物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)專(zhuān)題復(fù)習(xí)

1、物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)專(zhuān)題復(fù)習(xí)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的內(nèi)容比較多，必修2中有部分內(nèi)容，較基礎(chǔ)，大部分內(nèi)容集中在選 修3中。選修3中將物質(zhì)結(jié)構(gòu)劃分為3個(gè)層次，即原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)、分子結(jié)構(gòu)和性 質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。剛好3章內(nèi)容供我們學(xué)習(xí)，考試時(shí)也主要考查這 3個(gè)方面的 內(nèi)容。我們要掌握的內(nèi)容雖然很多，但考試的時(shí)候不可能全部考。我們要掌握好重、 難點(diǎn)知識(shí)，研究好近3年的高考新課程卷中考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)的相關(guān)習(xí)題（以全國(guó)新課 標(biāo)卷為主），掌握其命題方式、考查形式及內(nèi)容，做到胸有成竹，有的放矢，能取到 事半功倍的效果。一對(duì)命題方式的認(rèn)識(shí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)的內(nèi)容以選作題的方式考查學(xué)生對(duì)知識(shí)的掌 握程度和對(duì)知識(shí)的運(yùn)用能力。主要以元素推斷題的形

2、式考查，一般告訴我們?cè)拥?核外電子排布情況，也可能是原子半徑及主要化合價(jià)、 電負(fù)性、第一電離能等信息， 要求學(xué)生能根據(jù)題目信息分析出對(duì)應(yīng)的元素，然后考查原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。有時(shí)也會(huì) 告訴我們?cè)刂g形成的單質(zhì)或化合物的特殊性質(zhì)，讓我們能分析出指定的元素及 其化合物，然后考查分子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。還可能會(huì)告訴我們某些物質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)和晶 體的特殊性質(zhì)，然后考查晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。少數(shù)時(shí)候以無(wú)極框圖題形式，以常見(jiàn)無(wú) 機(jī)物之間的相互轉(zhuǎn)變?yōu)橹骶€(xiàn)，考查物質(zhì)結(jié)構(gòu) 3個(gè)方面的內(nèi)容。二 對(duì)考查內(nèi)容和問(wèn)題設(shè)置的認(rèn)識(shí)一般設(shè)置4-5問(wèn)，8-10個(gè)空。共15分。1、2問(wèn)以考查元素的原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)為主；3、4問(wèn)以考查物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和

3、性質(zhì)為主； 最后一問(wèn)以考查物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)為主。原子結(jié)構(gòu)中的?？純?nèi)容有1元素在周期表中的位置；2原子（離子）結(jié)構(gòu)示意圖（這2個(gè)是必修內(nèi)容）；3基態(tài)原子核外 （最外層）電子排布式和排布圖（構(gòu)造原理的應(yīng)用，注意Cr和Cu）； 4離子半徑大小的比較；5第一電離能大小的比較（注意 N、Mg和P的特殊性）；6電負(fù)性（金屬 性和非金屬性）強(qiáng)弱的比較；7原子光譜和電子躍遷。分子結(jié)構(gòu)中的?？純?nèi)容有1 鍵和二鍵的判斷；2鍵角大小的比較和計(jì)算；3分子中中心原子軌道雜化類(lèi)型；4鍵 的極性和分子極性的判斷；5分子（離子）的電子構(gòu)型和空間構(gòu)型（NH3的電子構(gòu)型 是四面體，空間構(gòu)型是三角錐形）；6范德華力和氫鍵對(duì)物質(zhì)

4、性質(zhì)的影響（尤其是氫 鍵對(duì)某些物質(zhì)沸點(diǎn)、溶解性、密度等的影響）；7等電子體原理的應(yīng)用（CO和 N2）； 8配位化合物。晶體結(jié)構(gòu)中的?？純?nèi)容1晶胞均攤的計(jì)算；2晶胞中指定微粒的配位 數(shù)（NaCI、CsCI、CaF2干冰）；3金屬晶體的4種典型堆積方式（Po簡(jiǎn)單立方堆積， 配位數(shù)是6; Na K、Fe體心立方堆積，配位數(shù)為8； Mg Zn、Ti六方最密堆積；Cu Ag、Au面心立方最密堆積）；4各種晶體熔沸點(diǎn)的比較；5由晶胞結(jié)構(gòu)計(jì)算晶體的密 度、相對(duì)分子質(zhì)量或晶胞的邊長(zhǎng)（結(jié)構(gòu)中最難的內(nèi)容）。 高考真題訓(xùn)練（做題時(shí)考慮一下出題人的命題方式和考點(diǎn)內(nèi)容） 137.化學(xué)一一選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）

5、VIA 族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含 VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）S 單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方 式是；（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，OS、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?:（3）Se 原子序數(shù)為，其核外M層電子的排布式為；(4) H 2Se的酸性比HS(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO分子的立體構(gòu)型為, SO離子的立體構(gòu)型為 ;H 2SeO的Ki和K2分別為2.7 X 10一3和2.5 X 10-8,HSeQ第一步幾乎完全電離，&為1.2 X 10 2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋?zhuān)篐zSeQ和HSeQ第一步電離程度大于第二步電離的原因： ;SeQ比HSeQ酸性強(qiáng)的原因： (6)ZnS在熒