內(nèi)存重要參數(shù)詳解

1、內(nèi)存重要參數(shù)詳解(轉(zhuǎn)載)- 時(shí)序內(nèi)存的時(shí)序參數(shù)一般簡(jiǎn)寫為2/2/2/6- 11/1t的格式，分別代表cas/trcd/trp/tras/cmd的值。 2/2/2/6-11/1t中最后兩個(gè)時(shí)序參數(shù)，也就是tras和cmd(command縮寫)，是其中較復(fù)雜的時(shí)序參數(shù)。目前市場(chǎng)上對(duì)這兩個(gè)參數(shù)的認(rèn)識(shí)有一些錯(cuò)誤，因?yàn)椴糠謨?nèi)存廠商直接用它們來代表內(nèi)存性能。cmd rate command rate譯為“首命令延遲”，這個(gè)參數(shù)的含義是片選后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。片選是指對(duì)行物理bank的選擇(通過 dimm上cs片選信號(hào)進(jìn)行)。如果系統(tǒng)指使用一條單面內(nèi)存，那就不存在片選的

2、問題了，因?yàn)榇藭r(shí)只有一個(gè)物理bank。用更通俗的說 法，cmd rate是一種芯片組意義上的延遲，它并不全由內(nèi)存決定，是由芯片組把虛擬地址解釋為物理地址。不難估計(jì)，高密度大容量的系統(tǒng)內(nèi)存的物理地址范圍更大，其 cmd延遲肯定比只有單條內(nèi)存的系統(tǒng)大，即使是雙面單條。intel對(duì)cmd這個(gè)問題就非常敏感，因此部分芯片組的內(nèi)存通道被限制到四個(gè)bank。這樣就可以比較放心地把cmd rate限定在1t，而不理用戶最多能安裝多少容量的內(nèi)存。宣揚(yáng)cmd rate可以設(shè)為1t實(shí)際上多少也算是一種誤導(dǎo)性廣告，因?yàn)樗械臒o緩沖(unbuffered)內(nèi)存都應(yīng)具有1t的cmd rate，最多支持四個(gè)bank每條內(nèi)

3、存通道，當(dāng)然也不排除芯片組的局限性。tras tras在內(nèi)存規(guī)范的解釋是active to precharge delay，行有效至行預(yù)充電時(shí)間。是指從收到一個(gè)請(qǐng)求后到初始化ras(行地址選通脈沖)真正開始接受數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間。這個(gè)參數(shù)看上去似乎很重要，其實(shí)不然。內(nèi)存訪問是一個(gè)動(dòng)態(tài)的過程，有時(shí)內(nèi)存非常繁忙，但也有相對(duì)空閑的時(shí)候，雖然內(nèi)存訪問是連續(xù)不斷的。tras命令是訪問新數(shù)據(jù)的過程(例如打開一個(gè)新的程序)，但發(fā)生的不多。接下來幾個(gè)內(nèi)存時(shí)序參數(shù)分別為cas延遲，trcd，以及trp，這些參數(shù)又是如何影響系統(tǒng)性能的呢？cas cas意為列地址選通脈沖(column address strobe 或

4、者column address select)，cas控制著從收到命令到執(zhí)行命令的間隔時(shí)間，通常為2，2.5，3這個(gè)幾個(gè)時(shí)鐘周期。在整個(gè)內(nèi)存矩陣中，因?yàn)閏as按列地址管理物理地址，因此在穩(wěn)定的基礎(chǔ)上，這個(gè)非常重要的參數(shù)值越低越好。過程是這樣的，在內(nèi)存陣列中分為行和列，當(dāng)命令請(qǐng)求到達(dá)內(nèi)存后，首先被觸發(fā)的是tras (active to precharge delay)，數(shù)據(jù)被請(qǐng)求后需預(yù)先充電，一旦tras被激活后，ras才開始在一半的物理地址中尋址，行被選定后，trcd初始化，最后才通過cas找到精確的地址。整個(gè)過程也就是先行尋址再列尋址。從cas開始到cas結(jié)束就是現(xiàn)在講解的cas延遲了。因?yàn)?/p>

5、cas是尋址的最后一個(gè)步驟，所以在內(nèi)存參數(shù)中它是最重要的。trcd根據(jù)標(biāo)準(zhǔn) trcd是指ras to cas delay(ras至cas延遲)，對(duì)應(yīng)于cas，ras是指row address strobe，行地址選通脈沖。cas和ras共同決定了內(nèi)存尋址。ras(數(shù)據(jù)請(qǐng)求后首先被激發(fā))和cas(ras完成后被激發(fā))并不是連續(xù)的，存在著延遲。然而，這個(gè)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能的影響并不大，因?yàn)槌绦虼鎯?chǔ)數(shù)據(jù)到內(nèi)存中是一個(gè)持續(xù)的過程。在同個(gè)程序中一般都會(huì)在同一行中尋址，這種情況下就不存在行尋址到列尋址的延遲了。trptrp指 ras precharge time ，行預(yù)充電時(shí)間。也就是內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問結(jié)束

6、到重新開始的間隔時(shí)間。簡(jiǎn)單而言，在依次經(jīng)歷過tras，然后 ras， trcd，和cas之后，需要結(jié)束當(dāng)前的狀態(tài)然后重新開始新的循環(huán)，再從tras開始。這也是內(nèi)存工作最基本的原理。如果你從事的任務(wù)需要大量的數(shù)據(jù)變化，例如視頻渲染，此時(shí)一個(gè)程序就需要使用很多的行來存儲(chǔ)，trp的參數(shù)值越低表示在不同行切換的速度越快。顆粒封裝技術(shù)1、simm(single inline memory module，單內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊) 內(nèi)存條通過金手指與主板連接，內(nèi)存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號(hào)，也可以提供相同的信號(hào)。simm就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號(hào)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，它多用于早期的fpm和e

7、dd dram，最初一次只能傳輸8bif數(shù)據(jù)，后來逐漸發(fā)展出16bit、32bit的simm模組，其中8bit和16bitsimm使用30pin接口， 32bit的則使用72pin接口。在內(nèi)存發(fā)展進(jìn)入sdram時(shí)代后，simm逐漸被dimm技術(shù)取代。2、dimmdimm與simm相當(dāng)類似，不同的只是dimm的金手指兩端不像simm那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào)，因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要。同樣采用dimm，sdram 的接口與ddr內(nèi)存的接口也略有不同，sdram dimm為168pin dimm結(jié)構(gòu)，金手指每面為84pin，金手指上有兩個(gè)卡口，用來避免插入插槽時(shí)，錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插

8、入而導(dǎo)致燒毀；ddr dimm則采用184pin dimm結(jié)構(gòu)，金手指每面有92pin，金手指上只有一個(gè)卡口?？跀?shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。ddr2 dimm為240pin dimm結(jié)構(gòu)，金手指每面有120pin，與ddr dimm一樣金手指上也只有一個(gè)卡口，但是卡口的位置與ddr dimm稍微有一些不同，因此ddr內(nèi)存是插不進(jìn)ddr2 dimm的，同理ddr2內(nèi)存也是插不進(jìn)ddr dimm的，因此在一些同時(shí)具有ddr dimm和ddr2 dimm的主板上，不會(huì)出現(xiàn)將內(nèi)存插錯(cuò)插槽的問題。3、rimmrimm是rambus公司生產(chǎn)的rdram內(nèi)存所采用的接口類型，rimm內(nèi)存與dimm的外型尺寸差