專利技術交底書-張鑫

1、2016學年度第一學期 姓 名 張 鑫 學 號 03160125院（所、部） 化工學院 年 級 2016級專 業(yè) 工程碩士 研究方向 化學工程課 程 專利實務與專利申請 考試方式 論文主考教師評語成績主考教師簽名：2016年10月8日技 術 交 底 書編號: 專利發(fā)明人填寫發(fā) 明 人 填 寫第一發(fā)明人張 鑫手箱Zx8387座機(總機+分機)技術問題聯(lián)系人手機郵箱座機(總機+分機)發(fā)明名稱一種柔性基板及基于該基板的OLED關鍵詞（35個）中文柔性，有機電致發(fā)光器件，底發(fā)射，網(wǎng)狀結構英文相關性分析（本領域現(xiàn)有技術的介紹，最好有最接近的現(xiàn)有技術的專利申請?zhí)柣蛘邔＠枺┠壳叭?/p>

2、性OLED采用的陽極材料為PEDOT，但是PEDOT的導電性不佳，所以需要在電極下面制備電流匯集層，制備電流匯集層之后，陽極表面的平整性會受到影響，平整性太差會影響OLED的性能，甚至使OLED不能點亮，專利201210076439.3 介紹了一種制備超平滑陽極結構的柔性OLED的方法，本專利采用在該專利的基礎上加上沉積、曝光、顯影等工藝使電流匯集層嵌入柔性襯底里面，獲得擁有電流匯集層的平整的柔性襯底。摘要代表性附圖本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基板采用成膜、曝光、旋涂和脫模工藝制得，制得的柔性基板表面有一層網(wǎng)狀匯流層，該網(wǎng)狀匯流層嵌入柔性基板里面，該網(wǎng)狀匯流層在保證高

3、透過率的同時，提高了電流的傳導能力，由于該柔性基底的制備工藝，使得該柔性襯底表面的粗糙度非常小，有利于載流子的注入，使得該柔性基底有利于提升OLED的發(fā)光效率?；谠撊嵝曰椎腛LED包括柔性基底、陽極、有機層、陰極，陽極為導電高分子材料。技術領域（寫明要求保護的技術方案所屬的技術領域）本發(fā)明涉及一種柔性基板及基于該基板的OLED，屬于光電子技術領域。背景技術（背景技術是指本技術交底書的基礎技術或者方法或結構與本技術交底書最近似的技術。寫明對技術方案的理解、檢索有用的背景技術，有可能的，并引證反映這些背景技術的文件；記載現(xiàn)有技術的出處，即參考文獻、專利公開號，并且詳細說明現(xiàn)有技術的實施情況；客

4、觀指出現(xiàn)有技術的不足之處與存在的問題。）到目前為止，實際應用的顯示器主要有陰極射線管（CRT），液晶顯示器（LCD）、真空熒光器件（VFD）、等離子顯示器（PDP）、有機電致發(fā)光器件（OLED）、場發(fā)射顯示器（FED）和電致發(fā)光顯示器（ELD）等。OLED作為新型的平板顯示器與LCD相比，具有薄、輕、寬視角、主動發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點。OLED正是由于具有其他顯示器不可比擬的優(yōu)勢以及美好的應用前景得到了產業(yè)界和科學界的極大關注。在OLED的各項功能層，電極材料的選擇非常重要，大部分用于OLED的

5、有機材料的LUMO能級在2.5eV-3.5eV,HOMO能級在5eV-6eV,因此陰極是一個低功函數(shù)的金屬，陽極需要一個高功函數(shù)的材料去配合，才能得到最低的注入能壘，選擇陽極材料時，要求良好的導電性、化學及形態(tài)的穩(wěn)定性、功函數(shù)和空穴傳輸材料的HOMO能級匹配、可見光的透明度，最常用的透明導電聚合物為ITO，該類材料擁有上述的優(yōu)點，但是ITO也有相關的缺點，比如價格比較昂貴，而且有實驗證明ITO會影響OLED的壽命，不僅如此，在柔性顯示中，ITO的濺鍍會影響柔性基底的平整性，柔性顯示中，反復的折疊會導致ITO從基底表面脫落，進而影響OLED的壽命PEDOT具有分子結構簡單、能隙小、電導率高等特點

6、，被廣泛用作有機薄膜太陽能電池材料、OLED材料、電致變色材料、透明電極材料等領域的研究。PEDOT有以下這些優(yōu)點： (1) 導電率高。用旋涂或者澆鑄成膜得到的PEDOT其電導率能達到550S/cm，用氣相聚合法得到的聚合物更是達到1000S/cm以上； (2) 氧化狀態(tài)下具有很高的穩(wěn)定性。在120下保持1000h，其電導率基本不變； (3) 氧化狀態(tài)下，PEDOT的薄層幾乎是透明的，這是它在電子器件方面得到廣泛應用的一個重要因素。采用一種水溶性的高分子電解質聚苯乙烯磺酸(PSS)摻雜解決了PEDOT的加工問題，獲得的PEDOT/PSS膜具有高電導率、高機械強度、高可見光透射率和優(yōu)越的穩(wěn)定性等

7、，PEDOT/PSS用作電極時，雖然相比于其它導電聚合物，導電率較高，但是相比于金屬和ITO還是有一定差距，因此一般都會在底部增加一層電流匯集層，電流匯集層會增加陽極的導電性，降低OLED起始電壓，但是也會導致陽極表面平整度降低，本發(fā)明增加了陽極表面的平整度，有助于增加陽極表面的載流子注入能力。發(fā)明內容要解決的技術問題和有益的技術效果（盡可能多的列舉本技術交底書相比較現(xiàn)有技術帶來的有益技術效果，要與最接近現(xiàn)有技術進行對比描寫）本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基板采用成膜、曝光、旋涂和脫模工藝制得，制得的柔性基板表面有一層網(wǎng)狀匯流層，該網(wǎng)狀匯流層嵌入柔性基板里面，該柔性基板

8、有如下優(yōu)點：1. 該柔性基板的制備工藝簡單，使用該柔性基板的OLED可以采用導電高分子材料為陽極，有助于提升柔性OLED的使用壽命 。2. 含有電流匯集層，該電流匯集層有助于提升陽極的導電能力，當制備成OLED后，有助于降低器件的起始電壓。3. 表面平整度高，當制備成OLED后，使得陽極表面的平整度高，有助于提升載流子傳輸能力。所有的實施方式（盡可能的多寫幾個優(yōu)選的實施方式,。如果涉及產品結構，必須結合附圖描述各部件及各部件的安裝關系,給出各部件的領域內專業(yè)名稱，各部件名稱在前后描述中要保持一致，并在各部件后加上附圖標記。如果涉及方法或工藝流程，請詳細描述方法工藝的步驟過程以及各步驟中所參與或

9、應用到的部件名稱及其結構；如果方法或工藝中涉及體現(xiàn)發(fā)明點的工藝制造條件，例如：溫度、濕度等取值范圍也需要盡可能地提供，并請?zhí)峁┝鞒谈綀D，結合附圖詳細說明實施方式。）本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基板采用成膜、曝光、旋涂和脫模工藝制得，制得的柔性基板表面有一層網(wǎng)狀匯流層，該網(wǎng)狀匯流層嵌入柔性基板里面，該網(wǎng)狀匯流層在保證高透過率的同時，提高了電流的傳導能力，該柔性基底的具體結構如下：該柔性基板的制作方法為：1） 在洗干凈的SiO2絕緣層的Si襯底上，采用蒸鍍或者旋涂等方法沉積一層金屬薄膜；2） 采用曝光、刻蝕的方法將金屬薄膜變成網(wǎng)狀半透明結構；3） 在金屬半透明結構表面旋涂

10、光敏聚合材料；4） 對光敏聚合物材料進行紫外光處理使其固化；5） 將固化后的光敏聚合物從襯底上剝離，得到帶有金屬網(wǎng)狀半透明層的柔性基底。制備基底所用的光敏聚合材料體系包括苯乙烯類、丙烯酸類、丙烯酸酯類、環(huán)氧樹脂類、不飽和聚酯類、酰胺類或醋酸乙烯類材料體系；每一光敏可聚合材料體系包括單體、預聚物和光引發(fā)劑；聚合類型是自由基型、陰離子型或陽離子型，光敏材料的旋涂厚度為0.3-0.8mm。本發(fā)明不僅包括該柔性基底、該柔性基底的制備方法，而且包括基于該柔性基底的OLED，該柔性OLED的結構如圖：由于該柔性基底表面包括一層金屬網(wǎng)狀半透明層，該層增加了OLED陽極的電流匯集能力，所以基于該柔性基底的OL

11、ED的陽極可以采用比較薄的金屬或者其他導電高分子材料。由于該柔性基底的制備工藝，使得該柔性襯底表面的粗糙度非常小，有利于陽極載流子的注入，使得該柔性基底有利于提升OLED的發(fā)光效率。附圖說明有關本發(fā)明的詳細說明及技術內容，現(xiàn)配合附圖說明如下：圖1 為該柔性基底的三維圖圖2 本發(fā)明所述的柔性基底的制備流程；圖 3為基于該柔性襯底的OLED；圖 4為圓形網(wǎng)狀結構的柔性基底；圖 5為環(huán)形網(wǎng)狀結構的柔性基底；（1為表面帶有SiO2層的Si基板，21為刻蝕前的金屬薄膜層，22為刻蝕后的網(wǎng)狀金屬薄膜層，31為固化前的光敏聚合材料，32為固化后的光敏聚合材料，4為OLED陽極導電高分子材料，5為OLED有機

12、層，6為OLED陰極）具體實施方式實施例1柔性基板的制備：1） 在洗干凈的SiO2絕緣層的Si襯底上，采用蒸鍍或者旋涂等方法沉積一層金屬薄膜Ag，厚度為20 nm；2） 采用曝光、刻蝕的方法將金屬薄膜變成網(wǎng)狀半透明結構，所述的網(wǎng)狀結構為矩形網(wǎng)狀結構，具體結構如圖1所述；3） 在襯底表面旋涂光刻膠NOA63，旋涂速度為1000rpm，旋涂時間為20s，旋涂厚度為0.7mm；4） 對光敏聚合物材料進行紫外光處理3min；5） 由于金屬材料與聚合物的粘著性大于金屬材料與SiO2的粘著性，將固化后的光敏聚合物從襯底上剝離，得到帶有金屬網(wǎng)狀半透明層的柔性基底。OLED的制備：本發(fā)明柔性襯底/PEDOT:

13、PSS(40 nm)/ EML(70 nm)/TPBI(30 nm) /CsF(1.5 nm)/AL(120 nm)，EML共混比例為，PVK:PBD: FIrpic=70:30:1A) 在柔性襯底表面旋涂一層PEDOT:PSS膜，蒸鍍厚度為100nm。B) 旋涂過PEDOT:PSS的基片在真空烘箱里80干燥8h后，轉移至充滿氮氣的手套箱里制作發(fā)光層，實驗中所用PVK、PBD用氯苯溶解，旋涂厚度為70nm，PVK、PBD 與銥配合物的比例為PVK:PBD: FIrpic =70:30:1。C) 在小于310-4 Pa的高真空下，以熱蒸發(fā)沉積的方式，蒸鍍約厚的CsF(1.5 nm)/Al(120

14、 nm)作為陰極。實施例2具體的實施方法與實施例1類似，不同的是網(wǎng)狀結構為圓形網(wǎng)狀結構，如圖4所述。實施例3具體的實施方法與實施例1類似，不同的是網(wǎng)狀結構為環(huán)形網(wǎng)狀結構，如圖5所述。最后應說明的是，以上實施例子僅用以說明本新型的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例子對本專利進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，按照需要可以使用不同的材料和設備實現(xiàn)之，即可以對本新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的精神和范圍。可替代的技術方案（可完成與上述技術方案同樣功能實現(xiàn)同樣效果的技術方案）（如果有請寫出替代方案的要點、優(yōu)缺點；如果沒有請?zhí)顚憽盁o”）附圖（用圖片正確地表示發(fā)

15、明內容。附圖統(tǒng)一用圖1、圖2、圖3.在每幅附圖下方標示；對圖片內容，采用阿拉伯數(shù)字1、2、3等附圖標記對每幅附圖中的部件進行標示；多幅附圖時，各附圖中的同一技術特征或同一對象，應使用同一個標記。在所有附圖繪制完成后，統(tǒng)一填寫附圖說明和附圖標記，用cad格式。）圖1 為該柔性基底的三維圖圖2 本發(fā)明所述的柔性基底的制備流程；圖 3為基于該柔性襯底的OLED；圖 4為圓形網(wǎng)狀結構的柔性基底；圖 5為環(huán)形網(wǎng)狀結構的柔性基底；著重保護的技術創(chuàng)新點（根據(jù)上述填寫內容，說明本技術交底書著重保護的技術創(chuàng)新點，即最主要的發(fā)明點)1.本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基底的具體結構如下：2. 如權利要求書1所述的柔性基板，其特征在于該柔性基板的制作方法為：1) 在洗干凈的SiO2絕緣層的Si襯底上，采用蒸鍍或者旋涂等方法沉積一層金屬薄膜；2) 采用曝光、刻蝕的方法將金屬薄膜變成網(wǎng)狀半透明結構；3) 在金屬半透明結構表面旋涂光敏聚合材料；4) 對光敏聚合物材料進行紫外光處理使其固化；5) 將固化后的光敏聚合物從襯底上剝離，得到帶有金屬網(wǎng)狀半透明層的柔性基底。3.如權利要求書