電腦基礎(chǔ)培訓(xùn)教材

1、2021-7-121 1. 烙鐵基礎(chǔ)知識(shí)烙鐵基礎(chǔ)知識(shí) - 2. 靜電防護(hù)知識(shí)靜電防護(hù)知識(shí) - 3. 元件辯識(shí)元件辯識(shí) - 4. 電子基礎(chǔ)知識(shí)電子基礎(chǔ)知識(shí)- 5. 主板架構(gòu)及其發(fā)展主板架構(gòu)及其發(fā)展- 6. CPU- 7. 主存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器- 8. 鍵盤系統(tǒng)鍵盤系統(tǒng)- 9. 開關(guān)電源開關(guān)電源- 10. SFT程式簡(jiǎn)介程式簡(jiǎn)介- 11. Debug card使用簡(jiǎn)介使用簡(jiǎn)介- 12. 微機(jī)的開機(jī)過程微機(jī)的開機(jī)過程- 13. 功能維修基本思想功能維修基本思想- 2 11 50 61 114 126 156 32 220 252 266 273 277 電腦基礎(chǔ)培訓(xùn)教材電腦基礎(chǔ)培訓(xùn)教材 2021-7-1

2、22 第第一一章章:烙鐵知識(shí)烙鐵知識(shí) 1.1.11.1.1烙鐵的分類烙鐵的分類 1）恒溫烙鐵2）控溫烙鐵 1.1.21.1.2烙鐵的組成烙鐵的組成 1）焊臺(tái)2）烙鐵3）海綿 1.1.31.1.3焊臺(tái)的組成焊臺(tái)的組成 1）加熱指示燈2）控溫旋鈕3）電源開關(guān)4）海綿 1.1.41.1.4烙鐵頭分類烙鐵頭分類 1）尖型烙鐵頭2）錐型烙鐵頭3）扁型烙鐵頭 1.1烙鐵基本知識(shí)烙鐵基本知識(shí) 1.2烙鐵的作業(yè)過程及其注意事項(xiàng)烙鐵的作業(yè)過程及其注意事項(xiàng) 1.2.1作業(yè)順序作業(yè)順序 1在靜電海綿上粘水以輕壓不出水為準(zhǔn) 2打開電源開關(guān) 3調(diào)整控溫烙鐵旋鈕至所需溫度 烙鐵頭 烙鐵 2021-7-123 4加熱指示燈

3、開始閃爍時(shí)可取下烙鐵開始作業(yè) 5作業(yè)完畢加錫保養(yǎng)將烙鐵調(diào)至最低溫度 6關(guān)閉電源開關(guān) 1.2.2使用烙鐵注意事項(xiàng)使用烙鐵注意事項(xiàng) 1烙鐵溫度控制在300350度C 2焊接前先將烙鐵鐵頭上的錫渣在海綿擦拭干淨(jìng),因殘錫具有散熱效果,會(huì)降低烙鐵頭的溫度. 3烙鐵頭局部氧化可加錫多次在海綿擦拭直至烙鐵頭光亮為止完全氧化時(shí)可用細(xì)沙紙輕擦干 淨(jìng)並加 錫保養(yǎng) 4暫時(shí)不用烙鐵時(shí)應(yīng)加錫保養(yǎng)並將溫度調(diào)到最低下班前應(yīng)除上述措施外需加關(guān)電源開關(guān). 5定期松動(dòng)烙鐵頭防止烙鐵頭卡死現(xiàn)象. 6在不影響焊錫效果的情況下烙鐵溫度越低越好烙鐵的使用壽命越長(zhǎng). 7控制烙鐵頭與焊點(diǎn)的力度一般應(yīng)小于100G 8烙鐵與平面間的夾角應(yīng)在30

4、45度之間 9每個(gè)焊點(diǎn)的作業(yè)時(shí)間應(yīng)控制在23秒之間 10 所有焊點(diǎn)必須用指定的清洗濟(jì)清洗 2021-7-124 1.3檢驗(yàn)焊點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)焊點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn) 1) 表面是否接觸良好 2) 是否有冷焊空焊短路現(xiàn)象 3) 焊點(diǎn)是否光亮空焊短路現(xiàn)象 4) 焊點(diǎn)是否有錫尖 5).零件表面是否完整. 1.4跳線作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)跳線作業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 1.4.1整線整線 1）轉(zhuǎn)彎處必成90度. 2）走線必成直線其平行度最大弧度限制為2mm. 3）禁止連線穿過或跨越IC（避免電磁干擾）. 4）跳線因破皮而出現(xiàn)裸線需更換連線. 5）同一PCB之連線顏色必須相同 6）露出焊點(diǎn)的裸線不得超過0.5mm. 2021-7-125 點(diǎn)膠點(diǎn)膠 1）

5、不沾零件腳 2）膠與PCB的最大間隙不能超過0.5mm 3）所點(diǎn)之膠的最大直徑需小于6mm 4）連線5CM處及拐彎處需點(diǎn)膠 H2mm I=5cm D6mm L0.5mm 焊點(diǎn) 膠點(diǎn) I I為點(diǎn)膠的距離,D D為膠點(diǎn)的直徑,H H為直線下垂 的最大弧度,L L為裸線的最大長(zhǎng)度. 2021-7-126 1.5SMT零件外觀標(biāo)準(zhǔn)零件外觀標(biāo)準(zhǔn) 1.5.1吃錫程度吃錫程度 1）錫尖不得高于本體 如圖示 h H 當(dāng)H小于2mm時(shí),h應(yīng)大于1/4H.當(dāng)H大于2mm時(shí),h應(yīng)大于0.5mm h H 2）吃錫高度高于端子高度的25%,（端子高度大于2mm者吃錫高度最低為0.5mm),如圖示 2021-7-127

6、4）焊點(diǎn)錫過多延伸至元件本體稱多錫,如圖示 H h h為元件的吃錫寬度必須大于1/2H(H為元件的寬度) 3）吃錫寬度大于元件端子寬度的1/2,焊端寬度大于零件寬度之50%如圖示 多錫多錫 2021-7-128 1.5.2偏移程度偏移程度 有以下情況之一者不合格 1）方形零件側(cè)面(橫向)大于零件端子寬度的 1/2 2）圓柱形零件側(cè)面偏移大于零件端子直徑之1/4C. 3）只有底面焊點(diǎn)之零件偏移大于端末寬度的1/2或焊點(diǎn)寬度的1/2,取較小者 4）圓形及扁圓形引腳,偏移大于扁圓引腳寬度或圓腳直徑的1/2 H h h為元件的偏移寬度必須大于1/2H(H為元件的寬度) 2021-7-129 5）鷗翼型

7、引腳偏移大于腳寬的1/2,或0.5mm采用較小者,焊點(diǎn)長(zhǎng)度小于腳寬或0.5mm,采用較小者 . 6）各零件傾斜角度大于15度 d l PCB 角度小于角度小于1515 2021-7-1210 1.6插件零件外觀標(biāo)準(zhǔn)插件零件外觀標(biāo)準(zhǔn) 1錫尖小于1.2MM卻無(wú)短路現(xiàn)象 2吃錫34PCB厚度 3在焊錫面零件腳吃錫大于270度 4PCBA沾有錫渣直徑或長(zhǎng)度小于0.2mm 5手插零件腳長(zhǎng)大于0.5mm或小于2.0mm 6零件腳受損程度應(yīng)小于零件腳寬度的20 7CPU slot,Dimm, 及外圍接口浮高小于0.5mm(MIN) Mouse, phone ,PCI Socket浮高小于0.8mm(MIN)

8、. h H 插件的吃錫厚度h必須大于3/4H(H為PCB板厚度),穿過PCB板的腳長(zhǎng)d必須 大于 0.5mm小于2mm,板底焊點(diǎn)的吃錫角度必須大于270 d 2021-7-1211 2.1 簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介 Electrostatic DischargeElectrostatic Discharge 靜電放電靜電放電: : 帶有不同靜電電壓的物體間由於直接接觸和電場(chǎng)感應(yīng)而發(fā)生的電位轉(zhuǎn)移. 2.1.1 什么是什么是ESD？ 現(xiàn)現(xiàn) 象象 電電 壓壓 手指輕微感覺手指輕微感覺 大于大于 3000V 發(fā)出放電的聲音發(fā)出放電的聲音 大于大于 5000V 火火 花花 大于大于10000V 2.1.3 靜電產(chǎn)生的典

9、型電壓靜電產(chǎn)生的典型電壓 2.1.2 靜電放電的主要現(xiàn)象靜電放電的主要現(xiàn)象 Means of Generation 10-25% RH 65-90% RH Walking across carpet 35,000V 1,500V Walking across vinyl tile 12,000V 250V Worker at bench 6,000V 100V Poly bag picked up from bench 20,000V 1,200V Chair with urethane foam 18,000V 1,500V 第第二二章章:靜電防護(hù)靜電防護(hù) 2021-7-1212 2.2.1

10、 靜電的產(chǎn)生靜電的產(chǎn)生: 由於物體表面的不平衡電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移. 2.2 原理原理 2.2.2 摩擦生電摩擦生電: 物體接觸和分離. 2021-7-1213 2.2.3 物體的特性物體的特性: 所有物體包括水和空氣中的塵埃摩擦也能產(chǎn)生 靜電. 2.2.4 絕緣體絕緣體: 防止和限制電子流通過物體的表面和里層,並且有 很大的導(dǎo)電阻力. 2.2.5 導(dǎo)體導(dǎo)體: 電子流可以通過物體表面和里面,並且有很小導(dǎo)電阻力. 2.2.6 半導(dǎo)體半導(dǎo)體: 電子束可以通過物體的表面和內(nèi)部,但比導(dǎo)體慢.它的 導(dǎo)電能力在導(dǎo)體和絕緣體之間. Typical Triboelectric Series + Positive Ne

11、gative - Air Hands Glass Hair Quartz Nylon Wool Silk Lead Aluminu m Paper Cotton Steel Wood Nickel Copper Rubber Gold Polyester Polyethyle ne Polypropy lene Vinyl Silicon Teflon 2.2.7 靜電系數(shù)靜電系數(shù) 2021-7-1214 2.2.8一般的一般的ESD意外意外 1) 向設(shè)備放電(人體模型,機(jī)械模型) 2) 從設(shè)備放電(元件帶電模型) 2.2.9元件的敏感度元件的敏感度 不同元件所需要的靜電保護(hù) Device T

12、ype ESD Susceptibility (Volts) VMOS 30 - 1,200 Mosfet, GaAsFET, EPROM 100 - 300 JFET 150 - 7,000 OP-AMP 190 - 2,500 Schottky Diodes 300 - 2,500 Film Resistors 300 - 3,000 Schottky TTL 1,000 - 2,500 2021-7-1215 2.3 靜電控制的原則靜電控制的原則 2.3.1 設(shè)計(jì)預(yù)防設(shè)計(jì)預(yù)防 2.3.2 消耗消耗和和控制控制 1) 安全消耗和控制物體的靜電 2) 正確接地,使用消耗靜電材料是十分重要的

13、2.3.3 消除和減少靜電產(chǎn)生消除和減少靜電產(chǎn)生 沒有帶電就沒有放電. 2.3.4 產(chǎn)品的保護(hù)產(chǎn)品的保護(hù) 包裝可以有效防護(hù)產(chǎn)品充電，減少產(chǎn)品在容器中運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的靜電. 使用較小靜電感應(yīng)的元件或者對(duì)元件,板子, 裝備提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù). 2021-7-1216 Typical Facility Areas Requiring ESD Protection需需靜靜電電保保護(hù)護(hù)設(shè)設(shè)備備的的區(qū)區(qū)域域 Receiving接接受受 Inspection檢檢驗(yàn)驗(yàn)室室 Stores and warehouses倉(cāng)倉(cāng)庫(kù)庫(kù) Assembly裝裝配配線線 Test and inspection測(cè)測(cè)試試房房 Resear

14、ch and development研研發(fā)發(fā)部部 Packaging包包裝裝線線 Field service repair場(chǎng)場(chǎng)服服務(wù)務(wù)需需要要 Offices and laboratories辦辦公公室室和和實(shí)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)室室 SMT rooms SMT 房房 2.4 靜電控制程序和靜電控制程序和方法方法 2.4.1 需要靜電保護(hù)設(shè)備的需要靜電保護(hù)設(shè)備的區(qū)域區(qū)域 2021-7-1217 2.4.2 程序程序 1) 辨認(rèn)和辨別設(shè)備的靜電敏感度. 2) 估計(jì)設(shè)備和需要保護(hù)的區(qū)域. 2.4.3 來(lái)源來(lái)源 人和運(yùn)行的機(jī)械.在縱多的設(shè)備中,人是靜電最基本的發(fā)電機(jī)之一. 1） 走路可以產(chǎn)生靜電. 2） 手和元件

15、產(chǎn)生靜電. 2021-7-1218 1) 靜電環(huán)和手套靜電環(huán)和手套 帶靜電環(huán)和手套是防止靜電的最基本的方法. 一般的電阻器是1M .1/4瓦.250工作電壓,而手和地面之間的電阻是5*10E55*10E7 . 2.4.4 防止靜電的方法防止靜電的方法 2021-7-1219 2) 鞋根帶鞋根帶 一般用在人或物體之間,並和靜電防護(hù)的地面.靜電鞋.滾球.輪腳和輪一起提供必要的靜電接觸 一般的電阻器是1M .1/4瓦.250工作電壓,而手和地面之間的電阻是5*10E55*10E7 . 3) 工作服工作服 防靜電的工作服是盡量減少靜電場(chǎng)效應(yīng)或者避免工作服帶電. 工作服的袖子之間的電阻在10E5 和 1

16、0E9之間 2021-7-1220 與地面的電阻是10E610E9 . 4 4）工作臺(tái)）工作臺(tái) 2021-7-1221 5）防靜電椅防靜電椅 椅墊.椅背或者扶手與地面之間的電阻是10E610E9 . 6）電離機(jī)電離機(jī) 空氣電離能在10秒鐘內(nèi)從1000伏降到100伏,並且控制電壓在35伏以內(nèi). 2021-7-1222 共同共同地地點(diǎn)點(diǎn) 靜電區(qū)標(biāo)誌靜電區(qū)標(biāo)誌 2.4.5 ESD標(biāo)志標(biāo)志 防靜電標(biāo)誌防靜電標(biāo)誌 靜電標(biāo)籤樣品靜電標(biāo)籤樣品 2021-7-1223 2.4.6 測(cè)測(cè)量量?jī)x器儀器 測(cè)靜電場(chǎng)表測(cè)靜電場(chǎng)表 測(cè)電阻表測(cè)電阻表 2021-7-1224 靜電環(huán)和鞋測(cè)試靜電環(huán)和鞋測(cè)試 電離帶電系統(tǒng)電離帶

17、電系統(tǒng) 2021-7-1225 靜電工作室靜電工作室 2021-7-1226 2.5 2.5 訓(xùn)練訓(xùn)練和審核和審核 1) 1) 所有操作所有操作靜電元件的人員必須接受訓(xùn)練並且要在一年內(nèi)達(dá)到熟練程度靜電元件的人員必須接受訓(xùn)練並且要在一年內(nèi)達(dá)到熟練程度. . 2) 2) 進(jìn)入靜電場(chǎng)所人員需接受靜電培訓(xùn)進(jìn)入靜電場(chǎng)所人員需接受靜電培訓(xùn). . 3) 3) 訓(xùn)練課後必須參加合格測(cè)試訓(xùn)練課後必須參加合格測(cè)試. . 4) 4) 審核在至少一年執(zhí)行一個(gè)運(yùn)作包括程序?qū)徍嗽谥辽僖荒陥?zhí)行一個(gè)運(yùn)作包括程序. .處理或靜電元件蓄藏處理或靜電元件蓄藏, ,並驗(yàn)證符並驗(yàn)證符合合靜電標(biāo)準(zhǔn)靜電標(biāo)準(zhǔn). . 5) 5) 每天每天,

18、,每周每周, ,每月和每年有防靜電期每月和每年有防靜電期. . 2021-7-1227 人體帶電模型人體帶電模型 2.6 元件敏感度元件敏感度 機(jī)器帶電模型機(jī)器帶電模型 2021-7-1228 元件帶電模型元件帶電模型 2021-7-1229 Class Voltage Range Class 0 =8,000 V 元件敏感度的分類元件敏感度的分類 人體帶電模型人體帶電模型 Class Voltage Range Class M0 800 V 機(jī)器帶電模型機(jī)器帶電模型 2021-7-1230 Class Voltage Range Class C0 2,000 V 元件帶電模型元件帶電模型 2

19、.7.1 U.S. Military/Department of Defense 2.72.7主要的靜電標(biāo)準(zhǔn)主要的靜電標(biāo)準(zhǔn) 電子零件,帶電物質(zhì),裝配線和設(shè)備(除了有爆炸性的零件以外)的防靜電保護(hù)程序. 電子零件,帶電物質(zhì),裝配線和設(shè)備(除了有爆炸性的零件以外)防靜電手冊(cè). 1) MIL-STD-1686C 2) MIL-HBDK-263B 2021-7-1231 2.7.2 EIA/JEDEC 1) EIA-541 根據(jù)靜電的敏感度,所以包裝材料的標(biāo)準(zhǔn)也不同. 2) EIA-625 處理靜電放電的敏感度的需求. 2.7.3 International/European EN100015 帶靜電

20、元件的保護(hù). 2.7.4 ESD Association 1)ESD-S1.1-1998 靜電環(huán)的評(píng)估.承諾和功能測(cè)試. 2)EOS/ESD S4.1-1997 工作臺(tái)的電阻測(cè)試. 2021-7-1232 第三章元器件的辨識(shí)第三章元器件的辨識(shí) 3.1 3.1 常見元常見元件件 3 3.1.1 .1.1 常見元件常見元件辨識(shí)辨識(shí) ）SMT SMT 電阻電阻 電阻用英文字母“R(resistance)”表示其中排阻可分為串聯(lián)排阻用英文字母“RN”表示及并聯(lián)排阻用 英文字母 “RP”表示 電阻元件符號(hào) 排阻元件符號(hào)排阻元件符號(hào) 規(guī)格：470 規(guī)格：10K 2021-7-1233 2）SMT 電容電容

21、 電容用英文字母“C”(capacitance),CM,CEM表示,排容用“CP”表示其中膽電容及電解電容有極性 焊接時(shí)注意方向 3 3）二極管二極管 二極管用英文字母“D(diode)“表示,紅色端為正極,黑色端為負(fù)極 電容 元件符號(hào)排容 元件符號(hào) 二極管 元件符號(hào) 2021-7-1234 D S G 4) 4) 三極管三極管 ICH supports up to 6 Req/Gnt pairs (PCI Slots). 3）支持電源管理邏輯. 4）增強(qiáng)型 DMA控制器, 中斷控制器及實(shí)時(shí)控制 5）集成IDE 控制器 (ICH0支持 Ultra ATA/33; ICH 支持Ultra ATA

22、/66). 2021-7-1270 6）USB 總線界面支持 兩個(gè)USB口. 7）系統(tǒng)管理總線 (SMBus) compatible with most I C devices. 8）AC97 2.1 Compliant Link for Audio and Telephony CODECs. 9）Low Pin Count (LPC) interface. 10）Firmware Hub (FWH) interface support. 11）Alert On LAN* (82801AA ICH only). 5.2.5 Intel公司的典型產(chǎn)品介紹公司的典型產(chǎn)品介紹 Intel研制的最主要

23、的芯片分為以下幾組：430LX、430NX、430FX、430HX、430VX、430TX、430MX、 440FX、450GX、450KX、440LX、440BX、440ZX、440EX、I82810、I82820 、 I82840。 q Intel 430FX PCIset 430FX芯片組是Intel公司繼430LX和430NX芯片組后推出的第三套基于Pentium的芯片組，也稱為Triton。它 在體系結(jié)構(gòu)上作了很多改進(jìn)，使性能有了很大的提高。 430FX芯片組由一片82437FX、一片82371FB和兩片82438FX組成。82437作為系統(tǒng)控制器，集成了CACHE 控制器、DRAM

24、控制器、PCI橋連控制器等功能部分；82438是數(shù)據(jù)緩沖控制器；82371FB中集成了PCI、ISA、 IDE加速控制器等部分。430FX全部采用PQFP封裝。430FX可提供高于100MB/s的PCI數(shù)據(jù)流速，因此它支持奔 騰處理器和多媒體應(yīng)用程序的優(yōu)化。 2021-7-1271 q Intel 430HX PCIset 430 HX芯片組是Intel公司繼430FX之后推出的面向商用PC機(jī)平臺(tái)的Pentium級(jí)主板芯片組。與其前一代產(chǎn)品 430FX相比，它著重改進(jìn)了系統(tǒng)的可靠性；并進(jìn)一步提高了集成度，采用了兩片封裝；在性能上也有所提高， 430HX適用于Pentium級(jí)的工作站、服務(wù)器和對(duì)

25、可靠性要求較高的微機(jī)。 430HX芯片組由一片82439HX和一片82371SB組成，430HX在性能上的主要改進(jìn)可歸納為以下幾點(diǎn)： *采用了并行PCI體系結(jié)構(gòu)，允許CPU、PCI、ISA總線并行處理事務(wù)，因此比430FX有更高的MPEG視頻、 音頻播放和捕捉處理能力； *支持通用串行總線(USB)，支持USB設(shè)備的熱即插即用連接； *具有EDO定時(shí)功能，使訪問DRAM的速度有較大的提高，系統(tǒng)性能提高約10； *支持奇偶校驗(yàn)和ECC內(nèi)存； *更高的集成度(只有兩片芯片)，使用單片主橋方式，與430FX相比可節(jié)省60的主板空間； *采用了FIFO緩沖隊(duì)列，可在TXC控制器的兩邊實(shí)現(xiàn)并行操作，從而

26、提高了CPU的利用率； *符合PCI2.1標(biāo)準(zhǔn)，縮短了總線的等待時(shí)間，提高了PCI設(shè)備的速度和整個(gè)系統(tǒng)的性能； *支持64M位DRAM，系統(tǒng)內(nèi)存最高可達(dá)512MB； *支持P54C(Pentium)和P55C(Pentium MMX)CPU； *支持雙CPU結(jié)構(gòu)，可組成對(duì)稱處理器結(jié)構(gòu)體系的主板和微機(jī)系統(tǒng)。 2021-7-1272 * 對(duì)多媒體視頻進(jìn)行了特殊優(yōu)化，因而更適用于家庭用戶和多媒體應(yīng)用； *去除了一些普通用戶難以用及的功能(如ECC內(nèi)存、雙CPU支持等)后，增加了對(duì)高速同步存儲(chǔ)器 SDRAM的支持，支持168線內(nèi)存插槽和內(nèi)存條； *在結(jié)構(gòu)上恢復(fù)了4片芯片結(jié)構(gòu)。430VX芯片組由一片82

27、437VX、一片82371SB和兩片82438VX組成，全 部采用PQFP封裝； *可管理的最大內(nèi)存為256MB，低于430HX； *降低了成本，其售價(jià)低于430HX。 430TX是Intel公司為配合Pentium MMX CPU而推出的最新芯片組，專門針對(duì)奔騰微處理器的MMX技術(shù) 進(jìn)行了改進(jìn)和優(yōu)化以達(dá)到最佳的多媒體應(yīng)用效果。430TX芯片組還采用了一系列的新技術(shù)，使PC機(jī)的性能 和智能化程度得到進(jìn)一步提高。另一方面，430TX也適用于可移動(dòng)的便攜式計(jì)算機(jī)中，彌補(bǔ)了便攜式微機(jī) 在多媒體技術(shù)方面的不足，使得便攜機(jī)用戶也能夠像臺(tái)式機(jī)一樣享受聲音、影視節(jié)目、通訊等帶來(lái)的樂趣。 430TX芯片組采用

28、了兩片結(jié)構(gòu)，由一片82439TX和一片82371AB組成。 q Intel 430TX PCI set Intel 430TX PCI set q Intel 430VX PCI set Intel 430VX PCI set 430VX的技術(shù)性能與430HX芯片組基本相同，兩者的區(qū)別主要在以下方面： 2021-7-1273 440FX芯片組(注：不可與430FX芯片組搞混)是適用于高能奔騰（Pentium Pro）的芯片組。440FX建立在并行 PCI體系結(jié)構(gòu)上，它包含了一個(gè)可加強(qiáng)視頻傳輸及提高幀速度的多業(yè)務(wù)計(jì)時(shí)器，一個(gè)能提高M(jìn)PEG及音頻性能的被 動(dòng)釋放機(jī)制，還包括了可充分利用寫緩沖器來(lái)改

29、進(jìn)基于主機(jī)的處理應(yīng)用程序的增強(qiáng)寫性能，以及用以確保CPU TOISA寫控制與PCI2.1技術(shù)規(guī)格兼容的PCI延遲作業(yè)。 q Intel 430MX PCI set 430MX是Intel專門針對(duì)Pentium級(jí)筆記本電腦推出的芯片組，它是Intel作為便攜式PCIsets解決方案的第一個(gè)完 整設(shè)計(jì)，在430FX的基礎(chǔ)上采取了多項(xiàng)體系結(jié)構(gòu)上的革新。430MX可應(yīng)用于ProShare(TM)快速以太網(wǎng)、音頻及圖 形增強(qiáng)型應(yīng)用程序。隨著更新一代同時(shí)適用于臺(tái)式機(jī)和便攜機(jī)的430TX芯片組的推出，很多基于430MX的應(yīng)用已 經(jīng)逐步轉(zhuǎn)移到430TX芯片組上。 q Intel 440FX PCI set 在

30、結(jié)構(gòu)上，440FX由三片芯片組成，一片82441FX，一片82442FX和一片82371SB，另有一個(gè)獨(dú)立元件82093AA 供雙CPU設(shè)計(jì)時(shí)使用。 440FX芯片組具有增強(qiáng)的32位性能和USB外圍設(shè)備連接的優(yōu)點(diǎn)，包括CPUtoDRAM流水線、同時(shí)讀寫、 動(dòng)態(tài)延遲、寫入猝發(fā)組合及I/O隊(duì)列，其他的特點(diǎn)如快速驅(qū)動(dòng)器訪問的Bus Master IDE(BMIDE)、集成化ECC支 持、雙CPU支持等使440FX的整體性能和可靠性大為提高。440FX可以管理的最大內(nèi)存容量為1GB。440FX與Intel 430HX、430VX等芯片組設(shè)計(jì)的I/O子系統(tǒng)具有良好的兼容性，因此使440FX能充分利用已有

31、資源，立足市場(chǎng)。 2021-7-1274 q Intel 440LX AGP set 繼Intel 430 PCI芯片組之后，Intel公司又推出了Intel 440LX AGP芯片組。AGP的圖形圖像上的帶寬比在PCI接口上 的增加了三倍，它可將高性能的圖形功能帶給主流的商業(yè)PC和家用PC。 440LX AGP芯片組是440 AGP芯片組系列中的第一個(gè)成員。它建立在由三個(gè)芯片組成的440FX PCI芯片組的特 性之上，但把三個(gè)芯片壓縮成二個(gè)芯片（82443LA和82371AB）。440LX AGP有四個(gè)最主要的特點(diǎn)： 引進(jìn)了一組新的特性，稱為QPA（Quad Port Acceleratio

32、n，四端口加速），它是處理器、圖形加速器、PCI和 SDRAM等四個(gè)端口的仲裁機(jī)構(gòu)，包括直接連接AGP、動(dòng)態(tài)分布仲裁和多流水線化（從CPU、PCI和圖形到SDRAM） 等特性。這些特性合在一起可使PC中的各個(gè)設(shè)備獲得最大的可用帶寬； 440LX AGP對(duì)SDRAM的支持使得對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫可以變得更快，并在Pentium II處理器、圖形加速器和PCI設(shè)備 之間實(shí)現(xiàn)更快的流水線化傳輸； 具有ACPI（Advanced Configuration and Power Interface，高級(jí)配置和電源管理）功能，可以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電源管理， 包括遠(yuǎn)距離喚醒，迅速?gòu)牡綦姞顟B(tài)恢復(fù)等 Ultra DMA功能

33、改進(jìn)了對(duì)IDE設(shè)備的存取。 2021-7-1275 AGP(accelerated graphics port)圖形加速界面 Accelerated Graphics Port (AGP) technology provides a dedicated, high-speed port for the movement of large blocks of 3D texture data between the PCs graphics controller and system memory. AGP主要是在圖形控制器和系統(tǒng)的內(nèi)存之間提供一個(gè)專門,高速 的動(dòng)態(tài)3D紋理處理界面.主要是大數(shù)據(jù)流

34、的burst傳輸. 2021-7-1276 AGP will, deliver a peak bandwidth that is 4 times higher than the PCI bus using pipelining, sideband addressing, and more data transfers per clock. It will also enables graphics cards to execute texture maps directly from system memory instead of forcing it to pre-load the tex

35、ture data to the graphics cards local memory. AGP is based on the PCI 2.1 standard which calls for a 66MHz PCI bus speed. AGP在旁頻帶尋址,流水線作業(yè)中數(shù)據(jù)傳輸率是PCI匯流排的4倍.AGP同樣支持圖形控制卡處理3D 紋理時(shí)直接對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交還,而不僅僅對(duì)LOCAL MEMORY(顯存).AGP是基于PCI 2.1規(guī)范 的,它的工作頻率是66MHZ. 2021-7-1277 AGPPCI Pipelined requests 專門的傳輸通道 Non-pipeline

36、d 無(wú)專門的傳輸通道 Address/data de-multiplexed 地址/數(shù)據(jù)線 分離 Address/data multiplexed 地址/數(shù)據(jù)線復(fù)用 Peak at 533MB/s in 32 bits 32 bits 時(shí)最大傳輸率是533MB/S Peak at 133MB in 32 bits 32 bits 時(shí)最大傳輸率為133 Single target, single master 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)操作 Multi-target, multi-master 多功 Memory read/write only, no other I/O operations 只對(duì)MEMORY作讀

37、/寫,沒有其它I/O操作 Link to entire system 與整個(gè)系統(tǒng)相聯(lián)系 High/low priority queues 有優(yōu)先順序 No priority queues 無(wú)優(yōu)先設(shè)置 AGP顯卡 HDMARDY- ; HSTROBE DIOR- 是host發(fā)出的讀 寄存器or數(shù)據(jù)口的信號(hào)， HDMARDY- 是host用以通知device其已經(jīng)準(zhǔn)備好接受 Ultra DMA方式傳送的數(shù)據(jù)的信號(hào)， HSTROBE是host發(fā)出的數(shù)據(jù)鎖存信號(hào)。 * DIOW- ; STOP DIOW-是host發(fā)出的寫寄存器or數(shù)據(jù)口的信號(hào)， STOP 用以結(jié)束一個(gè)Ultra DMA數(shù)據(jù)傳輸 *

38、INTRQ 中斷信號(hào) * IORDY ; DDMARDY- ; DSTROBE IORDY是輸入輸出準(zhǔn)備好信號(hào)， DDMARDY- 是device用以通知host其已經(jīng)準(zhǔn)備好接受Ultra DMA方式傳送 的數(shù)據(jù)的信號(hào)， DSTROBE是device發(fā)出的數(shù)據(jù)鎖存信號(hào)。 2021-7-12112 DescriptionDirAcronym Cable select Chip select 0 (Host)(Dev) Chip select 1 Data bus bit (0 - 15) Device active or slave (device 1) present Device addre

39、ss bit (0 - 2) DMA acknowledge DMA request Interrupt request I/O read; Host DMA ready; Host data strobe I/O ready; Dev DMA ready; Dev data strobe I/O write; STOP Passed diagnostics; Cable assembly type ID Reset CSEL CS0- CS1- DD0 - 15 DASP- DA0 - 2 DMACK- DMARQ INTRQ DIOR-;HDMARDY-;HSTROBE DIOW-;STO

40、P PDIAG-;CBLID- RESET- Pin 37 38 3-18 39 33,35,3 6 29 21 31 25 27 23 34 1 28 信號(hào)引腳列表信號(hào)引腳列表 2021-7-12113 0 1F0/170 1F1/171 1F2/172 1F3/173 1F4/174 1F5/175 1F6/176 1F7/177 3F6/376 AddrCS0-CS1-DA2DA1DA0Read functionWrite function 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 000 001 010 011 100 101 110 111 110 Da

41、ta registerData register Error registerFeature register Sector countSector count Sector numberSector number Cylinder lowCylinder low Cylinder highCylinder high Device/HeadDevice/Head Status registerCommand register Alternate status reg.Device control reg. 2021-7-12114 6.1 CPU的基本概念及組成的基本概念及組成 6.1.1 C

42、PU（Central Processing Unit 中央處理器）中央處理器） 第六章第六章CPU 6.1.2 CPU的組成的組成 世界上第一臺(tái)PC機(jī)中的CPUi8086是美國(guó)IBM公司1981年推出的其執(zhí)行指令為X86指令集同時(shí)為提高浮點(diǎn) 運(yùn)算能力增加X87指令集以后的X86及X87統(tǒng)稱為X86指令集該指令集一直沿用到的PIIICPU CPU主要包含運(yùn)算器及控制器其內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為控制單元邏輯單元和存儲(chǔ)單元運(yùn)算器主要完成各種算數(shù) （加減乘除）和邏輯運(yùn)算（邏輯加邏輯減和非運(yùn)算）控制器不具有運(yùn)算功能它只是讀取各種指令並 對(duì)指令分析作出相應(yīng)的控制 6.2 CPU主要參數(shù)主要參數(shù) 6.2.1 位位 字

43、節(jié)字節(jié) 字長(zhǎng)字長(zhǎng) 通常我們提到的16位32位機(jī)是指CPU可以同時(shí)處理16位32位的二進(jìn)制數(shù)據(jù)CPU按照其處理信息的字長(zhǎng) 可分為8位微處理器16位微處理器32位微處理器及64位微處理器. 位位在數(shù)字電路中和電腦技術(shù)中采用二進(jìn)制代碼只有“0“和“1“0“和“1“在CPU中都是一 “位“ 2021-7-12115 字節(jié)和字長(zhǎng)字節(jié)和字長(zhǎng)CPU在單位時(shí)間內(nèi)（同一時(shí)間）能處理的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)叫字長(zhǎng)一個(gè)字節(jié)等于八位 （1byte=8bit）如32位的CPU能在單位時(shí)間內(nèi)同時(shí)處理字長(zhǎng)為32位的二進(jìn)制通常8位稱一個(gè)字節(jié)32位的 CPU一次只能同時(shí)處理4個(gè)字節(jié) 6.2.2 CPU的外頻的外頻 CPU的外頻是指CP

44、U的總線頻率是由主板提供的基準(zhǔn)時(shí)鐘頻率CPU的主頻是按CPU的外頻乘以倍頻系 數(shù)的CPU的外頻從過去的66MHZ發(fā)展到現(xiàn)在的100MHZ133MHZ甚至200MHZ隨著外頻的不斷提高CPU 與內(nèi)存數(shù)據(jù)之交換速度也隨之不斷提高 6.2.3 前端總線前端總線（FSBFront Site Bus） 前端總線的頻率就是CPU的總線頻率內(nèi)存的總線頻率與前端總線頻率相同也就是CPU與L2 CACHE及內(nèi) 存之間交換數(shù)據(jù)的工作時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸最大帶寬取決于所同時(shí)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位寬度和傳輸頻率即數(shù)據(jù)帶寬（總 線頻率數(shù)據(jù)寬度）8如前端總線的頻率為100MHZCPU的數(shù)據(jù)寬度為64位則其數(shù)據(jù)帶寬（10064） 8800M

45、HZ目前AMD公司已經(jīng)推出前端總線頻率為200MHZ的K7CPU但CPU內(nèi)核與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)交換 時(shí)鐘仍然是100MHZ 6.2.4 CPU的主頻的主頻 CPU主頻就是CPU的工作頻率是CPU內(nèi)核（整數(shù)和浮點(diǎn)運(yùn)算器）電路的實(shí)際運(yùn)行的頻率在486DX2 CPU之 前CPU的主頻與外頻相等在486DX2 CPU開始所有的CPU主頻等于外頻乘上倍頻系數(shù) 2021-7-12116 6.2.5 L1和和L2CACHE的容量和速度的容量和速度 L1和L2 CACHE的容量和工作速率起著決定性的作用L2 CACHE是從486時(shí)代開始的目的是彌補(bǔ)L1 CACHE（一級(jí)高速緩存）容量的不足最大程度減少主內(nèi)存對(duì)C

46、PU運(yùn)行造成的延緩PII的L1的容量為64KL2的 容量為256K或512KK6III的L1CACHE為64KL2的容量為256K在板的L3CACHE高達(dá)2M設(shè)在CPU芯片內(nèi)部 L2CACHE運(yùn)行速度與主頻相同而采用PII方式安裝在CPU外部的L2CACHE運(yùn)行頻率一般為主頻的二分之一其 效率要比芯片內(nèi)的L2CACHE要低 6.3CPU的工作方式的工作方式 6.3.1CPU執(zhí)行指令步驟執(zhí)行指令步驟 1）從RAM或CACHE中讀出指令（FETCH） 2）將讀出的指令解成微指令（DECODE） 3）將執(zhí)行指令所需的控制質(zhì)料讀出（FECCH OPERANDS） 4）執(zhí)行解碼后的微指令（EXECUTE

47、） 5）執(zhí)行后的結(jié)果存回RAM中（WRITE BACK） 2021-7-12117 MEMORY FETCH INSTRUCTION FPM)DRAM 快速頁(yè)模式DRAM的存取 ,是分別利用行(ROW)及列(COLUMN) . FPM 模式即將行位置定 ,只改變列位址 ,以便 連續(xù)位址之存取 一般以1K2K作為單位 ,如1MB DRAM為例 它有10條列位址線及10條行位址線(220=1MB) ,若 行位置固定 ，列位址線可定出(210=1024=1K)位址 ,此時(shí)稱列位址線定出之位址為1個(gè)PAGE . 故1MB DRAM 可分為 1 K個(gè)PAGE(每一個(gè)PAGE大小為1K).故若CPU存取之

48、資料在同一PAGE ,只需送一個(gè)列訊號(hào) 信號(hào)定義信號(hào)定義 RAS/ (Input): Row address strobe. 行地址選擇 CAS/ (Input): Column address strobe. 列地址選擇 W/ (Input): Read/Write control. 讀寫控制 A0-An (Input): Multiplexed pins for Row and Column addresses. 行列地址分時(shí)復(fù)用管腳。 D0-Dn (Input): Data input pins. 數(shù)據(jù)輸入 Q0-Qn (Output): Data output pins. 數(shù)據(jù)輸出 2

49、021-7-12128 Cycle time Dont careRow addressColumn addressRow address RAS/ CAS/ A0-An W/ Q PrechargeActive ActivePrecharge RAS/ access time CAS/ access time Output disable time 讀周期讀周期 時(shí)序圖時(shí)序圖 2021-7-12129 Cycle time 寫入周期寫入周期 Dont careRow addressColumn address RAS/ CAS/ A0-An W/ D PrechargeActive Activ

50、ePrecharge 2021-7-12130 快速頁(yè)模式讀出周期快速頁(yè)模式讀出周期 Dont care Row ColRow RAS/ CAS/ A0-An PrechargeActive ActivePrecharge Cycle time W/ Q ColCol 2021-7-12131 快速頁(yè)模式寫入周期快速頁(yè)模式寫入周期 Dont care Row ColRow RAS/ CAS/ A0-An PrechargeActive ActivePrecharge Cycle time W/ D ColCol 2021-7-12132 7.1.2EDO（EXTEND DATA OUTPUT）

51、DRAM 在快速頁(yè)模式DRAM中，CAS#信號(hào)的下降沿把數(shù)據(jù)輸出緩沖器打開，上升沿把緩沖器關(guān)閉，而在EDO DRAM中， CAS#的下降沿把數(shù)據(jù)輸出緩沖器打開，但是上升沿不會(huì)把緩沖器關(guān)斷，而是到下一個(gè)CAS#的下降沿才把緩沖 器關(guān)斷，這樣輸出數(shù)據(jù)就可以維持一個(gè)比較長(zhǎng)的有效時(shí)間. EDO 讀出周期讀出周期 Dont care Row Col Row RAS/ CAS/ A0-An Precharge Active ActivePrecharge Cycle time W/ Q ColCol 2021-7-12133 EDO 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖 2021-7-12134 7.1.3SDRAM（Syn

52、chronous Dynamic Random Access Memory） 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶體(SDRAM) , 是一種所有讀取及寫入資料動(dòng)作都由一同步訊號(hào) (Clock)觸發(fā) , 可提供比 EDO DRAM更高效能的存取SDRAM與傳統(tǒng)動(dòng)態(tài)記憶體主要的不同乃在於SDRAM具有下列特性： * SDRAM使用一同步時(shí)脈(Clock)輸入, 達(dá)到使一切讀取及寫入資料動(dòng)作均與系統(tǒng)同步, 而傳統(tǒng)動(dòng)態(tài)記憶 體是透過控制RAS#, CAS# 訊號(hào)的波形相位,達(dá)到控制記憶體的讀取及寫入資料動(dòng)作及刷新 * 爆發(fā)模式中,當(dāng)在讀取週期時(shí), 系統(tǒng)給予第一筆資料位址 ,SDRAM內(nèi)建之位址產(chǎn)生器(Column Ad

53、dress Generator)將自動(dòng)產(chǎn)生下一筆資料的位址, 所以系統(tǒng)可連續(xù)讀取數(shù)筆資料並提高讀取速度 . * 狀態(tài)暫存器(Mode Register) 可調(diào)整SDRAM的運(yùn)作模式 168腳腳SDRAM 外型外型: 2021-7-12135 管腳定義管腳定義: An:0 (Input): Address pins. 地址線管腳 CLK (Input): Master clock input. 主時(shí)鐘輸入 CKE (Input): CLK enable 當(dāng)CKE為高時(shí),激活CLK.為低時(shí),使CLK無(wú)效 RAS/ (Input): Row address strobe. 行地址選擇 CAS/ (I

54、nput): Column address strobe. 列地址選擇 CS/ (Input): Selects chip when active. 片選 WE/ (Input): Write enable . 寫許可 DQM (Input): DQ mask. 數(shù)據(jù)遮罩,高電平有效,在讀模式中控制數(shù)據(jù)輸出緩存,在寫過程中屏蔽數(shù)據(jù)寫入 DQ(x:0) (Input/Output): Data I/O pins 數(shù)據(jù)輸入輸出腳 2021-7-12136 2021-7-12137 7.1.4 DDR（double date rate) SDRAM DDR SDRAM(Double Data Rat

55、e SDRAM)又叫雙速率SDRAM，它在SDRAM的基礎(chǔ)上，采用延時(shí)鎖定環(huán)技術(shù) 提供數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行精確定位，在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿都可傳輸數(shù)據(jù)，這樣DDR SDRAM就在不提高 時(shí)鐘頻率的情況下，使數(shù)據(jù)傳輸率提高了一倍。在100MHz下，DDR SDRAM理論上可提供 100MHz28Byte=1.6GB/s的數(shù)據(jù)傳輸率。在133MHz下可達(dá)到2.1GB/s，具有非常誘人的前景。 韓國(guó)Hynix semiconductor(原現(xiàn)代電子)推出了計(jì)算機(jī)繪圖用128Mb(4M32)DDR SDRAM，這種產(chǎn)品采用0.16 微米制造工藝、FBGA封裝技術(shù)，時(shí)鐘速度最高可達(dá)375MHz，處理速度

56、可達(dá)7億5000萬(wàn)次/秒(如按現(xiàn)有DDR266、 DDR333的概念推算、現(xiàn)代電子這款新型內(nèi)存就相當(dāng)于“DDR750”)。 特征特征: VDD= +2.5V+0.125V 雙向源同步數(shù)據(jù)傳送（一周期能傳送兩筆數(shù)據(jù)） 兩路時(shí)鐘信號(hào)（CK其中每一塊又包含k個(gè)數(shù)據(jù)項(xiàng),每一數(shù)據(jù) 項(xiàng)由一個(gè)指針(word)標(biāo)識(shí).每塊中所有的數(shù)據(jù)項(xiàng)具有相同的地址高位標(biāo)識(shí)符(tag).在進(jìn)行映射時(shí),存儲(chǔ)器的地址被分 成三部分,從高到低依次為:高位地址標(biāo)識(shí)符(tag),塊號(hào)(block)以及塊內(nèi)地址(word).首先按照塊號(hào)訪問cache,把該塊 的TAG值與存儲(chǔ)器中的TAG域進(jìn)行比較,若相同則根據(jù)地址中的WORD域?qū)υ擁?xiàng)數(shù)據(jù)

57、進(jìn)行讀寫,若TAG不相符,則說 明未命中.設(shè)存儲(chǔ)器地址長(zhǎng)度為1,則WOED域的長(zhǎng)度為log k,而block域長(zhǎng)度為log n,地址的高l-log n-log k位用作TAG 域. 相聯(lián)映射相聯(lián)映射(associative mapping) 這種方法使用相聯(lián)存儲(chǔ)器(associative memory)作為cache,其速度快于直接映射,但是硬件電路較復(fù)雜,而且價(jià) 格也較昂貴. 相聯(lián)存儲(chǔ)器是一種特殊的存儲(chǔ)器,和常見的RAM(random access memory)不同,它是一種機(jī)遇數(shù)據(jù)內(nèi)容進(jìn)行訪 問的存儲(chǔ)設(shè)備CAM(content addressable memory).當(dāng)對(duì)其寫入數(shù)據(jù)時(shí),相

58、聯(lián)存儲(chǔ)器能夠自動(dòng)選擇一個(gè)未用的空單元 進(jìn)行存儲(chǔ);當(dāng)要獨(dú)處數(shù)據(jù)時(shí),不是各處其存儲(chǔ)單元,而是直接給出該數(shù)據(jù)或者該數(shù)據(jù)的一部分內(nèi)容,相聯(lián)存儲(chǔ)器對(duì)所 有的存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)同時(shí)進(jìn)行比較並標(biāo)記所有符合條件的所有數(shù)據(jù)以供讀取.由于比較是同時(shí),并行進(jìn)行的,所以 這種基于數(shù)據(jù)內(nèi)容進(jìn)行讀寫的機(jī)制,其速度比基于地址進(jìn)行讀寫的方式要快許多.使用相聯(lián)存儲(chǔ)器組成cache存儲(chǔ)器, 其基本單元分成兩部分:地址部分 和數(shù)據(jù)部分.數(shù)據(jù)部分用于存放數(shù)據(jù),而地址部分則存放該數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器地址. 當(dāng)進(jìn)行映射時(shí),相聯(lián)存儲(chǔ)器把CPU發(fā)出的存儲(chǔ)器地址與cache內(nèi)所有的地址信息同時(shí)進(jìn)行比較,以確定是否命中. 2021-7-12153 組相聯(lián)

59、映射組相聯(lián)映射(set-associative mapping) 從直接映射機(jī)制可以發(fā)現(xiàn),具有相同的block與word號(hào)但tag不同的數(shù)據(jù)(即地址低位相同而高位不同)不能同時(shí)存 放在cache中.它從的一種改進(jìn)型就是組相聯(lián)映射機(jī)制,該機(jī)制下cache存儲(chǔ)器的組織結(jié)構(gòu)如圖所示 worddata1tag1data2tag2 0 1 k-1 0 1 k-1 block0 block1 N組2路 組相聯(lián)映射機(jī)制 組相聯(lián)映射與直接映射的不同之處在于:每一個(gè)塊中有兩個(gè)或者兩個(gè)以上不同的tag域,每一個(gè)tag域則對(duì)應(yīng)著 一個(gè)數(shù)據(jù)域.中央cache中同一項(xiàng)的兩個(gè)或者多個(gè)數(shù)據(jù)有相同的block值,但是可以有不

60、同的tag值,從而彌補(bǔ)了直接映 射機(jī)制的缺陷. 2021-7-12154 當(dāng)CPU發(fā)出讀寫請(qǐng)求后,地址信息中的block域用來(lái)訪問cache存儲(chǔ)器.存儲(chǔ)器地址所含的tag域則同時(shí)和該塊中 所有的tag(圖中為兩個(gè))進(jìn)行比較以確定是否命中.為了加快tag的比較過程,可以采用相聯(lián)存儲(chǔ)器的方式并行的進(jìn)行 比較.這就是組相聯(lián)映射名稱的由來(lái). 7.3.4 Cache存儲(chǔ)器的淘汰算法存儲(chǔ)器的淘汰算法 當(dāng)cache存儲(chǔ)器產(chǎn)生暸一次訪問未命中之后,相應(yīng)的數(shù)據(jù)應(yīng)該同時(shí)讀入CPU和cache.但是當(dāng)cache已存滿數(shù)據(jù)后, 新數(shù)據(jù)必須淘汰cache中的某些舊數(shù)據(jù).最常用的淘汰算法有隨機(jī)淘汰法,先進(jìn)先出法(FIFO