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文檔簡介

1、2015-2016第二學期微電子制造工藝技術考查卷班級_姓名_學號_成績_一、 名詞解釋（共25分）：1 請闡述摩爾定律的內容。(4分）2 請對如下英文縮寫給出簡要解釋：（每空3分） ic: ssi: msi: lsi: vlsi: ulsi: gsi: 二、 簡答題（每題5分，共25 分）： 1、半導體工業(yè)由那幾部分構成？ 2、物質的狀態(tài)分為幾種？分別是什么？ 3、晶體缺陷主要有幾種？ 4、請描述熱處理的工藝過程? 5、光刻的目的是什么?三、 簡述題（每題15分，共30 分）： 1、請描述光刻的工藝流程。 2、防止人員污染的措施有哪些？四、 計算題（ 20 分）： 假設晶元生產良品率90%，

2、晶圓電測良品率70%，晶圓封裝測試良品率92%，請計算晶圓整體良品率。2015-2016第二學期微電子制造工藝技術考查卷答案一、名詞解釋（共25分）：3 答：摩爾定律：芯片上所集成的晶體管的數目，每隔18個月翻一番。(4分）4 請對如下英文縮寫給出簡要解釋：（每空3分） ic:集成電路 ssi:小規(guī)模集成電路 msi:中規(guī)模集成電路 lsi:大規(guī)模集成電路 vlsi:超大規(guī)模集成電路 ulsi:特大規(guī)模集成電路 gsi:巨大規(guī)模集成電路二、簡答題（每題5分，共25 分）： 1、半導體工業(yè)包括材料供應商、電路設計、芯片制造和半導體工業(yè)設備及化學品供應商。 2、物質有4種狀態(tài)：固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)和等離子態(tài)。 3、晶體缺陷主要有點缺陷、位錯、層錯、微缺陷。 4、熱處理是簡單地講晶圓加熱或冷卻來達到特定結果的工藝過程。 5、光刻的目的：在半導體基片表面，用圖形復印和腐蝕的辦法制備出呵護要求的薄膜圖形，以實現選擇擴散或注入、金屬膜不限或表面鈍化等目的。三、簡述題（每題15分，共30 分）： 1、請描述光刻的工藝流程。 基片前處理涂光刻膠前烘曝光顯影后烘刻蝕去膠 2、防止人員污染的措施有哪些？ 1）把工作人員完全包裹起來：選擇無脫落材料全封閉的潔凈服。 2）嚴格遵守穿衣

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