2014考研華東師范大學(xué)《906半導(dǎo)體物理學(xué)》沖刺重點(diǎn)背誦

1、；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY2014考研華東師范大學(xué)906半導(dǎo)體物理學(xué)沖刺重點(diǎn)背誦主講：王維集宙竽毎卿欝豐雖兮溫二碧U凰亦令現(xiàn)曲率輩/壬審剝¥帥書 兮溫一碧q.uoq.uoQ；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY環(huán)學(xué)生辱円令;巧H與 lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 、關(guān)于華師大信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院電子工程系廠計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)系信院計(jì)算中心I 通信工程系L 電子工程系電子工程系擁有電子科

2、學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科博士后流動(dòng)站,在“微電子學(xué)與固體電子學(xué)“、“物理電子學(xué)"和“電磁場(chǎng)與微波技術(shù)“三個(gè)二級(jí)學(xué)科點(diǎn)具有博士學(xué)位授予權(quán), 同時(shí)具有“集成電路工程“專業(yè)碩士學(xué)位授予權(quán)?！拔㈦娮訉W(xué)與固體電子學(xué)為上海市 重點(diǎn)學(xué)科。形成兼具電子電路、微電子學(xué)、半導(dǎo)體材料與器件、光電子學(xué)以及材料物理 等交叉綜合的電子工程專業(yè)與工程類辦學(xué)模式。；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY、關(guān)于華師大信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院電子工程系師資力量一由1名中科院全職院士、2名國家杰出青年基金獲得者、4名紫江學(xué)者、 1名上海市東方學(xué)者特聘教授和一批年富力強(qiáng)、銳意進(jìn)取的教授、副教授及講

3、師組成的 教學(xué)科研梯隊(duì)。全系現(xiàn)有博士生導(dǎo)師21人,其中教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才5人 上海市優(yōu) 秀學(xué)術(shù)斛）帶頭人1人、上海市曙光學(xué)者4人以及上海市啟明星獲得者2人等。實(shí)踐基地極化材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室:稀磁半導(dǎo)體和窄禁帶半導(dǎo)體的自 旋極化物理電子學(xué)；鐵電薄膜和寬帶隙半導(dǎo)體的極化效應(yīng)；新型維納極化電子器件和硅 基戦；極化頤鈕電子信息獲取制交叉。；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY一、近十年咼頻考點(diǎn)串講通過總結(jié)和梳理歷年真題，對(duì)真題中的高頻考點(diǎn)進(jìn)行系統(tǒng)的串講，幫 助考生明確沖刺階段的復(fù)習(xí)重點(diǎn),加深對(duì)知識(shí)的理解,調(diào)整復(fù)習(xí)方向。學(xué)長的話：半導(dǎo)體物理學(xué)知識(shí)點(diǎn)多

4、，難點(diǎn)多，你不可能掌握這本 書（前十章）80%的內(nèi)容。但你卻能憑借這W80%的知識(shí)考取130+的 成績，為什么？因?yàn)槌鲱}人！因?yàn)樵嚲淼闹貜?fù)性!EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY二、近十年高頻考點(diǎn)串講試卷結(jié)構(gòu)（150分）XZl"KGOi lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)名詞解釋4x4=16 分二、填充題 2x8=16分三、簡(jiǎn)答題8x7=56分四、討論和計(jì)算題62分；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講名詞解釋25個(gè)概念遷移率、（準(zhǔn)）費(fèi)米能級(jí)、有效質(zhì)量、電子親和能/功函數(shù)、本征激發(fā)/本征躍遷/本征半導(dǎo)體、勢(shì)壘電容/擴(kuò)散

5、電容、隧道擊穿/雪崩擊穿、耿氏效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)、霍爾效應(yīng)、（pn結(jié)）空間電荷區(qū)、俄歇復(fù)合洱畐射復(fù)合、（MIS ）平帶電壓、光電導(dǎo)、施主/受主、（非）簡(jiǎn)并半導(dǎo)體、等電子雜質(zhì)、 非羽斷載流子考查的是嚴(yán)格意義上的走義、物理含義、工作原理,不容胡扯。理解后背、默!近十年高頻考點(diǎn)串講名詞解釋 分兩類俄歇復(fù)第一類：書上有準(zhǔn)確嚴(yán)格定義的,簡(jiǎn)單的一句話，如遷移率、 合、電珞和能。 遷移率：?jiǎn)挝粓?chǎng)強(qiáng)下載流子的平均漂移速度,單位計(jì)/V.s或cm2/V.s。 俄歇復(fù)合：非平復(fù)亍載流子在復(fù)合過程中將能量給予其他載流子增加其動(dòng)能的復(fù)合方式。電子親和能：表示要使半導(dǎo)體導(dǎo)帶底的電子溢出到真空中所需的最小能量。；Ki lL

6、l考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講名詞解釋 分兩類第二類：需要總結(jié)概括的,包括意義原理等,如”有效質(zhì)量"、”費(fèi)米能 級(jí)、光生伏特效應(yīng)、勢(shì)壘電容。 有效質(zhì)量：它概括了物理意義 費(fèi)米能級(jí)：即系統(tǒng)的化學(xué)式,它表示當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡公式意義上理解 光生伏特效應(yīng)：當(dāng)用適當(dāng)波長的光照射工作原理勢(shì)壘電容：當(dāng)pn結(jié)上外加正壓時(shí)形成機(jī)制；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講名詞解釋老師的話：名詞解釋這塊比較簡(jiǎn)單，當(dāng)然前提建立在你對(duì)這不到三 十個(gè)名詞的理解與記憶。記住了多默幾遍，得分應(yīng)該沒問

7、題。請(qǐng)注 意，考慮到答題區(qū)很大，多寫點(diǎn)是個(gè)技巧，像“勢(shì)壘電容”，把原 理寫出來比書上給出的總結(jié)性的概念好。此外關(guān)于會(huì)不會(huì)出新名詞, 憑學(xué)長的經(jīng)驗(yàn)，有可能，但限制在一個(gè)。；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講填充題 考查概念、推論、特點(diǎn)、原理、條件、小計(jì)算。 本征半導(dǎo)體是指_的半導(dǎo)體,其費(fèi)米能級(jí)通常位于禁帶。 純凈半導(dǎo)體霍爾系數(shù)通常_于零；若一種材料的霍爾系數(shù)等于零，該半 導(dǎo)體通常是_。 肖特基勢(shì)壘二極管相對(duì)于pn結(jié)二極管來說具有的兩個(gè)特點(diǎn)o 對(duì)于導(dǎo)帶為雙能谷的半導(dǎo)體，當(dāng)能量較高的子能谷曲率于能量較低的 子能谷的曲率，有可能觀察到負(fù)微

8、分電導(dǎo)現(xiàn)象，因?yàn)槟芰枯^高的子能谷的 電子遷移率于較低子能谷的遷移率。 通常所謂的理想MIS結(jié)構(gòu)應(yīng)該滿足三個(gè)條件_o 已知Si的禁帶寬度為1.12eV ,則本征光吸收的長波限為(um)o近十年高頻考點(diǎn)串講填充題老師的話：填充題這塊也相對(duì)簡(jiǎn)單，考查的就是一些基本理論，包括概念、推論、特點(diǎn)、原理、條件、小計(jì)算，考點(diǎn)較細(xì)但重復(fù)率挺高，把近十年試卷上的填充題都掌握了，12T4分也到手了。剩下的2-4分看個(gè)人平時(shí)的積累，老師建議剩下的這段復(fù)習(xí)時(shí)間不必花在追求這2-4分上面。；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講簡(jiǎn)答題簡(jiǎn)答題這部分相對(duì)難點(diǎn),因?yàn)楹?jiǎn)

9、答題考查的范圍比較廣泛且考查知識(shí)點(diǎn)較深，答題要答到點(diǎn)子上,字?jǐn)?shù)也寫的比較多。通?？疾槊~解釋形成機(jī)制原因分析公式考查結(jié)構(gòu)特點(diǎn)畫能帶示意圖。下面分別就這六方面進(jìn)行指點(diǎn)。近十年高頻考點(diǎn)串講簡(jiǎn)答題名詞解釋 什么是肖特基二極管？它與pn結(jié)二極管相比有什么特點(diǎn)。 半導(dǎo)體中載流子的遷移率和擴(kuò)散系數(shù)的意義是什么？兩者有什么關(guān)系? 試分析半導(dǎo)體中的補(bǔ)償效應(yīng)。何謂歐姆接觸?如何在金屬與半導(dǎo)體間形成歐姆接觸?；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講簡(jiǎn)答題形成機(jī)制 試分析p-n結(jié)中光生伏特效應(yīng)的形成機(jī)制。 試分析半導(dǎo)體中主要的發(fā)光機(jī)制。 半導(dǎo)體中的載流子有

10、明曬種不同的運(yùn)動(dòng)機(jī)制？試對(duì)其做簡(jiǎn)單分析。試分析理想M IS結(jié)構(gòu)中反型層形成條件。；Ki lLl考試琥來點(diǎn)點(diǎn)EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高頻考點(diǎn)串講簡(jiǎn)答題原因分析 影響Si半導(dǎo)體中電子遷移率的因素主要有明陛?試簡(jiǎn)單分析。 pn結(jié)的接觸電勢(shì)差與那些因素有關(guān)？試對(duì)其作簡(jiǎn)單分析。 試分析實(shí)際pn結(jié)在反向偏壓下偏離理想情況的主要因素。 試解釋重?fù)诫s半導(dǎo)體中實(shí)際禁帶寬度變窄的原因。 為什么在硅的回旋共振實(shí)驗(yàn)中沿不同方向可以觀察到不同的吸收峰？ 為什么摻金可以改變Si中非平衡載流子的壽命?近十年高頻考點(diǎn)串講簡(jiǎn)答題公式考查試寫出半導(dǎo)體中描述非平衡空穴變化規(guī)律的一維連續(xù)性方程，并指出每項(xiàng)意義。）硅半導(dǎo)體中導(dǎo)帶底電子狀態(tài)密度有效質(zhì)量由哪幾個(gè)因素決定，試簡(jiǎn)單分 析。呼翱瀏更卑黑曲劃皆耒s«9、!S¥兮黑呼制與誓WM!一牡!宙耳翱欝也lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 環(huán)學(xué)生辱円令;巧H與 lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 近十年高頻考點(diǎn)串講簡(jiǎn)答題畫能帶示意圖 試畫出金屬和p型半導(dǎo)體