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文檔簡介
1、第第7章章 存儲器和復雜可編程邏輯器件存儲器和復雜可編程邏輯器件 7.1 只讀存儲器只讀存儲器 7.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器 7.3 復雜可編程邏輯器件復雜可編程邏輯器件 *7.4 現(xiàn)場可編程門陣列現(xiàn)場可編程門陣列 *7.5 用用EDA技術(shù)和可編程器件的設(shè)計例題技術(shù)和可編程器件的設(shè)計例題 教學基本要求:教學基本要求: 1、掌握半導體存儲器字、位、存儲容量、地址、掌握半導體存儲器字、位、存儲容量、地址 等基本概念;等基本概念; 2、掌握、掌握RAM、ROM的工作原理及典型應用;的工作原理及典型應用; 3、了解存儲器的存儲單元的組成及工作原理;、了解存儲器的存儲單元的組成及工作原理; 4、
2、了解、了解CPLD、FPGA的結(jié)構(gòu)及實現(xiàn)邏輯功能的結(jié)構(gòu)及實現(xiàn)邏輯功能 的編程原理。的編程原理。 概概 述述 半導體半導體存儲器存儲器能存放大量二值信息的半導體器件。能存放大量二值信息的半導體器件。 存儲器的主要性能指標存儲器的主要性能指標: 存取時間多長存取時間多長存儲速度存儲速度 存儲數(shù)據(jù)量多大存儲數(shù)據(jù)量多大存儲容量存儲容量 可編程邏輯器件可編程邏輯器件是一種通用器件,其邏輯功能是由是一種通用器件,其邏輯功能是由 用戶通過對器件的編程來設(shè)定的。它具有集成度高、結(jié)用戶通過對器件的編程來設(shè)定的。它具有集成度高、結(jié) 構(gòu)靈活、處理速度快、可靠性高等優(yōu)點。構(gòu)靈活、處理速度快、可靠性高等優(yōu)點。 7.1
3、只讀存儲器只讀存儲器 7.1.1 ROM的定義與基本結(jié)構(gòu)的定義與基本結(jié)構(gòu) 7.1.2 二維譯碼二維譯碼 7.1.3 可編程可編程ROM 7.1.4 集成電路集成電路ROM 7.1.5 ROM的讀操作與定時圖的讀操作與定時圖 7.1.6 ROM應用舉例應用舉例 存儲器存儲器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(隨機存取存儲器隨機存取存儲器): 在運行狀態(tài)可以隨時進行讀或?qū)懖僮?。在運行狀態(tài)可以隨時進行讀或?qū)懖僮鳌?存儲的數(shù)據(jù)必須有電源供應才能保存存儲的數(shù)據(jù)必須有電源供應才能保存, 一旦掉電一旦掉電, 數(shù)據(jù)全部丟失。數(shù)據(jù)全部丟失
4、。 ROM(只讀存儲器只讀存儲器):在正常工作狀態(tài)只能讀出信息。在正常工作狀態(tài)只能讀出信息。 斷電后信息不會丟失,常用于存放固定信息(如程序、常數(shù)等)。斷電后信息不會丟失,常用于存放固定信息(如程序、常數(shù)等)。 固定固定ROM 可編程可編程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM):靜態(tài):靜態(tài)RAM DRAM (Dynamic RAM):動態(tài)動態(tài)RAM 1. 存儲器的分類存儲器的分類 2. 幾個幾個基本概念基本概念 存儲容量:存儲容量:存儲二值信息的總量。存儲二值信息的總量。 字數(shù):字數(shù):字的總量。字的總量。 字長(位數(shù)):字長(位數(shù)):表示一個信息二進制碼
5、的位數(shù)稱為一個表示一個信息二進制碼的位數(shù)稱為一個 字,字的位數(shù)稱為字長。字,字的位數(shù)稱為字長。 存儲容量存儲容量M字數(shù)字數(shù)位數(shù)位數(shù) 地址地址:每個字的編號。:每個字的編號。 字字數(shù)數(shù)=2n (n為存儲器外部地址線的線數(shù))為存儲器外部地址線的線數(shù)) Y0 Y1 Y7 A4 X1 X31 X0 列列 地地 址址 譯譯 碼碼 器器 行行 地地 址址 譯譯 碼碼 器器 A5 A3 A2 A1 A0 A6 A7 只讀存儲器,工作時內(nèi)容只能讀出,不能隨時寫入,所只讀存儲器,工作時內(nèi)容只能讀出,不能隨時寫入,所 以稱為只讀存儲器以稱為只讀存儲器 (Read-Only Memory) 。 ROM的分類的分類:
6、 按寫入情況劃分按寫入情況劃分 固定固定ROM 可編程可編程ROM PROM EPROM E2PROM 按存貯單元中按存貯單元中 器件劃分器件劃分 二極管二極管ROM 三極管三極管ROM MOS管管ROM 7.1.1 ROM的定義與基本結(jié)構(gòu)的定義與基本結(jié)構(gòu) 存儲矩陣存儲矩陣 7.1.1 ROM的定義與基本結(jié)構(gòu)的定義與基本結(jié)構(gòu) 數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出 控制信號輸控制信號輸 入入 輸出控制電路輸出控制電路 地址譯碼器 地址譯碼器 地址輸入地址輸入 地址譯碼器地址譯碼器 存儲矩陣存儲矩陣 輸出控制電路輸出控制電路 1)ROM(二極管(二極管PROM)結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖 D3 D2 D1 D0 +5V R
7、 R R R OE A0 A1 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2 線線- -4 線線 譯譯碼碼器器 存儲存儲 矩陣矩陣 位線位線 字線字線 輸出控制電路輸出控制電路 M=4 4 地址譯碼器地址譯碼器 D3 D2 D1 D0 +5V R R R R OE A0 A1 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2 線線- -4 線線 譯碼器譯碼器 字線與位線的每個交點都是一字線與位線的每個交點都是一 個存儲單元。交點處有二極管個存儲單元。交點處有二極管 相當存相當存1 1,無二極管相當存,無二極管相當存0 0。 當當OE=1時時:輸出為高阻狀態(tài)。輸出為高阻狀態(tài)。 00 01 01 11 1101
8、1110 1000 1101 地地 址址 A1 A 0 D3 D2 D 1 D0 內(nèi)內(nèi) 容容 當當OE=0時時: A6 A7 A4 A5 D0 +VD D R R R R Y0 Y1 Y14 Y15 4 線線 | 1 16 6 線線 譯譯 碼碼 器器 1 16 6 線線-1線線數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)選選擇擇器器 A2 A3 A0 A1 A2 A3 A0 A1 S2 S3 S0 S1 I0 I1 I14 I15 Y 字線字線 存儲存儲 矩陣矩陣 位線位線 字線與位線的字線與位線的 每個交點都是一每個交點都是一 個存儲單元。個存儲單元。 交點處有交點處有MOS 管相當存管相當存0,無,無 MOS管相當存管相當存
9、1。 7.1.2 二維譯碼二維譯碼 思考題:思考題:該存儲器的容量是多少該存儲器的容量是多少? 7.1.3 可編程可編程ROM 256個存儲單元排成個存儲單元排成16 16的矩陣:的矩陣: 行譯碼器從行譯碼器從16行中選出要行中選出要 讀的一行;讀的一行; 列譯碼器再從選中的一行存列譯碼器再從選中的一行存 儲單元中選出要讀的一列的儲單元中選出要讀的一列的 一個存儲單元。一個存儲單元。 如選中的存儲單元的如選中的存儲單元的MOS管管 的浮柵注入了電荷,該管截的浮柵注入了電荷,該管截 止,讀得止,讀得1;相反讀得;相反讀得0。 (256 1位位 EPROM) 7.1.4 集成電路集成電路 ROM
10、D7 D0 PGM 輸輸出出緩緩沖沖器器 Y 選選通通 存存儲儲陣陣列列 CE OE 控控制制邏邏輯輯 Y 譯譯碼碼 X 譯譯碼碼 A16 A0 VPP GND VCC AT27C010 128K8位位ROM 編程選通信號編程選通信號 輸出使能控制輸出使能控制 片選信號片選信號 No Image No Image No Image工作模式工作模式A16 A0 VPP D7 D0 讀讀00XAi X數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出 輸出無效輸出無效X1XXX高阻高阻 等待等待1XXAi X高阻高阻 快速編程快速編程010Ai VPP 數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入 編程校驗編程校驗001Ai VPP 數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出 CEO
11、EPGM 7.1.5 ROM的讀操作和定時圖的讀操作和定時圖 (2)加入有效的片選信號)加入有效的片選信號 CE OE(3)使輸出使能信號)使輸出使能信號 有效,經(jīng)過一定延時后,有效數(shù)有效,經(jīng)過一定延時后,有效數(shù) 據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線上;據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線上; CEOE(4)讓片選信號)讓片選信號 或輸出使能信號或輸出使能信號 無效,經(jīng)過一定延無效,經(jīng)過一定延 時后數(shù)據(jù)線呈高阻態(tài),本次讀出結(jié)束。時后數(shù)據(jù)線呈高阻態(tài),本次讀出結(jié)束。 (1)欲讀取單元的地址加到存儲器的地址輸入端;)欲讀取單元的地址加到存儲器的地址輸入端; tCE tAA 讀讀出出單單元元的的地地址址有有效效 CE tOE OE D7 D0
12、數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)輸輸出出有有效效 tOZ tOH A16 A0 (1) 用于存儲固定的專用程序用于存儲固定的專用程序 (2) 利用利用ROM可實現(xiàn)查表或碼制變換等功能可實現(xiàn)查表或碼制變換等功能 查表功能查表功能 查某個角度的三角函數(shù)。查某個角度的三角函數(shù)。 把變量值(角度)作為地址碼,其對應的函數(shù)值把變量值(角度)作為地址碼,其對應的函數(shù)值 作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù),這稱為作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù),這稱為 “造表造表”。使用。使用 時,根據(jù)輸入的地址時,根據(jù)輸入的地址(角度角度),就可在輸出端得到所需的,就可在輸出端得到所需的 函數(shù)值,這就稱為函數(shù)值,這就稱為“查表查表”。 碼制變換碼制變換 把欲變換
13、的編碼作為地址,把最終的把欲變換的編碼作為地址,把最終的 目的編碼作為相應存儲單元中的內(nèi)容即可。目的編碼作為相應存儲單元中的內(nèi)容即可。 7.1.6 ROM應用舉例應用舉例 C I3 I2 I1 I0 二進制碼二進制碼 O3O2O1O0 格雷碼格雷碼 C I3 I2 I1 I0 格雷碼格雷碼 O3O2O1O0 二進制碼二進制碼 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1
14、0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1
15、1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 用用ROM實現(xiàn)二進制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的電路實現(xiàn)二進制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的電路 C (A4) I3 I2 I1 I0 (A3A2A1A0) 二進制碼二進制碼 O3O2O1O0 (D3D2D1D0) 格雷碼格雷碼 C (A4) I3 I2 I1 I0 (A3A2A1A0) 格雷碼格雷碼 O3O2O1O0 (D3D2D1D
16、0) 二進制碼二進制碼 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1
17、0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 C=A4 I3 I2 I
18、1 I0=A3A2A1A0 O3O2O1O0=D3D2D1D0 A4 A3 A2 A1 C I3 I2 I1 ROM D1 D2 D3 D4 CE OE A0 I0 O3 O2 O1 O0 用用ROM實現(xiàn)二進制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的電路實現(xiàn)二進制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的電路 存儲器的字長與數(shù)據(jù)存儲器的字長與數(shù)據(jù) 結(jié)構(gòu)課程所講的字長完全結(jié)構(gòu)課程所講的字長完全 一樣嗎?一樣嗎? 討論:討論: 7.1.1(2) 7.1.2(1) 作業(yè): 7.2 隨機存取存儲器隨機存取存儲器 7.2.1 靜態(tài)隨機存取存儲器靜態(tài)隨機存取存儲器 7.2.2 同步靜態(tài)隨機存取存儲器同步靜態(tài)隨機存取存儲器 7.2.4 存儲器容量的
19、擴展存儲器容量的擴展 7.2.3 動態(tài)隨機存取存儲器動態(tài)隨機存取存儲器 I/O 電電路路 I /O0 OE An-1 WE I /Om-1 CE A0 Ai Ai+1 存存 儲儲 陣陣 列列 行行 譯譯 碼碼 列列 譯譯 碼碼 7.2.1 靜態(tài)隨機存取存儲器靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM) 1. SRAM 的基本結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu) CE OE WE =1XX 高阻高阻 CE OE WE =00X 輸入輸入 CE OE WE =010 輸出輸出 CE OE WE =011 高阻高阻 SRAM 的工作模式的工作模式 工作模式工作模式 CE WE OE I /O 0 I /O m-1 保持保持 (微功耗微
20、功耗) 1 X X 高阻高阻 讀讀 0 1 0 數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出 寫寫 0 0 X 數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入 輸出無效輸出無效 0 1 1 高阻高阻 T8 T7 VDD VGG T6 T1 T4 T2 T5 T3 Yj (列列選選擇擇線線) Xi (行行選選擇擇線線) 數(shù)數(shù) 據(jù)據(jù) 線線 數(shù)數(shù) 據(jù)據(jù) 線線 D D 位位 線線 B 位位 線線 B 存存儲儲 單單元元 2. SRAM存儲單元存儲單元 靜態(tài)靜態(tài)SRAM(Static RAM) 雙穩(wěn)態(tài)存儲單元雙穩(wěn)態(tài)存儲單元 電路電路 列存儲單元公用的門列存儲單元公用的門 控制管,與讀寫控制電路相接控制管,與讀寫控制電路相接 Yj 1時導通時導通 本單元門控制管
21、本單元門控制管:控控 制觸發(fā)器與位線的制觸發(fā)器與位線的 接通。接通。Xi =1時導通時導通 來自列地址譯碼來自列地址譯碼 器的輸出器的輸出 來自行地址譯碼來自行地址譯碼 器的輸出器的輸出 T8 T7 VDD VGG T6 T1 T4 T2 T5 T3 Yj (列列選選擇擇線線) Xi (行行選選擇擇線線) 數(shù)數(shù) 據(jù)據(jù) 線線 數(shù)數(shù) 據(jù)據(jù) 線線 D D 位位 線線 B 位位 線線 B 存存儲儲 單單元元 T5、T6導通導通 T7 、T8均導通均導通 Xi =1 Yj =1 觸發(fā)器的輸出與數(shù)據(jù)觸發(fā)器的輸出與數(shù)據(jù) 線接通,該單元通過線接通,該單元通過 數(shù)據(jù)線讀取數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)線讀取數(shù)據(jù)。 觸發(fā)器與位線接通
22、觸發(fā)器與位線接通 tAA 讀出單元的地址有效 tRC tOHA 地址 輸出數(shù)據(jù) 上一個有效數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)輸出有效 tLZOE CE OE 數(shù)據(jù)輸出 數(shù)據(jù)輸出有效 tHZCE tHZOE tDOE tLZCE tACE tRC 高阻 (a) (b) 3. SRAM的讀寫操作及時序圖的讀寫操作及時序圖 讀操作時序圖讀操作時序圖 3. SRAM的讀寫操作及時序圖的讀寫操作及時序圖 寫操作時序圖寫操作時序圖 tHD tSD 地址有效 tWC 地址 CE 數(shù)據(jù) 輸入數(shù)據(jù)有效 tAW tSA tSCE tHA WE tSA tHD tSD 地址有效 tWC 地址 CE 數(shù)據(jù) 輸入數(shù)據(jù)有效 tAW tHA WE
23、 A1 A0 輸輸入入 寄寄存存器器 I /O OE WE CE 地地址址 寄寄存存 器器 叢叢發(fā)發(fā)控控 制制邏邏輯輯 D1 D0 Q1 Q0 讀讀寫寫控控制制 邏邏輯輯 A CP ADV 存存儲儲陣陣列列 地地址址譯譯碼碼 輸輸入入驅(qū)驅(qū)動動 輸輸 出出 放放 大大 A1 A0 寫寫地地 址址寄寄 存存器器 數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)選選擇擇器器 7.2.2 同步靜態(tài)隨機存取存儲器同步靜態(tài)隨機存取存儲器(SSRAM) SSRAM是一種高速是一種高速RAM。與。與SRAM不同不同, SSRAM的讀寫的讀寫 操作是在時鐘脈沖節(jié)拍控制下完成的。操作是在時鐘脈沖節(jié)拍控制下完成的。 A1 A0 輸輸入入 寄寄存存器器 I
24、 /O OE WE CE 地地址址 寄寄存存 器器 叢叢發(fā)發(fā)控控 制制邏邏輯輯 D1 D0 Q1 Q0 讀讀寫寫控控制制 邏邏輯輯 A CP ADV 存存儲儲陣陣列列 地地址址譯譯碼碼 輸輸入入驅(qū)驅(qū)動動 輸輸 出出 放放 大大 A1 A0 寫寫地地 址址寄寄 存存器器 數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)選選擇擇器器 寄存地址線上的地址寄存地址線上的地址 寄存要寫入的寄存要寫入的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) ADV=0:普通模式讀寫普通模式讀寫 ADV=1:叢發(fā)模式讀寫叢發(fā)模式讀寫 WE =0:寫操作寫操作 =1:讀操作讀操作 WE 寄存各種使能控制信號,生成最終的寄存各種使能控制信號,生成最終的 內(nèi)部讀寫控制信號;內(nèi)部讀寫控制信號; 2
25、 2位二進制計數(shù)器位二進制計數(shù)器, , 處理處理A1A0 ADV=0:普通模式讀寫普通模式讀寫 C P A 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A 7 A 8 A 9 W E A D V C E A 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 O (A 1) O (A 4) O (A 7) I (A 8) O (A 2) O (A 3) I (A 5) I (A 6) I/O 片片 選選 無無 效效 =0:寫操作寫操作 WE =1:讀操作讀操作 WE 普通模式讀寫模式普通模式讀寫模式:在每個時鐘有效沿鎖存輸入信號在每個時鐘有效沿鎖存輸入信號,在一在一 個時鐘周期內(nèi)個時鐘周期內(nèi),由內(nèi)
26、部電路完成數(shù)據(jù)的讀由內(nèi)部電路完成數(shù)據(jù)的讀(寫寫)操作。操作。 讀讀A1 地址地址 單元單元 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) I/O輸輸 出出A1 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù); 開始開始 讀讀A2 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) I/O輸輸 出出A2 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù); 開始開始 讀讀A3 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) I/O輸輸 出出A6 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù); 開始開始 讀讀A7 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 開始開始 讀讀A4 地址地址 單元單元 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) I/O輸輸 入入A5 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù); 開始開始 寫寫A6 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) I/O輸輸 出出A4 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù); 開始開始 寫寫A5 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù), CP A1 A2 A3 WE ADV CE A 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 O(A1) O(A2+1O(A
27、2) I (A3) O(A1+1) O(A1+2O(A2+2) O(A2+3) O(A2) I (A3+1) I/O 讀讀A2 地址地址 單元單元 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 叢發(fā)叢發(fā) 模式模式 讀讀 A2+1 中的中的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 叢發(fā)叢發(fā) 模式模式 讀讀 A2+2 中的中的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 叢發(fā)叢發(fā) 模式模式 讀讀 A2+3 中的中的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 叢發(fā)叢發(fā) 模式模式 重新重新 讀讀A2 中的中的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) ADV=1:叢發(fā)模式讀寫叢發(fā)模式讀寫 叢發(fā)模式讀寫模式:在有新地址輸入后叢發(fā)模式讀寫模式:在有新地址輸入后,自動產(chǎn)生后續(xù)地址自動產(chǎn)生后續(xù)地址 進行讀寫操作進行讀寫操作,地址總線讓出。地址總線讓出。 讀讀A1 地址地
28、址 單元單元 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 叢發(fā)叢發(fā) 模式模式 讀讀 A1+1 中的中的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 叢發(fā)叢發(fā) 模式模式 讀讀 A1+2 中的中的 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 在由在由SSRAM構(gòu)成的計算機系統(tǒng)中,由于在構(gòu)成的計算機系統(tǒng)中,由于在 時鐘有效沿到來時,地址、數(shù)據(jù)、控制等信號時鐘有效沿到來時,地址、數(shù)據(jù)、控制等信號 被鎖存到被鎖存到SSRAM內(nèi)部的寄存器中,因此讀寫過內(nèi)部的寄存器中,因此讀寫過 程的延時等待均在時鐘作用下,由程的延時等待均在時鐘作用下,由SSRAM內(nèi)部內(nèi)部 控制完成。此時,系統(tǒng)中的微處理器在讀寫控制完成。此時,系統(tǒng)中的微處理器在讀寫 SSRAM的同時,可以處理其他任務,從而提高的同時,可以處理其他任務,從
29、而提高 了整個系統(tǒng)的工作速度。了整個系統(tǒng)的工作速度。 SSRAM的使用特點:的使用特點: 1、動態(tài)存儲單元及基本操作原理、動態(tài)存儲單元及基本操作原理 T 存儲單元存儲單元 寫操作寫操作:X=1 =0 WE T導通,電容器導通,電容器C與位線與位線B連通連通 輸入緩沖器被選輸入緩沖器被選 通,數(shù)據(jù)通,數(shù)據(jù)DI經(jīng)緩沖經(jīng)緩沖 器和位線寫入存器和位線寫入存 儲單元儲單元 如果如果DI為為1,則向,則向 電容器充電,電容器充電,C存存 1;反之電容器放反之電容器放 電電,C存存0 。 刷新刷新R 行選線行選線X O D 讀讀/寫寫WE I D 輸出緩沖器輸出緩沖器/ 靈敏放大器靈敏放大器 刷新緩沖器刷新
30、緩沖器 輸入緩沖器輸入緩沖器 位位 線線 B 7.2.3 動態(tài)隨機存取存儲器動態(tài)隨機存取存儲器 C 讀操作讀操作:X=1 =1 WE T導通,電容器導通,電容器C與位線與位線B連通連通 輸出緩沖器輸出緩沖器/靈敏放大器靈敏放大器 被選通,被選通,C中存儲的數(shù)據(jù)中存儲的數(shù)據(jù) 通過位線和緩沖器輸出。通過位線和緩沖器輸出。 T 刷新刷新R 行選線行選線X O D WE I D 輸出緩沖器輸出緩沖器/ 靈敏放大器靈敏放大器 刷新緩沖器刷新緩沖器 輸入緩沖器輸入緩沖器 位位 線線 B 每次讀出后,必須及時每次讀出后,必須及時 對讀出單元刷新,即此對讀出單元刷新,即此 時刷新控制時刷新控制R也為高電平,也
31、為高電平, 則讀出的數(shù)據(jù)又經(jīng)刷新則讀出的數(shù)據(jù)又經(jīng)刷新 緩沖器和位線對電容器緩沖器和位線對電容器C 進行刷新。進行刷新。 思考題思考題:RAM屬于屬于PLD嗎?嗎? 7.2.4 存儲容量的擴展存儲容量的擴展 位擴展可以利用芯片的并聯(lián)方式實現(xiàn)。位擴展可以利用芯片的并聯(lián)方式實現(xiàn)。 CE A11 A0 WE D0 D1 D2 D3 WE CEA0 A11 4K4位位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K4位位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字長(位數(shù))的擴展字長(位數(shù))的擴展用用4KX4位的芯片組成位的芯片組成4K16
32、位的存儲系統(tǒng)。位的存儲系統(tǒng)。 2.2.字數(shù)的擴展字數(shù)的擴展用用8KX8位的芯片組成位的芯片組成32KX8位的存儲系統(tǒng)。位的存儲系統(tǒng)。 RAM D D0 0 D D7 7 A A0 0 A A12 12 CE 芯片數(shù)芯片數(shù)=4=4 RAM D D0 0 D D7 7 A A0 0 A A12 12 CE RAM D D0 0 D D7 7 A A0 0 A A12 12 CE RAM D D0 0 D D7 7 A A0 0 A A12 12 CE 系統(tǒng)地址線數(shù)系統(tǒng)地址線數(shù)=15=15 系統(tǒng)系統(tǒng):A0 A14 A13 A14? 2000H 2001H 2002H 3FFFH 4000H 400H
33、 4002H 5FFFH 6000H 6001H 6002H 7FFFH 0000H 0001H 0002H 1FFFH 芯片芯片:A0 A12 32K8位存儲器系統(tǒng)的地址分配表位存儲器系統(tǒng)的地址分配表 各各 RAM 芯片芯片 譯碼器譯碼器 有效輸有效輸 出端出端 擴展的地擴展的地 址輸入端址輸入端 A14 A13 8K8位位RAM芯片地址輸入端芯片地址輸入端 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 對應的十對應的十 六進制地六進制地 址碼址碼 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
34、 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0000H 0001H 0002H 1FFFH 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2000H 2001H 2002H 3FFFH 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1
35、 1 1 1 1 1 1 1 1 1 4000H 400H 4002H 5FFFH Y0 Y1 Y2 Y3 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 6000H 6001H 6002H 7FFFH A12 A0 C E W E D7 D0 8K 8 位位 ( ) 8K 8 位位 ( ) 8K 8 位位 ( ) 8K 8 位位 ( ) D7 D0 A12 A0 W E A1 A0 A14 A13 EN Y0 Y1 Y2 Y3
36、 13 13 13 13 13 8 8 8 8 8 74139 A12 A0 C E W E D7 D0 A12 A0 C E W E D7 D0 A12 A0 C E W E D7 D0 字數(shù)的擴展可以利用外加譯碼器控制存儲器芯片的片選輸入字數(shù)的擴展可以利用外加譯碼器控制存儲器芯片的片選輸入 端來實現(xiàn)。端來實現(xiàn)。 你接觸過哪些類型的你接觸過哪些類型的 存儲器?對其原理與使用存儲器?對其原理與使用 方法有何體會?方法有何體會? 討論:討論: 7.2.4 7.2.5 作業(yè): 7.3 復雜可編程邏輯器件復雜可編程邏輯器件 7.3.1 CPLD的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 7.3.2 CPLD編程簡介編程簡介 7.
37、3 復雜可編程邏輯器件復雜可編程邏輯器件(CPLD) 每個塊之間可以使用可編程內(nèi)部連線每個塊之間可以使用可編程內(nèi)部連線(或者稱為可編程或者稱為可編程 的開關(guān)矩陣的開關(guān)矩陣)實現(xiàn)相互連接。實現(xiàn)相互連接。 CPLD器件內(nèi)部含有多個邏輯塊,每個邏輯塊都相當于器件內(nèi)部含有多個邏輯塊,每個邏輯塊都相當于 一個一個GAL器件器件; 與與PAL、GAL相比,相比,CPLD的集成度更高,有更多的輸?shù)募啥雀?,有更多的?入端、乘積項和更多的宏單元入端、乘積項和更多的宏單元; 邏輯塊 邏輯塊 邏輯塊 邏輯塊 邏輯塊 邏輯塊 邏輯塊 邏輯塊 7.3.1 CPLD的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 可 編 程 內(nèi) 部 連 線 矩 陣
38、I/O I/O 更多更多乘積項乘積項、更多、更多宏單元宏單元、更多的、更多的輸入信號輸入信號。 通用的通用的CPLD器件邏輯塊的結(jié)構(gòu)器件邏輯塊的結(jié)構(gòu) 內(nèi)部 可編 程連 線區(qū) n 宏單元 1 宏單元 2 宏單元 3 可編 程乘 積項 陣列 乘積 項分 配 宏單元 m 內(nèi)部 可編 程連 線區(qū) m m I/O 塊 Xilinx XG500: 90個個36變量的乘積項變量的乘積項,宏單元宏單元36個個 Altera MAX7000: 80個個36變量的乘積項變量的乘積項,宏單元宏單元16個個 到上一個宏單元到上一個宏單元 來自上一個宏單元來自上一個宏單元 乘積項分配電路乘積項分配電路 G G3 3 S
39、 S8 8 G G2 2 G G1 1 S S6 6 S S7 7 乘積乘積 項置項置 位位 全局復位全局復位 M M2 2 S S1 1 S S2 2 S S3 3 S S4 4 S S5 5 1 1 0 0 M M1 1 M M4 4 G G5 5 G G4 4 全局時鐘全局時鐘 3 3 S S R R D/TD/T C CLKLK FFFF M M5 5 全局置位全局置位 乘積項乘積項 復位復位 乘積項輸出使能乘積項輸出使能 OEOE M M3 3 到內(nèi)部可編到內(nèi)部可編 程連線區(qū)程連線區(qū) PTOE PTOE 到下一個宏單元到下一個宏單元 來自下一個宏單元來自下一個宏單元 到到 I/OI/
40、O 單元單元 OUTOUT 到到 I/OI/O 單元單元 3 3 XG500系列乘積項分配和宏單元系列乘積項分配和宏單元 可編程可編程 數(shù)據(jù)分配數(shù)據(jù)分配 器器 可編程數(shù)據(jù)可編程數(shù)據(jù) 選擇器選擇器 宏輸出宏輸出 可編程內(nèi)部連線可編程內(nèi)部連線 可編程內(nèi)部連線的作用是實現(xiàn)邏輯塊與邏輯塊之間、邏輯可編程內(nèi)部連線的作用是實現(xiàn)邏輯塊與邏輯塊之間、邏輯 塊與塊與I/O塊之間以及全局信號到邏輯塊和塊之間以及全局信號到邏輯塊和I/O塊之間的連接。塊之間的連接。 連線區(qū)的可編程連接一般由連線區(qū)的可編程連接一般由 E CMOS管實現(xiàn)。管實現(xiàn)。 可編程連接原理圖可編程連接原理圖 內(nèi)部連線內(nèi)部連線 宏單元或宏單元或 I/O 連線 連線 E2CMOS 管 管 T 當當E CMOS管被編程為導通管被編程為導通 時,縱線和橫線連通;被編程為時,縱線和橫線連通;被編程為 截止時,兩線則不通截止時,兩線則不通。 2 2 I/O
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