電磁場與電磁波習題

1、第二章（選擇）1、 將一個帶正電的帶電體 A從遠處移到一個不帶電的導體B附近，導體B的電勢將（A ） A升高B降低C不會發(fā)生變化D無法確定2、 下列關于高斯定理的說法正確的是（A）A如果高斯面上E處處為零，則面內未必無電荷。B如果高斯面上E處處不為零，則面內必有靜電荷。C如果高斯面內無電荷，則高斯面上E處處為零。D如果高斯面內有凈電荷，則高斯面上E處處不為零3、以下說法哪一種是正確的（ B）A電場中某點電場強度的方向，就是試驗電荷在該點所受的電場力方向B電場中某點電場強度的方向可由E=F/q 確定，其中qO為試驗電荷的電荷量，qO可正 可負，F(xiàn)為試驗電荷所受的電場力C在以點電荷為中心的球面上，

2、由該點電荷所產生的電場強度處處相同D以上說法都不正確4、 當一個帶電導體達到靜電平衡時（D）A表面曲率較大處電勢較高B表面上電荷密度較大處電勢較高C導體內部的電勢比導體表面的電勢高D導體內任一點與其表面上任一點電勢差等于零5、下列說法正確的是（D）A場強相等的區(qū)域，電勢也處處相等B場強為零處，電勢也一定為零C電勢為零處，場強也一定為零D場強大處，電勢不一定高6、 就有極分子電介質和無極分子電介質的極化現(xiàn)象而論（D）A、兩類電介質極化的微觀過程不同，宏觀結果也不同B 兩類電介質極化的微觀過程相同，宏觀結果也相同C 兩類電介質極化的微觀過程相同，宏觀結果不同D 兩類電介質極化的微觀過程不同，宏觀結

3、果相同7、下列說法正確的是（ D ）（A）閉合曲面上各點電場強度都為零時，曲面內一定沒有電荷B閉合曲面上各點電場強度都為零時，曲面內電荷的代數(shù)和必定為零C閉合曲面的電通量為零時，曲面上各點的電場強度必定為零。D閉合曲面的電通量不為零時，曲面上任意一點的電場強度都不可能為零8、根據(jù)電介質中的高斯定理，在電介質中電位移矢量沿任意一個閉合曲面的積分等于這個曲面所包圍自由電荷的代數(shù)和。下列推論正確的是（D ）A若電位移矢量沿任意一個閉合曲面的積分等于零，曲面內一定沒有自由電荷B若電位移矢量沿任意一個閉合曲面的積分等于零，曲面內電荷的代數(shù)和一定等于零C若電位移矢量沿任意一個閉合曲面的積分不等于零，曲面內

4、一定有極化電荷D介質中的電位移矢量與自由電荷和極化電荷的分布有關9、 將一個帶正電的帶電體A從遠處移到一個不帶電的導體B附近，導體B的電勢將（AA升高B降低C不會發(fā)生變化10、 一平行板電容器充電后與電源斷開，再將兩極板拉開，則電容器上的（D）A、電荷增加B、電荷減少 C電容增加D、電壓增加（判斷）1、 兩個點電荷所帶電荷之和為Q,當他們各帶電量為 Q/2時，相互間的作用力最?。╔）2、 已知靜電場中某點的電勢為-100V，試驗電荷q0=,則把試驗電荷從該點移動到無窮遠處電場力作功為（V）3、電偶極子的電位與距離平方成正比，電場強度的大小與距離的二次方成反比。（X）4、介質內部體分布的束縛電荷

5、與介質塊的表面束縛電荷是等值異性的。（V）5、 在均勻介質內自由電荷p=0的區(qū)域中，P=0,因而束縛電荷的體密度p/=0. （V）6、位于無源區(qū)中任一球面上電位的平均值等于其球心的電位，而與球外的電荷分布特性無 關。（V）7、 若真空中相距為 d的兩個電荷q1及q2的電荷量分別為q及4q,當點電荷q，位于q1 及q2的連線上時，系統(tǒng)處于平衡位置，則q/位于垂直線上°（X）8、 電荷密度為p s及-p s的兩塊無限大面電荷分別位于x=0及x=1平面，則x>1時，電場 強度為E=0. （V）9、在兩種截止形成的邊界上，兩側的電場強度的切向分量相等，或者說，電場強度的切向 分量連續(xù)。

6、（V）10、處于靜電平衡狀態(tài)的道題是一個等位體，導體表面是一個等位面。（V）第三章（選擇）1、 無限大的導體平面上空平行放置一根半徑為a的圓柱導線。已知圓柱導線的軸線離開平面的距離為h，則單位長度圓柱導線與導體平面之間的電容為（A）A 2 n e /arcosh （h/a ） B 4 ne /arcosh （h/a ） C 2 n & /arsinh （h/a ） D 4 ne /arsinh（h/a ）2、 當孤立的不帶電的導體球位于均勻電場E0中，使用鏡像法求出導體球表面的電荷分布為（C） A 4e 0E0cos 0 B 4 e 0E0sin 0 C 3 e 0E0cos 0 D

7、3 e 0E0sin 03、 已知一個不接地的半徑為a的導體球攜帶的電荷為Q若電荷為q的點電荷移向該帶點球，試問當點電荷受力為零時離球心的距離為（A）A B C D4、 用鏡像法求解電場邊值問題時，判斷鏡像電荷的選取是否正確的根據(jù)是（D）A.鏡像電荷是否對稱 B.電位$所滿足的方程是否改變C.邊界條件是否保持不變D.同事選擇B和C5、靜電場中電位為零處的電場強度（C）A. 一定為零B. 一定不為零C.不能確定6、空氣中某一球形空腔，腔內分布著不均勻的電荷，其電荷體密度與半徑成反比，則空腔 外表面上的電場強度為（C） A、大于腔內各點的電場強度B小于腔內各點的電場強度C等于腔內各點的電場強度7、

8、 介電常數(shù)為的介質區(qū)域 V中，靜電荷的體密度為p,已知這些電荷產生的電場為E=E（x, y, z）,設D= E,下面表達式中成立的是（C）D 0EDD 08、N個點電荷組成的系統(tǒng)的能量W=1qi i，其中i是（B）產生的電位2 o的電介質，Z<0的半空間中為空氣。已知空氣中的靜2 i iA、除i電荷外的其它電荷B所有點電荷C外電場在i電荷處9、Z>0的半空間中為介電常數(shù)電場為E0 ex2 ez6。則電介質中的靜電場為（0AEexez6B.Eex4ez3C.Eex2ez310、已知點電荷q位于半徑為a的導體球附近，離球心的距離為發(fā)f,當導體球的電位為時的鏡像電荷為（A A、4 oa

9、B、3 oa4、a的導體球形空腔中的點電荷q受到的電場力大小為 Fq2ad40(a2-d2)2（判斷）1、當當邊界上的電位或電位的法向導數(shù)給定時，或導體表面電荷分布給定時，空間的靜電場被唯一性的確定（V）2、當當點電何q位于無限大的導體表面附近時，導體表面上總感應電何等于-q (V)3、無源區(qū)中電位分布函數(shù)可能具有最大值或最小值（X）（V）5、 真空中靜電場得到的電場強度的無旋性V E 0 ,在介質靜電場中仍然成立。（V）6、一個點電荷 Q放在球形高斯面中心處，如果此電荷被移開原來的球心，但仍在球心，則 通過這個球面的電通量將會改變（X）7、無源區(qū)中，電位應滿足的拉普拉斯方程為(r) 0( V

10、)8位于半徑為a的導體球外的點電荷q受到的電場力大小為F畀器:二，f為點電荷至球心的距離。（V）9、直角坐標系中的電位函數(shù)1 Cz/（3；x2 y2 Z2）及球坐標系中電位函數(shù)2-均滿r足拉普拉斯方程，式中的 C為常數(shù)（V）10、已知導體是等位體， 分布在有限區(qū)域的電荷在無限遠處產生的電位為零，因此，無限大導體平面的電位為零。（V）第四章（選擇）1設同軸線內導體半徑為a，外導體的內半徑為b，填充介質的電導率為，則單位長度2 2內同軸線的漏點導為（A） A G B、G / a、/ a、In （）In （）bb2、 半徑為a和b的同心球，內球的電位U，外球的電位0 ,兩球之間煤質的電導率為，則這個

11、球形電阻器的電阻為（B）A -丄B、上 C、幺口4 ab 4 ab 4 ab3、 有一寬度為2m的電流薄層，其總電流為6A,位于z=0平面上，方向從原點指向點（2,3,0）的方向，貝V Js的表達式為（）A、丄(6ax 9ay) B、丄(6ax 9ay)13134、在一個半徑為a的球內，均勻的分布著總電量為q的電荷。現(xiàn)在使球以勻角速度w繞一直徑旋轉，并設旋轉不影響電量 q的均勻分布，則球內的電流密度為（A）A、3qwrsin3 a4 aB 4qwrsin3 a3 a5、A、C6、A、C7、F面關于電導率的說法正確的是（C）在理想導電體中可能存在恒定電場電導率為零的介質，具有微弱的導電能力電導率

12、為無限大的導體稱為理想導電體關于恒定電流場的邊界條件，錯誤的是（C）恒定電場的切向分量連續(xù)，但法向分量不連續(xù)在兩種導電介質的邊界兩側，電流的矢量的切向分量不連續(xù) 電流線總是平行于理想導電體面將半徑為25mm的半球形導體球埋入地中，該導體球與無限遠處的電阻稱為導體球的接地電阻，若土壤的電導率10-6S/m。求導體球的接地電阻（B）6 6 6A 5.35 10 B、6.36 10 C、5.44 108、 一半徑為的半球形導體埋在地下，其地面與底面相合，設地的電阻率為2 10-5 m ,則接地電阻為（B）A 2.22 10-5 B、2.12 10-5 C、3.21 10-69、 球形 電容器內半徑

13、R1=5cm,外半徑 R2=10cm,其中的非理想 介質的電導率910 S/m，若兩極之間的電壓 U0=1000乂則正確的是（DA（ 1-10）102（V）r_ 102B E 2 arrc10-7C J 2 arrD都正確10、 一個半徑為的導體球當做接地電極深埋地下，設土壤的電導率為m,略去地面的影響， 求電極與地之間的電阻（A）A、B、 C、（判斷）1、 處于靜電平衡狀態(tài)的導體中不可能存在自由電荷的體分布，電荷只能位于導體表面 （V）2、恒定電場和靜電場一樣，也與時間無關，與外加電壓無關（X）3、電導率為無限大的導體稱為理想導電體，其中不可能存在恒定電場（V）4、運流電流的電流密度并不與電

14、場強度成正比，而且電流密度的方向與電場強度的方向也可能不同（V）5、均勻導電介質中，恒定電流場是無旋的（V）6、在恒定電流場中，電流密度通過任一閉合面的通量為零（V）7、均勻導電介質中的駐立電荷只能分布在導體介質的內部（X）-J 0 (V)8、由于恒定電流場的無旋性，電流密度J可用位函數(shù) 表示為J - ，且9、當電流由理想導電體流出進入般導電介質時，電流線總是垂直于理想導電體表面（V）10、恒定電流場是無散的，即J 0 (V)2第五章（選擇）1、下面的矢量函數(shù)中，哪些可能是磁場的矢量。（BC）A B acr B、B -axCy ayCx C2、關于理想導磁體的說法錯誤的是（C）;、B a Cr

15、A、磁導率為無限大的介質稱為理想導磁體。B在理想導磁體中不可能存在磁場強度 JC磁場強度必須平行于理想導磁體表面3、設電流為I的無限長的線電流，位于兩種介質形成的無限大的平面邊界附近，兩種介質 的磁導率分別為 1及2，則介質中的恒定磁場正確的是（ A）2 I1A B i e B、Bi err4、空間某點的磁感應強度 B的方向，一般可以用下列幾種辦法來判斷，其中哪個是錯誤的?（C）A小磁針北（N極在該點的指向；B運動正電荷在該點所受最大的力與其速度的矢積的方向；C電流元在該點不受力的方向；D載流線圈穩(wěn)定平衡時，磁矩在該點的指向。5、 下列關于磁感應線的描述，哪個是正確的？ （ D）A條形磁鐵的磁

16、感應線是從N極到S極的；B條形磁鐵的磁感應線是從S極到N極的；C磁感應線是從 N極出發(fā)終止于S極的曲線;D磁感應線是無頭無尾的閉合曲線。6、 磁場的高斯定理說明了下面的哪些敘述是正確的？（ A）a穿入閉合曲面的磁感應線條數(shù)必然等于穿出的磁感應線條數(shù)；b穿入閉合曲面的磁感應線條數(shù)不等于穿出的磁感應線條數(shù)；c 一根磁感應線可以終止在閉合曲面內； d 一根磁感應線可以完全處于閉合曲面內。（A） ad （ B） ac （ C） cd （ D ab。7、 兩個載有相等電流I的半徑為R的圓線圈一個處于水平位置，一個處于豎直位置， 兩個線圈的圓心重合，則在圓心o處的磁感應強度大小為多少 ？ （C）（A）0

17、（ C）I/2R （ D）I/R。8、有一無限長直流導線在空間產生磁場，在此磁場中作一個以截流導線為軸線的同軸的圓柱形閉合高斯面，則通過此閉合面的磁感應通量（A ）A、等于零 B、不一定等于零 C、為卩0I9、一帶電粒子垂直射入磁場 B后，作周期為T的勻速率圓周運動，若要使運動周期變?yōu)?T/2，磁感應強度應變?yōu)椋˙ ）A B/2 B、2B C、B D、- B10、 均勻磁場的磁感強度 B垂直于半徑為r的圓面。今以該圓周為邊線，做一半球面S,則 通過S面的磁通量大小為（A）A r B B 0 C 無法確定的量（判斷）1、已知某電流在空間產生的矢量磁位是A x2yax xy2ay -4xyzaz。

18、則磁感應強度 B為-4xzax 4yzay （y2 -x2） az （V）2、電流元在磁場中的受力方向始終垂直于電流的流動方向（V）3、真空中恒定磁場是無旋有散的（X）4、真空中恒定磁場的磁通密度的散度處處為零（V）5、恒定磁場強度的切向分量連續(xù)，磁通密度的法向分量連續(xù)（V）6、 H J表明介質中某點磁場強度的旋度等于該點傳導電流密度（V）8、恒疋磁場中有一載流圓線圈，右線圈的半徑增大一倍，且其中電流減小為原來的一半，磁場強度變?yōu)樵瓉淼?2倍，則該線圈所受的最大磁力矩與原來線圈的最大磁力矩之比為4:2(X)7、邊長為a的一個導體邊框上通有電流 I，則此邊框中心的磁感應強度與a成正比（x）9、質

19、量為m的電子以速度v垂直射入磁感應強度大小為 B的均勻磁場中，則該電子的軌道2磁距為凹二（V）2B10、由 B?dS 0可知磁場為無源場（V）L第六章（選擇）1、已知圓環(huán)式螺線管的自感系數(shù)為L,若將該螺線管鋸成兩個半環(huán)式的螺線管，則兩個半環(huán)螺線管的自感系數(shù)（D）都等于1/2LBCD2、有一個大于 1/2L，另一個小于 1/2L都大于1/2L都小于1/2L半徑為a的圓線圈置于磁感應強度為B的均勻磁場中，線圈平面與磁場方向垂直，線圈電阻為R,當把線圈轉動使其方向與B的夾角a =60時，線圈中已通過的電量與線圈面積及轉動的時間的關系是（A）ABCD與線圈面積成正比，與時間無關 與線圈面積成正比，與時

20、間正比 與線圈面積成反比，與時間正比與線圈面積成反比，與時間無關3、對于單匝線圈取自感系數(shù)的定義式為L m/I，當線圈的幾何形狀，大小及周圍介質分布不變，且無鐵磁性物質時，若線圈中的電流強度變小，則線圈的自感系數(shù)L (C)ABCD變大，與電流成反比關系不變變大，與電流成不成反比關系4、1 2用線圈的自感系數(shù)L來表示載流線圈磁場能量的公式WmLI 2 （ D）2ABCD5、只適用于無限長密繞線管只適用于單匝圓線圈只適用于一個匝數(shù)很多，且密繞多大的螺線環(huán)適用于自感系數(shù) L一定的任一線圈圓銅盤水平放置在均勻磁場中，B的方向垂直盤面向上，當銅盤繞通過中心垂直于盤面的軸沿逆時針方向轉動時，（D）銅盤上有

21、感應電流產生，沿著銅盤轉動的相反方向流動 銅盤上有感應電流產生，沿著銅盤轉動的方向流動 銅盤上產生渦流D銅盤上有感應電流產生，銅盤邊緣處電勢最高6、邊長為L的一個導體方框上通有電流 I，則此框中心的磁感應強度（ D）A.與L無關B.正比于L2 C。與L成正比D與L成反比7、一運動電何q，質量為 m進入均勻磁場中（C）A.其動能改變，動量不變B.其動能和動量都改變C.其動能不變，動量改變D.其動能，動量都不變8.在均勻磁場中，有兩個平面線圈，其面積 A 2A2，通有電流Ii 2I2。它們所受的最大磁力矩之比M 1等于（C）M2B.2D 1/49、J均勻磁場的磁感應強度B垂直于半徑為 R的圓面，今

22、以圓周為邊線，作一半球面S,則通過S面的磁通量的大小為（B）2 2A 2 R B B RB C 0 D無法確定10.若空間存在兩根無限長直載流導線，空間的磁場分布就不具有簡單的對稱性，則該磁場分布（C）A.不能用安培環(huán)路定理來計算B.可以直接用安培環(huán)路定理求出C.可以用安培環(huán)路定理和磁感應強度的疊加原理求出（判斷）1.互感可正可負，自感始終應為正值（V）2.同軸線的內外導體可以當做理想導電體，在這種理想導電體中不可能存在時變電磁場（V）3.由于磁場能量與磁場強度平方成正比，因此與電場能量一樣，磁場能量也符合疊加原理(X)4. 一磁場的磁感應強度為B ai bj ck，則通過一半徑為 R,開口向

23、Z方向的半球殼,表面的磁通量大小為R2C wb （V）5. 真空中有一載有穩(wěn)恒電流I的細線圈，則通過包圍該線圈的封閉曲面S的磁通量 0（V）6. 一電荷電量為q的粒子在均勻磁場中運動， 只要速度大小相同。 粒子所受的洛倫茲力就相同（X）7. 一電荷電量為q的粒子在均勻磁場中運動， 在速度不變的前提下， 若電荷q變?yōu)?q，則粒 子受力反向，數(shù)值不變（V）8. 一電荷電量為q的粒子在均勻磁場中運動，粒子進入磁場后，其動能和動量都不變（X）9. 一電荷電量為q的粒子在均勻磁場中運動， 洛倫茲力與速度方向垂直，所以帶點粒子運動的軌跡必定是圓（X）10. 線性介質的磁導率與磁通密度的大小無關（V）第七章

24、（選擇）1. 關于位移電流，下列四種說法正確的是（A）A、位移電流是由變化電場產生的B位移電流是由線性變化磁場產生的C位移電流的熱效應應服從焦耳-楞次定律D位移電流的磁效應應不服從安培環(huán)路定理2. 一平面電磁波子啊非色散無損耗的煤質里傳播，測得電磁波的平均能流密度為23000W / m。煤質的相對介電常數(shù)為4,相對磁導率為1，則在煤質中電磁波的平均能量密度為（B）A. 1000J /m3 B 2.0 10-5J/m C 3000J/m33. 位移電流與傳導電流一樣（B）A. 都是由載流子的定向移動產生的B. 都可以激發(fā)磁場C. 都可以用電流表測量其大小D. 都一樣產生熱效應4. 位移電流的實質

25、是（D）A.電場B 磁場C 變化的磁場D變化的電場5. 電場強度E EmcoswtV/m，在銅中的傳導電流密度和位移電流密度在w 103rad/s時幅值的比值（B）A. 6.47 1015 B. 6.55 1015 C 3.44 10156. 已知空氣平板電容器的板面積為S，間距為d，當外加電壓u U0sinwt，電容器中的位移電流為（A）U 0°SU 00SA.COs t B 2COs tdd7. 電磁波的電場強度為 E，磁場強度H和傳播速度u的關系是（B）A. 三者相互垂直，E和H相位相差 一2B. 三者相互垂直，構成右手螺旋指教坐標系C. 三者中E和H是同方向的，但都與 u垂直

26、68. 加在平行板電容器極板上的電壓變化率為1.0 10 V /s，在電容器內產生的位移電流，則該電容器的電容量為（A）A. 1 B 2 C 3 D 49. 電荷激發(fā)的電場為 E1，變化磁場激發(fā)的電場為E2，則（C）A.都是保守場B. 都是渦旋場Bd和Bo，則有（A）C. E1是保守場 ，E2是渦旋場10. 設位移電流與傳導電流激發(fā)的磁場分別為A. o Bo dS 0，o Bd dS 0SsB. BO dS 0， - Bd dS 0Ss（判斷）1. 時變電磁場是有旋有散場（V）2. 時變電場的方向與時變磁場的方向處處相互垂直（V）3. 在理想導電體的表面不可能存在時變電磁場，它們只可能分布在理

27、想導電體的內部（X）4. 時變電場必須垂直于理想導電體的表面，而時變磁場必須與其表面相切（V）|5. 正弦電磁場的場和源具有相同的頻率（V）6. 正弦電磁場能量密度的周期平均值等于電場密度的最大值與磁場能量密度的最大值之和的一半（V）7. 位移電流的實質是電場（X）8. 位移電流的磁效應不服從安培環(huán)路定理（X）9. 只有時變電磁場才具有電磁輻射特性（V）10.總能量密度（1 0E221 2-°H2）具有不變性（V）2第八章（選擇）1. E （z, t） ex20V2cos （6108t-2 z）,以下錯誤的是（C）A. 頻率 f 3 108HZB. 波長 1mC. 相速及能速 p 4 108m/s2. 設兩種理想介質的波阻抗分別為乙與Z2，為了消除邊界反射，可在兩種理想介質中間插入厚度為四分之一波長的理想介質夾層，則夾層的波阻抗Z （A）a. z 乙z2 b z Z