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1、_XPS 數(shù)據(jù)分析縱坐標： Intensity(cps)橫坐標： binding energy （eV ）除了氫氦元素， 其他的元素都可以進行分析；先進行寬掃，確定樣品有何種元素，再對該元素進行窄掃。 該元素的不同鍵接方式都對應不同的峰，所以對元素窄掃的峰要進行分峰（分峰之前要進行調(diào)整基線）。如何分峰，不同的鍵接方式會對應不同的結合能。第一步：先把元素的窄掃峰用origin 畫出來；縱坐標： Intensity(cps)橫坐標： binding energy （eV ）第二步：調(diào)整基線；選擇 Ceate Baseline-next-next-add/modify添加（雙擊）或去除（delete

2、 ）基點，保證基線水平 -Finish精品資料_最小化圖，會出現(xiàn)調(diào)整基線后的坐標。插入一列，單機右鍵選擇set column values輸入 col （ b）-col（ d ）：即開始縱坐標減去調(diào)整基線后的縱坐標。再用橫坐標與剛開始得到的縱坐標作圖- 調(diào)整基線后的XPS 窄掃圖。第三步：對峰求積分面積；選擇 integrate peaks-next-狂點 - 完成精品資料_即 area 為峰的面積。第四步：分峰較難（有專門的分峰軟件，origin 也能分峰）第五步：求組分元素比：元素比等于：窄掃峰面積/XPS 靈敏度因子（每一個元素的靈敏度因子不一致）精品資料_咱們這邊的 XPS 設備選擇的是鋁板（AlK ）。精品資料_Welcom

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