吉林省關于成立半導體硅片公司可行性報告（模板）

1、泓域咨詢 /吉林省關于成立半導體硅片公司可行性報告吉林省關于成立半導體硅片公司可行性報告xxx有限責任公司目錄第一章 籌建公司基本信息9一、 公司名稱9二、 注冊資本9三、 注冊地址9四、 主要經(jīng)營范圍9五、 主要股東9公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)10公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)10公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)12公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)12六、 項目概況13第二章 公司成立方案16一、 公司經(jīng)營宗旨16二、 公司的目標、主要職責16三、 公司組建方式17四、 公司管理體制17五、 部門職責及權限18六、 核心人員介紹22七、 財務會計制度23第三章 項目背景及必要性27一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景27

2、二、 半導體硅片需求情況29三、 半導體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢32四、 項目實施的必要性35第四章 市場分析37一、 半導體硅片介紹及主要種類37二、 半導體硅片介紹及主要種類42第五章 法人治理48一、 股東權利及義務48二、 董事51三、 高級管理人員57四、 監(jiān)事59第六章 發(fā)展規(guī)劃分析61一、 公司發(fā)展規(guī)劃61二、 保障措施62第七章 項目風險評估65一、 項目風險分析65二、 公司競爭劣勢72第八章 選址方案73一、 項目選址原則73二、 建設區(qū)基本情況73三、 創(chuàng)新驅動發(fā)展77四、 社會經(jīng)濟發(fā)展目標80五、 產業(yè)發(fā)展方向81六、 項目選址綜合評價83第九章 環(huán)保分析84一、 編制依

3、據(jù)84二、 環(huán)境影響合理性分析85三、 建設期大氣環(huán)境影響分析85四、 建設期水環(huán)境影響分析86五、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析87六、 建設期聲環(huán)境影響分析87七、 營運期環(huán)境影響88八、 環(huán)境管理分析89九、 結論及建議90第十章 建設進度分析92一、 項目進度安排92項目實施進度計劃一覽表92二、 項目實施保障措施93第十一章 項目投資計劃94一、 投資估算的編制說明94二、 建設投資估算94建設投資估算表96三、 建設期利息96建設期利息估算表97四、 流動資金98流動資金估算表98五、 項目總投資99總投資及構成一覽表99六、 資金籌措與投資計劃100項目投資計劃與資金籌措一覽表1

4、01第十二章 項目經(jīng)濟效益分析103一、 基本假設及基礎參數(shù)選取103二、 經(jīng)濟評價財務測算103營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表103綜合總成本費用估算表105利潤及利潤分配表107三、 項目盈利能力分析108項目投資現(xiàn)金流量表109四、 財務生存能力分析110五、 償債能力分析111借款還本付息計劃表112六、 經(jīng)濟評價結論113第十三章 項目綜合評價114第十四章 附表附件116主要經(jīng)濟指標一覽表116建設投資估算表117建設期利息估算表118固定資產投資估算表119流動資金估算表120總投資及構成一覽表121項目投資計劃與資金籌措一覽表122營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表123綜

5、合總成本費用估算表123固定資產折舊費估算表124無形資產和其他資產攤銷估算表125利潤及利潤分配表126項目投資現(xiàn)金流量表127借款還本付息計劃表128建筑工程投資一覽表129項目實施進度計劃一覽表130主要設備購置一覽表131能耗分析一覽表131報告說明雖然中國半導體行業(yè)銷售規(guī)模持續(xù)擴張，但中國半導體產業(yè)依然嚴重依賴進口。根據(jù)海關總署統(tǒng)計，2018年，中國集成電路進口金額達3,120.58億美元，連續(xù)第四年超過原油進口金額，位列中國進口商品第一位，并且貿易逆差還在不斷擴大。中國半導體產業(yè)國產化進程嚴重滯后于國內快速增長的市場需求，中國半導體企業(yè)進口替代空間巨大。當前，中國半導體產業(yè)正處于產

6、業(yè)升級的關鍵階段，實現(xiàn)核心技術的“自主可控”是中國半導體產業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標。xxx有限責任公司主要由xxx有限公司和xx有限公司共同出資成立。其中：xxx有限公司出資190.00萬元，占xxx有限責任公司20%股份；xx有限公司出資760萬元，占xxx有限責任公司80%股份。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資41637.19萬元，其中：建設投資31423.14萬元，占項目總投資的75.47%；建設期利息370.20萬元，占項目總投資的0.89%；流動資金9843.85萬元，占項目總投資的23.64%。項目正常運營每年營業(yè)收入94300.00萬元，綜合總成本費用78413.01萬元，凈利潤1160

7、4.19萬元，財務內部收益率20.16%，財務凈現(xiàn)值14872.71萬元，全部投資回收期5.79年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項目技術上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結構合理，技術方案設計優(yōu)良。本期項目的投資建設和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。第一章 籌建公司基本信息一、 公司名稱xxx有限責任公司（以工商登記信息為準）二、 注冊資本950萬元三、 注冊地址吉林省xxx四、 主要經(jīng)營范圍經(jīng)營范圍：從事半導體硅片相關業(yè)務（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關部門批準后依批準的內容開展經(jīng)營活動；不得

8、從事本市產業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）五、 主要股東xxx有限責任公司主要由xxx有限公司和xx有限公司發(fā)起成立。（一）xxx有限公司基本情況1、公司簡介公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產品服務、可靠的質量、一流的服務為客戶提供更多更好的優(yōu)質產品及服務。面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結構調整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機構、企業(yè)文化、質量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，配合產業(yè)供給側結構改革。同時，公司注重履行社會責任所帶來的發(fā)展機遇，積極踐行“責任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營

9、來贏得信任。2、主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額13472.5110778.0110104.38負債總額5836.024668.824377.02股東權益合計7636.496109.195727.37公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入44180.8435344.6733135.63營業(yè)利潤6934.145547.315200.61利潤總額5723.164578.534292.37凈利潤4292.373348.053090.51歸屬于母公司所有者的凈利潤4292.373348.053090.51

10、（二）xx有限公司基本情況1、公司簡介當前，國內外經(jīng)濟發(fā)展形勢依然錯綜復雜。從國際看，世界經(jīng)濟深度調整、復蘇乏力，外部環(huán)境的不穩(wěn)定不確定因素增加，中小企業(yè)外貿形勢依然嚴峻，出口增長放緩。從國內看，發(fā)展階段的轉變使經(jīng)濟發(fā)展進入新常態(tài)，經(jīng)濟增速從高速增長轉向中高速增長，經(jīng)濟增長方式從規(guī)模速度型粗放增長轉向質量效率型集約增長，經(jīng)濟增長動力從物質要素投入為主轉向創(chuàng)新驅動為主。新常態(tài)對經(jīng)濟發(fā)展帶來新挑戰(zhàn)，企業(yè)遇到的困難和問題尤為突出。面對國際國內經(jīng)濟發(fā)展新環(huán)境，公司依然面臨著較大的經(jīng)營壓力，資本、土地等要素成本持續(xù)維持高位。公司發(fā)展面臨挑戰(zhàn)的同時，也面臨著重大機遇。隨著改革的深化，新型工業(yè)化、城鎮(zhèn)化、信

11、息化、農業(yè)現(xiàn)代化的推進，以及“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”、中國制造2025、“互聯(lián)網(wǎng)+”、“一帶一路”等重大戰(zhàn)略舉措的加速實施，企業(yè)發(fā)展基本面向好的勢頭更加鞏固。公司將把握國內外發(fā)展形勢，利用好國際國內兩個市場、兩種資源，抓住發(fā)展機遇，轉變發(fā)展方式，提高發(fā)展質量，依靠創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新開辟發(fā)展新路徑，贏得發(fā)展主動權，實現(xiàn)發(fā)展新突破。公司堅持提升企業(yè)素質，即“企業(yè)管理水平進一步提高，人力資源結構進一步優(yōu)化，人員素質進一步提升，安全生產意識和社會責任意識進一步增強，誠信經(jīng)營水平進一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素質企業(yè)員工，企業(yè)品牌影響力不斷提升。2、主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月

12、2019年12月2018年12月資產總額13472.5110778.0110104.38負債總額5836.024668.824377.02股東權益合計7636.496109.195727.37公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入44180.8435344.6733135.63營業(yè)利潤6934.145547.315200.61利潤總額5723.164578.534292.37凈利潤4292.373348.053090.51歸屬于母公司所有者的凈利潤4292.373348.053090.51六、 項目概況（一）投資路徑xxx有限責任公司主要從事關于成立半導體硅片公

13、司的投資建設與運營管理。（二）項目提出的理由2014年，隨著國家集成電路產業(yè)基金的設立，各地方亦紛紛設立了集成電路產業(yè)基金。半導體硅片作為集成電路基礎性、關鍵性材料，屬于國家行業(yè)政策與資金重點支持發(fā)展的領域。吉林正處在發(fā)展方式轉變、結構優(yōu)化升級的重要關口，處在體制機制變革、發(fā)展活力蓄積的重要關口，處在優(yōu)勢充分釋放、動力加快轉換的重要關口。“十三五”時期，是我們應對挑戰(zhàn)、化解難題、爬坡過坎、滾石上山、大有可為的重要戰(zhàn)略機遇期。我們必須有足夠清醒的把握、足夠緊迫的意識、足夠必勝的信心，積極適應和引領經(jīng)濟發(fā)展新常態(tài)，堅決破除路徑依賴，更加注重發(fā)揮比較優(yōu)勢，更加注重體制機制創(chuàng)新，更加注重結構優(yōu)化升級，

14、更加注重質量效益提升，更加注重發(fā)展方式轉變，更加注重統(tǒng)籌協(xié)調，推動老工業(yè)基地全面振興，如期實現(xiàn)全面建成小康社會目標。（三）項目選址項目選址位于xxx（待定），占地面積約98.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（四）生產規(guī)模項目建成后，形成年產xxx噸半導體硅片的生產能力。（五）建設規(guī)模項目建筑面積123852.10，其中：生產工程80080.49，倉儲工程24811.91，行政辦公及生活服務設施10413.09，公共工程8546.61。（六）項目投資根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資41637.19萬元，其中：建設投資31

15、423.14萬元，占項目總投資的75.47%；建設期利息370.20萬元，占項目總投資的0.89%；流動資金9843.85萬元，占項目總投資的23.64%。（七）經(jīng)濟效益（正常經(jīng)營年份）1、營業(yè)收入（SP）：94300.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：78413.01萬元。3、凈利潤（NP）：11604.19萬元。4、全部投資回收期（Pt）：5.79年。5、財務內部收益率：20.16%。6、財務凈現(xiàn)值：14872.71萬元。（八）項目進度規(guī)劃項目建設期限規(guī)劃12個月。（九）項目綜合評價該項目工藝技術方案先進合理，原材料國內市場供應充足，生產規(guī)模適宜，產品質量可靠，產品價格具有較強的競爭能

16、力。該項目經(jīng)濟效益、社會效益顯著，抗風險能力強，盈利能力強。綜上所述，本項目是可行的。第二章 公司成立方案一、 公司經(jīng)營宗旨運用現(xiàn)代科學管理方法，保證公司在市場競爭中獲得成功，使全體股東獲得滿意的投資回報并為國家和本地區(qū)的經(jīng)濟繁榮作出貢獻。二、 公司的目標、主要職責（一）目標近期目標：深化企業(yè)改革，加快結構調整，優(yōu)化資源配置，加強企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟效益，完善管理制度及運營網(wǎng)絡。遠期目標：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內兩個市場，優(yōu)化資源配置，實施多

17、元化戰(zhàn)略，向產業(yè)集團化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設成具有先進管理水平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。（二）主要職責1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產業(yè)政策，在國家宏觀調控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產業(yè)政策、半導體硅片行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求，制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、深化企業(yè)改革，加快結構調整，轉換企業(yè)經(jīng)營機制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強化內部管理，促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。4、指導和加強企業(yè)思想政治工作和精神文明建設，統(tǒng)一管理公司的名稱、商標、商譽等無形資產，搞好公司企業(yè)文化建設。5、在保證股東企業(yè)合法權益和自身發(fā)展

18、需要的前提下，公司可依照公司法等有關規(guī)定，集中資產收益，用于再投入和結構調整。三、 公司組建方式xxx有限責任公司主要由xxx有限公司和xx有限公司共同出資成立。其中：xxx有限公司出資190.00萬元，占xxx有限責任公司20%股份；xx有限公司出資760萬元，占xxx有限責任公司80%股份。四、 公司管理體制xxx有限責任公司實行董事會領導下的總經(jīng)理負責制，各部門按其規(guī)定的職能范圍，履行各自的管理服務職能，而且直接對總經(jīng)理負責；公司建立完善的營銷、供應、生產和品質管理體系，確立各部門相應的經(jīng)濟責任目標，加強產品質量和定額目標管理，確保公司生產經(jīng)營正常、有效、穩(wěn)定、安全、持續(xù)運行，有力促進企

19、業(yè)的高效、健康、快速發(fā)展?？偨?jīng)理的主要職責如下：1、全面領導企業(yè)的日常工作；對企業(yè)的產品質量負責；向本公司職工傳達滿足顧客和法律法規(guī)要求的重要性；2、制定并正式批準頒布本公司的質量方針和質量目標，采取有效措施，保證各級人員理解質量方針并堅持貫徹執(zhí)行；3、負責策劃、建立本公司的質量管理體系，批準發(fā)布本公司的質量手冊；4、明確所有與質量有關的職能部門和人員的職責權限和相互關系；5、確保質量管理體系運行所必要的資源配備；6、任命管理者代表，并為其有效開展工作提供支持；7、定期組織并主持對質量管理體系的管理評審，以確保其持續(xù)的適宜性、充分性和有效性。五、 部門職責及權限（一）綜合管理部1、協(xié)助管理者代

20、表組織建立文件化質量體系，并使其有效運行和持續(xù)改進。2、協(xié)助管理者代表，組織內部質量管理體系審核。3、負責本公司文件（包括記錄）的管理和控制。4、負責本公司員工培訓的管理，制訂并實施員工培訓計劃。5、參與識別并確定為實現(xiàn)產品符合性所需的工作環(huán)境，并對工作環(huán)境中與產品符合性有關的條件加以管理。（二）財務部1、參與制定本公司財務制度及相應的實施細則。2、參與本公司的工程項目可信性研究和項目評估中的財務分析工作。3、負責董事會及總經(jīng)理所需的財務數(shù)據(jù)資料的整理編報。4、負責對財務工作有關的外部及政府部門，如稅務局、財政局、銀行、會計事務所等聯(lián)絡、溝通工作。5、負責資金管理、調度。編制月、季、年度財務情

21、況說明分析，向公司領導報告公司經(jīng)營情況。6、負責銷售統(tǒng)計、復核工作，每月負責編制銷售應收款報表，并督促銷售部及時催交樓款。負責銷售樓款的收款工作，并及時送交銀行。7、負責每月轉賬憑證的編制，匯總所有的記賬憑證。8、負責公司總長及所有明細分類賬的記賬、結賬、核對，每月5日前完成會計報表的編制，并及時清理應收、應付款項。9、協(xié)助出納做好樓款的收款工作，并配合銷售部門做好銷售分析工作。10、負責公司全年的會計報表、帳薄裝訂及會計資料保管工作。11、負責銀行財務管理，負責支票等有關結算憑證的購買、領用及保管，辦理銀行收付業(yè)務。12、負責先進管理，審核收付原始憑證。13、負責編制銀行收付憑證、現(xiàn)金收付憑

22、證，登記銀行存款及現(xiàn)金日記賬，月末與銀行對賬單和對銀行存款余額，并編制余額調節(jié)表。14、負責公司員工工資的發(fā)放工作，現(xiàn)金收付工作。（三）投資發(fā)展部1、調查、搜集、整理有關市場信息，并提出投資建議。2、擬定公司年度投資計劃及中長期投資計劃。3、負責投資項目的儲備、篩選、投資項目的可行性研究工作。4、負責經(jīng)董事會批準的投資項目的籌建工作。5、按照國家產業(yè)政策，負責公司產業(yè)結構、投資結構的調整。6、及時完成領導交辦的其他事項。（四）銷售部1、協(xié)助總經(jīng)理制定和分解年度銷售目標和銷售成本控制指標，并負責具體落實。2、依據(jù)公司年度銷售指標，明確營銷策略，制定營銷計劃和拓展銷售網(wǎng)絡，并對任務進行分解，策劃組

23、織實施銷售工作，確保實現(xiàn)預期目標。3、負責收集市場信息，分析市場動向、銷售動態(tài)、市場競爭發(fā)展狀況等，并定期將信息報送商務發(fā)展部。4、負責按產品銷售合同規(guī)定收款和催收，并將相關收款情況報送商務發(fā)展部。5、定期不定期走訪客戶，整理和歸納客戶資料，掌握客戶情況，進行有效的客戶管理。6、制定并組織填寫各類銷售統(tǒng)計報表，并將相關數(shù)據(jù)及時報送商務發(fā)展部總經(jīng)理。7、負責市場物資信息的收集和調查預測，建立起牢固可靠的物資供應網(wǎng)絡，不斷開辟和優(yōu)化物資供應渠道。8、負責收集產品供應商信息，并對供應商進行質量、技術和供就能力進行評估，根據(jù)公司需求計劃，編制與之相配套的采購計劃，并進行采購談判和產品采購，保證產品供應

24、及時，確保產品價格合理、質量符合要求。9、建立發(fā)運流程，設計最佳運輸路線、運輸工具，選擇合格的運輸商，嚴格按公司下達的發(fā)運成本預算進行有效管理，定期分析費用開支，查找超支、節(jié)支原因并實施控制。10、負責對部門員工進行業(yè)務素質、產品知識培訓和考核等工作，不斷培養(yǎng)、挖掘、引進銷售人才，建設高素質的銷售隊伍。六、 核心人員介紹1、崔xx，中國國籍，無永久境外居留權，1961年出生，本科學歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。2、龔xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任

25、xxx有限責任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。3、余xx，中國國籍，1976年出生，本科學歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。4、賀xx，中國國籍，無永久境外居留權，1958年出生，本科學歷，高級經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公

26、司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。5、肖xx，1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。6、葉xx，中國國籍，無永久境外居留權，1970年出生，碩士研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。7、陸xx，中國國籍，1978年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。8、馮xx，

27、中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。七、 財務會計制度（一）財務會計制度1、公司依照法律、行政法規(guī)和國家有關部門的規(guī)定，制定公司的財務會計制度。2、公司年度財務會計報告、半年度財務會計報告和季度財務會計報告按照有關法律、行政法規(guī)及部門規(guī)章的規(guī)定進行編制。3、公司除法定的會計賬簿外，將不另立會計賬簿。公司的資產，不以任何個人名義開立賬戶存儲。4、公司分配當年稅后利潤時，提取利潤的10%列入公司法定公積金。公司法定公積金累計額為公司注冊資本的50%以上的，可以不再提取。公司的法定公積金不足以彌補以前年度虧損的，在依照前款規(guī)定提取法

28、定公積金之前，應當先用當年利潤彌補虧損。公司從稅后利潤中提取法定公積金后，經(jīng)股東大會決議，還可以從稅后利潤中提取任意公積金。公司彌補虧損和提取公積金后所余稅后利潤，按照股東持有的股份比例分配，但本章程規(guī)定不按持股比例分配的除外。股東大會違反前款規(guī)定，在公司彌補虧損和提取法定公積金之前向股東分配利潤的，股東必須將違反規(guī)定分配的利潤退還公司。公司持有的本公司股份不參與分配利潤。5、公司的公積金用于彌補公司的虧損、擴大公司生產經(jīng)營或者轉為增加公司資本。但是，資本公積金將不用于彌補公司的虧損。法定公積金轉為資本時，所留存的該項公積金將不少于轉增前公司注冊資本的25%。6、公司股東大會對利潤分配方案作出

29、決議后，公司董事會須在股東大會召開后2個月內完成股利（或股份）的派發(fā)事項。7、公司可以采取現(xiàn)金方式分配股利。公司將實行持續(xù)、穩(wěn)定的利潤分配辦法，并遵守下列規(guī)定：（1）公司的利潤分配應重視對投資者的合理投資回報；在有條件的情況下，公司可以進行中期現(xiàn)金分紅；（2）原則上公司最近三年以現(xiàn)金方式累計分配的利潤不少于最近3年實現(xiàn)的年均可分配利潤的30%；但具體的年度利潤分配方案仍需由董事會根據(jù)公司經(jīng)營狀況擬訂合適的現(xiàn)金分配比例，報公司股東大會審議；（3）存在股東違規(guī)占用公司資金情況的，公司應當扣減該股東所分配的現(xiàn)金紅利，以償還其占用的資金。（二）內部審計1、公司實行內部審計制度，配備專職審計人員，對公司

30、財務收支和經(jīng)濟活動進行內部審計監(jiān)督。2、公司內部審計制度和審計人員的職責，應當經(jīng)董事會批準后實施。審計負責人向董事會負責并報告工作。第三節(jié)會計師事務所的聘任3、公司聘用會計師事務所必須由股東大會決定，董事會不得在股東大會決定前委任會計師事務所。4、公司保證向聘用的會計師事務所提供真實、完整的會計憑證、會計賬簿、財務會計報告及其他會計資料，不得拒絕、隱匿、謊報。5、會計師事務所的審計費用由股東大會決定。6、公司解聘或者不再續(xù)聘會計師事務所時，提前30天事先通知會計師事務所，公司股東大會就解聘會計師事務所進行表決時，允許會計師事務所陳述意見。會計師事務所提出辭聘的，應當向股東大會說明公司有無不當情

31、形。第三章 項目背景及必要性一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產工藝更復雜、成本更高、應用領域更專業(yè)，全球范圍內僅有Soitec、信越化學、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產。而在需求方面，中國大陸芯片制造領域具備SOI芯片生產能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應用射頻前端芯

32、片是超小型內置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號，是以移動智能終端為代表的無線通信設備的核心器件之一。近年來，移動通信技術迅速發(fā)展，移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點，符合射頻前端芯片對于高速、高線性與低插損等要求。為了應對射頻前

33、端芯片對于集成度與復雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結構與良好的電學性能，為系統(tǒng)設計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標準的集成電路生產線以降低芯片制造企業(yè)的生產成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應用領域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、

34、混和信號器件之間的串擾并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質隔離，RF-SOI實現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產線。國內RF-SOI產業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產能力，但是國內僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應用于智能手機、WiFi

35、等無線通信設備的射頻前端芯片，亦應用于汽車電子、功率器件、傳感器等產品。未來，隨著5G通信技術的不斷成熟，新一輪智能手機的更新?lián)Q代即將到來，以及自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)技術的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。二、 半導體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導體硅片制造。半導體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領域的芯片制造企業(yè)。半導體硅片的終端應用領域涵蓋智能手機、便攜式設備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學技術的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產能情況（1）芯片制造產能情況201

36、7至2020年，全球芯片制造產能（折合成200mm）預計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復合增長率6.64%；中國芯片制造產能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產，中國大陸芯片制造產能增速高于全球芯片產能增速。隨著芯片制造產能的增長，對于半導體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產能低于200mm芯片制造產能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術實力的不斷提升，預計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產能將會超過200mm制造芯片制造產

37、能。（2）半導體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升。SEMI預計，2019年3DNAND存儲器芯片產能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學影像轉化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡中廣泛應用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產品，預計2019年圖像傳感器產能增速將達到21%，

38、圖像傳感器將成為半導體行業(yè)近年增長最強勁的細分領域之一。功率器件主要用于電子電力的開關、功率轉換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復合增長率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓

39、代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標準，半導體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長

40、，以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。三、 半導體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢1、全球半導體硅片市場規(guī)模與

41、發(fā)展態(tài)勢由于半導體行業(yè)與全球宏觀經(jīng)濟形勢緊密相關，全球半導體硅片行業(yè)在2009年受經(jīng)濟危機影響較為低迷出貨量與銷售額均出現(xiàn)下滑；2010年由于智能手機放量增長，硅片行業(yè)大幅反彈。2011年至2016年，全球經(jīng)濟逐漸復蘇但依舊較為低迷，硅片行業(yè)亦隨之低速發(fā)展。2017年以來，受益于半導體終端市場需求強勁，下游傳統(tǒng)應用領域計算機、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應用領域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的快速發(fā)展，半導體硅片市場規(guī)模不斷增長，并于2018年突破百億美元大關。2、全球各尺寸半導體硅片市場情況2018年，300mm硅片和200mm硅片市場份額分別為63.83%和26.1

42、4%，兩種尺寸硅片合計占比接近90.00%。2011年開始，200mm半導體硅片市場占有率穩(wěn)定在25-27%之間。2016年至2017年，由于汽車電子、智能手機用指紋芯片、液晶顯示器市場需求快速增長，200mm硅片出貨面積從2,690.00百萬平方英寸上升至3,085.00百萬平方英寸，同比增長14.68%。2018年，受益于汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應用領域的強勁需求，以及功率器件、傳感器等生產商將部分產能從150mm轉移至200mm，帶動200mm硅片繼續(xù)保持增長，200mm硅片出貨面積達到3,278.00百萬平方英寸，同比增長6.25%。自2000年全球第一條300mm芯片制造生產線建

43、成以來，300mm半導體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導體硅片出貨量首次超過200mm半導體硅片；2009年，300mm半導體硅片出貨面積超過其他尺寸半導體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動通信、計算機等終端市場持續(xù)快速發(fā)展，300mm半導體硅片出貨面積從94.00百萬平方英寸擴大至8,005.00百萬平方英寸，市場份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導體硅片市場最主流的產品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發(fā)展，300mm半導體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,0

44、05.00百萬平方英寸，年均復合增長率為8.36%。3、中國大陸半導體硅片市場現(xiàn)狀及前景2008年至2013年，中國大陸半導體硅片市場發(fā)展趨勢與全球半導體硅片市場一致。2014年起，隨著中國各半導體制造生產線投產、中國半導體制造技術的不斷進步與中國半導體終端產品市場的飛速發(fā)展，中國大陸半導體硅片市場步入了飛躍式發(fā)展階段。2016年至2018年，中國大陸半導體硅片銷售額從5.00億美元上升至9.92億美元，年均復合增長率高達40.88%，遠高于同期全球半導體硅片的年均復合增長率25.65%。中國作為全球最大的半導體產品終端市場，預計未來隨著中國芯片制造產能的持續(xù)擴張，中國半導體硅片市場的規(guī)模將繼

45、續(xù)以高于全球市場的速度增長。半導體硅片作為芯片制造的關鍵材料，市場集中度很高，目前全球半導體硅片市場主要被日本、德國、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。中國大陸的半導體硅片企業(yè)主要生產150mm及以下的半導體硅片，僅有少數(shù)幾家企業(yè)具有200mm半導體硅片的生產能力。2017年以前，300mm半導體硅片幾乎全部依賴進口。2018年，硅產業(yè)集團子公司上海新昇作為中國大陸率先實現(xiàn)300mm硅片規(guī)模化銷售的企業(yè)，打破了300mm半導體硅片國產化率幾乎為0%的局面。四、 項目實施的必要性（一）現(xiàn)有產能已無法滿足公司業(yè)務發(fā)展需求作為行業(yè)的領先企業(yè)，公司已建立良好的品牌形象和較高的市場知名度，產品銷

46、售形勢良好，產銷率超過 100%。預計未來幾年公司的銷售規(guī)模仍將保持快速增長。隨著業(yè)務發(fā)展，公司現(xiàn)有廠房、設備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優(yōu)化生產流程、強化管理等手段，不斷挖掘產能潛力，但仍難以從根本上緩解產能不足問題。通過本次項目的建設，公司將有效克服產能不足對公司發(fā)展的制約，為公司把握市場機遇奠定基礎。（二）公司產品結構升級的需要隨著制造業(yè)智能化、自動化產業(yè)升級，公司產品的性能也需要不斷優(yōu)化升級。公司只有以技術創(chuàng)新和市場開發(fā)為驅動，不斷研發(fā)新產品，提升產品精密化程度，將產品質量水平提升到同類產品的領先水準，提高生產的靈活性和適應性，契合關鍵零部件國產化的需求，才能在與國外企業(yè)

47、的競爭中獲得優(yōu)勢，保持公司在領域的國內領先地位。第四章 市場分析一、 半導體硅片介紹及主要種類1、半導體硅片簡介常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導致下游晶圓制造的生產步驟增加從而使生產成本提高。硅基半導體材料是目前產量最大、應用最廣的半導體材料，90%

48、以上的半導體產品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質量，而

49、熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導體硅片。在半導體硅片上可布設晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導體器件產品。在生產環(huán)節(jié)中，半導體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導體器件的可靠性。2、半導體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產的芯片數(shù)量、降低

50、單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產效率并降低成本，向大尺寸演進是半導體硅片制造技術的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相

51、對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產的芯片數(shù)量的指標）是200mm硅片的2.5倍左右。半導體硅片尺寸越大，對半導體硅片的生產技術、設備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產品是200mm、300mm直徑的半導體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產線投產時間較早，絕大部分設備已折舊完畢，因此200mm及以下半導體硅片對應的芯片制造成本往往較低，在部分領域使用200mm及以下半導體硅

52、片的綜合成本可能并不高于300mm半導體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應用的驅動，200mm半導體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產品外，200mm及以下半導體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅動芯片與指紋識別芯片等，終端應用領域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通

53、用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領域。根據(jù)制造工藝分類，半導體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導體產品的良品率也有直接影響。

54、拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結構都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術可以減少硅片中因單晶生長產生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從

55、而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應

56、小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。二、 半導體硅片介紹及主要種類1、半導體硅片簡介常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導致下游晶圓制造的生產步驟增加從而使生產成本提高。硅基半導體材料是目前產量最大、應用最廣的半導體材料，90%以上的半導體產品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元