?。通常，檢測(cè)單一誤差的代碼可通過(guò)把檢驗(yàn)位與原始碼相加獲得。合成碼將有偶數(shù)個(gè)或奇數(shù)個(gè)1，這

46、些碼被稱為偶數(shù)奇偶校驗(yàn)碼或奇數(shù)奇偶校驗(yàn)碼，例如0000 的奇數(shù)奇偶校驗(yàn)碼將是10000；在任何位的誤差將使結(jié)果具有偶數(shù)個(gè)1，接收裝置將會(huì)進(jìn)行校正。多重誤差可通過(guò)更為復(fù)雜的代碼形式探測(cè)UNIT4 A 功率半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成了現(xiàn)代電力電子設(shè)備的核心。它們以通-斷開(kāi)關(guān)矩陣的方式被用于電力電子轉(zhuǎn)換器中。開(kāi)關(guān)式功率變換的效率更高?，F(xiàn)今的功率半導(dǎo)體器件幾乎都是用硅材料制造，可分類如下：二極管晶閘管或可控硅雙向可控硅門極可關(guān)斷晶閘管雙極結(jié)型晶體管電力金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管靜電感應(yīng)晶體管絕緣柵雙極型晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體控制的晶閘管集成門極換向晶閘管二極管電力二極管提供不可控的整流電源，這些電

47、源有很廣的應(yīng)用，如：電鍍、電極氧化、電池充電、焊接、交直流電源變頻驅(qū)動(dòng)。它們也被用于變換器和緩沖器的回饋和慣性滑行功能。典型的功率二極管具有P-I-N結(jié)構(gòu)，即它幾乎是純半導(dǎo)體層（本征層），位于P-N結(jié)的中部以阻斷反向電壓。圖1-4A-1給出了二極管符號(hào)和它的伏安特性曲線。在正向偏置條件下，二極管可用一個(gè)結(jié)偏置壓降和連續(xù)變化的電阻來(lái)表示，這樣可畫(huà)出一條斜率為正的伏安特性曲線。典型的正向?qū)▔航禐?.0伏。導(dǎo)通壓降會(huì)引起導(dǎo)通損耗，必須用合適的吸熱設(shè)備對(duì)二極管進(jìn)行冷卻來(lái)限制結(jié)溫上升。在反向偏置條件下，由于少數(shù)載流子的存在，有很小的泄漏電流流過(guò)，泄漏電流隨電壓逐漸增加。如果反向電壓超過(guò)了臨界值，叫做擊

48、穿電壓，二極管雪崩擊穿，雪崩擊穿指的是當(dāng)反向電流變大時(shí)由于結(jié)功率損耗過(guò)大造成的熱擊穿。電力二極管分類如下:標(biāo)準(zhǔn)或慢速恢復(fù)二極管快速恢復(fù)二極管肖特基二極管 晶閘管閘流管或可控硅一直是工業(yè)上用于大功率變換和控制的傳統(tǒng)設(shè)備。50年代后期，這種裝置的投入使用開(kāi)辟了現(xiàn)代固態(tài)電力電子技術(shù)。術(shù)語(yǔ)“晶閘管”來(lái)自與其相應(yīng)的充氣管等效裝置，閘流管。通常，晶閘管是個(gè)系列產(chǎn)品的總稱，包括可控硅、雙向可控硅、門極可關(guān)斷晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體控制的晶閘管、集成門極換向晶閘管。晶閘管可分成標(biāo)準(zhǔn)或慢速相控型，快速開(kāi)關(guān)型，電壓回饋逆變器型。逆變器型現(xiàn)已淘汰。圖1-4A-2給出了晶閘管符號(hào)和它的伏安特性曲線?；旧?，晶閘管是一

49、個(gè)三結(jié)P-N-P-N 器件，器件內(nèi)P-N-P 和N-P-N 兩個(gè)三極管按正反饋方式連接。晶閘管可阻斷正向和反向電壓（對(duì)稱阻斷）。當(dāng)陽(yáng)極為正時(shí)，晶閘管可由一個(gè)短暫的正門極電流脈沖觸發(fā)導(dǎo)通；但晶閘管一旦導(dǎo)通，門極即失去控制晶閘管關(guān)斷的能力。晶閘管也可由陽(yáng)極過(guò)電壓、陽(yáng)極電壓的上升率（dv/dt）、結(jié)溫的上升、PN結(jié)上的光照等產(chǎn)生誤導(dǎo)通。在門電流IG = 0時(shí)，如果將正向電壓施加到晶閘管上，由于中間結(jié)的阻斷會(huì)產(chǎn)生漏電流；如果電壓超過(guò)臨界極限（轉(zhuǎn)折電壓），晶閘管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。隨著門極控制電流IG 的增加，正向轉(zhuǎn)折電壓隨之減少，最后，當(dāng)門極控制電流IG= IG3時(shí)，整個(gè)正向阻斷區(qū)消失，晶閘管的工作狀態(tài)就和

50、二極管一樣了。在晶閘管的門極出現(xiàn)一個(gè)最小電流，即阻塞電流，晶閘管將成功導(dǎo)通。 在導(dǎo)通期間，如果門極電流是零并且陽(yáng)極電流降到臨界極限值以下，稱作維持電流，晶閘管轉(zhuǎn)換到正向阻斷狀態(tài)。相對(duì)反向電壓而言，晶閘管末端的P-N 結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。現(xiàn)在的晶閘管具有大電壓（數(shù)千伏）、大電流（數(shù)千安）額定值。雙向可控硅雙向可控硅有復(fù)雜的復(fù)結(jié)結(jié)構(gòu)，但從功能上講，它是在同一芯片上一對(duì)反并聯(lián)的相控晶閘管。圖1-4A-3給出了雙向可控硅的符號(hào)。在電源的正半周和負(fù)半周雙向可控硅通過(guò)施加門極觸發(fā)脈沖觸發(fā)導(dǎo)通。在+工作方式，T2端為正，雙向可控硅由正門極電流脈沖觸發(fā)導(dǎo)通。在-工作方式，T1端為正，雙向可控硅由負(fù)門極電流脈沖

51、觸發(fā)導(dǎo)通雙向可控硅比一對(duì)反并聯(lián)的晶閘管便宜和易于控制，但它的集成結(jié)構(gòu)有一些缺點(diǎn)。由于少數(shù)載流子效應(yīng)，雙向可控硅的門極電流敏感性較差，關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)。由于同樣的原因，重復(fù)施加的dv/dt 額定值較低，因此用于感性負(fù)載比較困難。雙向可控硅電路必須有精心設(shè)計(jì)的RC 沖器。雙向可控硅用于電燈的亮度調(diào)節(jié)、加熱控制、聯(lián)合型電機(jī)驅(qū)動(dòng)、50/60赫茲電源頻率的固態(tài)繼電器。門極可關(guān)斷晶閘管門極可關(guān)斷晶閘管，顧名思義，是一種晶閘管類型的器件。同其他晶閘管一樣，它可以由一個(gè)小的正門極電流脈沖觸發(fā)，但除此之外，它還能被負(fù)門極電流脈沖關(guān)斷。GTO 的關(guān)斷能力來(lái)自由門極轉(zhuǎn)移P-N-P 集電極的電流，因此消除P-N-PN-P

52、-N 的正反饋效應(yīng)。GTO 有非對(duì)稱和對(duì)稱電壓阻斷兩種類型，分別用于電壓回饋和電流回饋?zhàn)儞Q器。 GTO 的阻斷電流增益定義為陽(yáng)極電流與阻斷所需的負(fù)門極電流之比，典型值為4或5，非常低。這意味著6000安培的GTO 需要1,500安培的門極電流脈沖。但是，脈沖化的門極電流和與其相關(guān)的能量非常小，用低壓電力MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供非常容易。GTO被用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器和大容量AC/DC 電源。大容量GTO的出現(xiàn)取代了強(qiáng)迫換流、電壓回饋的可控硅換流器。圖1-4A-4給出了GTO的符號(hào)。電力MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管與以前討論的器件不同，電力MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種單極、多數(shù)載流子、“零結(jié)”、電壓控制器

53、件。圖1-4A-5給出了N型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的符號(hào)如果柵極電壓為正并且超過(guò)它的門限值，N 型溝道將被感應(yīng)，允許在漏極和源極之間流過(guò)由多數(shù)載流子（電子）組成的電流。雖然柵極阻抗在穩(wěn)態(tài)非常高，有效的柵源極電容在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)脈沖電流。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管有不對(duì)稱電壓阻斷能力，如圖所示內(nèi)部集成一個(gè)通過(guò)所有的反向電流的二極管。二極管具有慢速恢復(fù)特性，在高頻應(yīng)用場(chǎng)合下通常被一個(gè)外部連接的快速恢復(fù)二極管旁路。 雖然對(duì)較高的電壓器件來(lái)說(shuō)，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管處于導(dǎo)通時(shí)損耗較大，但它的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間非常小，因而開(kāi)關(guān)損耗小。它確實(shí)沒(méi)有與雙極性器件相關(guān)的少數(shù)載流子存儲(chǔ)延遲問(wèn)題。雖然在靜態(tài)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管可

54、由電壓源來(lái)控制，通常的做法是在動(dòng)態(tài)由電流源驅(qū)動(dòng)而后跟隨一個(gè)電壓源來(lái)減少開(kāi)關(guān)延遲。 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在低壓、小功率和高頻（數(shù)十萬(wàn)赫茲）開(kāi)關(guān)應(yīng)用等領(lǐng)域得到極其廣泛的應(yīng)用。譬如開(kāi)關(guān)式電源、無(wú)刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和固態(tài)直流繼電器。絕緣柵雙極型晶體管在20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)的絕緣柵雙極型晶體管是功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷史上的一個(gè)重要里程碑。它們?cè)谥械裙β剩〝?shù)千瓦到數(shù)兆瓦）的電力電子設(shè)備上處處可見(jiàn)，被廣泛用于直流/交流傳動(dòng)和電源系統(tǒng)。它們?cè)跀?shù)兆瓦功率級(jí)取代了雙極結(jié)型晶體管，在數(shù)千瓦功率級(jí)正在取代門極可關(guān)斷晶閘管。IGBT 基本上是混合的MOS 門控通斷雙極性晶體管，它綜合了MOSFET 和BJT 的優(yōu)

55、點(diǎn)。它的結(jié)構(gòu)基本上與MOSFET 的結(jié)構(gòu)相似，只是在MOSFET 的N+漏極層上的集電極加了一個(gè)額外的P+層。 IGBT有MOSFET 的高輸入阻抗和像BJT 的導(dǎo)通特性。如果門極電壓相對(duì)于發(fā)射極為正，P 區(qū)的N 型溝道受到感應(yīng)。這個(gè)P-N-P 晶體管正向偏置的基極發(fā)射極結(jié)使IGBT導(dǎo)通并引起 N區(qū)傳導(dǎo)性調(diào)制，這使得導(dǎo)通壓降大大低于MOSFET 的導(dǎo)通壓降。在導(dǎo)通條件下，在IGBT 的等效電路中，驅(qū)動(dòng)器MOSFET 運(yùn)送大部分的端子電流。由寄生N-P-N 晶體管引起的與晶閘管相似的阻塞作用通過(guò)有效地減少P+層電阻系數(shù)和通過(guò)MOSFET 將大部分電流轉(zhuǎn)移而得到預(yù)防。IGBT通過(guò)減小門極電壓到零或

56、負(fù)電壓來(lái)關(guān)斷，這樣就切斷了P 區(qū)的導(dǎo)通通道。IGBT比BJT 或MOSFET 有更高的電流密度。IGBT 的輸入電容(Ciss)比MOSFET 的要小得多。還有，IGBT的門極集電極電容與門極發(fā)射極電容之比更低，給出了改善的密勒反饋效應(yīng)。金屬氧化物半導(dǎo)體控制的晶閘管金屬氧化物半導(dǎo)體控制的晶閘管(MCT)，正像名字所說(shuō)的那樣，是一種類似于晶閘管，通過(guò)觸發(fā)進(jìn)入導(dǎo)通的混合器件，它可以通過(guò)在MOS 門施加一個(gè)短暫的電壓脈沖來(lái)控制通斷。MCT 具有微單元結(jié)構(gòu)，在那里同一個(gè)芯片上數(shù)千個(gè)微器件并聯(lián)連接。單元結(jié)構(gòu)有點(diǎn)復(fù)雜。 圖1-4A-7 給出了MCT 的符號(hào)。它由一個(gè)相對(duì)于陽(yáng)極的負(fù)電壓脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，由一個(gè)相對(duì)于陽(yáng)極的正電壓脈沖控制關(guān)斷。MCT 具有類似晶閘管的P-N-P-N 結(jié)構(gòu)，在那里P-N-P 和N-P-N 兩個(gè)晶體管部件連接成正反饋方式。但與晶閘管不同的是MCT只有單極（或不對(duì)稱）電壓阻斷能力。如果MCT 的門極電壓相對(duì)于陽(yáng)極為負(fù)，在P 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的P 溝道受到感應(yīng)，使N-P-N 晶體管正向偏置。這也使 P-N-P 晶體正向偏置，由正反饋效應(yīng)