四電力電子器件PPT課件

1、4.1 GTR的結(jié)構(gòu)和工作原理GTR的結(jié)構(gòu)和工作原理( 圖1-15 ） 與普通的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的 主要特性是耐壓高、電流大、開關(guān)特性好 通常采用至少由兩個(gè)晶體管按達(dá)林頓接法組成的單元結(jié)構(gòu) 采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)而成 第1頁/共49頁4.1 GTR的結(jié)構(gòu)和工作原理 一般采用共發(fā)射極接法，集電極電流ic與基極電流ib之比為 （1-9） GTR的電流放大系數(shù)，反映了基極電流對(duì)集電極電流的控制能力 當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流Iceo時(shí)，ic和ib的關(guān)系為 ic= ib +Iceo （1-10） 產(chǎn)品說明書中通常給直流電流增益hFE在直流工作情況下集電極電流與基極電流之比

2、。一般可認(rèn)為 hFE 單管GTR的 值比小功率的晶體管小得多，通常為10左右，采用達(dá)林頓接法可有效增大電流增益bcii第2頁/共49頁4.1 GTR的基本特性 (1) 靜態(tài)特性 共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū) 在電力電子電路中GTR工作在開關(guān)狀態(tài)，即工作在截止區(qū)或飽和區(qū) 在開關(guān)過程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過渡時(shí)，要經(jīng)過放大區(qū)圖1-16 共發(fā)射極接法時(shí)GTR的輸出特性截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)圖1-16OIcib3ib2ib1ib1ib2ib3Uce第3頁/共49頁4.1 GTR的基本特性 開通過程開通過程 延遲時(shí)間t td d和上升時(shí)間t tr r，二者之和為開通時(shí)間t ton

3、ont td d主要是由發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容和集電結(jié)勢(shì)壘電容充電產(chǎn)生的。增大i ib b的幅值并增大d di ib b/d/dt t，可縮短延遲時(shí)間，同時(shí)可縮短上升時(shí)間，從而加快開通過程 第4頁/共49頁4.1 GTR的基本特性關(guān)斷過程儲(chǔ)存時(shí)間ts和下降時(shí)間tf，二者之和為關(guān)斷時(shí)間toffts是用來除去飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存在基區(qū)的載流子的，是關(guān)斷時(shí)間的主要部分減小導(dǎo)通時(shí)的飽和深度以減小儲(chǔ)存的載流子，(負(fù)面作用是會(huì)使集電極和發(fā)射極間的飽和導(dǎo)通壓降Uces增加，從而增大通態(tài)損耗)，或者增大基極抽取負(fù)電流Ib2的幅值和負(fù)偏壓，可縮短儲(chǔ)存時(shí)間，從而加快關(guān)斷速度GTR的開關(guān)時(shí)間在幾微秒以內(nèi)，比晶閘管和GTO都短很多

4、 第5頁/共49頁4.1 GTR的主要參數(shù) 前已述及：電流放大倍數(shù)、直流電流增益hFE、集射極間漏電流Iceo、集射極間飽和壓降Uces、開通時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff 此外還有,1)最高工作電壓 GTR上電壓超過規(guī)定值時(shí)會(huì)發(fā)生擊穿 擊穿電壓不僅和晶體管本身特性有關(guān)，還與外電路接法有關(guān) 實(shí)際使用時(shí)，為確保安全，最高工作電壓要比BUceo低得多 BUceo為基極開路時(shí)，c和e之間的擊穿電壓。第6頁/共49頁4.1 GTR的主要參數(shù) 2)集電極最大允許電流IcM 實(shí)際使用時(shí)要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一點(diǎn) 3) 集電極最大耗散功率PcM 最高工作溫度下允許的耗散功率 產(chǎn)品說明書中給Pc

5、M時(shí)同時(shí)給出殼溫TC，間接表示了最高工作溫度第7頁/共49頁4.1 GTR的二次擊穿現(xiàn)象與安全工作區(qū)一次擊穿 集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí)，Ic迅速增大，出現(xiàn)雪崩擊穿 只要Ic不超過限度，GTR一般不會(huì)損壞，工作特性也不變 二次擊穿v 一次擊穿發(fā)生時(shí)，如果繼續(xù)增高外接電壓，則Ic繼續(xù)增大，當(dāng)達(dá)到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)，Uce會(huì)突然降低至一個(gè)小值，同時(shí)導(dǎo)致Ic急劇上升，這種現(xiàn)象稱為二次擊穿；v 二次擊穿的持續(xù)時(shí)間很短，一般在納秒至微秒范圍，常常立即導(dǎo)致器件的永久損壞。 v 將不同基極電流下二次擊穿的臨界點(diǎn)連接起來，就構(gòu)成二次擊穿臨界線，其反映二次擊穿功率PSB。第8頁/共49頁4.1 GTR的二次擊穿現(xiàn)象與

6、安全工作區(qū)安全工作區(qū)（Safe Operating AreaSOA） 最高電壓UceM、集電極最大電流IcM、最大耗散功率PcM、二次擊穿臨界線限定圖1-18 GTR的安全工作區(qū)第9頁/共49頁第10頁/共49頁Vin1GND2Vout3GND4E148S15+15Vin1GND2Vout3V1078L05+15C18+5TIP1422W 2.7k+15_1VD11N4746C125V100uC5104第11頁/共49頁4.2 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管也 分 為 結(jié) 型 和 絕 緣 柵 型 （ 類 似 小 功 率 F i e l d E f f e c t TransistorFET）但 通 常 主

7、要 指 絕 緣 柵 型 中 的 M O S 型 （ M e t a l O x i d e Semiconductor FET）簡(jiǎn)稱 電力MOSFET（Power MOSFET） 按導(dǎo)電溝道可分為 P溝道 和N溝道 耗盡型當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道 電力MOSFET主要是增強(qiáng)型,以N溝道居多結(jié)型電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction TransistorSIT）第12頁/共49頁4.2 電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理GSDP 溝道GSDN 溝道圖1-19 電力MOSFET電氣圖

8、形符號(hào) 電力MOSFET是多元集成結(jié)構(gòu)，一個(gè)器件由許多小MOSFET元組成。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別。小功率MOS導(dǎo)電溝道平行于芯片表面,是橫向?qū)щ娖骷?。電力MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET）大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力第13頁/共49頁4.2 電力MOSFET的工作原理UGS=0截止：截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零n P基區(qū)與N區(qū)之間形成的PN結(jié)反偏，漏源極之間無電流流過第14頁/共49頁4.2 電力MOSFET的工作原理0UGSUTn 當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)

9、表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)消失，漏極和源極導(dǎo)電第16頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性 特點(diǎn)用柵極電壓來控制漏極電流 MOSFET是電壓控制型器件（場(chǎng)控器件），其輸入阻抗極高，輸入電流非常小。驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小 導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型器件； 開關(guān)速度快，工作頻率高 熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR 電流容量小，耐壓低第17頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性1)靜態(tài)特性圖1-20 電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性01020305040圖

10、1-202468a)10203050400b)1020305040飽和區(qū)非飽和區(qū)截止區(qū)ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A漏極電流I ID D和柵源間電壓U UGSGS的關(guān)系稱為MOSFETMOSFET的轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)移特性移特性I ID D較大時(shí)，I ID D與與U UGSGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為 跨導(dǎo)跨導(dǎo)G GfsfsGfsdId/dUGS 截止區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的截止區(qū)）飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)，某些書籍上將其命名為正向電阻區(qū)）第18頁/共49頁4.2 電力MOSFET

11、的基本特性MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）： 電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換 電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通 電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利原因是電流越大，發(fā)熱越大，通態(tài)電阻就加大，從而限制電流的加大，有利于均流。問題：電力MOSFET能否反向?qū)?？?9頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性 低壓大電流的電力MOSFET的導(dǎo)通壓降與二極管相比要低的多，如型號(hào)為FQP140N03L的電力MOSFET（UDS=30V，ID=140A），其導(dǎo)通電阻僅為3.8m，若負(fù)載電流為20A

12、，則導(dǎo)通壓降為76mV，因此采用低壓電力MOSFET作為整流器件可提高電路效率，減輕散熱壓力，有利于實(shí)現(xiàn)此類電源的小型化。 第20頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性第21頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性 2) 動(dòng)態(tài)特性圖1-21 電力MOSFET的開關(guān)過程a) 測(cè)試電路 b) 開關(guān)過程波形up脈沖信號(hào)源，Rs信號(hào)源內(nèi)阻和柵極驅(qū)動(dòng)電阻，RG柵極電阻，RL負(fù)載電阻，RF檢測(cè)漏極電流第22頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性 開通過程 開通延遲時(shí)間td ( o n ) 從驅(qū)動(dòng)脈沖電壓前沿時(shí)刻到iD的數(shù)值達(dá)到穩(wěn)態(tài)電流的10%的時(shí)間段 電流上升時(shí)間tri 從uGS上升

13、到開啟電壓UT，到漏極電流iD的數(shù)值達(dá)到穩(wěn)態(tài)電流的90%的時(shí)間段 電壓下降時(shí)間tf v 當(dāng)uG S上升到UGSP時(shí)，功率MOSFET的漏、源極電壓uDS開始下降，受柵、漏電容CGD的影響，驅(qū)動(dòng)回路的時(shí)間常數(shù)增大，uG S增長(zhǎng)緩慢，波形上出現(xiàn)一個(gè)平臺(tái)期 ， 當(dāng) uD S下 降 到 導(dǎo) 通 壓 降 ， 功 率MOSFET進(jìn)入到穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài) 開通時(shí)間ton=td(on)+tri+tfv iDOOttuGSUTtd(on)ttd(off)tfiriuDSOtUGSPfvttrv第23頁/共49頁4.2 電力MOSFET的基本特性 關(guān)斷過程 關(guān)斷延遲時(shí)間td(off) 當(dāng)驅(qū)動(dòng)脈沖電壓下降到零時(shí)，柵源極輸

14、入電容Cin通過柵極電阻放電，柵極電壓uGS按指數(shù)曲線下降，當(dāng)下降到UGSP時(shí)，功率MOSFET的漏、源極電壓uDS開始上升 電壓上升時(shí)間tr v 柵、漏電容CGD放電，uGS波形上出現(xiàn)一個(gè)平臺(tái)。當(dāng)uDS上升到輸入電壓時(shí)，iD開始減小 電流下降時(shí)間tfi uGS從UGSP繼續(xù)下降，iD減小，到uG S20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿 4)極間電容 極間電容CGS、CGD和CDS廠家提供：漏源極短路時(shí)的輸入電容Ciss、共源極輸出電容Coss和反向轉(zhuǎn)移電容Crss Ciss= CGS+ CGD （1-14） Crss= CGD （1-15） Coss= CDS+ CGD （1-16）輸入電容可近似用Cis

15、s代替 第27頁/共49頁4.2 電力MOSFET的主要參數(shù) 漏源間的耐壓、漏極最大允許電流和最大耗散功率決定了電力MOSFET的安全工作區(qū) 一般來說，電力MOSFET不存在二次擊穿問題通態(tài)電阻Ron：是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。在相同條件下，耐壓等級(jí)越高的器件其Ron越大，這也是電力MOSFET耐壓難以提高的原因之一。另外Ron隨結(jié)溫的增加而增加，隨uGS的升高而減小。 GTR和GTO的特點(diǎn)雙極型，電流驅(qū)動(dòng)，通流能力很強(qiáng)，開關(guān)速度較低，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜； MOSFET的優(yōu)點(diǎn)單極型，電壓驅(qū)動(dòng)，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。 GTO、GTR、電

16、力MOSFET的比較：第28頁/共49頁第29頁/共49頁4.3 絕緣柵雙極晶體管 電力MOSFET屬于多子導(dǎo)電，無電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，當(dāng)要提高阻斷電壓時(shí)，其導(dǎo)通電阻將迅速增加，以至于使功率管無法正常工作。所以，電力MOSFET在同樣的管芯面積下，隨著耐電壓的提高，電流容量下降的很厲害。例如FQP85N06型MOSFET為60V85A(25)，而同樣尺寸的MOS管FQP5N90，電壓為900V，而電流容量只有5A。為克服這個(gè)缺點(diǎn)，在電力MOSFET中的漏極側(cè)引入一個(gè)PN結(jié)，在正常導(dǎo)通時(shí)，有效電阻成幾十倍地降低，可大大提高電流密度，這樣就產(chǎn)生了新的器件IGBT。 絕緣柵雙極晶體管（Insulated-

17、gate Bipolar TransistorIGBT或IGT） GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)，具有好的特性 1986年投入市場(chǎng)后，取代了GTR和一部分MOSFET的市場(chǎng),中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件 繼續(xù)提高電壓和電流容量，以期再取代GTO的地位第30頁/共49頁4.3 IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 IGBT是三端器件：柵極G、集電極C和發(fā)射極E圖1-22 IGBT的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b) 簡(jiǎn)化等效電路 c) 電氣圖形符號(hào)EGCN+N-a)PN+N+PN+N+P+發(fā)射極柵極集電極注入?yún)^(qū)緩沖區(qū)漂移區(qū)J3J2J1GEC+-+-+-IDRNICVJ

18、1IDRonb)GCc)IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成了一個(gè)大面積的P+N結(jié)J1 使IGBT導(dǎo)通時(shí)由P+注入?yún)^(qū)向N基區(qū)發(fā)射少子，從而對(duì)漂移區(qū)電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)制，使得IGBT具有很強(qiáng)的通流能力E第31頁/共49頁4.3 IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理IGBT的原理 驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同，場(chǎng)控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定 導(dǎo)通：uGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通 導(dǎo)通壓降：電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使通態(tài)壓降小 關(guān)斷：柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷第32頁/共49頁

19、4.3 IGBT的基本特性1)IGBT的靜態(tài)特性圖1-23 IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性O(shè)有源區(qū)正向阻斷區(qū)飽和區(qū)反向阻斷區(qū)a)b)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加第33頁/共49頁4.3 IGBT的基本特性轉(zhuǎn)移特性IC與UGE間的關(guān)系，與MOSFET轉(zhuǎn)移特性類似 開啟電壓UGE(th)IGBT能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低柵射電壓UGE(th)隨溫度升高而略有下降，在+25C時(shí)，UGE(th)的值一般為26V輸出特性（伏安特性）以UGE為參考變量時(shí)，IC與UCE間的關(guān)系 分為三個(gè)區(qū)域：正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。分別與GTR的截

20、止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)相對(duì)應(yīng)UCE0時(shí)，IGBT為反向阻斷工作狀態(tài)第34頁/共49頁4.3 IGBT的基本特性 2)IGBT的動(dòng)態(tài)特性圖1-24 IGBT的開關(guān)過程 IGBT的開通過程的開通過程與MOSFET的相似，因?yàn)殚_通過程中IGBT在大部分時(shí)間作為MOSFET運(yùn)行 開通延遲時(shí)間td(on) 從驅(qū)動(dòng)電壓uGE的前沿上升至其幅值的10的時(shí)刻，到集電極電流ic上升至電流幅值ICM的10的時(shí)刻止 電流上升時(shí)間tri iC從10%ICM上升至90%ICM所需時(shí)間 電壓下降時(shí)間（tfv1+tfv2） tfv1為IGBT中MOSFET單獨(dú)工作的電壓下降過程,tfv2為MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作的

21、電壓下降過程 開通時(shí)間ton開通延遲時(shí)間td(on)、電流上升時(shí)間tri與電壓下降時(shí)間（tfv1+tfv2）之和。第35頁/共49頁4.3 IGBT的基本特性 IGBT的關(guān)斷過程 關(guān)斷延遲時(shí)間td ( o ff ) 從驅(qū)動(dòng)電壓uG E的脈沖下降到其幅值的90的時(shí)刻起，到集射電壓uC E上升到其幅值的10% 電壓上升時(shí)間trv 這段時(shí)間內(nèi)柵極-集電極寄生電容CGC放電，柵極電壓uG E基本維持在一個(gè)電壓水平上 電流下降時(shí)間tfi 集電極電流從90ICM下降至10ICM,電流下降時(shí)間分為tfi1和tfi2兩段，其中tfi1對(duì)應(yīng)IGBT內(nèi)部的MOSFET的關(guān)斷過程，這段時(shí)間集電極電流Ic下降較快；t

22、fi2對(duì)應(yīng)IGBT內(nèi)部的PNP晶體管的關(guān)斷過程 關(guān)斷時(shí)間toff關(guān)斷延遲時(shí)間與電流下降之和第36頁/共49頁4.3 IGBT的基本特性 IGBT中雙極型PNP晶體管的存在，雖然帶來了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)的好處，但也引入了少子儲(chǔ)存現(xiàn)象，因而IGBT的開關(guān)速度低于電力MOSFET IGBT的擊穿電壓、通態(tài)壓降和關(guān)斷時(shí)間也是需要折衷的參數(shù)第37頁/共49頁4.3 IGBT的主要參數(shù) 1) 最大集射極間電壓UCES 由內(nèi)部PNP晶體管的擊穿電壓確定 2) 最大集電極電流 包括額定直流電流IC和1ms脈寬最大電流ICP 3)最大集電極功耗PCM 正常工作溫度下允許的最大功耗 第38頁/共49頁4.3 IGBT的

23、主要參數(shù)IGBT的特性和參數(shù)特點(diǎn)1.開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。在電壓1000V以上時(shí)，開關(guān)損耗只有GTR的1/10，與電力MOSFET相當(dāng)2.相同電壓和電流定額時(shí)，安全工作區(qū)比GTR大，且具有耐脈沖電流沖擊能力3.在電流較大的區(qū)域通態(tài)壓降比VDMOSFET低4.輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似5.與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時(shí)保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)第39頁/共49頁4.3 IGBT的主要參數(shù)第40頁/共49頁4.3 IGBT的常見封裝第41頁/共49頁第42頁/共49頁第43頁/共49頁GTRMOSFETIGBT電氣符號(hào)比較圖1-15a)基極 bP基區(qū)N漂移

24、區(qū)N+襯底基極 b 發(fā)射極 c集電極 cP+P+N+b)bec空穴流電子流c)EbEcibic=ibie=(1+ibN+GSDP溝道b)N+N-SGDPPN+N+N+溝道a)GSDN溝道圖1-19 GTR MOSFET IGBTE第44頁/共49頁其它新型電力電子器件 靜電感應(yīng)晶體管（SIT，Static Induction Transistor）：誕生于1970年。是一種多子導(dǎo)電的器件，工作頻率與電力MOSFET相當(dāng)，甚至更高，功率容量更大，因而適用于高頻大功率場(chǎng)合。但SIT是在柵極不加信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，加負(fù)偏壓時(shí)關(guān)斷，使用不太方便；且通態(tài)電阻較大，通態(tài)損耗也大，因而還未得到廣泛應(yīng)用。 靜電感應(yīng)晶

25、閘管（SITH，Static Induction Thyristor）：誕生于1972年，因其工作原理與SIT類似，門極和陽極電壓均能通過電場(chǎng)控制陽極電流，因此SITH又被稱為場(chǎng)控晶閘管（FCT ，F(xiàn)ield Controlled Thyristor）。SITH是兩種載流子導(dǎo)電的雙極型器件，通態(tài)壓降低、通流能力強(qiáng)。其很多特性與GTO類似，但開關(guān)速度比GTO高得多，是大容量的快速器件；SITH一般也是正常導(dǎo)通型（柵極不加信號(hào)時(shí)導(dǎo)通），而且其制造工藝比GTO復(fù)雜得多，電流關(guān)斷增益較小，因而其應(yīng)用范圍還有待拓展。 集成門極換流晶閘管（IGCT，Integrated Gate-Commutated Thyristor）：于20世紀(jì)90年代后期出現(xiàn)，1997年得到商品化，其結(jié)合了IGBT與GTO的優(yōu)點(diǎn)，容量與GTO相當(dāng)，開關(guān)速度比GTO快10倍，且可省去GTO龐大而復(fù)雜的緩沖電路，只不過所需的驅(qū)動(dòng)功率仍很大。目前的制造水平是4500V/4000A，有望取代GTO在特大功率場(chǎng)合的位置。 第45頁/共49頁其它新型電力電子器件 功率模塊和功率集成電路： 20世紀(jì)80年代中后期開始，在電力電子器件研制過程中一個(gè)共同趨勢(shì)是模塊化。將多個(gè)器件封裝在一個(gè)模塊中，稱為功率模塊。功率模塊可縮小裝置體積，降低