數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ) 第7章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

1、7.1 7.1 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROMROM）7.2 7.2 隨機(jī)存儲(chǔ)器（隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAMRAM）用以存儲(chǔ)二進(jìn)制信息的器件。用以存儲(chǔ)二進(jìn)制信息的器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類：根據(jù)使用功能的不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為兩大類：根據(jù)使用功能的不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為兩大類：（1 1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAMRAM）也叫做讀也叫做讀/ /寫存儲(chǔ)器。既能方寫存儲(chǔ)器。既能方便地讀出所存數(shù)據(jù)，又能隨時(shí)寫入新的數(shù)據(jù)。便地讀出所存數(shù)據(jù)，又能隨時(shí)寫入新的數(shù)據(jù)。RAMRAM的缺點(diǎn)的缺點(diǎn)是數(shù)據(jù)易失，即一旦掉電，所存的數(shù)據(jù)全部丟失。是數(shù)據(jù)易失，即一旦掉電，所存的數(shù)據(jù)全部丟失。（2

2、 2）只讀存儲(chǔ)器（）只讀存儲(chǔ)器（ROMROM）其內(nèi)容只能讀出不能寫入。其內(nèi)容只能讀出不能寫入。 存儲(chǔ)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)因斷電而消失，即具有非易失性。的數(shù)據(jù)不會(huì)因斷電而消失，即具有非易失性。（1）存儲(chǔ)器的容量：存儲(chǔ)器的容量）存儲(chǔ)器的容量：存儲(chǔ)器的容量=2nm(bit) n：地址線總數(shù)，：地址線總數(shù)， 2n 稱為字線數(shù)。稱為字線數(shù)。 m: 每一地址單元存儲(chǔ)每一地址單元存儲(chǔ)m位二值數(shù)，又稱為位線數(shù)。位二值數(shù)，又稱為位線數(shù)。8位為一字節(jié)位為一字節(jié)(Byte)， 210=1024=1K, 220=1024K=1M, 230=1024M=1G例：例：11根地址線，根地址線，8根數(shù)據(jù)線（根數(shù)據(jù)線（8位輸出），容

3、量為位輸出），容量為2118=16Kb=2KB(2)存取時(shí)間存取時(shí)間接收到尋址信號(hào)到讀接收到尋址信號(hào)到讀/寫數(shù)據(jù)為止。寫數(shù)據(jù)為止。 以一個(gè)以一個(gè)224的存儲(chǔ)器為例進(jìn)行說明。它有二根地址線的存儲(chǔ)器為例進(jìn)行說明。它有二根地址線A1、A0，四根數(shù)據(jù)線，四根數(shù)據(jù)線D3 D0。二根地址線有四種地址組合，假設(shè)對(duì)。二根地址線有四種地址組合，假設(shè)對(duì)應(yīng)輸出數(shù)據(jù)如表。應(yīng)輸出數(shù)據(jù)如表。 存儲(chǔ)器MD3D2D1D0A1A07.1 7.1 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROMROM）7.2 7.2 隨機(jī)存儲(chǔ)器（隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAMRAM）ROM ROM (read-only memory)由由地址譯碼器和存儲(chǔ)體地址譯碼器和存儲(chǔ)體

4、兩部分構(gòu)成。地址譯碼器產(chǎn)生了輸入變量的全部最小兩部分構(gòu)成。地址譯碼器產(chǎn)生了輸入變量的全部最小項(xiàng)，即實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸入變量的與運(yùn)算；存儲(chǔ)體實(shí)現(xiàn)了有項(xiàng)，即實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸入變量的與運(yùn)算；存儲(chǔ)體實(shí)現(xiàn)了有關(guān)最小項(xiàng)的或運(yùn)算。因此，關(guān)最小項(xiàng)的或運(yùn)算。因此，ROMROM實(shí)際上是由實(shí)際上是由與門陣列和與門陣列和或門陣列或門陣列構(gòu)成的構(gòu)成的組合電路組合電路，利用，利用ROMROM可以實(shí)現(xiàn)任何組合可以實(shí)現(xiàn)任何組合邏輯函數(shù)。邏輯函數(shù)。（2 2）一次性可編程）一次性可編程ROMROM（PROMPROM）。）。出廠時(shí)，存儲(chǔ)內(nèi)容全為出廠時(shí)，存儲(chǔ)內(nèi)容全為1 1（或全為（或全為0 0），用戶可根據(jù)自己的需要編程，但只能編程），用戶可根據(jù)

5、自己的需要編程，但只能編程一次。一次。 PROMPROM具有熔絲結(jié)構(gòu)，它的編程方法稱為熔絲編程。用具有熔絲結(jié)構(gòu)，它的編程方法稱為熔絲編程。用戶對(duì)戶對(duì)PROMPROM編程是逐字逐位進(jìn)行的。首先通過字線和位線編程是逐字逐位進(jìn)行的。首先通過字線和位線選擇需要編程的存儲(chǔ)單元，然后通過規(guī)定寬度和幅度的脈選擇需要編程的存儲(chǔ)單元，然后通過規(guī)定寬度和幅度的脈沖電流，將該存儲(chǔ)管的熔絲熔斷，這樣就將該單元的內(nèi)容沖電流，將該存儲(chǔ)管的熔絲熔斷，這樣就將該單元的內(nèi)容改寫了。改寫了。按照數(shù)據(jù)寫入方式特點(diǎn)不同，按照數(shù)據(jù)寫入方式特點(diǎn)不同，ROMROM可分為以下幾種：可分為以下幾種：（1 1）固定）固定ROMROM。廠家把數(shù)據(jù)

6、寫入存儲(chǔ)器中，用戶無法進(jìn)行廠家把數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中，用戶無法進(jìn)行任何修改。任何修改。（5 5）快閃存儲(chǔ)器（）快閃存儲(chǔ)器（Flash MemoryFlash Memory）。）。也是采用浮柵型也是采用浮柵型MOSMOS管，管，存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的擦除和寫入是分開進(jìn)行的，數(shù)據(jù)寫入方式存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的擦除和寫入是分開進(jìn)行的，數(shù)據(jù)寫入方式與與EPROMEPROM相同，一般一只芯片可以擦除相同，一般一只芯片可以擦除/ /寫入寫入100100萬次以上。萬次以上。（4 4）電可擦除可編程）電可擦除可編程ROMROM（E E2 2PROMPROM）。）。也是采用浮柵技術(shù)生也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程產(chǎn)的可編程ROMRO

7、M，但是構(gòu)成其存儲(chǔ)單元的是隧道，但是構(gòu)成其存儲(chǔ)單元的是隧道MOSMOS管，管，是用電擦除，并且擦除的速度要快的多（一般為毫秒數(shù)量是用電擦除，并且擦除的速度要快的多（一般為毫秒數(shù)量級(jí)）。級(jí)）。E E2 2PROMPROM的電擦除過程就是改寫過程，它具有的電擦除過程就是改寫過程，它具有ROMROM的的非易失性，又具備類似非易失性，又具備類似RAMRAM的功能，可以隨時(shí)改寫（可重的功能，可以隨時(shí)改寫（可重復(fù)擦寫復(fù)擦寫1 1萬次以上）。萬次以上）。（3 3）光可擦除可編程）光可擦除可編程ROMROM（EPROMEPROM）。）。采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程存儲(chǔ)器。其內(nèi)容可通過紫外線照射而

8、被擦除，可多可編程存儲(chǔ)器。其內(nèi)容可通過紫外線照射而被擦除，可多次編程。次編程。ROMROM的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)W0W1Wi12 nWD0 D1 Db-1 位線輸出數(shù)據(jù)0 單元1 單元i 單元2n-1 單元存儲(chǔ)體地址輸入字線地址譯碼器A0A1An-1存儲(chǔ)容量字線數(shù)存儲(chǔ)容量字線數(shù)位線數(shù)位線數(shù)2 2n nb b（位）（位）存儲(chǔ)單元地址存儲(chǔ)單元地址ROMROM的工作原理的工作原理 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 W0 W1 W2 W3 1 1 1 1 & & & & 4 44 4位位R RO OM M0A1A0m0W 0A1A1m1W 0A1A2m2W 0A1A3m

9、3W 地址譯碼器地址譯碼器存儲(chǔ)體存儲(chǔ)體302022123123103030013013D =W +W = m +m D =W +W +W =m +m +mD =W +W =m +m D =W +W +W =m +m +m 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 W0 W1 W2 W3 1 1 1 1 & & & & D3=1D2=0D1=1D0=1A1=0A0=0W0=1W1=0W2=0W3=0 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 W0 W1 W2 W3 1 1 1 1 & & & & A1=0A0=1D3=0D2=1

10、D1=0D0=1W0=0W1=1W2=0W3=0 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 W0 W1 W2 W3 1 1 1 1 & & & & A1=1A0=0D3=1D2=1D1=0D0=0W0=0W1=0W2=1W3=0 1 1 D3 D2 D1 D0 A1 A0 W0 W1 W2 W3 1 1 1 1 & & & & A1=1A0=1D3=0D2=1D1=1D0=1W0=0W1=0W2=0W3=11.1.作函數(shù)運(yùn)算表電路作函數(shù)運(yùn)算表電路 試用試用ROMROM構(gòu)成能實(shí)現(xiàn)函數(shù)構(gòu)成能實(shí)現(xiàn)函數(shù)y y= =x x2 2的運(yùn)算表電

11、路，的運(yùn)算表電路，x x的取值范圍的取值范圍為為0 01515的正整數(shù)。的正整數(shù)。 （1 1）分析要求、設(shè)定變量）分析要求、設(shè)定變量 自變量自變量x x的取值范圍為的取值范圍為0 01515的正整數(shù)，對(duì)應(yīng)的的正整數(shù)，對(duì)應(yīng)的4 4位二位二進(jìn)制正整數(shù)，用進(jìn)制正整數(shù)，用B=B3B2B1B0表示。根據(jù)表示。根據(jù)y=x2的運(yùn)算關(guān)系，的運(yùn)算關(guān)系，可求出可求出y的最大值是的最大值是152225，可以用可以用8 8位二進(jìn)制數(shù)位二進(jìn)制數(shù)Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。表示。0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0 10 0 0 0 0 1 0 00 0 0 0 1 0 0 10 0 0

12、 1 0 0 0 00 0 0 1 1 0 0 10 0 1 0 0 1 0 00 0 1 1 0 0 0 10 1 0 0 0 0 0 00 1 0 1 0 0 0 10 1 1 0 0 1 0 00 1 1 1 1 0 0 11 0 0 1 0 0 0 01 0 1 0 1 0 0 11 1 0 0 0 1 0 01 1 1 0 0 0 0 1Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 輸輸 出出0149162536496481100121144169196225對(duì)應(yīng)對(duì)應(yīng)十進(jìn)制數(shù)十進(jìn)制數(shù)0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00

13、 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 01 1 1 1B3 B2 B1 B0 輸輸 入入（2 2）列真值表）列真值表Y7=m12+m13+m14+m15（3 3）寫標(biāo)準(zhǔn)與或表達(dá)式）寫標(biāo)準(zhǔn)與或表達(dá)式Y(jié)4=m4+m5+m7+m9+m11+m12Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15Y3=m3+m5+m11+m13Y1= 0Y2=m2+m6+m10+m14(4)(4)畫畫ROMROM存儲(chǔ)矩陣結(jié)點(diǎn)連接圖存儲(chǔ)矩陣結(jié)點(diǎn)連接圖Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m

14、15B13B12B11B10m0W0)()(11mWW23WW4W56WW78W9WW10W11W12W1314WW15或或門門陣陣列列陣陣矩矩取取存存（）址址 門門（碼碼）地地陣陣器器列列與與譯譯Y76YY5Y4Y3Y2Y10YY3=m3+m5+m11+m13Y7=m12+m13+m14+m15Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 數(shù)學(xué)運(yùn)算是數(shù)控裝置和數(shù)字系統(tǒng)中需要經(jīng)常進(jìn)行的操數(shù)學(xué)運(yùn)算是數(shù)控裝置和數(shù)字系統(tǒng)中需要經(jīng)常進(jìn)行的操作，如果事先把要用到的基本函數(shù)變量在一定范圍內(nèi)的取值作，如果事先把要用到的基本函數(shù)變量在一定范圍內(nèi)的

15、取值和相應(yīng)的函數(shù)取值列成表格，寫入只讀存儲(chǔ)器中，則在需要和相應(yīng)的函數(shù)取值列成表格，寫入只讀存儲(chǔ)器中，則在需要時(shí)只要給出規(guī)定時(shí)只要給出規(guī)定“地址地址”就可以快速地得到相應(yīng)的函數(shù)值。就可以快速地得到相應(yīng)的函數(shù)值。這種這種ROMROM，實(shí)際上已經(jīng)成為函數(shù)運(yùn)算表電路。，實(shí)際上已經(jīng)成為函數(shù)運(yùn)算表電路。 存儲(chǔ)器很經(jīng)常用于當(dāng)作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的表格，因?yàn)檩斎氲刂?，存?chǔ)器很經(jīng)常用于當(dāng)作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的表格，因?yàn)檩斎氲刂罚涂奢敵龃鎯?chǔ)在該地址單元的數(shù)據(jù)輸出。就可輸出存儲(chǔ)在該地址單元的數(shù)據(jù)輸出。 （1 1）寫出各函數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)與或表達(dá)式：）寫出各函數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)與或表達(dá)式： 按按A、B、C、D順序排列變量，將順序排列變量，將Y1、Y2、

16、Y4擴(kuò)展成為四變擴(kuò)展成為四變量邏輯函數(shù)。量邏輯函數(shù)。試用試用ROMROM實(shí)現(xiàn)下列函數(shù)：實(shí)現(xiàn)下列函數(shù)：ABCCBACBACBAY 1CABCY 2ABCDDCABDCBADBCACDBADCBAY 3BCDACDABDABCY 4），（），（），（），（15141311715129630151411107615149854324321mmmmYYYY與與）取取列列WWWm)1存存門門107(碼碼門門91WWW1)0m41（(01123WYYY14WYW11址址或或WW13W643W1512WW陣陣521譯譯器器）陣陣地地矩矩列列（陣陣W8C CD DA AB B），（），（），（），（15141

17、311715129630151411107615149854324321mmmmYYYYBBBB0123GGGG0123 二進(jìn)制碼二進(jìn)制碼 格雷碼格雷碼 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0

18、 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 (2) (2) 由真值表寫出最小表達(dá)式由真值表寫出最小表達(dá)式 (3)(3)畫出畫出4 4位二進(jìn)制位二進(jìn)制-GRY-GRY轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換器的ROMROM陣列結(jié)構(gòu)圖陣列結(jié)構(gòu)圖, ,如下如下: : 3 3字符顯示字符顯示 字符發(fā)生器常用于顯示終端、打印機(jī)及其他一些數(shù)字裝字符發(fā)生器常用于顯示終端、打印機(jī)及其他一些數(shù)字裝置。將各種字母、數(shù)字等字符事先存儲(chǔ)在置。將各種字母、數(shù)字等字符事先存儲(chǔ)在ROMROM的存儲(chǔ)矩陣中，的存儲(chǔ)矩陣中，再以適當(dāng)方式給出地址碼，某個(gè)字符就能讀出，并驅(qū)動(dòng)顯再以適當(dāng)方式給出地址碼，某個(gè)字符就能讀出，并驅(qū)動(dòng)顯示器進(jìn)行顯示

19、示器進(jìn)行顯示 下圖用下圖用ROM構(gòu)成字母構(gòu)成字母“T”的原理。的原理。 VVppccCEPGMAADD12007地2764AAAAAAAAAAA012345678910AA1112OOOOO0O12O345O6722321242534567898kB8276410VPP127PGM(PGM)VCCVIH20CSOECSOE221112131415161718地址輸入數(shù)據(jù)據(jù)輸出AA120DD7CE0PGMVppccV引腳功能地址輸入芯片使能編程脈沖電壓輸入數(shù) 據(jù)7.1 7.1 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROMROM）7.2 7.2 隨機(jī)存儲(chǔ)器（隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAMRAM）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（隨機(jī)存取存儲(chǔ)

20、器（RAM, RAM, random-access memory random-access memory ）可以在任意時(shí)刻、對(duì)任意選中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行信息的可以在任意時(shí)刻、對(duì)任意選中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行信息的存入（寫入）或取出（讀出）操作。與只讀存儲(chǔ)器存入（寫入）或取出（讀出）操作。與只讀存儲(chǔ)器ROMROM相比，相比，RAMRAM最大的優(yōu)點(diǎn)是存取方便，使用靈活，既最大的優(yōu)點(diǎn)是存取方便，使用靈活，既能不破壞地讀出所存信息，又能隨時(shí)寫入新的內(nèi)容。能不破壞地讀出所存信息，又能隨時(shí)寫入新的內(nèi)容。其缺點(diǎn)是一旦停電，所存內(nèi)容便全部丟失。其缺點(diǎn)是一旦停電，所存內(nèi)容便全部丟失。RAMRAM由由存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器、

21、讀寫控制電路、存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器、讀寫控制電路、輸入輸出電路和片選控制電路輸入輸出電路和片選控制電路等組成。實(shí)際上等組成。實(shí)際上RAMRAM是由許許多多的是由許許多多的基本寄存器基本寄存器組合起來構(gòu)成的大規(guī)模集組合起來構(gòu)成的大規(guī)模集成電路。成電路。 RAM RAM中的每個(gè)寄存器稱為一個(gè)中的每個(gè)寄存器稱為一個(gè)字字，寄存器中的每一，寄存器中的每一位位稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。寄存器的個(gè)數(shù)（字?jǐn)?shù)）與寄存稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。寄存器的個(gè)數(shù)（字?jǐn)?shù)）與寄存器中存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)（位數(shù)）的乘積，叫做器中存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)（位數(shù)）的乘積，叫做RAMRAM的的容量容量。按照按照RAMRAM中寄存器位數(shù)的不同，中寄存器位數(shù)的不同，RA

22、MRAM有有多字多字1 1位位和和多字多多字多位位兩種結(jié)構(gòu)形式。在多字兩種結(jié)構(gòu)形式。在多字1 1位結(jié)構(gòu)中，每個(gè)寄存器都只位結(jié)構(gòu)中，每個(gè)寄存器都只有有1 1位，例如一個(gè)容量為位，例如一個(gè)容量為102410241 1位的位的RAMRAM，就是一個(gè)有，就是一個(gè)有10241024個(gè)個(gè)1 1位寄存器的位寄存器的RAMRAM。多字多位結(jié)構(gòu)中，每個(gè)寄存。多字多位結(jié)構(gòu)中，每個(gè)寄存器都有多位，例如一個(gè)容量為器都有多位，例如一個(gè)容量為2562564 4位的位的RAMRAM，就是一，就是一個(gè)有個(gè)有256256個(gè)個(gè)4 4位寄存器的位寄存器的RAMRAM。 RAM RAM可分為可分為單極型和雙極型單極型和雙極型：雙極型

23、工作速率高，但是集成：雙極型工作速率高，但是集成度不如單極型的高，目前，由于工藝水平的不斷提高，單極型度不如單極型的高，目前，由于工藝水平的不斷提高，單極型RAMRAM的速率已經(jīng)可以和雙極型的速率已經(jīng)可以和雙極型RAMRAM相比，而且單極型相比，而且單極型RAMRAM具有功耗具有功耗低的優(yōu)點(diǎn)。這里只以單極型低的優(yōu)點(diǎn)。這里只以單極型RAMRAM為例進(jìn)行分析為例進(jìn)行分析 單極型單極型RAMRAM又可分為又可分為靜態(tài)靜態(tài)RAM(SRAM)RAM(SRAM)與與動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)RAM(DRAM)：靜態(tài)：靜態(tài)RAMRAM是用是用MOSMOS管觸發(fā)器來存儲(chǔ)代碼，所用管觸發(fā)器來存儲(chǔ)代碼，所用MOS

24、MOS管較多、集成度低、管較多、集成度低、功耗也較大。功耗也較大。SRAMSRAM速度非?？?，但是它也非常昂貴，所以只在速度非常快，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用。如要求很苛刻的地方使用。如CPUCPU的一級(jí)緩存，二級(jí)緩存。的一級(jí)緩存，二級(jí)緩存。靜態(tài)靜態(tài)RAMRAM使用方便，不需要刷新。使用方便，不需要刷新。動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAMRAM是用柵極分布電容保存信息，它的存儲(chǔ)單元所需要的是用柵極分布電容保存信息，它的存儲(chǔ)單元所需要的MOSMOS管較少，因此集成度高、功耗也小。管較少，因此集成度高、功耗也小。DRAMDRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比很短，速度也比SRAMSRA

25、M慢，不過它還是比任何的慢，不過它還是比任何的ROMROM都要快，但都要快，但從價(jià)格上來說從價(jià)格上來說DRAMDRAM相比相比SRAMSRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAMDRAM的。的。 存儲(chǔ)矩陣存儲(chǔ)矩陣 地址譯碼器地址譯碼器 讀讀/寫控制電路寫控制電路 地址碼輸入地址碼輸入 片選片選 讀讀/寫控制寫控制 輸入輸入/輸出輸出 用以決定訪問用以決定訪問哪個(gè)字單元哪個(gè)字單元由大量寄存器由大量寄存器構(gòu)成的矩陣構(gòu)成的矩陣讀出及寫入讀出及寫入數(shù)據(jù)的通道數(shù)據(jù)的通道用以決定芯用以決定芯片是否工作片是否工作用以決定對(duì)用以決定對(duì)被選中的單元被選中的單元是讀還是寫是讀還是寫 1.

26、1. 存儲(chǔ)矩陣存儲(chǔ)矩陣圖中，圖中，10241024個(gè)字排個(gè)字排列成列成32323232的矩的矩陣。陣。為了存取方便，給為了存取方便，給它們編上號(hào)。它們編上號(hào)。3 23 2 行 編 號(hào) 為行 編 號(hào) 為 X X0 0、X X1 1、X X3131，3 23 2 列 編 號(hào) 為列 編 號(hào) 為 Y Y0 0、Y Y1 1、Y Y3131。這樣每一個(gè)存儲(chǔ)單這樣每一個(gè)存儲(chǔ)單元都有了一個(gè)固元都有了一個(gè)固定的編號(hào)，稱為定的編號(hào)，稱為地址地址。 000001111313113131310131列 譯 碼 器行譯碼器. .位線位線位線位線位線位線.X XX XX XY YY YY Y01310131AAAAA地

27、 址 輸 入地址輸入56789DD數(shù)據(jù)線.2AA3A01A4A容量為容量為2562564 RAM4 RAM的存儲(chǔ)矩陣的存儲(chǔ)矩陣X0X1X2X318 根列選擇線 Y0 Y1 Y732根行選擇線存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元10241024個(gè)存儲(chǔ)單元排成個(gè)存儲(chǔ)單元排成3232行行3232列的矩陣列的矩陣每根行選擇線選擇一行每根行選擇線選擇一行每根列選擇線選擇一個(gè)字列每根列選擇線選擇一個(gè)字列Y Y1 11 1，X X2 21 1，位于，位于X X2 2和和Y Y1 1交叉處的字單交叉處的字單元可以進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，而其余任元可以進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，而其余任何字單元都不?huì)被選中。何字單元都不會(huì)被選中。2. 地址的

28、選擇通過地址的選擇通過地址譯碼器地址譯碼器來實(shí)現(xiàn)。地址譯碼器由行譯碼來實(shí)現(xiàn)。地址譯碼器由行譯碼器和列譯碼器組成。行、列譯碼器的輸出即為行、列選擇線，器和列譯碼器組成。行、列譯碼器的輸出即為行、列選擇線，由它們由它們共同確定共同確定欲選擇的地址單元。欲選擇的地址單元。 A4 A3 A2 A1 A0 X0 X1 X2 X31 A7 A6 A5 Y0 Y1 Y7 行譯碼器 列 譯 碼 器 0 0 1000102562564 RAM4 RAM存儲(chǔ)矩陣中，存儲(chǔ)矩陣中，256256個(gè)字需要個(gè)字需要8 8位地址碼位地址碼A A7 7A A0 0。其中。其中高高3 3位位A A7 7A A5 5用于列譯碼輸入

29、，低用于列譯碼輸入，低5 5位位A A4 4A A0 0用于行譯碼輸入用于行譯碼輸入。A A7 7A A0 0=00100010=00100010時(shí)，時(shí)，Y Y1 1=1=1、X X2 2=1=1，選中，選中X X2 2和和Y Y1 1交叉的字單元。交叉的字單元。RAM芯片簡介芯片簡介(6116)(6116)1234567891011121314151617181920212223246116765432112AAAAAAADD00ADVAAWEOECSDDDDDADD891076543GND61166116為為2K2K8 8位的靜態(tài)位的靜態(tài)CMOSRAMCMOSRAM100CS片選片選0OE輸出使能輸出使能10WE讀讀/寫控制寫控制穩(wěn)定穩(wěn)定穩(wěn)定穩(wěn)定A0 A10地址碼輸入地址碼輸入高高 阻阻 態(tài)態(tài)輸輸 出出輸輸 入入D0 D7輸輸 出出工作模式工作模式低功耗維持低功耗維持讀讀寫寫61166116的功能表的功能表A A0 0A A1010是地址碼輸入端，是地址碼輸入端，D D0 0D D7 7是數(shù)