微電子器件(3-7)

1、 1、對基區(qū)輸運系數(shù)的影響、對基區(qū)輸運系數(shù)的影響 2bB2BB*114WL 緩變基區(qū)小注入時，緩變基區(qū)小注入時， 均勻基區(qū)小注入時，均勻基區(qū)小注入時， B2Bb02limDW1122B2BbDW 發(fā)生大注入時發(fā)生大注入時，2BbB4WD2BbB4WD 2、對注入效率的影響、對注入效率的影響2EBC2BEE14OD WID Q 3、對電流放大系數(shù)的影響、對電流放大系數(shù)的影響22EBCB22BBEEO144D W IWLD Q 122EBCB22BBEEO144D W IWLD Q 當越過基區(qū)的載流子以一定的濃度和一定的速度進入集電當越過基區(qū)的載流子以一定的濃度和一定的速度進入集電結勢壘區(qū)時，載流

2、子電荷會對勢壘區(qū)中的電荷及電場分布產(chǎn)生結勢壘區(qū)時，載流子電荷會對勢壘區(qū)中的電荷及電場分布產(chǎn)生影響，其重要后果之一，就是當集電結電壓不變，集電極電流影響，其重要后果之一，就是當集電結電壓不變，集電極電流增加時，中性基區(qū)會變寬，從而導致基區(qū)渡越時間變長。這個增加時，中性基區(qū)會變寬，從而導致基區(qū)渡越時間變長。這個現(xiàn)象稱為現(xiàn)象稱為 ，或，或 。 基極電流通過基極電阻時產(chǎn)生的壓降，會使晶體管發(fā)射結基極電流通過基極電阻時產(chǎn)生的壓降，會使晶體管發(fā)射結上不同區(qū)域的偏壓不相等。由于發(fā)射極電流與發(fā)射結偏壓之間上不同區(qū)域的偏壓不相等。由于發(fā)射極電流與發(fā)射結偏壓之間有指數(shù)關系，所以發(fā)射結偏壓只要略有差異，發(fā)射極電流就

3、會有指數(shù)關系，所以發(fā)射結偏壓只要略有差異，發(fā)射極電流就會有很大的變化。當晶體管的電流很大時，基極電阻產(chǎn)生的壓降有很大的變化。當晶體管的電流很大時，基極電阻產(chǎn)生的壓降也就很大，這會使得發(fā)射極電流在發(fā)射結上的分布極不均勻。也就很大，這會使得發(fā)射極電流在發(fā)射結上的分布極不均勻。實際上實際上這個現(xiàn)象稱這個現(xiàn)象稱為為 ，又稱為，又稱為 。 1、電流集中型二次擊穿、電流集中型二次擊穿 當晶體管的當晶體管的VCE 逐漸增大到某一數(shù)值時，集電極電流急劇逐漸增大到某一數(shù)值時，集電極電流急劇上升，出現(xiàn)通常的雪崩擊穿，這個首次出現(xiàn)的擊穿稱為一次擊上升，出現(xiàn)通常的雪崩擊穿，這個首次出現(xiàn)的擊穿稱為一次擊穿，這是非破壞性

4、的。穿，這是非破壞性的。 當當VCE 再稍有增大，使再稍有增大，使 IC 增大到某一臨界值時，晶體管上增大到某一臨界值時，晶體管上的壓降突然降低，電流仍繼續(xù)增大，這個現(xiàn)象稱為二次擊穿。的壓降突然降低，電流仍繼續(xù)增大，這個現(xiàn)象稱為二次擊穿。在二次擊穿過程中，從高電壓低電流區(qū)急速地過渡到低電壓大在二次擊穿過程中，從高電壓低電流區(qū)急速地過渡到低電壓大電流區(qū)，出現(xiàn)負阻現(xiàn)象，同時晶體管發(fā)生不可恢復的損壞。電流區(qū)，出現(xiàn)負阻現(xiàn)象，同時晶體管發(fā)生不可恢復的損壞。 由于發(fā)射結的摻雜不均勻及晶格缺陷等原因，晶體管內(nèi)電由于發(fā)射結的摻雜不均勻及晶格缺陷等原因，晶體管內(nèi)電流的初始分布不可能是完全均勻的。又由于電流具有正溫度系流的初始分布不可能是完全均勻的。又由于電流具有正溫度系數(shù)，這種初始的不均勻在一定的條件下可能產(chǎn)生惡性循環(huán)，使數(shù)，這種初始的不均勻在一定的條件下可能產(chǎn)生惡性循環(huán)，使電流和溫度分布的不均勻越來越嚴重，最后導致電流和溫度集電流和溫度分布的不均勻越來越嚴重，最后導致電流和溫度集中在一個極小的區(qū)域內(nèi)。中在一