計算機組成存儲系統(tǒng)習題

1、5.4 同步測試習題及解答5.4.1 同步測試習題一、填空題1.在多級存儲體系中，Cache的主要功能是_，虛擬存儲器的主要功能是_。2.SRAM靠_存儲信息，DRAM靠_存儲信息。_存儲器需要定時刷新。3.動態(tài)半導體存儲器的刷新一般有_、_和_。4.一個512KB的存儲器，其地址和數(shù)據(jù)線的總和是_。5.若RAM芯片內(nèi)有1024個單元，用單譯碼方式，地址譯碼器有_條輸出線；用雙譯碼方式，地址譯碼器有_條輸出線。6.高速緩沖存儲器中保存的信息是主存信息的_。二、選擇題1.在磁盤和磁帶這兩種磁介質(zhì)存儲器中，存取時間與存儲單元的物理位置有關(guān)，按存儲方式分_。A二者都是順序存取 B. 二者都是直接存取

2、C. 磁盤是直接存取，磁帶是順序存取 D. 磁帶是直接存取，磁盤的順序存取2.存儲器進行一次完整的讀寫操作所需的全部時間稱為（）A.存取時間 B.存取周期 C.CPU周期 D.機器周期3.以下哪種類型的存儲器速度最快（）A.DRAM B.ROM C.EPROM D.SRAM4.下述說法中正確的是（）A半導體RAM信息可讀可寫，且斷電后仍能保持記憶B動態(tài)RAM的易失性RAM，而靜態(tài)RAM中的存儲信息是不易失的C半導體RAM是易失RAM，但只要電源不斷電，所存信息是不丟失的D半導體RAM是非易失性的RAM5動態(tài)RAM的刷新是以（）A存儲單位 B行 C列 D存儲位6.SRAM芯片，其容量為1024&

3、#215;8，除電源和接地端外，該芯片最少引出線數(shù)位（）A16 B17 C20 D217.存儲器容量為32K×16，則（）A地址線為16根，數(shù)據(jù)線為32根B地址線為32根，數(shù)據(jù)線為16根C地址線為15根，數(shù)據(jù)線為16根D地址線為16根，數(shù)據(jù)線為15根8.某計算機字長為32位，存儲器容量為4MB，若按字編址，其尋址范圍是0到（）A220-1 B221-1 C223-1 D224-19.下述說法正確的是（）AEPROM是可改寫的，因而也是隨機存儲器的一種BEPROM是可改寫的，但它不能用作為隨機存儲器用CEPROM只能改寫一次，故不能作為隨機存儲器用DEPROM是只能改寫一次的只讀存儲器

4、10.通常計算機的主存儲器可采用（）ARAM和ROM BROM CRAM DRAM或ROM11.存儲器采用部分譯碼法片選時（）A不需要地址譯碼器 B不能充分利用存儲器空間 C會產(chǎn)生地址重疊DCPU的地址線全參與譯碼12.在主存和CPU之間增加高速緩沖存儲器的目的是（）A解決CPU和主存之間的速度匹配問題 B擴大主存容量 C擴大CPU通用寄存器的數(shù)目 D即擴大主存容量又擴大CPU中通過寄存器的數(shù)量13.在程序的執(zhí)行過程中，Cache與主存的地址映射是由（）A操作系統(tǒng)來管理的 B程序員調(diào)度的 C由硬件自動完成的 D由軟、硬件共同完成的14.采用虛擬存儲器的目的（）A提高主存的速度 B擴大輔存的存取

5、空間 C擴大主存的存取空間 D擴大存儲器的尋址空間15.常用的虛擬存儲器尋址系統(tǒng)由（）兩級A主存輔存 BCache主存 CCache輔存 D控件主存三、判斷題1.存取周期是指啟動一次存儲器操作到完成該操作所需的時間。2.CPU訪問存儲器的時間是由存儲體的容量決定的，存儲容量越大，訪問存儲器所需時間就越長。訪問存儲器所需時間就越長。3隨機存儲器需要定時地進行刷新。4因為動態(tài)存儲器是破壞性讀出，所以必須不斷地刷新。5斷電后，RAM中的數(shù)據(jù)不會丟失。6動態(tài)RAM的異步刷新方式?jīng)]有讀寫死區(qū)。7斷電后，EEPROM中的數(shù)據(jù)不會丟失。8一般情況下，ROM和RAM在存儲體中是統(tǒng)一編址的。9用戶編程的地址稱為

6、虛地址，通常虛地址的范圍要比實地址大得多。四、簡答題1說明SRAM的組成結(jié)構(gòu)，與SRAM相比，DRAM在電路組成上有什么不同之處？2DRAM存儲器為什么要刷新？采用何種方式刷新？3存儲器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)可以解決什么問題？實現(xiàn)存儲器層次結(jié)構(gòu)的先決條是什么？用什么來度量?五、分析題1某計算機系統(tǒng)字長32位，主存以字節(jié)編址，試畫了存儲器字地址和字節(jié)地址的分配情況示意圖。2有一個16K×16的存儲器，由1K×4的DRAM芯片（內(nèi)部結(jié)構(gòu)為64×64）構(gòu)成，問：（1）采用異步刷新方式，如最大刷新間隔為2ms，則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少？（2）如采用集中刷新方式，存儲器刷新一遍最少用多少個刷新周期為0.5us,死區(qū)占多少時間？死時間率為多少？3某存儲器容量為4KB，其中：ROM 2KB，選用EPROM 2K×8；RAM 2K×8；RAM 2KM，選用RAM 1K×8；地址線A15 A0。寫出全部片選信號的邏輯式。4.要求用128K×16的SRAM芯片組成512K×16的隨機存儲器，用64K×16的EPROM芯片組成128K×16的只讀存儲器。試問：（1）數(shù)據(jù)寄存器多少位？（2）地址