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1、操作手冊(cè)LPS 1 等離子體發(fā)射源生產(chǎn)商：Roth & Rau AGGewerbering 3D-09337 Hohenstein-Ernstthal OT WuestenbrandGermany目錄1 安全指示 31.1 介紹 31.2 安全標(biāo)志 32 描述 42.1 概要 42.2 線型微波等離子體發(fā)射源類型 52.3 線型微波等離子體的產(chǎn)生 63 技術(shù)數(shù)據(jù) 93.1 概要93.2 性能103.3 電氣數(shù)據(jù) 103.4 連接103.4.1 氣體連接103.4.2 水路連接104 組裝115 設(shè)備維護(hù)125.1 石英管的拆卸 135.2 沉積罩的拆卸 155.3 等離子體發(fā)射源的清洗 165

2、.4 沉積罩的替換 175.5 玻璃石英管的替換 175.6 安全性能 216 備配件226.1 介紹 226.2 備配件清單 227 推薦備配件 27配圖目錄圖 1：線型微波的圖解和部件圖 4圖 2：線型微波等離子體發(fā)射源的工作原理5圖 3：配備一個(gè)石英管的 LPS1型微波等離子體發(fā)射源的典型斷面圖 5圖 4：線型微波等離子體產(chǎn)生的原理 6圖 5：以時(shí)間為函數(shù)的典型的脈沖微波 7圖 6：覆膜均勻性和沉積率的獨(dú)立控制效果示意圖8圖7： SiNA型LPS1等離子體發(fā)射源的尺寸圖9圖8： SiNA型LPS1線型等離子體發(fā)射源 11圖9： SiNA系統(tǒng)中整合的小型微波發(fā)射頭（ MW head）13圖

3、 10：在工作位置和維護(hù)位置配有銅質(zhì)天線的小型微波發(fā)射頭 13圖 11：完整的等離子體發(fā)射源（左圖）和沒有橫向沉積罩的等離子體發(fā)射源（右圖）14圖 12：卡口鎖定機(jī)械裝置 14圖 13：設(shè)備維護(hù)位置時(shí)的卡口鎖定機(jī)械裝置 14圖 14：防護(hù)罩固定器專用的特殊工具（左圖）設(shè)備維護(hù)和工藝操作時(shí)的位置 15圖 15：關(guān)閉的氨氣吹淋噴頭孔（左圖）部分關(guān)閉的硅烷氣體吹淋噴頭孔（右圖）16圖 16：工藝反應(yīng)倉(cāng)倉(cāng)壁上的微波發(fā)射頭法蘭接口 16圖 17：所有裝配部件的正確順序17圖 18：鋁質(zhì)罩帽中的裝配部件18圖 19：將石英管擠壓進(jìn)準(zhǔn)備好的鋁質(zhì)罩帽18圖 20：完整的石英管的剖面圖18圖 21：準(zhǔn)備好的微波

4、傳送系統(tǒng)19圖 22：完整的微波傳送系統(tǒng)19圖 23：帶有環(huán)形封口的鋁制罩帽20圖24： SiNA系統(tǒng)中卡口密封處作為氣體泄露指示標(biāo)志的SiO沉積層 20配表目錄表 1：安全符號(hào)的描述 3表2：不同等離子體長(zhǎng)度（ 0.1mbar ）的Si 3N4沉積所用的典型的微波功率（ MW-Powe）r 7 表 3：裝配部件的功能表 17表 4：石英玻璃管的規(guī)格 19表 5：備配件清單 22 表 6：補(bǔ)充的推薦備配件清單 271 安全指示1.1 介紹該手冊(cè)包含了 LPS1線型微波等離子體發(fā)射源的安裝，操作和維護(hù)的指導(dǎo)。在安裝和調(diào)試 LPS1 之前請(qǐng)仔細(xì) 閱讀該手冊(cè)。1.2 安全標(biāo)志這個(gè)標(biāo)志表明有微波輻射的

5、風(fēng)險(xiǎn)微波泄漏極限根據(jù)最新的科學(xué)研究以及目前各個(gè)國(guó)家正在進(jìn)行的調(diào)查總結(jié)， 在正常的 操作條件下，任何可與人接近的部件在5厘米距離之內(nèi)的微波密度不得超過5毫瓦 /平方厘米（ 5Mw/cm2）的強(qiáng)度。50厘米以上的距離范圍也不能超過這個(gè)極限值。警告 !這個(gè)標(biāo)志表明有熱的表面警告 !這個(gè)標(biāo)志表明有電擊的風(fēng)險(xiǎn)佩戴安全護(hù)目鏡！注意安全！穿著安全手套！注意安全！佩戴防護(hù)面具！2 描述2.1 概要 由于電子空穴對(duì)再次結(jié)合而造成的硅片表面的缺陷被一層薄薄的氮化硅所覆蓋（鈍化）后可以增加太陽能 電池的效率。 氮化硅層的硬度，化學(xué)穩(wěn)定性和沉積作用過程中形成的反射指數(shù)梯度使其成為電池片的具有保護(hù)性能的減 反射膜。微波

6、等離子體具有一些顯著而突出的等離子體特性，如當(dāng)離子和電子層低于10 個(gè)電子伏特（ eV）時(shí)的高帶電性水平（ high charge carrier concentrations ），這種等離子十分適合于需要不能有明顯離子沖擊的薄膜 沉積技術(shù)。多晶硅電池片表面的等離子沉積的鈍化的 Si3N4 層在離子沖擊過程中不會(huì)引起表面的缺陷就是一個(gè)很好 的例子。原理上說，在大規(guī)模等離子生產(chǎn)中有四種方法介入等離子體。（ 1） 通過喇叭形天線傳送微波至等離子體（ 2） 通過電介質(zhì)窗將微波傳送至等離子體（3）通過一套 /4 天線將微波傳送至等離子體（ 4） 通過同軸石英管將微波傳送至等離子體 前三種方法在明確的本

7、身的位置將微波傳送至等離子體，因此相同性質(zhì)下的大規(guī)模等 離子體只能在距離微波輸入很遠(yuǎn)的距離內(nèi)觀察。同軸系統(tǒng)激活在石英管上的表面波，可以產(chǎn)生高度均勻的微波等離子體。這樣可以在 幾米范圍內(nèi)產(chǎn)生線型尺寸的大規(guī)模微波等離子體。該優(yōu)勢(shì)技術(shù)應(yīng)用在 Roth&Rau公司的 SiNA的 in-line 系列上，我公司使用的是 LPS1型線型 微波等離子體發(fā)射源。圖1：線型微波的圖解和部件圖英文注釋見第 6章中的備配件清單）2.2 線型微波等離子體發(fā)射源類型 圖2表現(xiàn)的是一個(gè)典型的線型微波等離子體發(fā)射源，在科技文獻(xiàn)中常被稱為“二極等離子線” ( Duo-Plasmaline )，因?yàn)樵摪l(fā)射源的兩端各有一個(gè)微波發(fā)

8、射器。圖2：線型微波等離子體發(fā)射源的工作原理寬度為 100mm,長(zhǎng)度達(dá)到 1m(等離子體發(fā)射源的長(zhǎng)度)，這是這種等離子體的典型尺寸，就像圖2所示，基片懸掛(或躺在上面取決于所使用的系統(tǒng))在載片器上經(jīng)過等離子體并達(dá)到完美的均勻性。安 置2個(gè)或更多的線型等離子體發(fā)射源平行排列在一起可以還可以獲得更高的沉積率。然而，由于所需載片傳送系統(tǒng)的特點(diǎn)，多等離子體發(fā)射源的寬度受到一定的限制，解決對(duì)于包含在石 英管內(nèi)的線型等離子體發(fā)射源的這個(gè)問題一個(gè)好的折衷方法可以在圖3中顯示出來。圖 3：配備一個(gè)石英管的 LPS1型微波等離子體發(fā)射源的典型斷面圖在科技文獻(xiàn)中所描述的 LPS1型等離子體發(fā)射源和“等離子體線”式

9、發(fā)射源之間最大的區(qū)別是前者附加 的磁力系統(tǒng)，這為發(fā)射源帶來了兩個(gè)方面的優(yōu)勢(shì)。1) 等離子體倉(cāng)壁上所產(chǎn)生的電磁吸持(magnetic confinement )減少了帶電的微粒( charged particle )而盡可能地增加了等離子體的磁通量。2) 盡管磁場(chǎng)的強(qiáng)度與 ECR狀態(tài)( 87mT)有很大距離 ,但它還是大大增強(qiáng)和穩(wěn)定了石英管外部的導(dǎo)體等離子體。2.3 線型微波等離子體的產(chǎn)生 這些發(fā)射源產(chǎn)生均勻的線型等離子體的過程并不是表面上那么簡(jiǎn)單，如圖4所示。圖4：線型微波等離子體產(chǎn)生的原理圖4表現(xiàn)的是等離子體帶電體密度( Charge Carrier density)n(z) 是如何取決于

10、Z- 方向(等離子體軸)中等離子體發(fā)射源兩端輸入微波功率的量。首先，我們考慮當(dāng)只有左微波發(fā)射器打開至微波功率P1位置時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)在等離子體密度 n1(z) 會(huì)產(chǎn)生微波密度的線性的衰減，那是因?yàn)檠刂⒐芊较驎?huì)有微波功率的損耗。同樣的，在只有右微波發(fā)射器打開至 微波功率 P2位置時(shí)也會(huì)有同樣的現(xiàn)象發(fā)生。如果左右兩個(gè)微波發(fā)射器同時(shí)打開，所產(chǎn)生的微波密度 n(z) 將是兩個(gè)密度曲線之和。 現(xiàn)在讓我們研究一下圖 4所示的情況。單個(gè)微波發(fā)射器本身不能產(chǎn)生完全覆蓋整個(gè)石英管長(zhǎng)度的等離子曲線的，因此總的等離子曲線不均等同于 兩個(gè)等離子曲線之和。如圖 4a)所示， P1+P2 Popt兩端的微波功率必須持續(xù)增加

11、直到達(dá)到圖 4b)中所示的情況 (P1+P2 Popt )，這樣才能達(dá)到總的等離子曲 線的均等。而如果兩端的微波功率繼續(xù)增加將會(huì)導(dǎo)致微波系統(tǒng)中產(chǎn)生更多過量的微波。因此， 輸入的微波功率是由所選擇的工藝氣體和石英管的長(zhǎng)度決定的，表 2總結(jié)了所需的微波功率 （見峰值功率，Ppeak ）I=400-600mmI=600-800mmI=800-1000mm微波峰值功率（kW）2.22.93.5平均微波功率（kW）1.11.51.8允許最高平均微 波功率（ kW）2.02.53.0表2：不同等離子體長(zhǎng)度（ 0.1mbar ）的Si3N4沉積所用的典型的微波功率（ MW-Powe）r 根據(jù)表 2所示， 1

12、米長(zhǎng)的線型等離子體發(fā)射源兩端各需要最高將近4kW的微波功率，然而這大大超過了一個(gè)石英管所能允許的最大微波功率的值（石英管會(huì)有熱變形的風(fēng)險(xiǎn)）。 為了解決這個(gè)問題，我們應(yīng)用了微波脈沖（ pulsed microwaves ）的概念，圖 5 顯示了新型的 MUEGGE 電 子公司（德國(guó)）發(fā)明的新型的微波發(fā)射器所產(chǎn)生的典型的脈沖式微波。圖5：以時(shí)間為函數(shù)的典型的脈沖微波 等離子體打開的時(shí)間以 ton 表示，關(guān)閉的時(shí)間以 toff 表示，由于這些時(shí)間均可以毫秒計(jì)算， 因此可以產(chǎn)生 1Hz 到 1000Hz 之間的脈沖頻率。而典型的脈沖頻率為 50Hz或 100Hz。微波峰值功率 Ppeak 的計(jì)算值是在

13、產(chǎn)生一個(gè)均等的等離子體的效果下特定的值（見圖 4 的討論）。為了控 制沉積率，微波功率的平均值可以根據(jù)不同的脈沖時(shí)間而變化。此外，通過這個(gè)方法可以保證在相對(duì)較高 的峰值功率水平下，微波功率的平均值可以保持在石英管發(fā)熱極限之下。公式 2 就說明對(duì)應(yīng)的微波功率的 平均值。圖6表現(xiàn)了該效果。 圖6左邊的圖表現(xiàn)了的以下情況下沿著發(fā)射源軸向的Si 3N4的曲線分布：Ppeak =2 800W, 相關(guān)于圖 4a） ，（ P1+P2 Popt）Ppeak =2 1600W,相關(guān)于圖 4b） ，（ P1+P2= Popt）當(dāng)處于最優(yōu)化的微波功率的平均值，即 2 1600W，之時(shí)，就能達(dá)到均勻的等離子沉 積。圖

14、 6右邊的圖顯示了在給定的條件下， 即50Hz的頻率下， 如何通過改變微波脈沖的長(zhǎng)度來控制沉積率（左圖：以Si 3N4層薄膜厚度的曲線分布函數(shù)的微波峰值功率）（右圖：以Si 3N4沉積率為函數(shù)的平均微波功率， 50Hz條件下）圖6：覆膜均勻性和沉積率的獨(dú)立控制效果示意圖3 技術(shù)數(shù)據(jù)3.1 概要SiNA系列的 LPS1:尺寸：重量： 建議冷卻水流量： 建議冷卻水壓力：1163 x 237 x 184 mm 大約 32kg2.6 lmin 1 （進(jìn)水溫度為 20oC ）5-6bar圖 7： SiNA型LPS1等離子體發(fā)射源的尺寸圖3.2 性能SiNA系列的 LPS1: 沉積長(zhǎng)度：（取決于所使用的等

15、離子體發(fā)射源） 沉積寬度：（取決于所使用的工藝參數(shù)） 沉積率：（取決于所使用的工藝參數(shù)） 工藝操作壓力：（取決于所使用的工藝參數(shù)）3.3 電氣數(shù)據(jù)微波發(fā)射器（ MW）的額定功率： 微波發(fā)射器（ MW）的額定電壓：3.4 連接3.4.1 氣體連接600mm200mm18-45nm/min0.08-0.4mbar4kW（脈沖）或400V（功率），2kW（直流）220V（控制）工藝氣體硅烷（ SiH 4）氨氣（ NH 3）3.4.2 水連接冷卻水 進(jìn)水 出水接頭套管式氣體管道連接（ ?英寸直徑） 接頭套管式氣體管道連接（ ?英寸直徑）接頭套管式水管連接（ 8mm 直徑） 接頭套管式水管連接（ 8mm

16、 直徑）沉積罩前沉積罩冷卻水供應(yīng)（進(jìn)水口） 冷卻水供應(yīng)（出水口） 氣體供應(yīng)（氨氣）4 組裝圖 8顯示的是 LPS1（ SiNA系列的線型等離子體發(fā)射源， Linear Plasma Source SiNA M）的基本結(jié)構(gòu)。氣體供應(yīng)（硅烷） 氣體供應(yīng)（硅烷） 硅烷氣體吹淋頭 冷卻水系統(tǒng) 磁力系統(tǒng)圖 8：SiNA型 LPS1線型等離子體發(fā)射源5 設(shè)備維護(hù)5.1 石英管的拆卸工藝反應(yīng)時(shí)間（或沉積反應(yīng)時(shí)間）之后，一層1 2mm厚的氮化硅層（ SiN）在硅片表面生長(zhǎng)出來，由此改變了耦合條件和沉積性能（沉積率降低）我們建議在 30 40 小時(shí)后更換石英管，玻璃石英管的拆卸按照如下步驟：（ 1） 將微波發(fā)射

17、頭上相關(guān)的蓋子拆開圖 9：SiNA系統(tǒng)中整合的小型微波發(fā)射頭（ MW head）（ 2） 將微波連接器一端的銅質(zhì)天線向外拔出 80mm后即可挪開該天線（見圖 10 的右圖）圖 10：在工作位置和維護(hù)位置配有銅質(zhì)天線的小型微波發(fā)射頭3）將橫向的沉積罩向上移開 圖 11 ：完整的等離子體發(fā)射源（左圖）和沒有橫向沉積罩的等離子體發(fā)射源（右圖）（ 4） 順時(shí)針方向打開快速釋放卡口鎖定裝置（使用特殊的工具見等離子體發(fā)射 源操作手冊(cè)）卡口鎖定機(jī)械裝置（ 5） 將卡口鎖定裝置拉出夾口（法蘭盤）圖 13 ：設(shè)備維護(hù)位置時(shí)的卡口鎖定機(jī)械裝置（ 6） 向上取出石英管部件（帶有全部的附屬部件）5.2 沉積罩的拆卸有

18、時(shí)當(dāng)?shù)入x子體發(fā)射源的沉積罩嚴(yán)重污染時(shí)，為了更換相關(guān)的沉積罩或拆卸加以清洗（使用混合了異丙醇C3H7OH的噴沙 &超聲波清洗）。以下的步驟顯示了如何 拆卸沉積罩（ 1） 使用真空吸塵器將所有微粒清除干凈（ 2） 使用特殊的工具將沉積罩的固定器旋轉(zhuǎn) 90度（這種方法下的沉積罩的固定器和固定槽是上下位置 的）圖14：防護(hù)罩固定器專用的特殊工具（左圖）設(shè)備維護(hù)和工藝操作時(shí)的位置（ 3） 向上拆開沉積罩（ 4） 清洗或更換新的沉積罩，（見等離子體發(fā)射源操作手冊(cè)之備配件）（ 注意！ 清洗沉積罩時(shí)所選擇的噴沙壓力要適中，不得使沉積罩發(fā)生彎曲。）（ 5） 之后，使用抹布和異丙醇清除所有的微粒5.3 等離子體發(fā)

19、射源的清洗 等離子體發(fā)射源需要定期維護(hù)，特別是出氣口的氣孔會(huì)附著物質(zhì)。以下步驟顯示 如何清洗等離子體發(fā)射源和氣體吹淋口。（1）使用真空吸塵器將所有微粒清除干凈（2）使用金屬線刷或砂紙清洗嚴(yán)重污染的不能拆卸的部件， 使用真空吸塵器清除 過程中產(chǎn)生的灰塵。（3）每天檢查氣體吹淋口所有的氣孔（ 1mm直徑）是否通暢，如果有堵塞，使用 1mm的鉆孔機(jī)或針頭刺透氣孔。（4）如果情況較為嚴(yán)重， 需要松開氣體吹淋頭的固定螺絲將其拆卸， 氣體連接部 分另外清洗或加以更換。圖 15 ：關(guān)閉的氨氣吹淋噴頭孔（左圖）部分關(guān)閉的硅烷氣體吹淋噴頭孔（右圖）（5）之后，使用真空吸塵器清洗氣體吹淋口（6）將氣體吹淋頭末端的

20、 M6螺絲打開（7）從外向內(nèi)用壓縮氣體將氣體吹淋頭內(nèi)部的灰塵吹出或者從內(nèi)向外用純氮?dú)?吹出灰塵（8）使用真空吸塵器清洗一側(cè)的表面法蘭盤并用抹布和異丙醇密封表面 （注意！ 卡口鎖定連接器和法蘭盤之間的尺寸咬合公差只有0.1 0.2mm。）（9）如果層從卡口鎖定架或橫向工藝倉(cāng)罩上脫落將會(huì)導(dǎo)致擦傷和損傷卡口鎖定 裝置和法蘭盤圖 16：工藝反應(yīng)倉(cāng)倉(cāng)壁上的微波發(fā)射頭法蘭接口5.4 沉積罩的替換替換新的或清洗過的沉積罩的步驟與 5.2 中拆卸沉積罩 的步驟相反。5.5 玻璃石英管的替換 替換玻璃石英管需要按照以下步驟拆卸多個(gè)密封件和固定件，將它們按照正確的順序 安裝在新的石英管（規(guī)格見表 4）上。圖 17

21、 ：所有裝配部件的正確順序表 3 列出的是所有附件的功能部件描述功能A卡口鎖定式機(jī)械裝置快速釋放裝置，將力傳到至密封套件B鋁制環(huán)型止推軸 Thrust Collar保持卡口鎖定裝置向密封套件傳送的力比較均衡一致C聚四氟乙烯 PTFE Thrust Collar當(dāng)卡口鎖定裝置旋轉(zhuǎn)時(shí)防止扭矩力傳送到石英管上引起扭曲D聚氯丁橡膠 Viton O 型密封圈真空密封E聚四氟乙烯 PTFE 環(huán)型止推軸 ThrustCollar當(dāng)卡口鎖定裝置旋轉(zhuǎn)時(shí)防止扭矩力傳送到石英管上引起扭曲F聚氯丁橡膠 Viton O 型密封圈真空密封G玻璃石英管向外傳送微波能量H銅質(zhì)內(nèi)導(dǎo)軸微波導(dǎo)體I聚四氟乙烯 PTFE托盤固定銅質(zhì)內(nèi)

22、導(dǎo)軸（注意，提供兩種不同厚度的托盤以供不同長(zhǎng)度的玻璃石英管使用）K銅罩將所有部件罩住L聚氯丁橡膠 Viton O 型密封圈真空密封表 3 ：裝配部件的功能表1）檢查所有密封件是否適合真空操作（如果需要替換備配件）2）清洗后將所列出的部件插入銅罩中圖 18：鋁質(zhì)罩帽中的裝配部件3）用異丙醇將石英管推入準(zhǔn)備好的罩中圖 19 ：將石英管擠壓進(jìn)準(zhǔn)備好的鋁質(zhì)罩帽4）將銅質(zhì)內(nèi)導(dǎo)軸插入并定位于 聚四氟乙烯 PTFE托盤的中心位置 （ PTFE托盤對(duì)于確保 銅質(zhì)內(nèi)導(dǎo)軸在石英管內(nèi)的中央位置是十分必要的）圖 20：完整的石英管的剖面圖5）將卡口鎖定裝置滑入石英管圖 21：準(zhǔn)備好的微波傳送系統(tǒng)6）用異丙醇將石英管的

23、另一端推入準(zhǔn)備好的另一個(gè)鋁制的罩帽中，同時(shí)將銅質(zhì)內(nèi)導(dǎo)軸插入并定位于另外一個(gè) 聚四氟乙烯 PTFE托盤的中心位置圖 22：完整的微波傳送系統(tǒng)表 5 列出的是推薦的石英管的規(guī)格材料成分100% SiO 2材料要求低 OH成分 無細(xì)微裂紋和氣泡處理消除應(yīng)力回火處理管口火焰拋光管子尺寸長(zhǎng)度 SiNA=1130mm （公差： 0.5mm ） 外徑 =30mm （公差： 0.5mm ）內(nèi)徑 =26mm（公差： 0.5mm）表 4 ：石英玻璃管的規(guī)格（ 7） 按照 5.1 所描述相反的步驟安裝玻璃石英管（8） 檢查鋁制罩帽端的法蘭盤（ 23 A）是否密封能夠適應(yīng)真空操作（如果需要就更 換部件），并使用異丙醇

24、清洗需要清洗的密封件。圖 23 ：帶有環(huán)形封口的鋁制罩帽如果在等離子反應(yīng)倉(cāng)的倉(cāng)壁上出現(xiàn)白色的氮化硅沉積寄生物就說明出現(xiàn)了嚴(yán)重的泄 露，圖 24 顯示的是 SiNA 系列中出現(xiàn)的泄露案例。圖 24： SiNA系統(tǒng)中卡口密封處作為氣體泄露指示標(biāo)志的SiO 沉積層5.6 安全性能 微波輻射是一種電磁輻射，是由位于微波發(fā)射頭MH2000S（ MW）中的磁電管產(chǎn)生的。如果你的微波發(fā)射源在設(shè)備中沒有妥善地密封好，就會(huì)有微波泄露的危險(xiǎn)。這有可能 危及你的身體健康。微波泄露極限 根據(jù)現(xiàn)代科學(xué)的知識(shí)和目前各個(gè)國(guó)家的調(diào)查研究結(jié)果總結(jié)，在正常的操作條件下，任何可與人接近的部件在 0.05 米距離之內(nèi)的微波密度不得超

25、過 50毫瓦/ 平方米（ 5Mw/cm2）的強(qiáng)度。 同時(shí)在“特殊操作”的標(biāo)志下，任何可與人接近的部件在 0.05 米距離之內(nèi)的微波 密度不得超過 100 毫瓦 / 平方米（ 100Mw/m2）的強(qiáng)度。0.05 米以上的距離范圍也不能超過這個(gè)極限值。 因此我們推薦定期地使用 微波泄露探測(cè)器 檢查微波發(fā)射的輻射情況。警告！請(qǐng)閱讀以下的安全操作說明，否則有可能導(dǎo)致對(duì)設(shè)備的損壞或操作者的人身安全的威脅！ 該設(shè)備只能由經(jīng)過訓(xùn)練的操作者操作！ 開始工作之前請(qǐng)檢查所有需要的部件都存在并且都是正確的型號(hào)！ 安裝結(jié)束后和每次設(shè)備維護(hù)后對(duì)設(shè)備進(jìn)行微波泄露檢測(cè)以防止系統(tǒng)產(chǎn)生危險(xiǎn)的微波輻射。（閱讀第一章的安全操作手冊(cè)

26、，以及微波發(fā)生器生產(chǎn)商另外提供的操作手冊(cè)！ ）6 備配件6.1 介紹當(dāng)你從 Roth&Rau公司訂購(gòu)備配件時(shí)，請(qǐng)注明一下所列出的信息1）你的設(shè)備的型號(hào)和部件編號(hào)2）序列號(hào)（如果有）3）部件編號(hào)和部件的描述（如果可以）6.2 備配件清單以下所列出的備配件清單是整個(gè)等離子反應(yīng)生產(chǎn)線所用的備配件部件數(shù)量部件編號(hào)圖解LPS1 微波等離子體發(fā)射源 模塊143-4-01沉積罩（材料：不銹鋼）143-4-15前罩（等離子體發(fā)射源使用）243-4-20沉積罩固定器443-4-21特殊工具 A143-4-22（更換沉積罩時(shí)使用）微波發(fā)射頭（ MW ）電源MX4000D-110LL243-4-03快速水管連接頭4

27、43-4-17小型微波發(fā)射頭MH2000S-215BB 包括電子 HV 連接電纜 （前端：長(zhǎng)度， 18m ） （后端：長(zhǎng)度， 16m ）243-4-02連接電纜（微波發(fā)射頭（ MW）電源 小型微波發(fā)射頭）（前端：長(zhǎng)度， 18m ）（后端：長(zhǎng)度， 16m）243-4-23同軸電纜二極管243-4-18同軸電纜243-4-19微波發(fā)射頭 Feed through （真空法蘭 DN100） （包括 Viton O型密封圈和 微波密封件， 長(zhǎng)度： 375mm）243-4-24聚氯丁橡膠 Viton O型密封圈（936mm）243-4-12卡口鎖定機(jī)械裝置243-4-14緩沖塞（真空測(cè)試）243-4-33聚四氟乙烯 PTFE 環(huán)型止推軸 Thrust Collar （緩沖塞使用）（直徑： 342mm）243-4-34特殊工具 B（更換卡口鎖定裝置）143-4-25MW施波器（包括同軸 R26 波導(dǎo)適配器，同軸連接器， 微波密封243-4-26件長(zhǎng)度： 155mm， 聚四氟乙烯PT