碳化硅光伏逆變器發(fā)展現(xiàn)狀

1、透 視 INSIGHT碳化硅光伏逆變器發(fā)展現(xiàn)狀 文 / 孫 凱 陳 彤 張瑜潔泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司一、碳化硅功率器件的重要性 從工業(yè)革命到現(xiàn)在， 能源作為人 類生活和工業(yè)水平進(jìn)步的基礎(chǔ)， 有著 極其重要的地位。 當(dāng)前人類獲取使用 的能源多數(shù)是不可再生能源， 但隨著 世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展， 工業(yè)水平提高， 能源的 需求量也將越來越大， 單一使用化石 能源顯然會(huì)越來越難以滿足目前世界 工業(yè)和經(jīng)濟(jì)發(fā)展的需求。 現(xiàn)在世界上 許多 國(guó)家 都在 倡導(dǎo) 可再 生能 源的 利 用，其中太陽(yáng)能呼聲較高。 太陽(yáng)能開發(fā) 方便，不需要運(yùn)輸和開采 ；不會(huì)對(duì)環(huán) 境造成負(fù)擔(dān) ；總量巨大可以說取之不 盡、用之不竭。 光

2、伏效應(yīng)可以將太陽(yáng)能 轉(zhuǎn)化成電能， 這成為利用太陽(yáng)能的一 種有效手段。1992 年“世界環(huán)境與發(fā)展大會(huì)” 通 過的里約熱內(nèi)盧環(huán)境與發(fā)展宣言 、21 世紀(jì)議程 和聯(lián)合國(guó)氣候變化框 架公約 等重要文件， 著重關(guān)注環(huán)境和 發(fā) 展，確立 了 可 持 續(xù)發(fā) 展 的 模 式。此 后，世界各國(guó)都更加注重利用開發(fā)太 陽(yáng)能。中國(guó)政府對(duì)此也高度重視， 制定 了中國(guó) 21 世紀(jì)議程 和新能源和可 再生能源發(fā)展綱要 等文件，進(jìn)一步明 確了太陽(yáng)能重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目， 堅(jiān)定了大 力發(fā)展太陽(yáng)能的決心， 同時(shí)也刺激了 國(guó)內(nèi)光伏行業(yè)的發(fā)展。近幾十年來， 全球范圍內(nèi)的光伏 電池產(chǎn)量逐年增加， 年均增長(zhǎng)率超過 50%。尤其進(jìn)入 21 世紀(jì)

3、后，這一增速更 快。我國(guó)也緊跟潮流， 2007 年之后， 我 國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度遠(yuǎn)超全球平均水 平。2010 年，全球共生產(chǎn)光伏電池容量 為 1 600 萬 k W ，其中我國(guó)占 60%以 上。 同年，全球光伏發(fā)電總裝機(jī)容量接近4 000 萬 k W ，大部分應(yīng)用在發(fā)達(dá)國(guó) 家市場(chǎng) ；其中德國(guó)作為發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)的 領(lǐng)頭羊 2010 年新增裝機(jī)容量占全球 裝機(jī)總量的近 20%。隨著太陽(yáng)能光伏 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展， 各項(xiàng)技術(shù)日漸成熟， 使得 各部分的成本都得以降低， 光伏發(fā)電 的經(jīng)濟(jì)性大幅提高。為了實(shí)現(xiàn)光伏并網(wǎng)發(fā)電， 其中的 一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)就是逆變器， 用于將光 伏效應(yīng)產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換成交流電， 便于并入電網(wǎng)加

4、以利用， 因此光伏并 網(wǎng)逆變器是光伏發(fā)電技術(shù)的核心， 逆 變器的工作效率很大程度上決定了太 陽(yáng)能的利用效率。 研究光伏并網(wǎng)逆變 器對(duì)于發(fā)展清潔能源、 減少環(huán)境污染 具有深遠(yuǎn)的意義。電力半導(dǎo)體器件是光伏并網(wǎng)逆變 器的核心部件。 現(xiàn)如今在電氣行業(yè)中34 Advanced Materials IndustryINSIGH使用的各種半導(dǎo)體器件多以硅 （ S i ）材 料為基礎(chǔ)，已經(jīng)發(fā)展得相當(dāng)成熟。 S i 是 一種半導(dǎo)體材料， 被廣泛應(yīng)用于各種 電子管和集成電路。 隨著電力半導(dǎo)體 器件使用場(chǎng)合日益豐富， 在一些對(duì)性 能要求較高以及工作環(huán)境較惡劣的應(yīng) 用場(chǎng)合，硅器件的使用便受到限制， 這 就要求人們開發(fā)

5、性能更優(yōu)越的半導(dǎo)體 器件，于是，碳化硅（S i C）等寬禁帶半 導(dǎo)體器件應(yīng)運(yùn)而生。二、SiC 功率器件的優(yōu)勢(shì)及發(fā)展 1.SiC 功率器件的優(yōu) 勢(shì)S i C 半導(dǎo)體作為繼硅和砷化鎵之 后的“第 3代半導(dǎo)體”，是目前最受人 們關(guān)注的功率器件材料。 S i C 屬于寬 禁帶半導(dǎo)體材料， 在功率器件制造方 面具有非常廣闊的前景。 相比于 S i 材料，S i C 等寬禁帶半導(dǎo)體材料具 有以下優(yōu)勢(shì)：（1）SiC 材料的禁帶寬度大 半導(dǎo)體材料的禁帶寬度決定其器 件的工作溫度，材料禁帶寬度的值越 大，器件的工作溫度也就越高。 因此， 在高達(dá) 600的溫度下， S i C 器件仍然 可以正常工作，而且 S i

6、 C 還具有很好 的抗輻射能力。由 S i C 制成的高溫集 成電路可以在一些航空設(shè)備、 核能儀 器、衛(wèi)星、空間探測(cè)器、地?zé)峋确矫?發(fā)揮其在高溫方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。（2）SiC 材料的臨界擊穿電場(chǎng)高SiC的臨界擊穿電場(chǎng)約為 3MV/ cm，這個(gè)值大約為 Si器件的 10 倍、砷化鎵G a A s）器件的 5 倍左右。與 S i 同 種類型的功率器件相比，S i C 功 率半導(dǎo)體器件可以在更高的工作電 壓下工作，例如 S i 肖特基二極管的 擊穿電壓一般為 100 200V ，而 S i C 肖特基二極管的擊穿電壓可 以達(dá) 到 1 000 2 000V 。因此，S i C臨界 擊穿電場(chǎng)高的特性使得

7、其實(shí)現(xiàn)輸變 電技術(shù)對(duì)功率半導(dǎo)體器件的耐高壓 的要求變得更加容易。（3）SiC 功率器件的比導(dǎo)通電阻小 功率半導(dǎo)體器件的比導(dǎo)通電阻 跟材料擊穿電場(chǎng)的立方成反比。 由于 S i C 的擊穿電場(chǎng)是 S i 的 10 倍左右， 所以 S i C 器件比 S i 器件的比導(dǎo)通電 阻要小得多。也就是說，在擊穿電壓相 同的情況下，S i C 器件的比導(dǎo)通電 阻值只 有 Si 器件的百分之一。 SiC器 件較低的 比導(dǎo)通電阻可以使系統(tǒng)的損耗降低， 從而使系統(tǒng)效率得到提高。（4）SiC 材料的熱導(dǎo)率高SiC 材料的熱導(dǎo)率大約為 4.9W /（c mK），這個(gè)值比 S i 材料 和 G a A s 材料分別高大約

8、 3 10 倍。 鑒于 S i C 的這個(gè)優(yōu)勢(shì)，如果集成電 路采用 S i C 材料來制作，就可以使 散熱系統(tǒng) 得到極大的減 少，也就可 以使裝置的 質(zhì)量以及體積得到有效 地減小，進(jìn)而使系統(tǒng)的集成度得以提 高，并且在高 溫以及高輻射的環(huán)境中 使整個(gè)系統(tǒng)的 穩(wěn)定性和可靠性得到 很好的改善。比如 S i C 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （J F E T）在 500 下加壓測(cè)試，成功工 作 2 000h，器件性能并沒有發(fā)生明顯 改變，表現(xiàn)出器件 良好的可靠性。 S i C 器件高溫傳感器， 探測(cè)器和電子控制系統(tǒng)已經(jīng)成功應(yīng)用 于各種高溫環(huán)境，例如石油勘探、宇宙 飛船、鉆井等，克服了傳統(tǒng)材料在高溫 應(yīng)用方面的缺陷。（

9、5）電子飽和漂移速度高S i C 材料的電子飽和漂移速度是 Si 材料的 2.5 倍左右，因此具有開關(guān) 速度快和電流密度高的優(yōu)勢(shì)， 因此特 別適合高頻和大功率方面的應(yīng)用。由于 S i C 功率器件具有高擊穿電 壓，高工作頻率且 耐高溫等優(yōu)勢(shì)，同 時(shí)比導(dǎo)通電阻以及開關(guān)損耗也較小， 所以采用 S iC 功率器件可以很大程度 地降低系統(tǒng)的功耗以及減小系統(tǒng)的 質(zhì)量和體積。特別是在高頻、高溫和 大功率電力電子應(yīng)用領(lǐng)域， S i C 電力 電子器件優(yōu)異的電氣性能使其具有 S i 半導(dǎo)體器件難以比擬的巨大應(yīng)用 優(yōu)勢(shì)和潛力。因此，在相同的功率等級(jí)下，使用 S i C器件來代替 S i 器件可以在大幅提 高光伏

10、并網(wǎng)逆變器變換效率的同時(shí)， 還可以通過提高光伏并網(wǎng)逆變器的開 關(guān)頻率，減小濾波元件的體積 ；并通 過提高光伏并網(wǎng)逆變器的高溫運(yùn)行能 力，降低散熱設(shè)計(jì)的難度和成本。2.SiC 功率器件的發(fā)展早在 20 世紀(jì) 90 年代，就有學(xué)者 開始對(duì) S i C 功率器件進(jìn)行研發(fā) ，在 Si C 發(fā)展的這 20 年中，主要的研究方向 是 S i C 整流器。其中，發(fā)展速度最快 的是 SiC 肖特基二極管（ SBD ）的研 發(fā)，由于 SiC SBD 的反向恢復(fù)時(shí)間比 Si SBD 小得多，所以 S i C S B D的 反向恢復(fù) 現(xiàn)象可以忽略不計(jì)。2001 年，英飛凌Infineon ）公司推出首款 SiC S

11、BD ， 隨后 CREE 公司和 Microsemi 公司 也相繼推出了 SiC SBD 產(chǎn)品，預(yù)示著 SiC 功率器件開始進(jìn)入商業(yè)市場(chǎng)。 2003 年，美國(guó) R u t ger s大學(xué)研制出擊穿電 壓為 10.8k V、導(dǎo)通電阻為 97m cm2 的 SiC SBD 。2008 年，東芝公司報(bào)道了一 種 Super-S BD，其特性接近 4H-S iC 材 料極限，該器件具有高達(dá) 27kV 的擊穿 電壓以及超低的導(dǎo)通電阻（257mc m 2）。2009年，I n f i n e o n 公司推出了新一代 的 SiC SBD產(chǎn)品，最高耐壓為 1.2kV ，最大電流為 20A 。2011 年，C

12、 R E E公司也推出了具有相同性能的 SiC SB D。同在 2011 年，國(guó)內(nèi)第一家致力 于 Si C 功率器件研究、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的 高科技企業(yè)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技 （北京）新材料產(chǎn)業(yè) NO.9 2014 35透 視 INSIGHT萬百/元美02005 2006 2007 2008 20092010 2011 2012 2013 2014E 2015E年份圖 1 全球 SiC 器件的市場(chǎng)份額工頻變壓器電網(wǎng)圖 2 工頻隔離型逆變器工作示意圖有限公司（以下簡(jiǎn)稱“泰科天潤(rùn)” ）在北 京注冊(cè)成立。 泰科天潤(rùn)在北京擁有一 座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠， 可在 4 英寸的 S i C 晶圓上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率 器

13、 件的制造工藝， 該公司于 2014 年 起已 經(jīng)可以批 量生產(chǎn)發(fā)售2-100A 、 5001700V 范圍內(nèi)的 S i C 肖特基二極管， 器 件特性達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平， 其他 S i C 功率器件， 如 SiC BJT 、SiC JFET 等 也都在研發(fā)中。 目前，SiC SBD 的主 要 應(yīng)用領(lǐng)域有功率因數(shù)校正器、 太陽(yáng) 能/ 風(fēng)能逆變器、 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置、 輸 出整流器 、混合電動(dòng) 汽車 / 電動(dòng)車 的充電器以及家電應(yīng)用。與此 同時(shí)，S i C 其 他類 型的功 率 器件如 J F E T 、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)管（ M O S F E T ）和絕緣柵雙極型 晶體管（I G B T

14、 ）的制造技術(shù)也在非常 快速的發(fā)展， 許多國(guó)內(nèi)外的科研院所 以及半導(dǎo)體公司都將 S i C 功率器件 作 為重點(diǎn)研究對(duì)象， 推進(jìn) S i C 功率 器件 實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。 目前，一些國(guó)外知 名企 業(yè)，如羅姆、C R E E等公司已經(jīng)開 始實(shí) 現(xiàn)反向電壓為 600V 和 1 200V 的 功率 M OS F E T的商業(yè)化 。國(guó)外某市 場(chǎng)調(diào)查 公司預(yù)測(cè)的全球目前 S i C 器 件的市場(chǎng) 份額如圖 1 所示?？梢钥?出，S i C 的市 場(chǎng)份額在逐年增加， 相 信隨著 S i C 的 不斷發(fā)展， S i C 最終 會(huì)成為制作功率 器件的主要材料。 因 此，商業(yè)化逆變器 采用 S i C 功率器件 作

15、為其主要的電力 電子器件變得越來越容易實(shí)現(xiàn)。1. 隔離型光伏逆變器 工頻隔離型變壓器是最常見的一 種方式，期工作示意圖如圖 2 所示。太 陽(yáng)能板 P V 產(chǎn)生直流電，經(jīng)過一個(gè)逆變 器轉(zhuǎn)變?yōu)榻涣麟姡?這個(gè)交流電的相位 可以經(jīng)過控制， 與電網(wǎng)電壓保持一致， 但它的幅值與電網(wǎng)電壓幅值不同， 所 以要經(jīng)過一個(gè)工作頻率為電網(wǎng)電壓工 作頻率的變壓器， 才能接入電網(wǎng)。 但工 頻變壓器效率不高， 導(dǎo)致整個(gè)逆變器 效率較低。高頻隔離型逆變器工作示意圖如 圖 3 所示。比工頻隔離型逆變器多了 一個(gè) D C - D C（只對(duì)直流參數(shù)進(jìn)行變 換的電路）環(huán)節(jié)，可以提高變壓器的工 作頻率而不受電網(wǎng)頻率的限制。 這樣 做的

16、優(yōu)點(diǎn)是減小了變壓器的體積和質(zhì) 量，增加了逆變器的功率密度。2. 非隔離型光伏逆變器 在隔離型光伏逆變器中， 電能會(huì) 轉(zhuǎn)化為磁能 , 然后又轉(zhuǎn)化為電能， 這個(gè) 轉(zhuǎn)化的過程會(huì)產(chǎn)生能量損耗， 同時(shí)也 增加了逆變器的體積。 為了提高光伏 逆變系統(tǒng)的效率， 可以采用非隔離型 的方案， 非隔離型根據(jù)電路拓?fù)淇煞?為單級(jí)式以及多級(jí)式。 在單級(jí)式中， 光 伏陣列輸出通過逆變器直接并網(wǎng)， 因 此要求光伏陣列的輸出電壓較高 , 達(dá) 到直接并網(wǎng)的電壓等級(jí)。 對(duì)于兩級(jí)式 光伏逆變系統(tǒng)， 逆變電路之前有一級(jí)圖 3 高頻隔離型逆變器工作示意圖電網(wǎng)三、光伏逆變器的基本類型 從是否含有隔離變壓器的角度， 光伏并網(wǎng)逆變器可以分

17、為隔離型和非 隔離型 2 大類。隔離型逆變器可以根 據(jù)工作頻率分為工頻和高頻 2 種 ；非 隔離型逆變器根據(jù)構(gòu)成不同可以分為 單級(jí)和多級(jí) 2 種。36 Advanced Materials IndustryINSIGH電網(wǎng)圖 4 單級(jí)式非隔離型逆變器工作示意圖D C - D C電路，通常是 B o o st電路 ， 以 增加對(duì)光伏陣列的輸出電壓范圍的適 應(yīng)性。單級(jí)式非隔離型逆變器工作示 意圖如圖 4 所示。將太陽(yáng)能板輸出直 接逆變?yōu)殡娋W(wǎng)電壓， 對(duì)逆變器輸出電 壓的控制要求較高。兩級(jí)式非隔離型變壓器工作示意 圖如圖 5 所示。將太陽(yáng)能板的輸出電 壓先經(jīng)過一個(gè) D C - D C 變換器升 壓，

18、經(jīng)過解耦電容后再進(jìn)行逆變， 接 入電 網(wǎng)。解耦電容可以解決輸入輸出 功率 不匹配的問題。圖 5 兩級(jí)式非隔離型逆變器四、SiC 光伏逆變器備受關(guān)注S i C 肖特基二極管現(xiàn)在已經(jīng) 在太陽(yáng)能逆變 器市場(chǎng)中得到應(yīng) 用， 歐洲市場(chǎng)尤為多見。由于采用S i C S B D可以使整個(gè) 系統(tǒng)的效率提高， 所以許多太陽(yáng)能設(shè)備制造商紛紛開 始 轉(zhuǎn) 向 這 一 技 術(shù)。太 陽(yáng) 能 面 板 的 功 能是將采集來的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為正向 直 流電壓。再 采用 升 壓轉(zhuǎn) 換器，將轉(zhuǎn) 化成的直流正電壓升高到一個(gè)恒定 直 流 電 壓，這 個(gè) 升 壓 轉(zhuǎn) 換 器 在 高 頻 開關(guān)操作。 S i C S B D 能消除升壓二 極

19、管 的 開 通 損 耗，從 而 提 高 了 升 壓 段的效 率。然 后，再使用一個(gè) 逆 變 器，將此恒定直流電壓轉(zhuǎn)換為可用 的 交 流 電 壓，此 交 流 電 壓 的 頻 率 保 持恒定。S i C S B D 不僅能消除此段 續(xù) 流 二 極 管 中 的 二 極 管 開 關(guān) 損 耗， 同時(shí)也能降低 I G B T 開通損耗，從而 使 逆 變 器 的 效 率 得 到 顯 著 提 高。如 果 采 用 效 率 更 高 的 系 統(tǒng)，太 陽(yáng) 能 面 板采集的太陽(yáng)能就能更多地轉(zhuǎn)化為 可用的電能。采用碳化硅器 件，轉(zhuǎn) 換器的平均工作效率能從 S i 器件轉(zhuǎn) 換器接近 96%的平均工作效率提升 至 97.5%

20、，可以使逆變器損耗 降低 25%。這些太陽(yáng)能設(shè)備的使用壽命一般都長(zhǎng)于 30 年，因此，如果逆變器采 用 碳 化 硅 器 件，就 能 顯 著 提 高 節(jié) 能 效益。眾企 業(yè)一致 認(rèn)為，S i C 逆變器 受 到各方面關(guān)注的原因大致有3 個(gè) ：首先，使用 S i C 二極管的逆變器， 可以 使 系統(tǒng)的電力損失得到減少。 相比于 S i 二極管，使用 S i C 二極管可以減 少約 30的損失。其次，S i C 二極管可以使 逆變器的體積和質(zhì)量大大減小。 這是 由于 S i C 散熱快， 縮小了系統(tǒng)的冷卻 機(jī)構(gòu)。利用S i C二極 管，可使逆變器 的體積和重量減少 40% 60左右 。 第三，S i

21、 C 逆變器已在日本市場(chǎng)得到 實(shí)際驗(yàn)證。 東京地鐵( Tokyo Metro ) 銀座線的新“01 系列車”就采用了 S i C 逆變器，不僅降低了逆變器的電能損 耗，還提高了電能再生性能， 從而降低 了耗電量。據(jù)報(bào)道，在行駛所用電力中 返回到輸電線的通過回收制動(dòng)能量得 到的電力所占的比例 (再生率 )由原來 的 22.7% 提 高 到 了 51.0% ，其 節(jié) 能 效 果已被實(shí)際驗(yàn)證。五、SiC 逆變器開發(fā)實(shí)例 1 . 英飛凌推出用于光伏逆變器的 SiC 型 JFET德國(guó) Infineo n 開發(fā)出了適 用 于 光伏 發(fā)電用逆變器 的耐壓為 1 200V 的 SiC 型 JFE “T C o

22、o lS iC 產(chǎn)品群”， 并在 2012年 5月8-10 日 于德國(guó)舉行的電源 技術(shù)展會(huì)“ PCIMEurope2012”上宣布 投產(chǎn)。新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電 的逆變器裝置。如果采用 S iC型 J F E T 代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的 IGBT ， 便可以實(shí)現(xiàn)裝置的小型輕量化。 這是 因?yàn)樾庐a(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高于 I G B T 的工作 速度，也就是說， 即便提高工作頻率， 也能降低開關(guān)損耗。 因此，電感 器以 及電容器等被動(dòng)元件可使用小型產(chǎn) 品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)裝置的小型輕 量化。2. 日本電裝試制出輸出功率密度 高達(dá) 60kW/L 的 SiC 逆變器日本電裝試制出了采用 S i C 功

23、率 元件制成的逆變器。 該逆變器的特 點(diǎn) 是輸出功率密度高達(dá) 60k W / L ，該 公新材料產(chǎn)業(yè) NO.9 2014 37透 視 INSIGHT采用 SiC 半導(dǎo)體的光伏發(fā)電用逆變器司稱此為“全球最高水平” 。該試制品 將原來的 S i 功率器件改為 S i C 功率 器 件，同時(shí)改進(jìn)了功率元件內(nèi)部的構(gòu) 造 以及逆變器模塊內(nèi)的布線， 實(shí)現(xiàn)了 低 電阻化，從而降低了電力損耗， 使發(fā) 熱 量比原產(chǎn)品減少了 68%。3. 富 士 電 機(jī) 推 進(jìn) SiC MOSFET 實(shí)用化，首先用于光伏逆變器富士電機(jī)開始推進(jìn) SiC MOSFET 的實(shí)用化。 最初打算用于該公司 2014 年 8 月開始量產(chǎn)的大

24、型光伏電站用逆變 器，該逆變器的輸入電壓為 D C1 000V、 輸出功率為 1 000k W 。該公司已經(jīng)推出 了 SiC 二極管產(chǎn)品，在逆變器的升壓電 路中采用了配備該 SiC 二極管和該公司 的 SiC MOSFET 的功率模塊 ，由此提高 了轉(zhuǎn)換效率并實(shí)現(xiàn)了小型化。 新款逆變 器的轉(zhuǎn)換效率為 98. 8%，屬于“行業(yè)最 高水準(zhǔn)（”富士電機(jī)），該公司以前產(chǎn)品 的效率為 98. 5%。逆變器新產(chǎn)品的尺寸 為 2 980m m 1 900m m 900m m ， 體積比原產(chǎn)品小 20%。體積減小后， 無 需分拆即可搬運(yùn)。 以前，1 000k W 級(jí) 的 逆變器尺寸較大， 一般需要拆開來搬 運(yùn)

25、，富士電機(jī)稱“此次是業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn) 1 000kW 級(jí)的一體型室內(nèi)機(jī) ”。該逆變器 配備的 SiC 功率元件在富士電機(jī)的工 廠 生產(chǎn)，采用的是 6 英寸的 SiC 晶圓。4. 田淵電機(jī)在光伏逆變器中采用 SiC 二極管田淵電機(jī)是日本首家在光伏逆變 器中采用 S i C 二極管的企業(yè)。 該公 司 的常務(wù)執(zhí)行董事坂本幸隆表示 “隨 著 光伏發(fā)電需求的增加， 光伏逆變器 的 銷量越來越大。 量產(chǎn)效果應(yīng)該有助 于 降低功率半導(dǎo)體的成本” 。該公司采 用 S i C 二極管的逆變器通過減少開 關(guān)損 耗和導(dǎo)通損耗， 大幅降低了轉(zhuǎn)換損失。 雖然目前仍需組合采用 I G B T，但今 后，通過完全采用 S i C，估計(jì)損耗還將減少 60%左右。坂本幸隆介紹說， “ 采 用S